Interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
A sag-preventing pattern 3 is provided at the end part of a packaging circuit resin board with a thin film having an interlayer insulation film 4 that is provided between a lower wiring layer and an upper wiring layer comprising a dry film, adjoining the region with the relatively high density of at least an actual wiring layer 2 on the end part side of the board from the actual wiring layer 2.例文帳に追加
下層配線層と上層配線層との間に設ける層間絶縁膜4をドライフィルムによって構成した薄膜付実装回路樹脂基板の端部に、少なくとも実配線層2の密度が相対的に粗な領域に隣接し、且つ、前記実配線層2より基板の端部側にダレ防止用パターン3を設ける。 - 特許庁
The frequency characteristic in a high-frequency region, and DC superposing characteristic of this planer magnetic element which is constituted by sandwiching a spiral planar coil 3 and insulating films 2 between upper and lower thin magnetic films 1 and 4, are improved by scattering magnetic power 6 in an insulating film 7 between coil wires and interlayer insulating films 8.例文帳に追加
スパイラル平面コイル3と、絶縁膜2および平面コイル3を挟み込む上部,下部磁性体薄膜1,4とを積層した平面型磁気素子の、コイル線間絶縁膜7,層間絶縁膜8にそれぞれ磁性粉体6を分散させることにより、高周波領域における周波数特性,直流重畳特性の改善を図る。 - 特許庁
The semiconductor device comprises the semiconductor chip such that a multilayer interconnection structure, having an interlayer insulation film of a low dielectric constant, is formed on a silicon substrate, and the sealing resin layer for sealing the semiconductor chip.例文帳に追加
シリコン基板上に低比誘電率の層間絶縁膜を有する多層配線構造が形成された半導体チップと、この半導体チップを覆う封止樹脂層とを備えた半導体装置において、前記封止樹脂層は、室温での線膨張係数(α)、室温でのヤング率(E)および膜厚(h)が下記(1)式の関係を満たすことを特徴とする半導体装置。 - 特許庁
This semiconductor device is equipped with a fuse wiring which is used for switching a defective circuit to a redundant circuit and composed of an upper wiring 2, a different layer wiring 3, and an interlayer insulating film 4 interposed between the wirings 2 and 3, and a fuse opening 1 for irradiating the fuse wiring with a cutting laser beam is provided in the upper wiring 2.例文帳に追加
不良回路を冗長回路に切り替えるためのヒューズ配線は上層配線2と、上層配線2との間に1枚の層間絶縁膜4を介して形成される異層の配線3とによって形成され、上層配線2上にはヒューズ配線に対して切断用のレーザ光を照射するためのヒューズ開口部1が設けられている。 - 特許庁
To provide a radiation-sensitive resin composition having no safety problem, superior in sensitivity, resolution and storage stability as a solution, and having such a proper development margin that a proper pattern profile can be formed, even after the lapse of the optimum developing time in a developing step, and to provide a method for forming an interlayer insulation film and microlenses from the composition.例文帳に追加
安全性に問題がなく、感度、解像度、溶液としての保存安定性等に優れ、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような良好な現像マージンを有する感放射線性樹脂組成物、ならびに該組成物から層間絶縁膜およびマイクロレンズを形成する方法を提供すること。 - 特許庁
The interlayer 3 is formed having a layer composed of an electron donor acceptor complex or metal, or a metal compound layer 3a having a work function of 3.7 eV or smaller, a light transmitting layer 3b containing a conductive material, a layer 3c composed of a charge transport organic material, and a layer 3d composed of a hole injection material.例文帳に追加
中間層3は、電荷移動錯体からなる層または3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aと、導電体材料を含有する光透過性の層3bと、電荷輸送性有機材料からなる層3cと、ホール注入材料からなる層3dとを備えて形成されている。 - 特許庁
A cross-linking combination layer consisting of one kind or more selected from copolymeric saponified matter of diacetoneacrylamide-fatty acid vinylester, a hydrazine compound, and a diamine compound is included in an interlayer between a support basement and a thermal coloring component layer in thermal recording material with a thermal coloring component layer set on the support basement.例文帳に追加
支持基体上に感熱発色成分層を設けた感熱記録用材料における支持基体と感熱発色成分層との層間および感熱発色成分層上に、(A)ジアセトンアクリルアミド−脂肪酸ビニルエステルの共重合体のケン化物と(B)ヒドラジン系化合物、ジアミン系化合物から選ばれる1種以上とからなる架橋結合層を有する。 - 特許庁
The method for manufacturing a semiconductor device is provided with a process for forming a wiring trench 38 in an interlayer insulating film 34, a process for forming the wiring layer 44 whose main material is Cu in the wiring trench 38, and a process for performing nitrogen two-phase flow treatment in which nitrogen gas and hotwater are sprayed simultaneously to the surface of the wiring layer 44 embedded in the wiring trench 38.例文帳に追加
層間絶縁膜34に、配線溝38を形成する工程と、配線溝38内に、Cuを主材料とする配線層44を形成する工程と、配線溝38内に埋め込まれた配線層44の表面に対して、窒素ガスと水とを同時に吹き付ける窒素二流体処理を行う工程とを有する。 - 特許庁
A silicon oxide film (SiO_2), made of the higher order silane, is far smaller in stress than a conventional oxide film, hardly causes warpage, has proper embedding ability, and is smaller in density of the trench than an interlayer insulation film which is formed on the flat principle surface of the semiconductor substrate, thereby achieving low relative permittivity.例文帳に追加
この高次シランから形成されるシリコン酸化膜(SiO_2 )は、ストレスが従来の酸化膜より格段に小さく殆ど反りのない性質をもち、埋め込み性が良く、トレンチ内での密度が半導体基板の平坦な主面上に形成された同じ材料の層間絶縁膜より小さく従って比誘電率が小さいという特性を有する。 - 特許庁
To provide a radiation-sensitive composition having high radiation sensitivity and such a development margin as to form a good pattern shape even by development for over an optimum developing time in a developing step, the composition easily forming a patterned thin film excellent in adhesion and being suitable for forming an interlayer dielectric or microlenses.例文帳に追加
高い感放射線感度を有し、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような現像マージンを有し、密着性に優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる、層間絶縁膜またはマイクロレンズの形成に好適な感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁
In the laminated glass, at least an interlayer film for laminated glass and glass plates are laminated on each other and integrated, and Head Injury Criteria (HIC) value measured in accordance with the provision by European Enhanced Vehicle-safety Committee; EEVC/WG17 is equal to or less than 1,000.例文帳に追加
少なくとも合わせガラス用中間膜とガラス板とが積層され、一体化されている合わせガラスであって、ヨーロピアン・エンハンスド・ビークル−セーフティ・コミッティー(European Enhanced Vehicle−safety Committee;EEVC/WG17)の規定に準拠して測定した頭部衝撃指数(Head Injury Criteria;HIC)値が1000以下である合わせガラス。 - 特許庁
The interlayer adhesive is obtained by mixing an aqueous slurry of undissolved particles of raw starch or a modified starch obtained by subjecting the raw starch to a nonionic treatment with an aqueous solution of a high-molecular weight cationic polyacrylamide derivative having an advanced structural type molecular structure, and sprayed or coated between the sheet plies to produce the paperboard or the like by combination papermaking.例文帳に追加
生澱粉または生澱粉に非イオン的処理を施した改質澱粉の未溶解粒子の水性スラリーに、高度構造型分子構造を有する高分子量カチオン性ポリアクリルアミド誘導体の水溶液が混合されてなる層間接着剤を、シート層間に噴霧、塗布して、抄き合わせ抄造によって板紙などを製造する。 - 特許庁
The high frequency semiconductor device comprises a ground plate provided on a semiconductor substrate and connected with the ground potential, and a plurality of line conductors provided in multilayer on the ground plate through an interlayer insulation film with the power supply points being integrated by interconnecting respective layers through through holes located at the electrical intermediate points thereof.例文帳に追加
半導体基板上に設けられ、接地電位に接続される接地プレートと、接地プレート上に層間絶縁膜を介して多層に設けられ、その電気的中間点に位置するスルーホールによって各層間が相互に接続されることで、給電点が統合される複数の線路導体とを備えることを特徴とする高周波半導体装置。 - 特許庁
A resin impregnated porous filler is obtained by inserting a coupling agent or an inorganic material into between layers of a laminar clay mineral to prepare an interlayer crosslinked material, three-dimensionally binding the laminar clay mineral to obtain a porous filler having all of meso pores, micro pores and macro pores, and impregnating the macro pores of the porous filler with a resin.例文帳に追加
層状粘土鉱物の層間にカップリング剤あるいは無機物を挿入し層間架橋体を調製し、該層状粘土鉱物の立体化を行って得られる、メソ気孔、ミクロ気孔及びマクロ気孔を併せ持つ多孔質フィラーであって、前記多孔質フィラーのマクロ気孔に樹脂を含浸させたことを特徴とする樹脂含浸多孔質フィラー。 - 特許庁
This elastic warp knitted fabric whose two layers comprising mutually facing front and back side base knitted fabrics F and B containing at least non-elastic yarns 1, 3 and elastic yarns 2, 4 are integrally bound to each other by crossing and interlacing either of the non-elastic yarns 1, 3 with either of the elastic yarns 2, 4 in the interlayer 5.例文帳に追加
少なくとも非弾性糸1、3と弾性糸2、4を含んで編成されるそれぞれフロント側F、バック側Bの相対する2層の基布の各層の前記非弾性糸1、3と弾性糸2、4のうちいずれか1つの糸が層間5で交差し絡むことにより両層が一体となるように結合されている伸縮性経編地。 - 特許庁
To provide a decorative sheet in which a transparent acrylic resin film 1 having excellent weather resistance, transparency, moldability and the like is provided on a base sheet 4 and a surface state is regulated to desired matting feeling and which can be easily manufactured without generating a design fault such as an interlayer adhesion fault, a silver grain, a blister or the like.例文帳に追加
耐候性や透明性、成形加工性等に優れた透明アクリル系樹脂フィルム1が基材シート4上に設けられた化粧シートにおいて、表面状態が所望の艶消し感に調整されており、しかも層間密着不良や銀目、膨れ等の意匠不良を発生することなく容易に製造可能な化粧シートを提供する。 - 特許庁
The manufacturing method for the substrate without a core layer comprises (a) a step to form an insulating layer on the whole surface of a metallic sheet, (b) a step to form a via-hole on the insulating layer for interlayer electrical connection between the metallic sheet and other layer surface, and (c) a step to form many projected functional pads by etching the metallic sheet.例文帳に追加
(a)金属シートの一面に絶縁層を形成する段階と、(b)上記絶縁層に上記金属シートと他面の層間電気的接続のためのビアホールを形成する段階と、及び(c)上記金属シートをエッチングすることで突出された多数の機能パッドを形成する段階とを含むコア層のない基板製造方法が提供される。 - 特許庁
The capacitor of the semiconductor memory is provided with a lower electrode 10 for covering the bottom of a storage node hole 9, and for covering the side surface to a height lower than the height of the upper surface of a second interlayer insulating film 8, a capacity insulating layer 11 for covering the top of the lower electrode, and an upper electrode 12 for covering the top of the capacity insulating layer 11.例文帳に追加
本発明の半導体記憶装置のキャパシタは、ストレージノードホール9の底面を覆い、側面を第2の層間絶縁膜8の上面の高さよりも低い高さまで覆う下部電極10と、下部電極の上を覆う容量絶縁膜11と、容量絶縁膜11の上を覆う上部電極12とを備える。 - 特許庁
To provide a photosensitive siloxane composition which is used in formation of a planarizing film for a thin film transistor (TFT) substrate having such properties as high transmittance, heat resistance and insulation, an interlayer insulation film of a semiconductor device, or a core or cladding material of an optical waveguide, and which has high sensitivity, shortens developing time, and gives a pattern film readily soluble in an alkaline aqueous solution.例文帳に追加
高い透過率、耐熱性、絶縁性の特性を有する薄膜トランジスタ(TFT)基板用平坦化膜、半導体素子の層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材などの形成に用いられる、高感度で現像時間を短縮でき、パターン膜がアルカリ水溶液に容易に溶解する感光性シロキサン組成物を提供する。 - 特許庁
The interlayer insulating film is provided with trenches 11m and 11n extending in a specified direction in parallel with the major surface while being spaced apart from each other between the memory cell and the circumferential edge 54, and a trench 11p branched from the trenches 11m and 11n to extend in a direction different from the extending direction of the trenches 11m and 11n.例文帳に追加
層間絶縁膜には、メモリセルと周縁54との間に位置して、主表面に対して平行に延在し、かつ互いに間隔を隔てて所定の方向に延びる溝11mおよび11nと、溝11mおよび11nから枝分かれし、溝11mおよび11nが延びる方向とは異なる方向に延びる溝11pとが形成されている。 - 特許庁
The interlayer peeling of a laminated material having at least a structure containing an electroconductive composition layer 4 sandwiched between the 1st and the 2nd electrodes 2, 3 is carried out by applying a voltage between the 1st and the 2nd electrodes 2, 3 to effect the anodic oxidization of the anode-side electrode and the peeling of the laminate at the interface between the electrode and the electrically conductive composition layer 4.例文帳に追加
第1,第2の電極2,3間に導電性組成物層4が挟まれている構造を少なくとも有する積層接合体を層間剥離するに際し、第1,第2の電極2,3間に電圧を印加し、陽極側の電極を陽極酸化し、該電極と導電性組成物層4との間の界面で剥離する。 - 特許庁
To provide a parallel plate plasma processing system, and a method for fabricating a semiconductor device using the plasma processing system, in which the probability of charge-up damage can be lowered at the time of ashing or etching and machining for fabricating a good device can be carried out without varying the permittivity of an interlayer insulation film before and after etching.例文帳に追加
平行平板型プラズマ処理装置において、アッシングまたはエッチング時のチャージアップ・ダメージを受ける確率を低くすることができ、かつエッチング前後で層間絶縁膜の誘電率を大きく変化させてしまうことなく良好なデバイス形成のための加工を行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A method for manufacturing the interlayer film for laminated glass comprises: step (A) of preparing a colorant composition by heating and kneading 100 pts.wt. ethylene-polar monomer copolymer and 0.5-20 pts.mass colorant; and step (B) of mixing the colorant composition with a crosslinking agent and forming a film from the resulting composition.例文帳に追加
エチレン−極性モノマー共重合体と、前記エチレン−極性モノマー共重合体100質量部に対して0.5〜20質量部の着色剤とを加熱混練して着色剤組成物を作製する工程(A)と、 前記着色剤組成物を架橋剤と混合し、これにより得られた組成物を製膜する工程(B)と、を含む合わせガラス用中間膜の製造方法。 - 特許庁
This resin composition is obtained by compounding 100 parts wt. of a synthetic resin such as one or more kinds of thermoplastic resins selected from a polyolefin, polyamide, polyester, polyacetal, polystyrene and aromatic polycarbonate with preferably 0.1-100 parts wt. of a laminar titanic acid nanosheet which has preferably 1-5 nm interlayer distance and is swollen.例文帳に追加
好ましくは、その層間距離が1〜5nmである膨潤化された層状チタン酸ナノシートを、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリアセタール、ポリスチレン及び芳香族ポリカーボネートから選ばれる1種または2種以上の熱可塑性樹脂などの合成樹脂に、好ましくは合成樹脂100重量部に対して、0.1〜100重量部となるように配合したことを特徴とする樹脂組成物。 - 特許庁
The prepreg is produced, for example, by placing a film having gas barrier properties, in which a clay mineral having a plate-like crystal structure is unidirectionally aligned and densely stacked, in at least one interlayer part in a laminate of a carbon fiber-reinforced prepreg comprising a sheet-shaped carbon fiber reinforcing material and a matrix resin and then heating and/or pressing the laminate.例文帳に追加
かかるプリプレグは、例えば、シート状の炭素繊維強化材とマトリックス樹脂とからなる炭素繊維強化プリプレグの積層体の少なくとも一つの層間に、板状の結晶構造を持つ粘土鉱物が、一方向に配向し且つ緻密に積層したガスバリア性のフィルム状物を配置し、その後、この積層体を加熱及び/又は加圧することによって得られる。 - 特許庁
A layered silica-metal oxide porous body has a structure obtained by forming an interlayer cross-linkage of SiO_2 by dehydration condensation of silicic acid between lamellar crystals of silicon tetrahedrons SiO_4, has numerous pores of ≥10 Å diameter and has solid acidity exhibited by bonding atoms of a metal different from silicon to the lamellar crystals.例文帳に追加
珪素四面体SiO_4 の層状結晶の間に珪酸の脱水縮合によるSiO__2 の層間架橋が形成された構造を有するとともに、10Å以上の径の多数の細孔を備え、且つ前記層状結晶に珪素と異なる金属原子が結合することにより発現した固体酸性を備えていることを特徴とする層状シリカ−金属酸化物多孔体。 - 特許庁
The interlayer insulating film TH4 between third and fourth layer wiring M3 and M4 is set to the laminated structure film of a TEOS film TH4a formed by the CVD method, an SOG film TH4b formed by applying an SOG film onto the TEOS film TH4a and by performing heat treatment, and a TEOS film TH4c formed on the SOG film TH4b.例文帳に追加
第3層配線M3と第4層配線M4との層間絶縁膜TH4を、CVD法により形成されたTEOS膜TH4a、TEOS膜TH4a上にSOG膜を塗布し、熱処理を施すことにより形成されたSOG膜TH4bおよびこのSOG膜TH4b上に形成されたTEOS膜TH4cの積層構造膜とする。 - 特許庁
An amorphous silicon film 14 whose top 14b is flattened is made by subjecting it to ion implantation shown by the arrow 13, with 0 degrees for incident angle, 20 keV of implantation energy, and 8×1015 atom/cm2, using a large current machine, to the topside of the amorphous silicon film having a recess made in an upper side 8b of an interlayer oxide film 8.例文帳に追加
層間酸化膜8の上面8bに形成された凹凸を有する非晶質シリコン膜11の上面11bに対して、大電流機を用いて注入量8×10^15atom/cm^2 、注入エネルギー20Kev、入射角0度で矢印13で示すイオン注入を行うことにより、上面14bが平坦化された非晶質シリコン膜14を形成する。 - 特許庁
To obtain a method by which contact holes 36 and 38 respectively reaching a lower diffusion layer 24, having a lower surface height and a lower wiring layer 26 having a higher surface height can be formed in the same etching step, without making the wiring layer 26 etch excessively, when the wiring layers 24 and 26 are coated with an interlayer insulating film 38 having a flat surface.例文帳に追加
表面高さが低い下部拡散層24と表面高さが高い下部配線層26が、表面が平坦な層間絶縁膜38に被覆されている場合に、それぞれが下部拡散層24と下部配線層26に達するコンタクトホール36と38を、表面高さが高い下部配線層26を過剰にエッチングせず、しかも、同一のエッチング工程で形成できる方法を開発する。 - 特許庁
To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, and a chemical mechanical polishing method using the same which reduce a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieve both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a TEOS film, and suppress generation of surface defects such as dishing, erosion, scratch, and fang.例文帳に追加
低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、TEOS膜等の層間絶縁膜(キャップ層)に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁
The radiation-sensitive resin composition for forming an interlayer insulating film contains [A] an alkali-soluble resin of a copolymer formed by copolymerizing a monomer containing (a1) unsaturated carboxylic acid and/or unsaturated carboxylic anhydride, and (a2) an epoxy group-containing unsaturated compound, [B] a 1,2-quinonediazide compound, and [C] a compound including two or more mercapto groups in one molecule.例文帳に追加
本発明は、[A](a1)不飽和カルボン酸及び/又は不飽和カルボン酸無水物、並びに(a2)エポキシ基含有不飽和化合物を含む単量体を共重合してなる共重合体のアルカリ可溶性樹脂、[B]1,2−キノンジアジド化合物、及び[C]1分子中に2個以上のメルカプト基を有する化合物を含有する層間絶縁膜形成用の感放射線性樹脂組成物である。 - 特許庁
To provide a multilayer printed wiring board which is free of warpage, because of the problem that when a resin to form an interlayer resin insulating layer and a solder resist layer is applied and cured, a work sheet warps and then the multilayer printed wiring board formed by cutting the work sheet by a cutting tool such as dicing also warps to lower mounting reliability of a mounted electronic component.例文帳に追加
層間樹脂絶縁層、ソルダレジスト層となる樹脂を塗布し、樹脂を硬化させた際にワークシートに反りが発生し、ワークシートをダイシングのような切断手段で切断して成る多層プリント配線板にも反りが発生し、そのため実装される電子部品の実装信頼性が低くなってしまう問題が生じるため、反りの無い多層プリント配線板を提供する点である。 - 特許庁
In the multi-wiring film forming step, a dummy pattern formed by vertically linking together the wirings and the vias is formed in a region other than the dicing region in the scribe line region, and no dummy pattern formed by vertically linking together the wirings and the vias is formed at least on an upper part of the interlayer insulating film in the dicing region.例文帳に追加
そして、前記多層配線膜を形成する工程において、前記スクライブライン領域における前記ダイシング領域を除く領域には、前記配線及び前記ビアを上下方向に連結させたダミーパターンを形成し、前記ダイシング領域における前記層間絶縁膜の少なくとも上部には、前記配線及び前記ビアを上下方向に連結させたダミーパターンを形成しない。 - 特許庁
The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming the interlayer insulating film 10 including the organic insulating film 12 and the inorganic insulating films 11, 13 on a semiconductor substrate 1, and sticking the film 12 and the films 11, 13 by irradiating an electron beam EB or an ultraviolet beam UV to the film 10.例文帳に追加
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板1上に、有機絶縁膜12と無機絶縁膜11,13の積層膜を含む層間絶縁膜10を形成する工程と、層間絶縁膜10に対して電子線EBあるいは紫外線UVを照射して、有機絶縁膜12と無機絶縁膜11,13とを密着させる工程とを有する。 - 特許庁
To provide a weak alkaline developable photosensitive resin composition which enables formation of a solder resist having sufficiently high heat resistance and thermal shock resistance and formation of a dry film showing sufficiently excellent storage stability, a photosensitive film for a permanent resist using the composition, a resist pattern forming method, a printed wiring board and a method for producing the same, a surface protective film, and an interlayer insulating film.例文帳に追加
充分に高い耐熱性及び耐熱衝撃性を備えたソルダーレジストを形成でき、かつ、充分に優れた貯蔵安定性を示すドライフィルムを形成できる、弱アルカリ現像可能な感光性樹脂組成物及びこれを用いた永久レジスト用感光性フィルム、レジストパターンの形成方法、プリント配線板及びその製造方法、表面保護膜、層間絶縁膜を提供する。 - 特許庁
In an NAND type flash memory 1, all contacts formed in a single interlayer dielectric, i.e. bit-line contacts CB and non-bit-line contacts CN are arranged at some of a plurality of lattice points LP of tub-dimension lattice L arrayed at a period P1 in a direction V1 and at a period P2 in a direction V2 crossing the direction V2.例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリ1において、単一の層間絶縁膜中に形成された全てのコンタクト、すなわち、ビット線コンタクトCB及び非ビット線コンタクトCNを、方向V1に沿って周期P1で配列されると共に方向V2に対して交差する方向V2に沿って周期P2で配列された2次元格子Lの複数の格子点LPの一部に配置する。 - 特許庁
The semiconductor memory device includes word lines 1, bit lines 2 arranged so as to intersect with the word lines 1, an insulating film 3 arranged at each of intersections of the word lines 1 and the bit lines 2, an interlayer dielectric filling between the word lines 1 and between the bit lines 2, and a resistance varying material 4 connected to the bit lines 1 and shifted between a low resistance state and a high resistance state.例文帳に追加
半導体記憶装置は、ワード線1と、ワード線1と交差するように配置されたビット線2と、ワード線1とビット線2との各交差部に配置された絶縁膜3と、ワード線1の間及びビット線2の間を埋め込む層間絶縁膜と、ビット線1に接続され、低抵抗状態と高抵抗状態との間で遷移する抵抗変化材4とを備える。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a polyvinyl acetal which permits the manufacture of a polyvinyl acetal resin having a high degree of acetalization though using no catalyst without causing deterioration such as scission of the main chain, discoloration of the resin, or the like, and a polyvinyl butyral resin, manufactured by the manufacturing method of the polyvinyl acetal, suitably employable particularly for an interlayer film for a laminated glass or the like.例文帳に追加
主鎖の切断等の劣化や樹脂の着色等を引き起こすことなく、無触媒系であっても高いアセタール化度を有するポリビニルアセタール樹脂を製造することができるポリビニルアセタールの製造方法及び該ポリビニルアセタールの製造方法により製造した合わせガラス用の中間膜等に特に好適に用いることができるポリビニルブチラール樹脂を提供する。 - 特許庁
To provide a composition for film formation which can form a film suitable for use as an interlayer insulation film in a semiconductor device etc., and having an appropriate even thickness and which can give a film having excellent characteristics including permittivity and Young's modulus; and to provide an insulation film obtained from the film-forming composition.例文帳に追加
本発明は、上記問題点を解決するため、半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、適当な均一な厚さを有する膜の形成可能で、かつ誘電率、ヤング率等の特性に優れた膜を製造することができる膜形成用組成物、およびその膜形成組成物より得られる絶縁膜を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide prefabricated support blocks with enhanced soundproof effects, whose blocks are constructed to support heat medium circulation pipes on building slabs for improving soundproof effects, and used for the construction of building floor structure that can much reduce its in-layer and interlayer propagation of noises, as well as the floor structure constructed using these blocks and a construction method for this floor structure.例文帳に追加
建物のスラブ上で熱媒体循環管を支持するように、組み立て式に設けられる支持ブロックを防音効果が向上するように構成し、これを用いて建物の床構造物を施工することにより、層内及び層間の騒音の伝播を著しく低減できる防音効果を高めた組み立て式の支持ブロックとこれを用いた床構造物及びその施工方法を提供する。 - 特許庁
The interlayer film for laminated glass is formed from a vinyl acetal polymer having a degree of acetalization of 45-80 mol%, obtained by acetalizing a vinyl alcohol polymer having an α-olefin unit of 1-15 mol%, a 1,2-glycol bond content of 1-3 mol%, a degree of polymerization of 500-2,000, and a degree of saponification of 80-99.99 mol%.例文帳に追加
α−オレフィン単位を1〜15モル%含有し、1,2−グリコール結合の含有量が1〜3モル%、重合度が500〜2000、けん化度が80.0〜99.99モル%のビニルアルコール系重合体をアセタール化して得られる、アセタール化度が45〜80モル%のビニルアセタール系重合体からなる合わせガラス用中間膜により上記課題が解決される。 - 特許庁
To provide a photosensitive resin composition having superior heat resistance, electrical characteristics, mechanical characteristics or the like, to be used for a surface protective film, interlayer insulating film or the like of a semiconductor device, the composition developable and curable at a low temperature and having superior adhesiveness as the film characteristics, after being cured, and to provide a semiconductor device that uses the composition.例文帳に追加
本発明は、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜などにもちいられる耐熱性、電気特性、機械的特性などが優れる感光性樹脂組成物であって、現像、低温硬化が可能であり、かつ硬化後の皮膜特性として優れた接着性を有する感光性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置を提供するものである。 - 特許庁
To provide a high-reliability electronic device allowing a minute wiring and connection part to be correctly and easily provided without causing defect due to a connection state between a conductive region of a lower layer and the wiring/connection part which becomes a problem when forming the wiring/connection part by filling a void part formed on an interlayer insulation film with a conductive material.例文帳に追加
層間絶縁膜に形成した空隙部を導電材料で充填して配線・接続部を形成する際に問題となる、下層の導電領域と配線・接続部との接続状態に起因する不都合を生ぜしめることなく、微細な配線及び接続部が所望の状態に正確且つ容易に実現されてなる信頼性の高い電子デバイスを実現する。 - 特許庁
In a rotor 1 for high-speed high-efficiency generators or motors, the whole of which is constituted of permanent magnets, to have an alternately laminated construction of permanent magnets 3 and soft magnetic materials 2 in the shape of thin plates, interlayer sections come to function as insulating layers, decrease eddy currents in the permanent magnets, and drastically suppress heat generation of the rotor.例文帳に追加
回転子全体が永久磁石にて構成される高速発電機または高速電動機用回転子において、回転子1の構造を薄板状の永久磁石3と軟質磁性材料2とを交互に積層した構造とすることにより、層間が絶縁層の効果をもたらし、永久磁石中に発生していた渦電流を減少させ、回転子の発熱が著しく押さえられる。 - 特許庁
This method comprises (A) a process for forming an interlayer insulating layer having an aperture part on the wiring layer 20 of which the aperture reaches a wiring layer 20 and has a through-hole 62 and a wiring trench connected continuously with the through hole 62, and (B) a process for forming an embedded wiring layer in the aperture part.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、(A)配線層20の上に、配線層20に達する開口部60を有する層間絶縁層30を形成する工程であって、開口部60は、スルーホール62と、スルーホール62と連続する配線溝64とを有し、および(B)開口部60に埋め込み配線層90を形成する工程を含み、工程(A)は、以下の工程(a)〜(d)を含む。 - 特許庁
A wiring required for high-speed operation is appropriately and easily practiced, because a block 20 for interlayer connection for connecting from the fifth uppermost level wiring layer 25 with its wiring pitch can be made wide and wiring itself wide and thick to the first lowermost level wiring layer 21 via through-holes 35 to 32 by the shortest route is automatically wired beforehand.例文帳に追加
比較的配線ピッチが広くかつ配線自身の幅が広く厚さも厚くできる最上位の第5配線層25から最下位の第1配線層21まで最短距離でスルーホール35〜32を介して接続する層間接続用ブロック20を予め備えて自動配線を行なうので、要求される高速動作のための配線を適切に容易に実施できる。 - 特許庁
The simulation method comprises first processing for storing, for a simulation result using hierarchical circuit data hierarchically divided to a plurality of layers, result data obtained by simulation for interlayer interface nodes to high-order side and low-order side; and second processing for reproducing data of an internal node not stored in the first processing by use of the result data stored in the first processing.例文帳に追加
シミュレーション方法は、複数階層に階層化された階層化回路データを用いたシミュレーション結果に対し、上位側と下位側への階層間のインタフェースノードに関してシミュレーションによって得られた結果データを保存する第1処理と、第1処理にて保存された結果データを用いて、第1処理では保存されていない内部ノードのデータを再現する第2処理とを含む。 - 特許庁
On the semiconductor circuit device surface having necessary circuits formed, one layer or a plurality of layers of insulating layer composed of an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, and a component of organic filler of ≤1 μm in average primary particle size is provided, and circuits using copper as interconnection conductors for the same intralayer connection and the interlayer connection are formed on optional locations.例文帳に追加
必要な回路が形成された半導体回路デバイス表面に、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び平均一次粒子径1μm以下の有機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。 - 特許庁
An insulating film that can cope with the further reduction of the width of future TFTs, can get a sufficient insulating property and flatness even when the thickness of the film is reduced, and is typically used as an interlayer insulating film, or gate insulating film can be obtained by nitriding an applied film using a siloxane-based polymer (SiO_x film containing an alkyl group) with plasma.例文帳に追加
本発明は、シロキサン系ポリマーを用いた塗布膜(アルキル基を含むSiOx膜)にプラズマ窒化処理を行うことによって、今後のTFTにおけるさらなる微細化に対応可能な絶縁膜、且つ、膜厚を薄くしても十分な絶縁性および平坦性を有する絶縁膜を得ることができ、代表的には層間絶縁膜やゲート絶縁膜に用いる。 - 特許庁
To provide a thermally-conductive silicone-rubber composite sheet which is suitable as a radiating member to be interposed between an exothermic electronic component and a radiating component such as a radiating fin, and which has good electrical insulation properties and thermal conductivity, and which has a laminate structure excellent in strength, flexibility, and particularly interlayer adhesion properties.例文帳に追加
本発明は、特に発熱性電子部品と放熱フィン等の放熱部品との間に介装される放熱部材として好適な熱伝導性シリコーンゴム複合シートであって、電気絶縁性とともに熱伝導性が良好であり、また、強度、柔軟性、および特に層間の接着性に優れた積層体構造の熱伝導性シリコーンゴム複合シートを提供すること。 - 特許庁
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