「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(127ページ目) - Weblio英語例文検索

The interlayer insulating film comprises a polymer in which a first monomer which has a substituted acetylenyl group and is polymerizable to three-dimensional directions, e.g. an adamantane derivative having a substituted acetylenyl group, and a second monomer which has a substituted cyclopentanonyl group and is polymerizable to two-dimensional directions, e.g. an aromatic derivative having a substituted cyclopentanonyl group are polymerized three-dimensionally.例文帳に追加

層間絶縁膜は、置換アセチレニル基を有すると共に三次元方向に重合可能な第１のモノマー、例えば置換アセチレニル基を有するアダマンタン誘導体と、置換シクロペンタノニル基を有すると共に二次元方向に重合可能な第２のモノマー、例えば置換シクロペンタノニル基を有する芳香族誘導体とが三次元的に重合した重合体よりなる。 - 特許庁

The floating gate type electric field effect transistor Tr has a source 13 and a drain 14 formed in a P type well provided in the N type well of a P type semiconductor board 10, a floating gate 16 formed through a tunnel oxidation film 15 between the sources 13 and the drains 14, and a control gate 18 formed through an interlayer insulation film 17 on the floating gate 16.例文帳に追加

浮遊ゲート型電界効果トランジスタＴｒは、Ｐ型半導体基板１０のＮ型ウエル内に設けられたＰ型ウエル内に形成されたソース１３，ドレイン１４と、ソース１３，ドレイン１４間上にトンネル酸化膜１５を介して形成された浮遊ゲート１６と、浮遊ゲート１６上に層間絶縁膜１７を介して形成された制御ゲート１８とを有する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition suitably used for a surface protective film, an interlayer insulating film, and an insulating film for high-density mounting board, which has high solubility to general solvents and satisfactory sensitivity to g-ray and h-ray, can respond to highly thick application and alkali development, form a pattern of high resolution, and provide a cured product with high film remaining rate.例文帳に追加

一般的な溶剤に対する溶解性が高く、ｇ線、ｈ線に対する感度が良好で、高膜厚塗布及びアルカリ現像が可能であるとともに、解像度の高いパターンを形成することができ、残膜率が高い硬化物を得ることが可能な、表面保護膜、層間絶縁膜、及び高密度実装基板用絶縁膜用途に適した感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, and a chemical mechanical polishing method using the same which reduce a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieve both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and suppress generation of surface defects such as dishing, erosion, scratch, and fang.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

The gas sensor adopts an organic / inorganic hybrid material as its sensor element being made up so that an organic compound is inserted into an interlayer of an inorganic compound having a laminar structure, and has a function detecting the gas based on changes in resistance.例文帳に追加

下記工程を含むことを特徴とするガスセンサ及びその製造方法であって、センサ素子として、層状構造を持つ無機化合物の層間に有機化合物を挿入した有機無機ハイブリッド材料を用いてなるガスセンサであって、抵抗値の変化によりガスを検知する作用を有することを特徴とする、ＶＯＣガスに対して、高い選択性を有するガスセンサ、及びその製造方法。 - 特許庁

The interlayer for laminated glass includes an electrolyte layer and an electrochromic layer formed on at least one surface of the electrolyte layer, wherein the electrochromic layer contains 3-100 pts.wt. of polyvinyl acetal resin based on 100 pts.wt. of an electrochromic compound, the polyvinyl acetal resin has a hydroxy group content of 20-50 mol%.例文帳に追加

電解質層と、前記電解質層の少なくとも片面に形成されたエレクトロクロミック層とを有する合わせガラス用中間膜であって、前記エレクトロクロミック層は、エレクトロクロミック化合物１００重量部に対して、ポリビニルアセタール樹脂を３〜１００重量部含有するものであり、前記ポリビニルアセタール樹脂は、水酸基含有率が２０〜５０モル％である合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

This method for manufacturing the novolac type phenol resin comprises reacting phenols with aldehydes using smectite as a catalyst, wherein the smectite contains one or more cations composed of elements selected from aluminum, scandium, tin, chromium, iron, copper, titanium, magnesium, sodium, calcium, an organic ammonium and hydrogen in an interlayer of its layer structure.例文帳に追加

スメクタイトを触媒として、フェノール類とアルデヒド類を反応させるノボラック型フェノール樹脂を製造する方法であって、前記スメクタイトは、その層状構造中の層間に、アルミニウム、スカンジウム、錫、クロム、鉄、銅、チタン、マグネシウム、ナトリウム、カルシウム、有機アンモニウムおよび水素から選ばれる元素より構成カチオンを１種以上有するものであることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂の製造方法。 - 特許庁

The E' center density of the interlayer insulation film 10 is turned to 1.0×10^18 spins/cm^3 or less.例文帳に追加

基板１上に絶縁膜を形成する工程と、ポリシリコン膜４を形成する工程と、ゲート絶縁膜７を形成する工程と、ゲート電極８を形成する工程と、層間絶縁膜１０を形成する工程と、ポリシリコン膜４と接続するソース・ドレイン配線１１を形成する工程と、保護膜１２を形成する工程とを備え、層間絶縁膜１０のＥ'センター密度を１．０×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下とする。 - 特許庁

A BGA type semiconductor device 10 includes a multiple surface interconnects 12 provided on a substrate 11, ground layers 13 provided to have open edges between surface interconnects extending parallel to each other in a plurality of surface interconnects for preventing interference across surface interconnects 12, and second via holes 16B electrically connected with the interlayer ground layers 13.例文帳に追加

ＢＧＡ型半導体装置１０は、基板１１に設けられた複数の表層配線１２と、複数の表層配線１２のうち互いに並行して延びる表層配線１２同士の間に開放端を持つように設けられ、表層配線１２同士の信号の干渉を防止する配線間接地層１３と、配線間接地層１３と電気的に接続された第２のビア１６Ｂとを備えている。 - 特許庁

This trench gate type semiconductor device is constituted to include the protection film 2 formed on an interlayer insulating film 37, an emitter electrode 38 and a gate electrode 39 formed to make respective upper faces flush with one another, and an emitter electrode 3 formed on the protection film 2 and connected to the emitter electrode 38 via a through hole 6 formed in the protection film 2.例文帳に追加

それぞれの上面が面一になるように形成された層間絶縁膜３７、エミッタ電極３８、及びゲート電極３９の上に形成される保護膜２と、保護膜２の上に形成され保護膜２に形成されるスルーホール６を介してエミッタ電極３８に接続されるエミッタ電極３とをさらに備えてトレンチゲート型の半導体装置を構成する。 - 特許庁

Since the infiltration of water into the interior of the semiconductor integrated circuit can be prevented by the lower wiring layer 18 and via holes 19 even when the uppermost wiring layer 14d of the pad 10 is damaged and water is infiltrated into the exposed interlayer insulating film 13c, the moisture resistance and reliability of the circuit can be improved.例文帳に追加

これにより、電極端子パッド１０の上層側の配線層１４ｄに損傷が発生してむき出しとなった有機系層間絶縁膜１３ｃに水が侵入した場合でも、下層側の配線層１８およびビア１９によってこれより先への水の侵入を防止することができ、半導体集積回路の耐湿性、信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

In the interlayer connecting process, a pulling device having a punching mechanism can perform punching work when the pulling device goes forward and it can pull up the conductive material when the device goes back or a dispenser device having a punching mechanism can perform punching work when the dispenser device goes forward and it can fill a formed hole with conductive paste when the dispenser device goes back.例文帳に追加

また、層間接続工程において、穴あけ機構を有する引抜装置により、引抜装置の往時に穴あけ加工を行ない、引抜装置の復時に前記導電体を引き上げてもよいし、穴あけ機構を有するディスペンサ装置により、ディスペンサ装置の往時に穴あけ加工を行い、ディスペンサ装置の復時に導電性ペーストを形成された穴内に充填してもよい。 - 特許庁

The removable pressure-sensitive adhesive sheet for printing is obtained by laying a pressure-sensitive adhesive layer on one surface of a support sheet in one body, wherein an interlayer comprising a synthetic resin whose glass transition temperature is -50 to 60°C and having a tensile elongation at break of 200-500% is intervenient between the support sheet and the pressure-sensitive adhesive layer.例文帳に追加

支持シートの一面に粘着剤層が積層一体化されてなる印刷用再剥離性粘着シートであって、上記支持シートと上記粘着剤層との間に、ガラス転移温度が−５０〜６０℃である合成樹脂からなり且つ引張破断伸びが２００〜５００％である中間層が介在していることを特徴とする印刷用再剥離性粘着シート。 - 特許庁

A semiconductor device having a wiring 24 formed in a recessed portion (wiring trench) 22 formed in an interlayer insulating film 21 has a first barrier layer 23 covering the wiring 24 from under the wiring 24, and a second barrier layer 25 covering the wiring 24 from over the wiring 24, wherein the first barrier layer 23 overlaps the second barrier layer 25.例文帳に追加

層間絶縁膜２１に形成した凹部（配線溝）２２の内部に配線２４を形成した半導体装置において、配線２４の下部側より当該配線２４を被覆する第１のバリア層２３と、配線２４の上部側より当該配線２４を被覆する第２のバリア層２５とを備え、第１のバリア層２３と第２のバリア層２５とが重なりあって配線２４が被覆されているものである。 - 特許庁

This presents a manufacturing method for a semiconductor device that has an MOS transistor 10 and a thin film resistance element 30 on one and the same silicon substrate 1, which includes the steps of forming a thin film resistance element 30 on an interlayer insulating film 40 after a top layer electrode 27 has been formed and performing laser annealing treatment on this thin film resistance element 30 to modify its behavior.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０と薄膜抵抗素子３０とを同一のシリコン基板１上に有する半導体装置の製造方法であって、最上層電極２７を形成した後で、層間絶縁膜４０上に薄膜抵抗素子３０を形成する工程と、この薄膜抵抗素子３０にレーザーアニール処理を施してその特性を改質する工程と、を含む。 - 特許庁

The method for fabricating the capacitor comprises steps for forming an interlayer insulation film pattern on a semiconductor substrate having an opening for exposing the upper surface of the semiconductor substrate, for forming a silicide pattern on the exposed semiconductor substrate, for forming a lower electrode covering the inner wall of the opening where the silicide pattern is formed, and for forming a dielectric film and an upper electrode film sequentially thereon.例文帳に追加

このキャパシタの製造方法は、半導体基板上に半導体基板を露出させる開口部を有する層間絶縁膜パターンを形成し、露出された半導体基板にシリサイドパターンを形成し、シリサイドパターンが形成された開口部の内壁を覆う下部電極を形成した後に、その結果物上に誘電膜及び上部電極膜を順次に形成する段階を含む。 - 特許庁

A MOSFET 100 has an embedded electrode 102, which consists of W formed in a contact hole 4 prepared in an interlayer insulating film 3 comprising PSG etc., a lower electrode layer 5 comprising Al prepared thereon, a source electrode 101 equipped with an upper electrode layer 6 comprising the laminates of Ti layer, Ni layer, and Ag layer formed thereon.例文帳に追加

本発明のＭＯＳＦＥＴダイ１００は、ＰＳＧ等からなる層間絶縁膜３に設けれられたコンタクトホール４内に形成されたＷからなる埋め込み電極部１０２と、その上に形成されたＡｌからなる下層電極層５と、その上に形成されたＴｉ層，Ｎｉ層，Ａｇ層の積層体からなる上層電極層６とを備えたソース電極１０１を有している。 - 特許庁

To make an internal electrode thin, break of the electrode caused by nickel is excluded by preventing interlayer exfoliation be caused contraction difference in sintering of a dielectric layer and the internal electrode of a layered ceramic capacitor, whose main component is (CaSr/TiZr)O3-based non- reducing dielectric porcelain material, and generation of structural defects which are caused by oxidation of nickel.例文帳に追加

(ＣａＳｒ／ＴｉＺｒ)Ｏ_３系の非還元性誘電体磁器材料を主成分とする積層セラミックコンデンサの誘電体層と内部電極との焼結に伴う収縮差による相互の層間剥離やニッケルの酸化による構造欠陥が発生するのを防ぎ、ニッケルによる内部電極の途切れ現象が生ずるのを防いで内部電極の薄膜化を図る。 - 特許庁

When a connection hole 20 corresponding to a part of the wiring layer 14 is formed in the interlayer insulating film by dry etching using a resist layer as a mask, etching is applied up to the insulating film 16b wherein sand etching tends to progress under a condition with high deposition containing no N_2, and the insulating film 16a is etched thereafter under a condition with low deposition containing N_2.例文帳に追加

レジスト層１８をマスクとするドライエッチング処理により配線層１４の一部に対応する接続孔２０を層間絶縁膜に形成する際に、サイドエッチが進行しやすい絶縁膜１６ｂまではＮ_２を含まないデポジション性の強い条件でエッチングを行い、その後はＮ_２を含むデポジション性の弱いい条件で絶縁膜１６ａのエッチングを行なう。 - 特許庁

To provide a conductive paste filled substrate conducting more sure filling by securing air extractibility and being capable of improving the reliability of interlayer connection by conductive paste even when a fine via hole is filled with the conductive paste, and a manufacturing method for the substrate, and to provide and a multilayer wiring board in which a plurality of the conductive paste filled substrates are laminated, and a manufacturing method for the wiring board.例文帳に追加

微細なビア孔へ導電性ペーストを充填する際にも、エア抜け性を確保してより確実な充填が行え、導電性ペーストによる層間接続の信頼性を向上させることができる導電性ペースト充填基板およびその製造方法、並びに当該導電性ペースト充填基板を複数積層してなる多層配線基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A heat treatment unit 4 as the heat treatment apparatus is provided with a chamber 42 for accommodating a wafer W on which the low dielectric constant interlayer insulating film is formed, a formic acid supply mechanism 44 for supplying a gas-phase formic acid into the chamber 42, and a heater 43 for heating the wafer W in the chamber 42 to which the formic acid has been supplied by the formic acid supply mechanism 44.例文帳に追加

熱処理装置としての熱処理ユニット４は、低誘電率膜層間絶縁膜が成膜されたウエハＷを収容するチャンバー４２と、このチャンバー４２内に気相の蟻酸を供給する蟻酸供給機構４４と、蟻酸供給機構４４によって蟻酸が供給されたチャンバー４２内でウエハＷを加熱するヒーター４３とを具備する。 - 特許庁

A method of manufacturing a multilayer printed wiring board is characterized in including: laminating a plurality of sheets of prepregs having through-holes filled with a conductive paste with a predetermined insulating layer thickness in such a way that positions of through-holes become identical; then coating both sides with metal foils; and holding the laminated prepregs between metal plates, heating and pressing them to perform interlayer connection between metal foils at predetermined positions.例文帳に追加

貫通孔を有し、該貫通孔内に導電性ペーストを充填したプリプレグを所定の絶縁層厚さで、かつ貫通孔位置が同一位置になるように複数枚重ねた後、その両面に金属箔を配し、金属プレートで挟み加熱加圧して所定位置の金属箔間の層間接続を行うことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁

To provide a solar cell rear surface protection sheet, and a solar cell module using the same, which are durable for a long period of time in a severe natural environment, especially excellent in durability excelling in competence for environment resistance such as weather resistance, interlayer adhesive strength, dampproofness, gas barrier competence, as other characteristics, and are manufactured at a very low cost.例文帳に追加

本発明は、長期間にわたる過酷な自然環境に耐え得る、特に耐候性などの耐環境適性や層間接着強度に優れる耐久性、その他の諸特性として防湿性、ガスバリア性などに優れ、かつ、非常に安価に製造することが可能となる太陽電池用裏面保護シートおよびそれを用いた太陽電池モジュールを提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board 1 includes: an insulating resin layer 11; an electronic component 13 bonded onto the insulating resin layer 11; spacers 14 bonded onto the insulating resin layer 11; reinforcing members 16; and an interlayer adhesion layer 12 provided in a gap around the electronic component 13 and reinforcing members 16 and containing a resin; and an insulating resin layer 21 provided on the adhesion layer.例文帳に追加

多層プリント配線板１は、絶縁性樹脂層１１と、絶縁性樹脂層１１上に接着された電子部品１３と、絶縁性樹脂層１１上に接着されたスペーサ１４と、補強部材１６と、電子部品１３及び補強部材１６の周りの空隙に設けられた樹脂を含む層間接着層１２と、接着層上に設置された絶縁性樹脂層２１とを備えている。 - 特許庁

The method for producing the porous functional filler comprises preparing an interlayer-crosslinked product of a laminar clay mineral with an inorganic material by reacting the laminar clay mineral or a laminar clay mineral powder, dispersed in a solvent, with a colloidal solution of an inorganic precursor at room temperature or under heating and making the thin-layered platy particles a three-dimensional body to produce the composite material.例文帳に追加

溶媒に分散させた層状粘土鉱物、もしくは層状粘土鉱物の粉末と無機物前駆体のコロイド溶液を、室温でもしくは加熱しながら反応させることにより、層状粘土鉱物と無機物の層間架橋体を作製し、薄層化した板状粒子の立体化を行って複合材料を製造することを特徴とする多孔質機能性フィラーの製造方法。 - 特許庁

The device includes first and second gate layers 31 and 32 formed adjacent to each other on an Si substrate 20 without intervention of a diffusion layer therebetween, a drain diffusion layer 21 formed outside of the first gate layer 31, a source diffusion layer 22 formed outside of the second gate layer 32, and an interlayer insulating film 40 formed on the Si substrate 20 to cover the first and second gate layers 31 and 32.例文帳に追加

Ｓｉ基板２０上に拡散層を介さずに隣接して形成された第１、第２ゲート層３１，３２と、第１ゲート層３１の外側に形成されたドレイン用拡散層２１と、第２ゲート層３２の外側に形成されたソース用拡散層２２と、第１、第２ゲート層３１，３２を覆ってＳｉ基板２０上に形成された層間絶縁膜４０とを含む。 - 特許庁

To provide insulating members for horizontal members for outer peripheral wall and exterior insulating construction capable of permitting ventilation through walls without additional work to structural members even for exterior insulating method enhancing the rigidity of the second floor and also capable of preventing the degrading in the fixing force caused by interlayer displacement between the upper and lower stories of the building as well as degrading in the drop of airtightness of wall insulating portion.例文帳に追加

２階床の剛性を高めた外張り断熱工法においても、構造材に追加加工を施さずに壁内通気を可能とすると共に、建物の上下階の層間変位を原因とする断熱材の固定力、壁断熱部の気密性の低下を防止することが可能な外周壁横架材用断熱材および外張り断熱構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

Furthermore, it has a plurality of partial wires formed of a plurality of conductive films placed on mutually different layers via an interlayer insulating film respectively and mutually electrically connected, and it is equipped with an image signal line, including a portion wired in a direction along an edge of a pixel array region with the plurality of pixel portions aligned thereon, to supply image signals to the plurality of data lines.例文帳に追加

更に、層間絶縁膜を介して相異なる層に位置する複数の導電膜から夫々形成されると共に互いに電気的に接続された複数の部分配線を有しており、複数の画素部が配列された画素アレイ領域の一辺に沿った方向に配線された部分を含む、複数のデータ線に画像信号を供給するための画像信号線を備える。 - 特許庁

In a process of manufacturing a part built-in substrate, a semiconductor part 1 is fixed to a metal plate 8a with an adhesive 9, further, interlayer insulating layers 4-1 to 4-3 and wiring layers 6-1 to 6-3 are sequentially laminated on the metal plate 8a and the semiconductor part 1 to form other wiring layers 8 with the metal plate 8a.例文帳に追加

部品内蔵基板を製造する工程において、金属板８ａに接着剤９を用いて半導体部品１を固定し、さらにその金属板８ａ及び半導体部品１の上に層間絶縁層４−１〜４−３及び配線層６−１〜６−３を順次積層させ、金属板８ａで他の配線層８を形成していくことを特徴としている。 - 特許庁

Polymer-based primer is added to paper made of nonwoven fabric or woven fibers made of heat-resistant synthetic fiber, a middle layer is provided, a base that is formed by impregnating the paper with resin is subjected to thermally mold with copper foil, and the copper foil is subjected to pattern etching, thus obtaining a circuit formation substrate that has excellent copper foil coherency and base interlayer peeling strength.例文帳に追加

耐熱性合成繊維からなる不織布あるいは織布繊維からなるペーパーにポリマー系プライマーを付与し、中間層を設けた後、ペーパーに樹脂を含浸させて形成した基材を銅箔とともに圧熱成型して銅箔基材を形成した後、前記銅箔にパターンエッチングを施すことにより銅箔密着性、基材層間剥離強度に優れた回路形成基板を得る。 - 特許庁

Additionally, the thickness of the barrier film 30 is set to the film thickness for preventing the diffusion of the Cu atoms on an interlayer insulating film 7 below upper-layer wiring 21, thus improving EM resistance, and forming optimum wiring structure in terms of the prevention of Cu contamination.例文帳に追加

上層配線のビアプラグ１１と下層配線５との間に挟まれるバリア膜２０の膜厚をＣｕ原子が上下に互いに拡散出来る膜厚とし、さらに、上層配線２１の下の層間絶縁膜７上ではＣｕ原子の拡散を防止できる厚さのバリア膜３０とすることにより、ＥＭ耐性向上、Ｃｕ汚染防止の面から見て最適な配線構造を形成することができる。 - 特許庁

The semiconductor device includes, on a semiconductor surface having a necessary circuit formed thereon, at least one insulating layer having a resin composition including an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, and the components of an organic filler having a primary average particle size of not larger than 1 μm, wherein a circuit using copper as a wiring conductor for interlayer connection in the same layer is formed on an optional portion.例文帳に追加

必要な回路が形成された半導体表面に、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び平均一次粒子径１μｍ以下の有機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を１層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。 - 特許庁

A reticle (950) having one light transmittance in a position opposite to a hole (880) for cutting formed in an interlayer dielectric (41 to 43) on the wiring for the short circuit (3b), and another light transmittance lower than above light transmittance in a position which is not opposite to the hole for the cutting is used for the cutting of the wiring for the short circuit.例文帳に追加

本発明に係る短絡用配線の切断においては、短絡用配線（３ｂ）上の層間絶縁膜（４１乃至４３）に対して形成された切断用孔（８８０）に対向する位置において一の光透過率を有し、該切断用孔に対向しない位置において前記一の光透過率よりも低い他の光透過率を有するレチクル（９５０）を用いる。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and a chemical mechanical polishing method using the same which reduce a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieve both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and suppress occurrence of surface defects such as dishing, erosion, scratch and fang.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

Gate electrodes 3 of gate structures GT11 to GT13 are covered with an upper nitride film 4 and a sidewall nitride film 5, so that the upper nitride film 4 and the sidewall nitride film 5 are not removed, when an interlayer insulating oxide film 10 is selectively removed so as to form contact holes CH1 and CH2, and a gate electrode 3 can be prevented from being exposed.例文帳に追加

ゲート構造体ＧＴ１１〜ＧＴ１３のゲート電極３は、上部窒化膜４およびサイドウォール窒化膜５で覆われているので、酸化膜である層間絶縁膜１０を選択的に除去してコンタクトホールＣＨ１およびＣＨ２を形成するに際しては、上部窒化膜４およびサイドウォール窒化膜５が除去されず、ゲート電極３が露出することが防止できる。 - 特許庁

The method has a process of forming a wiring groove 38 at an interlayer insulating film 34, a process of forming the wiring layer 44 with Cu as the main material within the wiring groove 38, and a process of performing nitrogen two-fluid treatment, in which deionized water with ammonia and hydrogen dissolved therein and nitrogen gas are sprayed simultaneously to the surface of the wiring layer 44 embedded into the wiring groove 38.例文帳に追加

層間絶縁膜３４に、配線溝３８を形成する工程と、配線溝３８内に、Ｃｕを主材料とする配線層４４を形成する工程と、配線溝３８内に埋め込まれた配線層４４の表面に対して、アンモニア及び水素が溶解された純水と窒素ガスとを同時に吹き付ける窒素二流体処理を行う工程とを有する。 - 特許庁

When a peripheral dummy pattern is given any feature by giving changes such as thinning out, changing of shape or size, etc. to a dummy pattern formed in an uppermost wiring layer area for flattening an interlayer film and the surface picture of the semiconductor integrated circuit is magnified and displayed, the position of the surface picture in the semiconductor integrated circuit can be specified.例文帳に追加

層間膜の平坦化のために最上位配線層領域に形成されたダミーパターンに対して、間引く，形状を変える，大きさを変える等の変化を施すことにより、周囲のダミーパターンに対して特長をもたせ、半導体集積回路の表面画像を拡大して表示した場合に、半導体集積回路内における表面画像の位置を特定することができる。 - 特許庁

A photoelectric converter comprises: a silicon substrate 1; a photoelectric converting element 5; an antireflection film 9 for preventing incident light from being reflected by a light receiving surface of the photoelectric converting element 5; an element isolation region 2 including an insulator for isolating the photoelectric converting element 5; an interlayer insulating film; multiple transistors; and conductive members electrically connected to active regions of the transistors.例文帳に追加

光電変換装置は、シリコン基板１に、光電変換素子部５と、光電変換素子５の受光面での入射光の反射を防止する反射防止膜９と、光電変換素子５を素子分離するための絶縁体を有する素子分離領域２と、層間絶縁膜と、複数のトランジスタと、トランジスタの活性領域に電気的に接続される導電性部材と、を有する。 - 特許庁

Further, the device has an external circuit connection terminal 102 made of the same film as the relay layer 93 and partially exposed through an opening 810 formed in the interlayer insulating film 43, and adjusting films 611 and 612 partially overlapping the opening 810 in a plan view and made of the same films of the lower capacitor electrode 71 and the upper capacitor electrode 300a, respectively.例文帳に追加

更に、中継層９３と同一膜からなると共に、層間絶縁膜４３に開口された開口部８１０から一部が露出する外部回路接続端子１０２並びに、平面的に見て開口部８１０と部分的に重なると共に、下部容量電極７１及び上部容量電極３００ａの各々と同一膜からなる調整膜６１１及び６１２とを備える。 - 特許庁

This resin compound used for composing insulating interlayer of a print circuit board comprises an epoxy-based resin containing a curing agent for epoxy resin which has 5 to 25 wt.% nitrogen, a maleimide compound having thermosetting ability and free from halogen elements.例文帳に追加

プリント配線板の層間絶縁層を構成するために用いる樹脂化合物において、当該樹脂化合物は、窒素が５〜２５重量％であるエポキシ樹脂硬化剤を含むエポキシ系樹脂と、熱硬化性を有するマレイミド化合物とを含み、ハロゲン元素を含有しない組成を有するものであることを特徴とするプリント配線板の層間絶縁層構成用の樹脂化合物を用いることによる。 - 特許庁

This invention comprises following items: a flame-retardant composition including polyester resin (A) which contains a bromine atom in a molecule; a hardened material of the composition for solder resist; an ink containing the composition and a colorant; a hardening method of the composition; an insulating protection film and an interlayer insulating film composed of the composition; and printed circuit boards including the films.例文帳に追加

分子中に臭素原子を含有するポリエステル樹脂（Ａ）を含有するソルダーレジスト用難燃組成物、そのソルダーレジスト用組成物の硬化物、そのソルダーレジスト用組成物と着色剤とを含有するインク、そのソルダーレジスト用組成物の硬化方法、そのソルダーレジスト用組成物からなる絶縁保護皮膜及び層間絶縁膜、並びに前記膜を有するプリント配線板。 - 特許庁

A wiring board 100 comprises a wiring part (conductor pattern 20, interlayer connection 30), a plurality of electronic components connected electrically with the wiring part, and an insulating substrate which incorporates the wiring part and the plurality of electronic components and includes a plurality of electronic component arrangement parts 40 incorporating the electronic components, and a flexible bent portion 70 constituted between the electronic component arrangement parts 40.例文帳に追加

配線基板１００は、配線部（導体パターン２０、層間接続部３０）と、配線部に電気的に接続された複数の電子部品と、配線部と複数の電子部品とを内蔵するものであり、電子部品を内蔵する複数の電子部品配置部４０、及び、可撓性を有し、電子部品配置部４０の間に構成された屈曲部７０を含む絶縁基材とを備える。 - 特許庁

In a semiconductor device having a damascene structure, a TaN film 7 and a Ti film 8 composed of Ti exhibiting good wettability to Cu are formed respectively, as a barrier layer, on the inside walls of a wiring groove G2 and a via hole V2 formed in a second interlayer insulating film 6, so that a Cu seed film 9a can be formed uniformly on the Ti film 8.例文帳に追加

ダマシン配線を有する半導体装置において、第２層間絶縁膜６に形成した配線溝Ｇ２およびビアホールＶ２のそれぞれの内壁にバリア膜としてＴａＮ膜７およびＣｕと濡れ性の良いＴｉからなるＴｉ膜８とを順に形成することにより、Ｔｉ膜８上に均一にＣｕシード膜９ａを形成することを可能とする。 - 特許庁

A laminate having at least aluminum in an internal electrode is heat treated in decompressed atmosphere in order to modify the internal electrode, and to enhance the moisture resistance by improving interlayer adhesion between a dielectric layer and an internal electrode layer, thus manufacturing a highly reliable (PML) film capacitor without spoiling advantage of small size high capacity.例文帳に追加

少なくともアルミニウムを内部電極に備えた積層体を、減圧雰囲気にて加熱処理を行うことにより、内部電極の改質を図るとともに誘電体層と内部電極層の層間密着性向上により耐湿性能を向上させ、小型大容量の有利性を損なうことなく、非常に信頼性の高い（ＰＭＬ型）フィルムコンデンサを製造する。 - 特許庁

This interlayer insulating film comprises a polymer obtained by polymerizing three-dimensionally a first monomer which has a substituted acetylenyl group and can be polymerized three-dimensionally, an adamantane derivative having a substituted acetylenyl group for example, a second monomer which has a substituted cyclopentanonyl group and can be polymerized two-dimensionally, and an aromatic derivative having a substituted cyclopentanonyl group for example.例文帳に追加

層間絶縁膜は、置換アセチレニル基を有すると共に三次元方向に重合可能な第１のモノマー、例えば置換アセチレニル基を有するアダマンタン誘導体と、置換シクロペンタノニル基を有すると共に二次元方向に重合可能な第２のモノマー、例えば置換シクロペンタノニル基を有する芳香族誘導体とが三次元的に重合した重合体よりなる。 - 特許庁