「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

A contact hole 3a is formed in an interlayer insulating film 3 on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上の層間絶縁膜３にコンタクトホール３ａを形成する。 - 特許庁

Template matching is performed between the synthetic image with the interlayer deviation and the SEM image.例文帳に追加

この層間ズレ付き合成画像とＳＥＭ画像の間でテンプレート・マッチングを行う。 - 特許庁

The plurality of pixel electrodes PE are arranged on the second interlayer dielectric 114.例文帳に追加

複数の画素電極ＰＥは、第２層間絶縁膜１１４上で配列している。 - 特許庁

A groove wiring portion insulation film 15 is formed on the top surface of the first interlayer insulation film 13.例文帳に追加

第1層間絶縁膜13の上面に溝配線部絶縁膜15を形成する。 - 特許庁

A wiring groove 37 is formed in the interlayer insulating film 32 containing a methyl group.例文帳に追加

メチル基を含有する層間絶縁膜３２内に配線溝３７を形成する。 - 特許庁

An interlayer oxide film 5e of a TEOS film containing no impurity concentration is formed on an interlayer oxide film 5d of a BPTEOS film containing an impurity.例文帳に追加

不純物を含むＢＰＴＥＯＳ膜である層間酸化膜５ｄの上に、不純物濃度を含まないＴＥＯＳ膜である層間酸化膜５ｅが形成されている。 - 特許庁

A fuse layer 18T is formed on a second interlayer insulating film 17 above a semiconductor substrate 10 and the fuse layer 18T is covered with a third interlayer insulating film 20.例文帳に追加

半導体基板１０上の第２の層間絶縁膜１７上にヒューズ層１８Ｔが形成され、ヒューズ層１８Ｔは第３の層間絶縁膜２０で覆われる。 - 特許庁

And another interlayer dielectric, or a second interlayer dielectric 9a, is formed by polishing its surface using a CMP method so as to cover the dummy patterns 2, 2a.例文帳に追加

そして、上記ダミーパターン２，２ａを被覆するように別の層間絶縁膜すなわち第２層間絶縁膜９ａがＣＭＰ法で表面研磨されて形成される。 - 特許庁

To secure wettability of the surface of an interlayer insulating film without increasing electron density at the interface between the interlayer insulating film and an ITO film to prevent side etching of an ITO.例文帳に追加

層間絶縁膜とＩＴＯ膜との界面において電子密度を増加させることなく、層間絶縁膜表面のぬれ性を確保し、ＩＴＯのサイドエッチングを防ぐ。 - 特許庁

When a first wiring layer is formed on an interlayer insulating film 11, a first wiring layer recessed part is formed also on an upper surface of the first wiring layer corresponding to an interlayer insulating layer recessed part 12.例文帳に追加

層間絶縁膜11上に第１配線層を形成する際に、層間絶縁膜凹部12に対応して第１配線層の上面にも第１配線層凹部を形成する。 - 特許庁

THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, TRANSFER PRINTING MATERIAL, AND METHOD FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM例文帳に追加

熱硬化性樹脂組成物、転写材料および層間絶縁膜の形成方法 - 特許庁

The semiconductor device has a gate electrode 4, a first interlayer dielectric 7, a first contact plug 8, a second interlayer dielectric 9, and a second contact plug 10.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ゲート電極４、第一の層間絶縁膜７、第一のコンタクトプラグ８、第二の層間絶縁膜９および第二のコンタクトプラグ１０を有する。 - 特許庁

When a contact hole to the peripheral circuit is made after a second layer interlayer insulation film 67a is formed on the entire surface, the second layer interlayer insulation film on the dummy pattern is also removed by etching.例文帳に追加

２層目層間絶縁膜６７ａを全面に成膜後、周辺回路へコンタクトホールを形成する際に、ダミーパターン上の２層目層間絶縁膜もエッチング除去する。 - 特許庁

After a first interlayer insulating film 6 is formed over the entire surface, the first interlayer insulating film 6 is flattened to expose the surface of the dummy gate electrode.例文帳に追加

全面に第１の層間絶縁膜６を形成した後、第１の層間絶縁膜６に対して平坦化処理を行って、ダミーゲート電極４ａ上表面を露出させる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING INTERLAYER INSULATING FILM, CHEMICAL VAPOR GROWTH SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

層間絶縁膜の形成方法、化学的気相成長装置、及び半導体装置 - 特許庁

The interlayer connecting section H of the flexible printed wiring board is formed as the interlayer connecting section 60 between two layers of wiring 20 and 30 by packing and solidifying solder paste in the section H.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線板の層間接続孔部Ｈには、はんだペーストが充填固化されて両配線２０、３０間の層間接続部６０として形成されている。 - 特許庁

In an interlayer connecting opening H formed in the interlayer insulating film 16, a barrier layer 20 is interposed between the aluminum wiring layer 14 and the gold wiring layer 19.例文帳に追加

層間絶縁膜１６に形成された層間接続用開口Ｈ内において、アルミニウム配線層１４と金配線層１９との間には、バリア層２０が介在されている。 - 特許庁

The metal fuse element 11 is formed on the arbitrary interlayer insulation film 10.例文帳に追加

この任意の層間絶縁膜１０上にメタルヒューズ素子１１が形成されている。 - 特許庁

Preferably, the Interlayer 4 is a thickness of 400 to 700 Å.例文帳に追加

中間膜４は、４００Å〜７００Åの厚さであることが好ましい。 - 特許庁

To provide a wiring board with fine and highly reliable interlayer connection in a multilayer wiring board for carrying out electrical interlayer connection by a conductor such as conductive paste.例文帳に追加

導電ペースト等の導電体にて層間の電気的接続を行う多層配線基板において、微細で高信頼性の層間接続を有する配線基板を提供する。 - 特許庁

The auxiliary interlayer sheet 16 is made of, for instance, paper, and the inner circumference-side end 20a of the terminal continuum 20 is connected to the auxiliary interlayer sheet 16 by a paper clip or the like.例文帳に追加

補助層間シート１６は例えば紙製であり、端子連続体２０の内周側端部２０ａと補助層間シート１６とは、紙クリップ等で連結されている。 - 特許庁

A nitrogen directing layer 5a is formed on the interlayer insulating film 3 by performing reverse sputtering relative to the interlayer insulating film 3 by using the mixture of Ar gas and N_2 gas.例文帳に追加

ＡｒガスとＮ_2ガスとの混合ガスを用いて層間絶縁膜３の逆スパッタを行うことにより、層間絶縁膜３上に窒素導入層５ａを形成する。 - 特許庁

The low specific permittivity interlayer insulation film 8 is formed with openings 17 and 20.例文帳に追加

低比誘電率層間絶縁膜８には、開口部１７，２０が形成されている。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND FORMATION OF INTERLAYER INSULATION FILM AND MICROLENS例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成 - 特許庁

To provide a circuit wiring board suitable for improvement in interlayer connection reliability of an interlayer conductive via made of a conductive paste, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

導電性ペーストからなる層間導電ビアの層間接続信頼性の向上に好適な回路配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the display device, an interlayer insulation film including a resin material is provided covering a TFT group and a pixel electrode is provided on the interlayer insulation film.例文帳に追加

表示装置においては、ＴＦＴ群を覆うように樹脂材料でなる層間絶縁膜が設けられ、前記層間絶縁膜上に画素電極が設けられている。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND FORMATION OF INTERLAYER DIELECTRIC AND MICROLENS例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成 - 特許庁

To prevent deterioration of the withstand voltage of an interlayer insulation film, even over a long-term use, by preventing diffusion of copper in wiring material into the interlayer insulating film.例文帳に追加

配線材料である銅が層間絶縁膜中に拡散する事態を防止して、長期間に亘って使用されても、層間絶縁膜の耐圧が劣化しないようにする。 - 特許庁

To provide an optical disk reproducing device and an interlayer movement control method capable of controlling the interlayer movement (focus jump control) by stable servo operation.例文帳に追加

層間移動制御（フォーカスジャンプ制御）を安定したサーボ動作で行い得る光ディスク再生装置および層間移動制御方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An etch mask is formed on an interlayer insulation layer to define bit line trenches.例文帳に追加

エッチマスクは、ビット線トレンチを規定するために、層間絶縁層上に形成される。 - 特許庁

(b) An adhesion layer is formed on the inner surface of the recess and top surface of the interlayer dielectric.例文帳に追加

（ｂ）凹部の内面及び層間絶縁膜の上面に密着層を形成する。 - 特許庁

A through hole 140 for degasification is formed in the interlayer insulating film 111.例文帳に追加

層間絶縁膜１１１にはガス抜きのためのスルーホール１４０が形成されている。 - 特許庁

After depositing a non-selective film 4 on a capacitor-portion interlayer insulation film 3 by using the film 4 as a mask, the interlayer insulation film 3 is so processed as to have a three-dimensional structure of its cylindrical opening portions.例文帳に追加

この層間絶縁膜３上に非選択性膜４を堆積後、それをマスクとして層間絶縁膜を開口部が円筒形の立体構造に加工する。 - 特許庁

METHOD AND PRECURSOR SOLUTION FOR FORMATION OF INTERLAYER INSULATING FILM例文帳に追加

層間絶縁膜の形成方法及び層間絶縁膜形成用の前駆体溶液 - 特許庁

To provide a semiconductor device where adhesion between interlayer isolations is improved with regard to an interlayer isolator film of low dielectric constant in a Cu wiring and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

Ｃｕ配線の低誘電率の層間絶縁膜について、層間絶縁間の密着性が向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the interlayer insulation film 5, an annular opening 5b is so formed as to surround part of the interlayer insulation film 5 located immediately above the undermetal 3 from the circumferential direction.例文帳に追加

層間絶縁膜５には、アンダーメタル３の直上に位置する層間絶縁膜５の部分を周方向から取囲むようにリング状開口部５ｂが形成されている。 - 特許庁

In the first interlayer insulating film 3 and the second interlayer insulating film 4, two or more lines of first wiring 12 and two or more lines of second wiring 13 are respectively embedded.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜３及び第２の層間絶縁膜４には、複数の第１の配線１２及び複数の第２の配線１３がそれぞれ埋め込まれている。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3 which has at least an uppermost layer composed of the SiOC based material is formed on a substrate, and a trench pattern 3a is formed on the interlayer insulating film 3.例文帳に追加

基板上に、少なくとも最上層がＳｉＯＣ系材料からなる層間絶縁膜３を成膜し、層間絶縁膜３に溝パターン３ａを形成する。 - 特許庁

The wiring film 10 is buried in a second opening portion of a cap film 7 and an interlayer insulating film 8 formed on the interlayer insulating film 4 and wiring film 6.例文帳に追加

層間絶縁膜４及び配線膜６上に形成されるキャップ膜７及び層間絶縁膜８の第２の開口部には、配線膜１０が埋設される。 - 特許庁

FORMULATION FOR FORMING POROUS INTERLAYER DIELECTRIC HAVING NEW PORE FORMING MATERIAL例文帳に追加

新規の気孔形成物質を含有する多孔性層間絶縁膜形成用組成物 - 特許庁

Each of the primary interlayer dielectric film 50 and the secondary interlayer dielectric film 60 consists of an organic polysilazane denaturation film including alkyl group inside it, having a dielectric constant less than 3.5.例文帳に追加

第１層間絶縁膜５０および第２層間絶縁膜６０は、膜内にアルキル基を含む有機ポリシラザン変性膜で構成され、その誘電率は３．５未満である。 - 特許庁

INTERLAYER INSULATING FILM FOR MULTILAYER WIRING OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜及びその製造方法 - 特許庁

RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATION OF MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD, ADHESIVE FILM, AND PREPREG例文帳に追加

多層プリント配線板の層間絶縁用樹脂組成物、接着フィルム及びプリプレグ - 特許庁

The laminated glass is obtained by laminating the above interlayer film and transparent glass plate.例文帳に追加

上記中間膜と透明ガラス板とを積層することにより合わせガラスを得る。 - 特許庁

WIRING STRUCTURE USING MULTILAYERED CARBON NANOTUBE FOR INTERLAYER WIRING, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

層間配線に多層カーボンナノチューブを用いる配線構造及びその製造方法 - 特許庁