Interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
To provide a radiation-sensitive resin composition having excellent sensitivity and developing solution resistance, from which an interlayer insulating film excellent in solvent resistance, heat resistance and transparency can be formed, and to provide an interlayer insulating film formed of the radiation-sensitive resin composition and a method for forming the interlayer insulating film.例文帳に追加
耐溶媒性、耐熱性及び透明性に優れた層間絶縁膜を形成可能であり、かつ感度及び耐現像液性に優れた感放射線性樹脂組成物、この感放射線性樹脂組成物から形成される層間絶縁膜並びに層間絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
Heat and pressure are applied to the substrate (12), the interlayer (16), and the porous tantalum structure (10) to achieve solid-state diffusion between the substrate (12) and the interlayer (16) and between the interlayer (16) and the porous tantalum structure (10).例文帳に追加
前記基板（１２）と前記中間層（１６）との間、及び、前記中間層（１６）と前記多孔性のタンタル構造体（１０）との間に固体状態の拡散を実現するために、前記基板（１２）、前記中間層（１６）及び前記多孔性タンタル構造体（１０）に熱及び圧力が加えられる。 - 特許庁
A method includes the steps of laminating a new interlayer film 3C on an interlayer film 3A on the undersurface, of which an alignment mark 2B is formed, subjecting the top surface to planarization, and forming a new alignment mark 2C in a portion 32, located directly above the alignment mark 2B of the top surface of the interlayer film 3C.例文帳に追加
下面にアライメントマーク２Ｂが形成された層間膜３Ａの上に、新たな層間膜３Ｃを積層してその上面を平坦化処理し、層間膜３Ｃの上面のうち、上記アライメントマーク２Ｂの直上に位置する部分３２に新たなアライメントマーク２Ｃを形成する。 - 特許庁
On the interlayer insulating membrane 14, a second insulating membrane 15 different in an etching rate from this interlayer insulating membrane 14 is laminated and arranged, and when forming an undercut part 16 in the second insulating membrane 15 by dry etching, the interlayer insulating membrane 14 is protected by the second insulating membrane 15.例文帳に追加
層間絶縁膜１４上にこの層間絶縁膜１４とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜１５を積層配置し、第２の絶縁膜１５にドライエッチングによりアンダーカット部１６を形成する際、前記層間絶縁膜１４を第２の絶縁膜１５で保護する。 - 特許庁
The interlayer mounting components 100 and a thin film laminated circuit 4 constituting the incidental circuit unit of the interlayer mounting component 100 are mounted on a base substrate 5 while these interlayer mounting components 100 and the thin film laminated circuit 4 are sealed in the hollow part 103 of a sealing material layer 102.例文帳に追加
ベース基板５に、層内実装部品１００と、この層内実装部品１００の付帯回路部を構成する薄膜積層回路体４とを実装するとともに、これら層内実装部品１００と薄膜積層回路体４とを封止材層１０２の中空部１０３内に封装してなる。 - 特許庁
The resist film and the interlayer insulating film under the opening of the resist film are etched on condition that an etching velocity of the etching stop layer is faster than the etching velocity of the resist film and the interlayer insulating film, and a contact hole passing through the interlayer insulating film is formed and the resist film is removed.例文帳に追加
エッチング停止層のエッチング速度よりもレジスト膜及び層間絶縁膜のエッチング速度の方が速い条件で、レジスト膜及びレジスト膜の開口下の層間絶縁膜をエッチングし、層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成するとともにレジスト膜を除去する。 - 特許庁
A semiconductor device according to this invention includes: a first copper alloy wiring disposed in a first interlayer insulation film and formed by adding Al to Cu that is a main component; a second interlayer insulation film formed on the first interlayer insulation film; and a second copper alloy wiring disposed in the second interlayer insulation film and formed by adding Al to Cu that is a main component.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置では、第一の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるＣｕにＡｌを添加した第一の銅合金配線と、第一の層間絶縁膜上に形成される第二の層間絶縁膜と、第二の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるＣｕにＡｌを添加した第二の銅合金配線とを、備えている。 - 特許庁
This semiconductor device is provided with a first interlayer insulating film 20 laminated on a semiconductor wafer 1, a second interlayer insulating film 21 which is laminated on the first interlayer insulating film 20 and has etching characteristic different from that of the film 20, and a capacitor 23 formed in an aperture part 22, which is formed being continuously connected with the first and the second interlayer insulating films 20, 21.例文帳に追加
半導体ウエハ１上に積層された第１の層間絶縁膜２０と、第１の層間絶縁膜２０上に積層され第１の層間絶縁膜２０のエッチング特性と異なるエッチング特性を有する第２の層間絶縁膜２１と、第１及び第２の層間絶縁膜２０、２１に連通して形成された開口部２２内に形成されたキャパシタ２３とを備えたものである。 - 特許庁
To provide a semiconductor device of a transistor structure having a first interlayer insulating film, a first wiring layer, a second interlayer insulating film and a second wiring layer on a semiconductor substrate, which can prevent disconnection of electrode wiring at an interface between the first and second interlayer insulating films at the time of making a contact hole in the interlayer insulating films to form the transistor structure.例文帳に追加
半導体基板上にトランジスタ構造、第１層間絶縁膜、第１配線層、第２層間絶縁膜、第２配線層を有する半導体装置において、第１及び第２層間絶縁膜にコンタクト孔を形成し電極構造を作成する際、層間絶縁膜界面での電極断線を防ぐ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The paper base material 12 has high interlayer strength in both longitudinal direction and lateral direction.例文帳に追加
紙基材１２は、縦方向および横方向のいずれについても層間強度に優れている。 - 特許庁
A contact hole 20 is formed at an interlayer insulating film 13 formed on a lower layer interconnect 11.例文帳に追加
下層配線１１上に形成された層間絶縁膜１３に、コンタクトホール２０が形成される。 - 特許庁
To provide a wiring board that is high in reliability of interlayer connection, and to provide a method of manufacturing a wiring board.例文帳に追加
層間接続の信頼性が高い配線基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A shading film 7 is formed on the interlayer insulating film 6 to partition off a light-receiving window 15.例文帳に追加
層間絶縁膜６上には遮光膜７が形成されて、受光窓１５を区画する。 - 特許庁
An interlayer insulating film 6 is formed on a light-receiving region 3 and a field insulating film 5.例文帳に追加
受光領域３上及びフィールド絶縁膜５上には層間絶縁膜６が形成される。 - 特許庁
As a result, an exact interlayer jump and the removal of the variation in tracking error signals can be achieved.例文帳に追加
これにより正確な層間ジャンプとトラッキングエラー信号の変動の除去が可能となる。 - 特許庁
To provide an integrated circuit capable of coping with moisture erosion, interlayer delamination, and the outward diffusion of copper.例文帳に追加
水分の浸食、層間剥離、銅の外への拡散に対処する集積回路を提供する。 - 特許庁
POSITIVE RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM FOR DISPLAY ELEMENT, AND FORMATION METHOD THEREOF例文帳に追加
ポジ型感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法 - 特許庁
A control gate 14 is formed over the floating gate 11 through an interlayer insulating film 13.例文帳に追加
さらにフローティングゲート１１の上に、層間絶縁膜１３を介してコントロールゲート１４を形成する。 - 特許庁
In one embodiment, an interlayer is built between the ISO/OSI protocol layers 2 and 3.例文帳に追加
一実施形態では、中間層は、ＩＳＯ／ＯＳＩプロトコル層２と層３の間に構築される。 - 特許庁
Then, etch back is performed and the interlayer insulation film 7 is allowed to remain only on the surface of the gate electrode 5.例文帳に追加
ついで、エッチバックを行い、ゲート電極５の表面にのみ層間絶縁膜７を残す。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which an interlayer insulating film hardly peels and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
層間絶縁膜が剥離しにくい半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a multilayer printed circuit board for interlayer connecting by use of bumps.例文帳に追加
バンプを利用して層間接続を行う多層プリント基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
Thereafter, the organic interlayer film 6 is etched to form a wiring groove using the upper mask 8 as a mask.例文帳に追加
次に、上部マスク８をマスクとして有機層間膜６をエッチングして配線溝を形成する。 - 特許庁
The barrier layer BR is provided between the interlayer insulating film IL and Cu wiring WR.例文帳に追加
バリア層ＢＲは層間絶縁膜ＩＬとＣｕ配線ＷＲとの間に設けられている。 - 特許庁
An interlayer dielectric 20 is formed on the semiconductor layer 80 while covering the gate structure 4c.例文帳に追加
半導体層８０上には、ゲート構造４ｃを覆って層間絶縁膜２０が形成されている。 - 特許庁
To provide a method of controlling effects of interlayer diffusion when producing a multilayer optical film.例文帳に追加
多層光学フィルムの製作において、層間拡散の影響を制御する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having an interlayer insulating film which is improved in dry etching selectivity ratio.例文帳に追加
ドライエッチング選択比を改良した層間絶縁膜を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁
To suppress damage to an interlayer insulating film when photoresist is etched by using N_2/H_2.例文帳に追加
フォトレジストをＮ_２／Ｈ_２プラズマを用いて除去する際に、層間絶縁膜の損傷を抑制する。 - 特許庁
RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM, MICROLENS AND METHOD FOR FORMING THESE例文帳に追加
感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの形成方法 - 特許庁
The semiconductor substrate, on which the interlayer insulating film and hydrogen diffusion preventing film are formed, is subjected to the heat treatment.例文帳に追加
層間絶縁膜及び水素拡散防止膜が形成された半導体基板を熱処理する。 - 特許庁
Damascene trenches reaching the lower interconnections are made in the interlayer insulation film with the minimum dimensions of lithograph.例文帳に追加
層間絶縁膜に、下部配線に到達するダマシン溝をリソグラフの最小寸法で形成する。 - 特許庁
Then, a plug 3 is formed in the interlayer insulating film 1 so as to be electrically connected to a semiconductor element 2.例文帳に追加
層間絶縁膜１に半導体素子２に電気的接続を行なうプラグ３を形成する。 - 特許庁
To manufacture a laminated interlayer optical directional coupler which makes high-density integration possible.例文帳に追加
高密度集積を可能にする積層型層間光方向性結合器を歩留り良く製造する。 - 特許庁
Between the third interlayer insulation film 14 and the drain interconnection 15, a gap 16 is formed.例文帳に追加
第３層間絶縁膜１４とドレイン配線１５との間には、隙間１６が生じている。 - 特許庁
A prepreg, where an appropriate irregularity is formed on the outside, can be applied to the interlayer stacking adhesive material 7.例文帳に追加
層間積層接着材７には外面に適度な凹凸を形成したプリプレグを適用できる。 - 特許庁
To provide a laminated film having outstanding antistatic property and antifogging nature, and, further, interlayer adhesiveness.例文帳に追加
優れた制電性及び防曇性、更には層間接着性を有する積層フィルムを提供する。 - 特許庁
An interlayer metal layer 22 is provided on the conductive sheet 12 in order to enhance bonding strength.例文帳に追加
結合力を高めるため異方性導電シート１２上に層間金属層２２を設ける。 - 特許庁
CONSTITUENT FOR FORMING POROUS INTERLAYER DIELECTRIC CONTAINING SACCHARIDE AND DERIVATIVE THEREOF例文帳に追加
糖類またはその誘導体を含有する多孔性層間絶縁膜を形成するための組成物 - 特許庁
The coating film 21 and the interlayer insulating film 23 are composed of such a material that can be etched selectively.例文帳に追加
被覆膜２１と層間絶縁膜２３とは選択的にエッチング可能な材料からなる。 - 特許庁
Low-k interlayer insulating films 14, 17 are formed in the same manner to constitute the FeRAM.例文帳に追加
同様に、ｌｏｗ−ｋ層間絶縁膜１４，１７を形成してＦｅＲＡＭを構成する。 - 特許庁
To provide a laminated glass having an excellent noise insulation and excellent adhesive strength with glass and an interlayer film.例文帳に追加
遮音性に優れ、ガラスと中間膜との接着力に優れた合わせガラスを提供する。 - 特許庁
An interlayer dielectric 66 covers the first emitter electrode 54 and the lower layer gate wiring 14.例文帳に追加
層間絶縁膜６６が第１エミッタ電極５４及び下層ゲート配線１４を覆っている。 - 特許庁
Thereafter, a cavity part 115 is formed by etching an interlayer insulating film 112 by the CMOS process.例文帳に追加
その後、ＣＭＯＳプロセスで層間絶縁膜１１２などをエッチングして空洞部１１５を形成する。 - 特許庁
A conductive plug 2, an interlayer insulating film 6a, and a bit line 3 are made on a silicon substrate 1.例文帳に追加
シリコン基板１上に導電性プラグ２、層間絶縁膜６ａ、ビット線３を形成する。 - 特許庁
Over the whole main surface of the semiconductor layer 102, an interlayer insulating film 106 is formed.例文帳に追加
ｐ型SiC半導体層１０２の主面上の全面に層間絶縁膜１０６が形成される。 - 特許庁
An interlayer insulating film 10 is formed between the diffused layers 2 and 3 and the gate electrode 9.例文帳に追加
また、拡散層２，３とゲート電極９との間には層間絶縁膜１０が形成される。 - 特許庁
An interlayer dielectric 104 of the semiconductor chip 101 is made of a low dielectric constant film.例文帳に追加
半導体チップ１０１の層間絶縁膜１０４は低誘電率膜により構成されている。 - 特許庁
An interlayer insulating layer 26 is formed for covering the gate insulating layer 22 and the gate electrode 24.例文帳に追加
ゲート絶縁層２２とゲート電極２４とを被覆する層間絶縁層２６を形成する。 - 特許庁
An interlayer insulating layer 24 for covering the gate insulating layer 20 and the gate electrode 22 is formed.例文帳に追加
ゲート絶縁層２０とゲート電極２２とを被覆する層間絶縁層２４を形成する。 - 特許庁
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