「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

A second-layer wiring metal film 6 is formed on the second interlayer oxide film 5, and a surface protective film 7 is formed on the second-layer wiring metal film 6 and the second interlayer oxide film 5.例文帳に追加

第２層間酸化膜５上に第２層目の配線金属膜６を形成し、第２層目の配線用金属膜６上と第２層間酸化膜５上に表面保護膜７を形成する。 - 特許庁

The top surface of lower wiring layer 3 is covered with interlayer insulation film 5, and lower wiring layer 3 is connected with bump pads 6 via through-holes 14 formed in the interlayer insulation film 5.例文帳に追加

下層配線層３の上面は層間絶縁膜５により覆われており、層間絶縁膜５に形成されたスルーホール１４を介して下層配線層３はバンプ用パッド６に接続されている。 - 特許庁

Those fuse wiring are covered with the interlayer insulating film 16, and in a through hole 16TH of the first interlayer insulating film 16, a high-melting-point metal layer 17 of tungsten, etc. is formed.例文帳に追加

これらのヒューズ配線は層間絶縁膜１６に覆われており、層間絶縁膜１６に設けられた貫通孔１６ＴＨには、タングステン等からなる高融点金属層１７が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high breakdown voltage semiconductor element which is improved in adhesion between an interlayer insulating film of the high breakdown voltage semiconductor element and a metal film formed on the interlayer insulating film, and a structure thereof.例文帳に追加

高耐圧半導体素子の層間絶縁膜とその上層に形成される金属膜との密着性を向上させた高耐圧半導体素子の製造方法及びその構造を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a compound containing metal and a first reducing gas are supplied onto the interlayer insulating film 3 to form a first seed layer 5 on the interlayer insulating film 3 including the contact hole 3a.例文帳に追加

続いて、層間絶縁膜３上に金属を含む化合物及び第１の還元性ガスを供給することにより、コンタクトホール３ａを含む層間絶縁膜３の上に第１のシード層５を形成する。 - 特許庁

To generate neither breakage nor interfacial peeling of an interlayer dielectric and ensure high connection reliability, even when a low-dielectric constant film is used for an interlayer dielectric wherein pad electrodes are provided.例文帳に追加

パッド電極が設けられる層間絶縁膜に低誘電率膜を用いた場合にも、該層間絶縁膜の破壊及び界面剥離を発生させず、高い接続信頼性を確保できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing an interlayer for laminated glass, with which an interlayer for laminated glass on which unevenness in the appearance is suppressed and a pattern is hardly visually recognized when light passes therethrough, can be obtained.例文帳に追加

光が透過した際に、外観むらが抑制されており、模様が視認され難い合わせガラス用中間膜を得ることができる合わせガラス用中間膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass, the light transmittance of which is changed by applying a voltage thereto and which has excellent handleability, and to provide the laminated glass obtained by using the interlayer for laminated glass.例文帳に追加

電圧を印加することにより光の透過率が変化し、かつ、取扱い性に優れる合わせガラス用中間膜、及び、該合わせガラス用中間膜を用いてなる合わせガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayered film, which can prevent an aggregate of particles in interlayer and an interlayer mixing accompanying it in the multilayered film which contains particles in each layer respectively.例文帳に追加

各層にそれぞれ粒子を含む多層フィルムにおいて、層間における粒子の凝集、およびそれに伴う層間の混合を防ぐことができる多層フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a Low-k film as an interlayer insulating film, the semiconductor device having superior reliability by preventing the interlayer insulating film from peeling in a temperature cycle test.例文帳に追加

層間絶縁膜としてＬｏｗ−ｋ膜を有する半導体装置において、温度サイクル試験時における層間絶縁膜の剥離を防止し、信頼性に優れた半導体装置を提供する。 - 特許庁

First interlayer insulation films 13A and 13B are formed on the working electrode WE1 while second interlayer insulation films 14A and 14B are formed on the insulation films 13A and 13B.例文帳に追加

作用電極ＷＥ１上には第１層間絶縁膜１３Ａ、１３Ｂが形成され、第１層間絶縁膜１３Ａ、１３Ｂ上には第２層間絶縁膜１４Ａ、１４Ｂが形成されている。 - 特許庁

Cu wirings 24 protruding onto a third interlayer film 17 and the third interlayer film 17 are coated with a coating layer 31 made of PBO having characteristic of capturing Cu (Cu ion).例文帳に追加

第３層間膜１７およびこの第３層間膜１７上に突出するＣｕ配線２４は、Ｃｕ（Ｃｕイオン）を捕獲する性質を有するＰＢＯからなる被覆層３１によって被覆されている。 - 特許庁

After the embedded wiring 7a is formed, heat treatment is conducted for introducing an alkyl group into the interlayer insulating film 3, whereby the SiOC based material constituting the interlayer insulating film 3 is reduced in the dielectric constant.例文帳に追加

埋込配線７ａを形成した後、層間絶縁膜３にアルキル基を導入するための熱処理を行うことにより層間絶縁膜３を構成するＳｉＯＣ系材料を低誘電率化する。 - 特許庁

The highest position of the second interlayer insulating film IL2 above the main surface of the semiconductor substrate SUB is higher than the highest position of the first interlayer insulating film IL1 above the main surface of the semiconductor substrate SUB.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜ＩＬ２の半導体基板ＳＵＢの主表面からの最上部の位置が、第１の層間絶縁膜ＩＬ１の上記主表面からの最上部の位置よりも高い。 - 特許庁

A second alloy layer 27a made of an alloy of the first alloy layer 28a and the interlayer conduction part 24a is provided on a part contacting the interlayer conduction part 24a of the first alloy layer 28a.例文帳に追加

第１の合金層２８ａのうち層間導通部２４ａに接触する部分には、第１の合金層２８ａと層間導通部２４ａとの合金からなる第２の合金層２７ａが配置されている。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a semiconductor substrate (not shown in the figure), an interlayer insulating film 102 formed on the semiconductor substrate, and a multi-layer insulating film 140 provided on the interlayer insulating film 102.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に形成された層間絶縁膜１０２と、層間絶縁膜１０２上に設けられている多層絶縁膜１４０とを備える。 - 特許庁

At least one of the wiring layers provided on the pixel region is contacted at its upper side with the interlayer insulating film through an antireflective layer, and is contacted at its lower side directly with the interlayer insulating film.例文帳に追加

前記画素領域上に配される少なくとも一層の配線層は、その上部が反射防止膜を介して前記層間絶縁膜と接し、その下部が前記層間絶縁膜に直接接している。 - 特許庁

As the result, and stress caused by the deflection of the interlayer insulating film 2 is hardly imposed on the protective film 4 formed on the interlayer insulating film 2, so that fissures hardly occur in the protective film 4.例文帳に追加

その結果、例えば、層間絶縁膜２上に設けられた保護膜４に、該層間絶縁膜２の撓みに起因するストレス（荷重等）がかからなくなるので、その保護膜４に亀裂等が生じなくなる。 - 特許庁

In the semiconductor device having the multilayer interconnection structure, a non-porous film (303) is applied only to an interlayer insulating film, directly under a wiring (310), and porous films are applied to the other interlayer insulating films.例文帳に追加

多層配線構造を有する半導体装置において、配線（３１０）の直下の層間絶縁膜にのみ非ポーラス膜（３０３）を適用し、その他の層間絶縁膜はポーラス膜を適用する。 - 特許庁

A resist film 75b having a predetermined circuit pattern is formed on an interlayer insulating film 74, and a via 78a is formed in the interlayer insulating film 74 by performing an etching treatment using the resist film 75 as a mask.例文帳に追加

層間絶縁膜７４上に所定の回路パターンを有するレジスト膜７５ｂを形成し、レジスト膜７５ｂをマスクとしてエッチング処理し、層間絶縁膜７４にビア７８ａを形成する。 - 特許庁

A gap portion 101c formed by removing the first interlayer insulating film is selectively formed between adjacent wiring lines of the plurality of lower wiring lines 105 in the first interlayer insulating film 101.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１０１における複数の下部配線１０５の隣り合う配線同士の間には、第１の層間絶縁膜が除去されてなる空隙部１０１ｃが選択的に形成されている。 - 特許庁

The resist film 17 is removed and the surface of the interlayer insulating film 16 is flattened by isotropically etching the interlayer insulating film 16 and the resist film 17 which are left after anisotropic etching.例文帳に追加

異方性エッチングで残された層間絶縁膜１６及びレジスト膜１７を等方性エッチングすることによって、レジスト膜１７を除去すると共に層間絶縁膜１６の表面を平坦化する。 - 特許庁

A resin plate (resin layer) 10 having interlayer conduction structure formed of vias (Ag pin) 13 and a resin plate (resin layer) 20 having an interlayer conduction structure formed of vias (Cu pin) 23 are combined.例文帳に追加

ビア（Ａｇ製のピン）１３により層間導通構造を有する樹脂板（樹脂層）１０と，ビア（Ｃｕ製のピン）２３により層間導通構造を有する樹脂板（樹脂層）２０とを組み合わせる。 - 特許庁

To avoid exposing electrodes or wirings underlying an interlayer dielectric film, even with a reduced thickness of the interlayer dielectric deposited on the lower side of a laminate film including a ferroelectric film.例文帳に追加

強誘電体膜を含む積層膜の下側に堆積されている層間絶縁膜の膜厚を小さくしても、層間絶縁膜の下側に形成されている電極又は配線が露出しないようにする。 - 特許庁

To provide an interlayer film for a laminated glass which increases penetration resistance of an entire area of the laminated glass when used for the laminated glass, and the laminated glass using the interlayer film for the laminated glass.例文帳に追加

合わせガラスに用いられた場合に、該合わせガラスの全領域の耐貫通性を高めることができる合わせガラス用中間膜、並びに該合わせガラス用中間膜を用いた合わせガラスを提供する。 - 特許庁

A P-SiO_2 interlayer insulating film 8 having a dielectric constant not lower than 4 is formed on the protective film 7, and an Al wiring 10 for a first layer is formed on the P-SiO_2 interlayer insulating film 8.例文帳に追加

上記保護膜７の上に誘電率４以上からなるＰ−ＳｉＯ_２層間絶縁膜８を形成し、このＰ−ＳｉＯ_２層間絶縁膜８に第１層のＡｌ配線１０を形成する。 - 特許庁

The interlayer insulating layer for a printed-circuit board in which scaly particles are dispersed in a resin formed on a base body and cured, and the printed-circuit board with the interlayer insulating layer, are provided.例文帳に追加

基体上に形成され、硬化された樹脂中に燐片状粒子を分散してなるプリント配線板用層間絶縁層およびその層間絶縁層を有するプリント配線板を提供する。 - 特許庁

In the structure, the interlayer film 10 comprises silicon oxide for at least a portion in contact with the protective film 12, and the protective film 12 comprises polyimide for at least a portion in contact with the interlayer film 10.例文帳に追加

この構造において、層間膜１０は、少なくとも保護膜１２と接する部分が酸化シリコンからなり、保護膜１２は、少なくとも層間膜１０と接する部分がポリイミド樹脂からなる。 - 特許庁

The substrate device has a substrate, a lower layer conductive part formed on the substrate, an interlayer insulating film laminated on the lower layer conductive part and an upper layer conductive part formed on the interlayer insulating film.例文帳に追加

基板装置は、基板と、該基板上に形成された下層導電部と、該下層導電部上に積層された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成された上層導電部とを備えている。 - 特許庁

To provide a printed wiring board which has no variation in through conditions of conductor bumps associated with an interlayer connection and therefore has a reliable interlayer connection, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

層間接続に与かる導体バンプの貫挿状態にバラツキがなく、層間接続の信頼性が高いプリント配線基板およびそのようなプリント配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A second interlayer insulating film (7) 7a is laminated on the surface of the first interlayer insulating film 3 to form second layer interconnections (interconnections) 10a, 10b on the leveled surface through conductive plugs 9a, 9b.例文帳に追加

第１層間絶縁膜３の表面に第２層間絶縁膜（７）７ａを積層し、平坦化した表面に導電性プラグ９ａ、９ｂを介して第２層配線（配線）１０ａ、１０ｂを形成する。 - 特許庁

To provide high performance TFT characteristics by using the interlayer insulation film of a low defect density in a polysilicon TFT substrate, and to shorten the evaluation period of the TFT substrate by measuring the E' center density of the interlayer insulation film beforehand and predicting the TFT characteristics.例文帳に追加

本発明によるポリシリコンＴＦＴ基板においては、欠陥密度の少ない層間絶縁膜を用いることで、高性能なＴＦＴ特性を提供することを目的とする。 - 特許庁

A common first metal cap layer 16 for covering a second interlayer dielectric 11 and a first wiring 13 (first barrier layer 14 and a first wiring layer 15) is laminated on the surface of a second interlayer dielectric 11.例文帳に追加

第２層間絶縁膜１１の表面に、第２層間絶縁膜１１と、第１配線１３（第１バリア層１４及び第１配線層１５）と、を覆う共通の第１メタルキャップ層１６を積層した。 - 特許庁

In this method for manufacturing a semiconductor storage device, after an MOSTr2 is formed on an Si substrate 1, a first interlayer insulating film 3 is formed and flattened, and the first interlayer insulating film 3 for a lower electrode region is removed in partly.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＭＯＳＴｒ２を形成後、第１の層間絶縁膜３を形成して平坦化し、下部電極領域となる部分の第１層間絶縁膜を除去する。 - 特許庁

Furthermore, an interlayer insulating film 7 covering the wire 6, a connection hole 8 provided in this interlayer insulating film 7, and an upper layer wire 9 connected to the wire 6 via the connection hole 6, are provided.例文帳に追加

さらに、配線６を覆う層間絶縁膜７、この層間絶縁膜７に設けられた接続孔８、接続孔８を介して配線６に接続された上層配線９が設けられている。 - 特許庁

Then, an interlayer insulating film 24 is formed on the semiconductor substrate 20, the interlayer insulating film 24 is etched so as to partially exposed the surface of the first tungsten silicide film and to form a contact hole 26.例文帳に追加

次に、基板上に層間絶縁膜２４を形成し、下部導電層パターンの第１のタングステンシリサイド膜の一部表面が露出するように、層間絶縁膜をエッチングしてコンタクト孔２６を形成する。 - 特許庁

A groove 10a is formed on the substrate, and a step to be flattened by the polishing process of the single interlayer insulating film 7a is relaxed, therefore, the interlayer insulating film can be formed thinner.例文帳に追加

基板には溝（１０ａ）が形成されており、一の層間絶縁膜（７ａ）の研磨処理により平坦化すべき段差が緩和されており、一の層間絶縁膜は薄く形成することができる。 - 特許庁

To suppress erosion which occurs in the interconnect-dense part of interconnection formed on the interlayer insulating film of a small relative dielectric constant, and to prevent the exposure of the interlayer insulating film of the small relative dielectric constant.例文帳に追加

比誘電率が小さい層間絶縁膜に形成された配線の配線密集部に生じるエロージョンを抑制して、比誘電率が小さい層間絶縁膜の露出を防止できるようにする。 - 特許庁

The etching-stop film is patterned along the hard mask pattern, the exposed first interlayer insulating film and the contact plugs are etched to form trenches on the first interlayer insulating film on the contact plugs.例文帳に追加

ハードマスクパターンに沿ってエッチング停止膜をパターニングし、露出された第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグをエッチングしてコンタクトプラグの上部の第１の層間絶縁膜にトレンチを形成する。 - 特許庁

A liner film 17 and an interlayer insulating film 18 are formed on the semiconductor substrate 11 subjected to the etching, and then, a contact hole 19 is formed on the interlayer insulating film 18 and the liner film 17.例文帳に追加

当該エッチングが行われた半導体基板１１上に、ライナー膜１７、および層間絶縁膜１８が形成された後、層間絶縁膜１８およびライナー膜１７にコンタクトホール１９が形成される。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ETHYLENE-VINYL ACETATE COPOLYMER RESIN FILM ROLL FOR INTERLAYER OF LAMINATED GLASS AND ETHYLENE-VINYL ACETATE COPOLYMER RESIN FILM ROLL FOR INTERLAYER OF LAMINATED GLASS OBTAINED BY THE SAME例文帳に追加

合わせガラス中間膜用エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂フィルムロールの製造方法、及びこれにより得られる合わせガラス中間膜用エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂フィルムロール - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing interlayer peeling caused by water and hydrogen produced from an interlayer insulation film and stabilizing the electric characteristic of a capacitor element.例文帳に追加

層間絶縁膜から発生する水および水素に起因した層間剥離を抑制し、キャパシタ素子の電気特性を安定化させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a photoresist film patterned to the predetermined shape is formed over the interlayer insulating film (S16), and the dry etching is performed using the photoresist film as a mask (S18) to form a wiring groove to the interlayer insulating film.例文帳に追加

この後、層間絶縁膜上に所定の形状にパターニングされたフォトレジスト膜を形成し（Ｓ１６）、フォトレジスト膜をマスクとしてドライエッチングし（Ｓ１８）、層間絶縁膜に配線溝を形成する。 - 特許庁

An inner lens is formed on an upper part of the interlayer insulating film, and a supplementary lens having the same refractive index as that of the inner lens is formed on the surfaces of the inner lens and the interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜の上部にインナーレンズが形成され、前記インナーレンズ及び前記層間絶縁膜の表面上に、前記インナーレンズと同一な屈折率を有する補助レンズが形成される。 - 特許庁

An array substrate 10 has a first interlayer dielectric 4 and a second interlayer dielectric 7 having different etching ratios from each other so as to cover a switching element 30 having a semiconductor layer 1a.例文帳に追加

アレイ基板１０は、半導体層１ａを有するスイッチング素子３０を覆うようにエッチング比率が互いに異なる第１層間絶縁膜４及び第２層間絶縁膜７が形成されている。 - 特許庁