「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

In a thin film transistor, its foundational film, its gate insulation film, and its interlayer insulation film are formed out of silicon oxide films.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、下地膜、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜を酸化珪素膜で形成する。 - 特許庁

To obtain a multilayer substrate having a high laminating accuracy by preventing an interlayer deviation (lateral deviation) at multilayer laminating time.例文帳に追加

多層積層時の層間ずれ（横ずれ）を防止し、高い積層精度を有する多層基板を得ること。 - 特許庁

To provide a method for creating a virtual protocol "interlayer" between two protocol layers in a communication stack in a communication environment supporting a multi-layered protocol.例文帳に追加

通信スタック内の２つのプロトコル層の間に仮想プロトコル「中間層」を提供すること。 - 特許庁

To surely prevent the diffusion of a material easily diffusible into an interlayer insulating film and is represented by a Cu-containing material into the interlayer insulating film and the peeling of the material, and at the same time, to reduce the interlayer capacity of wiring and to enable the wiring to maintain high oxidation resistance when the wiring is formed by using the material.例文帳に追加

Ｃｕを含有する材料に代表されるような層間絶縁膜に対する易拡散性の材料を用いて配線を構成した場合に、前記易拡散性の材料の層間絶縁膜への拡散や材料の剥離を確実に防止するとともに、層間容量を低減させ、しかも高い耐酸化性を保持する。 - 特許庁

Further the interlayer insulating layer 20 can have a base insulating layer 24 and a cap insulating layer 28.例文帳に追加

層間絶縁層２０は、さらに、ベース絶縁層２４およびキャップ絶縁層２８を有することができる。 - 特許庁

While an anti-reflection film 9 and a resist pattern 10 are formed on the second interlayer dielectric 8, a capacitor hole 11 is formed between the surface of the second interlayer dielectric 8 and a position-controlled bottom face 11a in the first interlayer dielectric 5 through the stopper film 7 by dry etching process using the resist pattern 10 as a mask.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜８上に反射防止膜９とレジストパターン１０を形成し、このレジストパターン１０をマスクとしたドライエッチングにより第２の層間絶縁膜８の表面からストップ膜７を貫通して第１の層間絶縁膜５内に、底面１１ａの位置が制御されたキャパシタホール１１を形成する。 - 特許庁

The interlayer dielectric film is deposited all over from above the dielectric film sidewall and the bit line 11 is embedded.例文帳に追加

絶縁膜サイドウォールの上から全面に、層間絶縁膜を堆積して、ビット線１１を埋め込む。 - 特許庁

A part buried in the dummy apertures 8e among the second interlayer insulating film 10 is rather weak in the strength.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０のうち、ダミー開口部８ｅに埋め込まれた部分は強度が弱い。 - 特許庁

The interlayer insulating film has a top surface, and a circumferential edge 54 continuous from the top surface to the major surface.例文帳に追加

層間絶縁膜は、頂面と、頂面から主表面にまで連なる周縁５４とを有する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 2 is composed of a silicon oxide film 21, an insulating coated film 22, and a silicon oxide film 23A.例文帳に追加

層間絶縁膜２は、シリコン酸化膜２１と、絶縁塗布膜２２と、シリコン酸化膜２３Ａとからなる。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board which can imprint a detailed wiring pattern containing a viahole in an interlayer insulation layer easily and accurately by an imprint method using mold, and is excellent in insulation and interlayer connectability between microfabrication wiring patterns embedded in the interlayer insulating layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

モールドを用いたインプリント法によって、層間絶縁層内にバイアホールを含んだ微細な配線パターンを容易かつ正確に転写でき、かつ層間絶縁層内に埋設形成された微細化配線パターン間の絶縁性や層間接続性に優れた多層プリント配線板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the ion implantation is performed, the interlayer dielectric 11 is withdrawn and the source electrode 10 is formed.例文帳に追加

また、このイオン注入の後、層間絶縁膜１１を後退させ、ソース電極１０を形成する。 - 特許庁

To provide a multilayer rotational molding article excellent in adhesion of an interlayer, resistance to permeability, heat stability or the like.例文帳に追加

層間の接着力、耐透過性、熱安定性等に優れた回転成型多層品を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is equipped with an interlayer insulating film of low relative dielectric constant and excellent in characteristics.例文帳に追加

比誘電率の低い層間絶縁膜を得て、特性の良好な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, a high density diffusion layer and a salicide layer are formed to form an interlayer insulating film on the entire face.例文帳に追加

その後、高濃度拡散層及びサリサイド層を形成し、全面に層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Thus, the gate insulation films 13 and the interlayer insulation films 15 break where the breakdown voltages are low.例文帳に追加

これにより、絶縁耐圧の低い箇所のゲート絶縁膜１３や層間絶縁膜１５はブレークダウンする。 - 特許庁

The interlayer film where fine zinc oxide particles containing one or more elements selected from the group consisting of group IIIB and group IVB in the periodic table and fine hexaboride particles are dispersed in a resin for the interlayer film and the laminated glass using the interlayer film are provided.例文帳に追加

周期律表第ＩＩＩＢ族元素および第ＩＶＢ族元素からなる群から選ばれる１種または２種以上の元素を含有する酸化亜鉛微粒子と、六ホウ化物微粒子とが、中間膜用樹脂に分散してなることを特徴とする中間膜、ならびに該中間膜を用いてなる合わせガラス。 - 特許庁

A light of a wavelength of 200 nm or longer and 260 nm or shorter is irradiated to the interlayer insulating film 3.例文帳に追加

層間絶縁膜３に２００ｎｍ以上２６０ｎｍ以下の波長を有する光が照射される。 - 特許庁

A second copper wiring 6 and a connection plug 7 made of copper are formed in the second interlayer insulating film 5.例文帳に追加

第２層間絶縁膜５内には、第２銅配線６および銅の接続プラグ７が形成される。 - 特許庁

Then, an interlayer insulation film 48 that is made of a silicon nitride film or the like is formed on the silicon nitride film 14.例文帳に追加

そして、シリコン窒化膜１４上にシリコン窒化膜等からなる層間絶縁膜４８を形成する。 - 特許庁

Above the part of the interlayer insulation film 5 located immediately above the undermetal 3, top metal 6 is formed.例文帳に追加

アンダーメタル３の直上に位置する層間絶縁膜５の部分上に、トップメタル６が形成されている。 - 特許庁

Thereby, a TiO_2 film 31 is formed between the Ti film 18 and the SiO_2 interlayer film 13.例文帳に追加

これにより、Ｔｉ膜１８とＳｉＯ_２層間膜１３との間にＴｉＯ_２膜３１が形成される。 - 特許庁

FORMING METHOD OF SHEET INCLUDING INTERNAL CIRCUIT AND INTERLAYER CONNECTION MATERIAL USED WHEN ELECTRONIC COMPONENT IS MANUFACTURED例文帳に追加

電子部品製造時に用いられる、内部回路および層間接続材を包含するシートの形成方法 - 特許庁

To provide a printed wiring board capable of sustaining high reliability and preventing interlayer stripping.例文帳に追加

層間の剥離が生じ難く、高い信頼性を維持することができるプリント配線板を提供すること。 - 特許庁

A first interlayer dielectric 7 is formed on the base insulating film 3 and first wiring layer 5.例文帳に追加

下地絶縁膜３上及び第１配線層５上に第１層間絶縁膜７が形成されている。 - 特許庁

The fire resistive interlayer material 5 is inserted into a gap G between the floor 1 and the external wall 4 of the building.例文帳に追加

建築物の床１と外壁４との間の間隙Ｇ内に、耐火層間材５を挿入する。 - 特許庁

Then, the spacer and insulation film are used as a mask to etch the interlayer insulation film, thereby forming a contact hole.例文帳に追加

次に、スペーサ及び絶縁膜をマスクとして層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the organic compound-clay composite by introducing an organic guest compound into interlayer voids of lamellar clay containing interlayer inorganic cation, featured by substituting interlayer inorganic cation with organic ammonium ion to hydrophobize the cation and then processing the clay with the solution prepared by dissolving the above organic guest compound in its lean solvent.例文帳に追加

層間に無機陽イオンを有する層状粘土の層間空隙中に有機ゲスト化合物を導入し、有機化合物−粘土複合体を製造するに当り、層間の無機陽イオンを有機アンモニウムイオンで置換して疎水化したのち、該有機ゲスト化合物をその貧溶媒に溶解した溶液で処理する。 - 特許庁

The barrier metal becomes unnecessary because of using a material preventing diffusion of copper as the interlayer insulating film 11.例文帳に追加

銅の拡散を防止する材料を層間絶縁膜11として用いるため、バリア金属が不要となる。 - 特許庁

TFT SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, DISPLAY DEVICE USING IT AND EVALUATION METHOD OF INTERLAYER INSULATION FILM例文帳に追加

ＴＦＴ基板及びその製造方法、これを用いた表示装置、並びに層間絶縁膜の評価方法 - 特許庁

CUTTING TOOL MADE OF SURFACE-COATED CEMENTED CARBIDE THAT HARD COATING LAYER HAS EXCELLENT INTERLAYER ADHESION例文帳に追加

硬質被覆層がすぐれた層間密着性を有する表面被覆超硬合金製切削工具 - 特許庁

An interlayer dielectric film material for a thin film transistor contains a cage-shape silsesquioxane compound.例文帳に追加

カゴ状シルセスキオキサン化合物を含有することを特徴とする薄膜トランジスタ用層間絶縁膜材料。 - 特許庁

Meanwhile, the negative voltage NMOS Tr 50 is formed as a TFT on the first interlayer insulating film 11 of a peripheral region.例文帳に追加

一方、負電圧NMOSTr50は、周辺領域の第1の層間絶縁膜11上にTFTとして形成されている。 - 特許庁

POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PROTECTIVE FILM, INTERLAYER INSULATION FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示素子。 - 特許庁

A gate electrode 3 and a diffusion interlayer 4 are formed over an Si substrate 1 with a gate oxide film 2 in between.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にゲート酸化膜２を介してゲート電極３、拡散層４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes bonding pads 3 formed on an interlayer insulating film 27.例文帳に追加

この発明は、層間絶縁膜２７上に形成されたボンディング用パッド３を有する半導体装置である。 - 特許庁

A first metal wiring layer 7 that consists of an Al alloy layer is formed on a first interlayer insulating layer 5.例文帳に追加

第１層間絶縁層５上にＡｌ合金層からなる第１メタル配線層７を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 40 and an interlayer insulating film 41 are sequentially deposition-formed, after forming a metal silicide film.例文帳に追加

金属シリサイド膜を形成後、シリコン窒化膜４０と層間絶縁膜４１を順次堆積形成する。 - 特許庁

To prevent the diffusion of a metal to an interlayer insulating film from a metal gate electrode when or after being formed.例文帳に追加

形成時または形成後のメタルゲート電極からの層間絶縁膜への金属の拡散を防止する。 - 特許庁

An interlayer insulation film and an insulation film are formed on the substrate 1 so as to cover the TFTs.例文帳に追加

そのＴＦＴを覆うように基板１上に層間絶縁膜および絶縁膜が形成される。 - 特許庁

To prevent electrostatic breakdown of a metal line or an interlayer insulation film by improving electrostatic resistance.例文帳に追加

耐静電性を向上させ、金属配線や層間絶縁膜の静電破壊を防止することを目的とする。 - 特許庁

A tungsten layer is formed on an interlayer insulating film containing openings for alignment marks and polished by the CMP method.例文帳に追加

アラインメントマーク用開口を含む層間絶縁膜の上にタングステン層を形成し、ＣＭＰ法で研磨する。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 50 is formed on the semiconductor board 1, contact holes 42, 44 are formed.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜５０を形成後、コンタクトホール４２及び４４を形成する。 - 特許庁

INTERLAYER INSULATING FILM STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体装置の層間絶縁膜構造とその製造方法、及び半導体装置とその製造方法 - 特許庁

In the method, the printed wiring board is manufactured through interlayer connection using an electrically conductive paste 1.例文帳に追加

導電性ペースト１を用いて層間接続されたプリント配線板を製造する方法に関する。 - 特許庁