「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the occurrence of scratch by CMP (Chemical Mechanical Polishing) in an interlayer insulating film, is prevented and deterioration in film thickness uniformity of the interlayer insulating film is also prevented.例文帳に追加

層間絶縁膜にＣＭＰによるスクラッチが発生することを防止することや層間絶縁膜の膜厚均一性の悪化を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the methylpolysiloxane composed of hydrophobic groups of Si-CH_3 bonds is used as the interlayer dielectric, the surface of the interlayer dielectric is damaged in an etching process and the carbon concentration is decreased due to defect of methyl group.例文帳に追加

Ｓｉ−ＣＨ_3結合たる疎水基からなるメチルポリシロキサンを層間絶縁膜に用いた場合、エッチング工程等において前記層間絶縁膜表面がダメージを受け、メチル基の欠陥により炭素濃度が減少する。 - 特許庁

After the lower layer wiring 13 is subjected to patterning to a first interlayer insulating film 12 on a semiconductor substrate 11, an etching stop layer 14, a second interlayer insulating film 15, and a reflection preventing film 16 are successively built up.例文帳に追加

半導体基板１１上の第１の層間絶縁膜１２に下層配線１３をパターニングした後、エッチング停止層１４及び第２の層間絶縁膜１５及び反射防止膜１６を順次堆積する。 - 特許庁

Further, a low-k interlayer insulating film 11 having a dielectric constant not higher than 4 is formed on the Al wiring 10, and an Al wiring 13 for a second layer is formed on the low-k interlayer insulating film 11.例文帳に追加

さらに、Ａｌ配線１０の上に誘電率４未満からなるｌｏｗ−ｋ層間絶縁膜１１を形成し、このｌｏｗ−ｋ層間絶縁膜１１に第２層のＡｌ配線１３を形成する。 - 特許庁

Then, an interlayer insulating film 109A of silicon oxide is deposited on the capacitor element 108, and then a barrier film 110B electrically connected to the capacitor element 108 is formed on the interlayer insulating film 109A.例文帳に追加

次に、容量素子１０８の上に酸化シリコンからなる層間絶縁膜１０９Ａを堆積した後、層間絶縁膜１０９Ａの上に、容量素子１０８と電気的に接続されるバリア膜１１０Ｂを形成する。 - 特許庁

An interlayer insulating film is formed on a semiconductor substrate 1, and the interlayer insulating film is wet etched with use of the insulating film as the uppermost layer of the wiring lines 10 and 11 and the insulating film 15 as etching stoppers.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜を形成し、配線１０及びダミー配線１１の最上層の絶縁膜と絶縁膜１５とをエッチングストッパとして、かかる層間絶縁膜をウェットエッチングする。 - 特許庁

Then an interlayer insulating film is formed over the entire surface of the semiconductor substrate, where the bit line is formed and etched in a wet manner, until the interlayer insulating film is recessed by specific depth from the upper surface of the bit line.例文帳に追加

次に、ビットラインが形成された半導体基板全面に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜がビットラインの上部表面から所定深さだけリセスされるまで層間絶縁膜を湿式エッチングする。 - 特許庁

Subsequently, a third interlayer insulating film 20 is formed and a barrier metal film 110 and a further tungsten film 11 are deposited by organic CVD method and a second W plug 112 is formed in a third interlayer insulating film 20.例文帳に追加

その後、第３の層間絶縁膜２０を形成し、第３の層間絶縁膜２０中に有機ＣＶＤ法によるバリアメタル膜１１０、更にタングステン膜１１を堆積して第２のＷプラグ１１２を形成する。 - 特許庁

After the sacrificial film pattern is removed, the floating gate film is etched using the pattern of the gate interlayer insulating film as an etching mask, so that a floating gate is formed under the pattern of the gate interlayer insulating film.例文帳に追加

前記犠牲膜パターンを除去した後、前記ゲートの層間絶縁膜のパターンをエッチングマスクとして使用して、前記フローティングゲート膜をエッチングして、前記ゲート層間絶縁膜パターン下部にフローティングゲートを形成する。 - 特許庁

To prevent water from passing through an interface between an interlayer insulating film of a lower layer and interlayer insulating film of an upper layer composed of different materials from path other, which is apt to become a water passing inlet from outside in a conventional semiconductor device.例文帳に追加

従来の半導体装置において、相異なる絶縁材料によって形成された下層の層間絶縁膜と上層の層間絶縁膜との界面は、外部からの水分等の浸入口となり易い。 - 特許庁

An open hole 74 having a bottom surface defined by the bonding pad 71 is partially formed in a third interlayer insulating film 63, fourth interlayer insulating film 67, protection insulating film 72 and buffer coating film 73.例文帳に追加

第３の層間絶縁膜６３、第４の層間絶縁膜６７、保護絶縁膜７２、及びバッファコート膜７３内には、ボンディングパッド７１によって規定された底面を有する開孔部７４が、部分的に形成されている。 - 特許庁

The element further comprises oxide films 15 and 17 that are formed at the interface between the cathode electrode 14 and the interlayer dielectric film 18, and at the interface between the gate electrode 16 and the interlayer dielectric film 18, respectively, by oxidation annealing, and are mainly composed of constituent elements of the underlying layer.例文帳に追加

カソード電極１４及びゲート電極１６と層間絶縁膜１８との界面に、酸化アニール処理により形成され、下地層の構成元素を主成分とする酸化膜１５，１７を備える。 - 特許庁

A contact plug 112 is formed at a contact hole formed in the first interlayer insulating film 104, and an upper layer wiring 113 is formed in a wiring groove formed in the second interlayer insulating film 105.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１０４に形成された接続孔には接続プラグ１１２が形成されていると共に、第２の層間絶縁膜１０５に形成された配線溝には上層配線１１３が形成されている。 - 特許庁

The interlayer insulating film 40 is vertically dry-etched with respect to the surface of the semiconductor substrate 20 with the resist pattern 50 as a mask, and an opening 100' toward the S/D region 25 is formed in the interlayer insulating film 40.例文帳に追加

次に、このレジスパターン５０をマスクに層間絶縁膜４０を半導体基板２０表面に対して垂直にドライエッチングして、層間絶縁膜４０にＳ／Ｄ領域２５に至る開口部１００´を形成する。 - 特許庁

Further, a through hole 39 piercing through the core board 30 and the interlayer resin insulation layer 150 formed over the core board 30 connects a via hole (conductor layer) 160a over the interlayer resin insulation layer 50.例文帳に追加

また、コア基板３０と、当該コア基板３０上に形成された層間樹脂絶縁層１５０とを貫通する貫通孔３９により、層間樹脂絶縁層５０上のバイアホール（導体層）１６０ａを接続させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the memory device includes a step of forming a ferroelectric capacitor C on a second interlayer insulating film 8 covering local wiring 15a, and forming of an alumina (Al_2O_3) on the second interlayer insulating film 8 covering this ferroelectric capacitor C.例文帳に追加

局所配線１５ａを覆う第二層間絶縁膜８上に強誘電体キャパシタＣを形成し、この強誘電体キャパシタＣを覆うように第二層間絶縁膜８上にアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を形成する。 - 特許庁

To provide a multi-layer fuel part which is excellent in fuel permeation resistance, low in deterioration in interlayer adhesion strength even when contacted with gasoline or gasohol, free from interlayer peeling and cracking, and excellent in creep resistance.例文帳に追加

燃料透過耐性に優れ、ガソリンやガソホールに接触しても層間接着強度の低下が小さく、層間剥離や割れなどが起こらず、しかも耐クリープ性にも優れた多層構造の燃料部品を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of an interlayer insulating film in a semiconductor device, which prevents etching residues, when wirings are formed, from being generated, can prevent reduction in the yield of the formation of the interlayer insulating film due to short-circuiting between the wirings and also is superior in reliability.例文帳に追加

配線を形成するときのエッチング残りを防ぎ、配線間のショートによる歩留りの低下を防ぐことができると共に、信頼性が優れた半導体装置の層間絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently form a via hole in a shorter time compared to the case of using plating as a means of interlayer connection and to improve the electric reliability of an interlayer connection part compared to the case of using a conductive composition.例文帳に追加

層間接続の手段としてめっきを用いる場合に比べて短時間で効率的にバイアホールを形成し、しかも、導電性組成物を用いる場合に比べて層間接続部の電気的信頼性を高める。 - 特許庁

To prevent trouble in a circuit provided to a device even when an electronic element such as a TFT formed on a layer under an interlayer insulation film is short-circuited to a wiring formed on the upper side of the interlayer insulation film.例文帳に追加

例えば、層間絶縁膜の下層に形成されたＴＦＴ等の電子素子が層間絶縁膜の上側に形成された配線とショートした場合でも、装置が備える回路に不具合が生じることを防止する。 - 特許庁

A liner insulating film 106 is formed on the top of the interlayer dielectric 101 and on the top of the lower layer wiring 105, and an interlayer dielectric 108 is formed on the top of the liner insulating film 106.例文帳に追加

層間絶縁膜１０１の上面および下層配線１０５の上面にはライナー絶縁膜１０６が形成されており、ライナー絶縁膜１０６の上面には層間絶縁膜１０８が形成されている。 - 特許庁

A second interlayer insulating film 143 is formed on a wafer 101, a ferroelectric capacitor 120 is covered and then a contact hole is formed on the second interlayer insulating film 143 on the ferroelectric capacitor 120.例文帳に追加

ウエーハ１０１上に第２層間絶縁膜１４３を形成して強誘電体キャパシタ１２０を覆った後、この強誘電体キャパシタ１２０上の第２層間絶縁膜１４３にコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

To provide an interlayer film 10 for laminated glass which hardly causes surface contamination, can be manufactured inexpensively with a fewer processes and can perform lamination processing for glass 101 at a room temperature and to provide a method for manufacturing the interlayer film for laminated glass.例文帳に追加

表面汚染が少なく、製造工程数が少なく低コストで製造でき、かつ、ガラス１０１へ室温で合わせ加工ができきる合わせガラス用中間膜１０及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a material for forming an interlayer insulation film which has a sufficiently low dielectric constant and is capable of forming an interlayer insulation film having high mechanical strength and high adhesiveness by a simple manufacturing method.例文帳に追加

充分に低い誘電率を有しながら、なおかつ簡便な製造方法で、高い機械強度と高い密着性能を有した層間絶縁膜が得られる、層間絶縁膜形成用材料を提供する。 - 特許庁

To provide a siloxane-based resin having a low dielectric constant in addition to excellent mechanical properties and to provide an interlayer insulating film with low dielectric constant for semiconductor by using the same in formation of the interlayer insulating film for the semiconductor.例文帳に追加

優れた機械的物性及び低い誘電率を有するシロキサン系樹脂を提供し、これを半導体層間絶縁膜の形成に適用することにより低誘電率半導体層間絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To obtain a method suitable for fabricating a semiconductor device having a multilayer interlayer insulation film in which the thickness of multiple interlayer films included in the semiconductor device can be measured accurately.例文帳に追加

本発明は多層に積層された層間絶縁膜を備える半導体装置の製造に好適な製造方法に関し、半導体装置に含まれる多数の層間膜の膜厚を精度よく測定することを目的とする。 - 特許庁

An interlayer insulating film 20" between the first transfer electrodes 19 and the light shading film 21 is thicker than an interlayer insulating film 20' between the second transfer electrode 19 and the light shading film 21.例文帳に追加

第１転送電極１９と遮光膜２１との間の層間絶縁膜２０”の膜厚は、第２転送電極１９と遮光膜２１との間の層間絶縁膜２０’の膜厚よりも厚いことが特徴である。 - 特許庁

To impart functional characteristics such as heat insulation, ultraviolet screening and radio transmittance to an interlayer of laminated glass without affecting the interlayer by incorporating functional ultra-fine particles properly dispersed therein.例文帳に追加

合せガラス用中間膜層に影響を与えることなく、中間膜層に機能性超微粒子を適宜分散し含有せしめることで、断熱性能や紫外線遮断性能や電波透過性能等の機能特性を付与する。 - 特許庁

To obtain a film-forming composition which has a low dielectric constant and an excipient mechanical strength useful for an interlayer insulating film of an electronic device, etc. , and forms an interlayer insulating film having an excellent film stability with time.例文帳に追加

電子デバイスなどの層間絶縁膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有し、さらには膜の経時安定性の良好な層間絶縁膜を形成できる膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

The interlayer connecting parts 5x are arranged in three positions in the conductive patterns 2 except for the corner portions, and these three positions are arranged so that the interlayer connecting part circulates in order in the set positions without overlapping each other as the laminated body using three kinds of conductive patterns.例文帳に追加

層間接続部５ｘは導体パターン２の角部を外れた３ヶ所とし、それらの３ヶ所は３種類の導体パターンにより並びの次を飛び越した２つ目を連ねて移り巡る構成とする。 - 特許庁

The spout member 1 for receiver has a barrier resin interlayer 7, and a turned-up part 8 is formed in the barrier resin interlayer 7 at least at one end of the spout member 1 for the receiver.例文帳に追加

容器用注出部材１において、バリアー性樹脂中間層７を有し、前記容器用注出部材１の少なくとも一方の端部側の前記バリアー性樹脂中間層７に折り返し部８を設ける。 - 特許庁

An NiSi layer 102 is formed on the upper surface of a semiconductor substrate 101, then, an interlayer insulating film 103 is deposited on the semiconductor substrate 101, and the contact hole 104 is formed on the interlayer insulating film 103 thereafter.例文帳に追加

半導体基板１０１の上面にＮｉＳｉ層１０２を形成し、半導体基板１０１の上に層間絶縁膜１０３を堆積した後、層間絶縁膜１０３にコンタクトホール１０４を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor which prevent the delamination of interlayer insulating films and the diffusion of copper to the surroundings of the inter-layer insulating films while giving the interlayer insulating films a lower dielectric constant.例文帳に追加

層間絶縁膜の膜剥がれ及び周辺への銅の拡散を防止しつつ、層間絶縁膜のより一層の低誘電率化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

The conductive paste continuous to the through hole 104a establishes interlayer connections between the conductive layer and another conductive layer arranged via the insulating base material 105, and the conductive paste for interlayer connection is a via hole.例文帳に追加

貫通孔１０４ａに連なる導電性ペーストが、前記導電層と、絶縁性基材１０５を介して配された別の導電層とを層間接続しており、層間をつなぐ導電性ペーストがビアホールとなっている。 - 特許庁

In this case, the film 21 and the substrate 31 are bonded to each other, and the patterns 22 are interlayer connected therebetween, and the pattern 22 and the pattern 32 are interlayer connected.例文帳に追加

このとき、各片面導体パターンフィルム２１およびセラミック基板３１相互が接着するとともに、導体パターン２２間の層間接続および導体パターン２２と印刷導体パターン３２との層間接続が行なわれる。 - 特許庁

As to a land pattern on a wiring boards which is mounted with a high-integration LSI, an interlayer connection hole arrangement for a power supply and a grounding is arranged outside of a signal interlayer connection hole arrangement.例文帳に追加

高集積度ＬＳＩを実装するための配線基板上でのランドパターンにおいて、電源および接地用の層間接続用孔配列を、信号用の層間接続用孔配列より外周側に配列する。 - 特許庁

To make interlayer insulating films and a leader part which are to be removed or cut to be black spots surely without protrusion of the interlayer insulating films and the protrusion of electrode (wiring) metals which are cut or contacted due to laser beam irradiation at the time of rescuing a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置のレスキュー時におけるレーザ照射による層間絶縁膜の突出や、カットまたはコンタクトさせた電極（配線）メタルの突出なしに、確実に黒点化させることを可能にする。 - 特許庁

The thickness (a) of the core substrate 30 is set to 0.2 mm, the thickness (b) of a first interlayer insulation layer 50A on the upper surface side is set to 0.1 mm, and the thickness (c) of a second interlayer insulation layer 50B on the lower surface side is set to 0.1 mm.例文帳に追加

そして、コア基板３０の厚みａを０．２mmに、上面側の第１層間絶縁層５０Ａの厚みｂを０．１mmに、下面側の第２層間絶縁層５０Ｂの厚みｃを０．１mmに設定してある。 - 特許庁

A resist film 56 is formed on the interlayer insulating film 50, a resist mask 56A having a connection hole pattern 58 is formed, and the connection hole 60 is formed as far as a halfway part of the interlayer insulating film 50.例文帳に追加

次いで、層間絶縁膜５０上にレジスト膜５６を成膜し、接続孔パターン５８を有するレジストマスク５６Ａを形成し、レジストマスク５６Ａを用いて、層間絶縁膜５０の中途まで接続孔６０を形成する。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor device comprises a fuse opening resulting from removing the interlayer insulating film on the fuse, and the discrimination indicator resulting from removing the interlayer insulating film near the bonding pad together with the formation of the fuse opening.例文帳に追加

また、半導体装置は、前記ヒューズ上の層間絶縁膜が除去されたヒューズオープニングと、前記ボンディングパッドの付近の層間絶縁膜が前記ヒューズオープニング形成の時に一緒に除去された識別表示とを含む。 - 特許庁

After an interlayer insulating film 16 is formed over the whole surface of an MTJ element to cover the element, a via hole 17 is formed in part of the interlayer insulating film 16 on a hard mask layer 15 by making the hole 17 selectively pass through the film 16.例文帳に追加

ＭＴＪ素子を覆って全面に層間絶縁膜１６を形成した後、層間絶縁膜１６を選択的に貫通させ、ハードマスク層１５上の層間絶縁膜１６の一部にビアホール１７を形成する。 - 特許庁

Further, subsequent to a second insulating film depositing step for forming an interlayer insulating film 41 composed of the silicone oxide film, a second insulating film hydrogen introducing step for introducing the hydrogen into the interlayer insulating film 41 is performed.例文帳に追加

また、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１を形成する第２絶縁膜成膜工程の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行う。 - 特許庁

To provide an interlayer film for a glass laminate containing a polyvinyl acetal resin and composing a glass laminate excellent in penetration resistance, and to provide a glass laminate using the interlayer film.例文帳に追加

ポリビニルアセタール樹脂を含有する合わせガラス用中間膜であって、耐貫通性に優れた合わせガラスを構成することができる合わせガラス用中間膜及び該中間膜を用いた合わせガラスを提供する。 - 特許庁

To obtain both an interlayer for a laminated glass having excellent heat insulating properties and transparency, not the electromagnetic wave transmission properties, having excellent adhesiveness at the interface between glass and the interlayer and a laminated glass using the same.例文帳に追加

遮熱性が優れ、透明性が良好であり、電磁波透過性を阻害せず、かつ、ガラスと中間膜との界面で接着性が良好な合わせガラス用中間膜及びそれを用いた合わせガラスを提供する。 - 特許庁

The composite MIM capacitor further comprises an upper electrode 120 of the lower MIM capacitor situated within a lower interlayer dielectric, where the lower interlayer dielectric separates the lower interconnect metal layer from an upper interconnect metal layer.例文帳に追加

複合ＭＩＭキャパシタはさらに、下部層間誘電体内に位置する下部ＭＩＭキャパシタの上部電極１２０を含み、下部層間誘電体は下部相互接続金属層を上部相互接続金属層から隔てている。 - 特許庁