「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

To generate a light reception signal required for tracking control without being affected by interlayer stray light.例文帳に追加

層間迷光による影響を受けることなくトラッキング制御に必要な受光信号を生成できるようにする。 - 特許庁

A via hole 13 is formed in the interlayer insulating film 12, and a plug 14 becoming an embedded wiring is formed.例文帳に追加

層間絶縁膜１２にビアホール１３が形成され、埋め込み配線となるプラグ１４が形成されている。 - 特許庁

A barrier metal film 23 is formed on the lateral surface and the lower surface of a contact hole 22, and on an interlayer dielectric 21.例文帳に追加

コンタクトホール２２の側面及び下面並びに層間絶縁膜２１上にバリアメタル膜２３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a first interlayer insulating film 101 formed on a semiconductor substrate, a plurality of wiring lines 105 formed on the first interlayer insulating film 101, and a via 113 and a dummy via 106 formed in the first interlayer insulating film 101 to connect with at least one of the plurality of wiring lines 105.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板の上に形成された第１の層間絶縁膜１０１と、第１の層間絶縁膜１０１に形成された複数の配線１０５と、第１の層間絶縁膜１０１に複数の配線１０５の少なくとも１つと接続するように形成されたビア１１３及びダミービア１０６とを有している。 - 特許庁

The interlayer insulating film 19 is formed to such a film thickness that the transmissivity of the array substrate 1 exceeds 97% by laminating a first interlayer insulating film 20 formed of SiN_X to a 50 to 1,000 nm film thickness and a second interlayer insulating film 21 formed of SiO_X to a 50 to 1,000 nm film thickness.例文帳に追加

層間絶縁膜１９は、ＳｉＮ_Ｘの材料で膜厚５０ｎｍないし１０００ｎｍに成膜された第１層間絶縁膜２０と、ＳｉＯ_Ｘの材料で膜厚５０ｎｍないし１０００ｎｍに成膜された第２層間絶縁膜２１とが積層され、アレイ基板１の透過率が９７％を超える膜厚に形成されている。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive composition which can form an interlayer insulation film satisfying general requirement properties such as transparency, surface hardness, solvent resistance and voltage retention, excels in radiation sensitivity and has adequate storage stability, an interlayer insulation film made from the composition, and a method for forming the interlayer insulation film.例文帳に追加

一般的な要求特性である透明性、表面硬度、耐溶剤性、及び電圧保持率を満足する層間絶縁膜を形成可能であり、かつ放射線感度に優れ、十分な保存安定性を有するポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成される層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法の提供。 - 特許庁

The interlayer insulating film 111 is formed only on the upper surface part of the organic passivation film 109, so that the stress resulting from the difference in thermal expansion coefficient between the organic passivation film 109 and the interlayer insulating film 111 can be prevented from becoming excessive, and the peel-off between the interlayer insulating film 111 and the common electrode 110 can be prevented.例文帳に追加

層間絶縁膜１１１は有機パッシベーション膜１０９の上面部にのみ形成されているので、有機パッシベーション膜１０９と層間絶縁膜１１１との熱膨張係数の差に起因するストレスが過大になること防止することが出来、層間絶縁膜１１１とコモン電極１１０と間の剥離を防止することが出来る。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate, a first interlayer insulating film 3 formed on the semiconductor substrate, a pad 1 formed on the first interlayer insulating film 3 and a plurality of first wirings 12, formed independently in the first interlayer insulating film 3 with mutual interval therebetween in a region immediately below the pad 1.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と半導体基板の上に形成された第１の層間絶縁膜３と、第１の層間絶縁膜３の上に形成されたパッド１と、パッド１の直下の領域において、第１の層間絶縁膜３中にそれぞれが互いに間隔をおいて独立して形成された複数の第１の配線１２とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of forming interlayer connection structure by which a metallic layer having a uniform thickness and an interlayer connection material having a uniform height can be formed easily and inexpensively on a core substrate, double-sided wiring board for lamination, etc., with high connection reliability, and to provide an interlayer connection structure and a multilayered wiring board formed by the method.例文帳に追加

コア基板や積層用両面配線基板などに対し、簡易かつ低コストに、厚みが均一な金属層と高さの均一な層間接続体とを形成することができ、しかも接続の信頼性が高い層間接続構造の形成方法、及び当該方法で形成された層間接続構造及び多層配線基板を提供する。 - 特許庁

The semiconductor has a semiconductor substrate 11, including an element, an interlayer insulating film (silicon oxide film 20, BPSG film 30) formed on the semiconductor substrate 11, a contract hole formed in the interlayer insulating film, the barrier layer 33 formed on the interlayer insulating film and the surface of the contact hole, and a wiring layer 40 formed on the barrier layer 33.例文帳に追加

半導体装置は、素子を含む半導体基板１１、半導体基板１１の上に形成された層間絶縁膜（シリコン酸化膜２０，ＢＰＳＧ膜３０）、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール、層間絶縁膜およびコンタクトホールの表面に形成されたバリア層３３、およびバリア層３３の上に形成された配線層４０を有する。 - 特許庁

A plug electrode across from a substrate 1 to a top surface of a third interlayer insulating layer 9 is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13, which are connected to each other; and the first interlayer insulating film 3 is used as an etching stopper layer, and the alignment mark 15 is formed on the first interlayer insulating layer 3.例文帳に追加

基板１から第３層間絶縁層９の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とを繋ぐと共に、第１層間絶縁層３をエッチングストッパ層として使用し、第１層間絶縁層３上に合わせマーク１５を形成する。 - 特許庁

Then the upper end part of the first via contact 106 is made to project from the upper surface of the second interlayer insulation film 108, a second conductive film 109 for wiring and a third interlayer insulation film 110 are deposited, and a second via contact 111 is formed at the upper side of the first via contact 106 in the third interlayer insulation film 110.例文帳に追加

第１のビアコンタクト１０６の上端部を第２の層間絶縁膜１０８の上面から突出させた後、第２の配線用導電膜１０９及び第３の層間絶縁膜１１０を堆積し、その後、第３の層間絶縁膜１１０における第１のビアコンタクト１０６の上側に第２のビアコンタクト１１１を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the printed circuit board includes forming an interlayer connector on a first carrier, stacking an insulation layer on the first carrier such that the interlayer connector is exposed, removing the first carrier, and forming a circuit pattern on the insulation layer such that the circuit pattern is electrically coupled with the interlayer connector.例文帳に追加

本発明の印刷回路基板製造方法は、第１キャリアに層間連結体を形成する段階と、第１キャリアに、層間連結体が露出するように絶縁層を積層する段階と、第１キャリアを除去する段階と、層間連結体と電気的に接続するように絶縁層に回路パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the printed circuit board includes: forming an interlayer connector on a first carrier, stacking an insulation layer on the first carrier such that the interlayer connector is exposed, removing the first carrier, and forming a circuit pattern on the insulation layer such that the circuit pattern is electrically coupled with the interlayer connector.例文帳に追加

本発明の印刷回路基板製造方法は、第１キャリアに層間連結体を形成する段階と、第１キャリアに、層間連結体が露出するように絶縁層を積層する段階と、第１キャリアを除去する段階と、層間連結体と電気的に接続するように絶縁層に回路パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive composition from which an interlayer dielectric satisfying general requirements in transparency, surface hardness, solvent resistance and a voltage holding ratio may be formed and which is good at radiation sensitivity and has sufficient storage stability, an interlayer dielectric formed by using the composition and a method for forming the interlayer dielectric.例文帳に追加

一般的な要求特性である透明性、表面硬度、耐溶剤性、及び電圧保持率を満足する層間絶縁膜を形成可能であり、かつ放射線感度に優れ、十分な保存安定性を有するポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成される層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法の提供 - 特許庁

In a semiconductor element mounting substrate 10, a low-thermal expansion substrate 50 is sandwiched between an interlayer resin layer 14U on the top surface and an interlayer resin layer 14D on the underside, and a conductor circuit 26 of an organic substrate 30 and a first conductor circuit 80 of the low-thermal expansion substrate 50 are connected via a via conductor 22 formed on the interlayer resin layer 14U.例文帳に追加

半導体素子実装基板１０は、低熱膨張基板５０を上面側の層間樹脂層１４Ｕと下面側の層間樹脂層１４Ｄとで挟持し、有機基板３０の導体回路２６と低熱膨張基板５０の第１導体回路８０とを層間樹脂層１４Ｕに形成されたビア導体２２で接続する。 - 特許庁

Next, after form a second interlayer insulating film 111 on the first interlayer insulating film 106, a second opening 113 for plugs is formed, by selectively etching the second interlayer insulating film 111, and the first contact plug 115 is formed subsequently by burying the second conductive film 114 in the second opening 113 for plugs.例文帳に追加

次に、第１の層間絶縁膜１０６の上に第２の層間絶縁膜１１１を形成した後、該第２の層間絶縁膜１１１に対して選択的にエッチングを行なって第２のプラグ用開口１１３を形成し、その後、第２のプラグ用開口１１３に第２の導電膜１１４を埋め込んで第１の接続プラグ１１５を形成する。 - 特許庁

The upper-surface of the interlayer dielectric 27 is flattened by setting the interval between a first base electrode and emitter electrodes 25, 26 to two times or shorter than the thickness of the interlayer dielectric 27, and a semiconductor device in which the crack resistance of the interlayer dielectric 27 is enhanced by providing a second base and emitter electrodes 28, 29 on the upper-surface can be provided.例文帳に追加

第１のベース電極およびエミッタ電極２５、２６の間隔を層間絶縁膜２７の厚みの２倍以下に設定することにより、層間絶縁膜２７の上面を平坦化してその上面に第２のベースおよびエミッタ電極２８、２９を設けることにより層間絶縁膜２７の耐クラック性を向上させた半導体装置を提供できる。 - 特許庁

The semiconductor device has: a semiconductor substrate having a semiconductor component on the surface; an interlayer dielectric including a wiring structure formed on the semiconductor substrate; a metal ring formed within the interlayer dielectric; and an air gap formed in a region on one side of the metal ring within the interlayer dielectric.例文帳に追加

本発明の実施の形態による半導体装置は、表面に半導体素子を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線構造を含む層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜内に形成されたメタルリングと、前記層間絶縁膜の前記メタルリングの片側の領域に形成されたエアギャップと、を有する。 - 特許庁

Because the oxidation preventing film 5 is formed between the lower-layer electrode 3a and the upper layer electrode 6a together with the interlayer dielectric film 4, the interlayer dielectric film 4 is prevented from oxidizing in an overlapped portion between the upper electrode 6a and the lower-layer electrode 3a, in the process which oxidizes the upper-layer electrode 6a to form the interlayer dielectric film 7.例文帳に追加

下層電極３ａと上層電極６ａとの間に層間絶縁膜４と共に酸化防止膜５が形成されるため、上層電極６ａを酸化して層間絶縁膜７を形成する工程において、上層電極６ａと下層電極３ａとの間のオーバーラップ部で層間絶縁膜４が酸化されることを防止することができる。 - 特許庁

The substrate for liquid crystal displays has an insulating substrate 10, an interlayer dielectric formed on the insulating substrate 10, a transparent electrode formed on an interlayer dielectric 11a in a transmissive portion T, a reflection electrode formed on an interlayer dielectric 11b in a reflective portion R, and color filters formed on both electrodes.例文帳に追加

液晶ディスプレイ用基板は、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０上に形成された層間絶縁膜と、透過部Ｔにおける層間絶縁膜１１ａ上に形成された透明電極と、反射部Ｒにおける層間絶縁膜１１ｂ上に形成された反射電極と、両電極上に形成されたカラーフィルタとを有する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device 100 comprises processes of forming a first interlayer insulating film 108 on a semiconductor wafer, providing a second etching stop film 110 on the first interlayer insulating film 108, and selectively forming two or more concaves on the first interlayer insulating film 108, making them penetrate through the second etching stop film 110.例文帳に追加

半導体装置１００の製造方法は、半導体ウェハ上に第１の層間絶縁膜１０８を形成し、第１の層間絶縁膜１０８上に第２のエッチング阻止膜１１０を形成し、第２のエッチング阻止膜１１０を貫通して複数の凹部を第１の層間絶縁膜１０８に選択的に形成する工程を含む。 - 特許庁

The electronic device is provided with a lower layer wiring 12 formed so as to bury the lower layer wiring groove 11a of a first interlayer dielectric 11 formed on a substrate which is not shown in the figure, the barrier membrane 13 formed on the lower layer wiring 12, and a second interlayer dielectric 14 formed on the first interlayer dielectric 11 and the barrier membrane 13.例文帳に追加

電子デバイスは、図示しない基板上に形成された第１の層間絶縁膜１１の下層配線溝１１ａを埋め込むように形成された下層配線１２と、下層配線１２の上に形成されたバリア膜１３と、第１の層間絶縁膜１１及びバリア膜１３の上に形成された第２の層間絶縁膜１４とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with the interlayer insulating film 101; another interlayer insulating film 103 provided on the laminate; and the conductive plug penetrating through the interlayer insulating film 103 and the etching adjusting film 115 while being constituted of the other Ti film 117, the other TiN film 119, and a W film 121, and whose end surface is positioned in the TiN film 113.例文帳に追加

半導体装置は、層間絶縁膜１０１および積層体上に設けられている層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３およびエッチング調整膜１１５を貫通し、端面がＴｉＮ膜１１３中に位置しているＴｉ膜１１７、ＴｉＮ膜１１９およびＷ膜１２１からなる導電プラグと、を備える。 - 特許庁

After a shift between the resist pattern on the pattern for interlayer shift measurement and the pattern for interlayer shift measurement is measured, the resist pattern on the pattern for interlayer shift measurement is removed by ashing while the resist pattern in the display region is left, the remaining resist pattern in the display region is used as a mask to pattern the second layer in the method of manufacturing the display device.例文帳に追加

その後、層間ズレ測定用パターン上のレジストパターンと層間ズレ測定用パターンとのズレを測定した後、アッシングにより表示領域に位置するレジストパターンを残しつつ層間ズレ測定用パターン上のレジストパターンを除去し、残った表示領域のレジストパターンをマスクとして第２層をパターニングする表示装置の製造方法。 - 特許庁

By forming the dummy patterns 6 in the peripheries of the thin-film resistor 5, film thickness 31 of the interlayer insulating film on the thin-film resistor 5 is made to be identical with film thickness 25 of the interlayer insulating film in an opening-forming region for film-thickness monitoring.例文帳に追加

薄膜抵抗体５の周辺にダミーパターン６を形成することにより、薄膜抵抗体５上の層間絶縁膜膜厚３１と膜厚モニタ用開口部形成領域の層間絶縁膜膜厚２５は同じになる。 - 特許庁

To provide a method of forming a photosensitive resin composition in which forming of an interlayer dielectric is relatively easy, and the formed interlayer dielectric excels in heat resistance property and resolution property, and a silica based coating using the composition.例文帳に追加

層間絶縁膜の形成が比較的容易であり、かつ形成される層間絶縁膜が耐熱性及び解像性に優れる感光性樹脂組成物及びそれを用いるシリカ系被膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

However, a crack is restrained from being generated between the bead core 12 and the bead filler 2, because an interlayer shearing strain reducing rubber layer 22 provided in an outer circumferential face of the bead core 12 reduces the interlayer shearing strain.例文帳に追加

しかしながら、ビードコア１２の外周面に設けられた層間剪断歪み低減用ゴム層２２上記層間剪断歪みを低減するので、ビードコア１２とビードフィラー２０との間からの亀裂の発生を抑制することができる。 - 特許庁

In the incorporation step, an interlayer insulation layer 35 is formed on the capacitor body 104 under a state where the capacitor body 104 is arranged on an interlayer insulation layer 33 thus incorporating the capacitor body 104 in the laminate.例文帳に追加

内蔵工程では、キャパシタ本体１０４を層間絶縁層３３上に配置した状態で、キャパシタ本体１０４上に別の層間絶縁層３５を積層することにより、積層部内にキャパシタ本体１０４を内蔵する。 - 特許庁

Among a desired recording layer and recording layers adjacent to the desired recording layer, an interlayer distance between the desired recording layer and a recording layer in which a laser spot crosses earlier than the desired recording layer at the time of focus drawing operation is set larger than the other interlayer distances.例文帳に追加

所望の記録層と前記所望の記録層に隣接する記録層のうちフォーカス引き込み時に前記所望の記録層よりも先にレーザスポットが横切る記録層との層間距離を他の層間距離よりも大きくする。 - 特許庁

Wiring having a mask pattern is formed, and an interlayer insulating-film pattern that fills gaps among the wiring is formed, and then the mask pattern is partially etched to form a mask pattern 470 recessed among the interlayer insulating-film pattern, which is made as a groove.例文帳に追加

マスクパターンを有する配線を形成し、この配線間を埋める層間絶縁膜パターンを形成した後、マスクパターンを部分食刻して層間絶縁膜パターン間にリセスされたマスクパターン４７０を形成しグルーブとする。 - 特許庁

This manufacturing process of the full-color OLED display element pixel structure includes processes: (a) a black matrix manufacturing process, (b) a polysilicon island forming process, (c) a gate forming process, (d) an interlayer forming process, (e) a CCM process, and (f) an OLED implant (OLED deposition) process.例文帳に追加

本発明が提供するフルカラーOLEDディスプレイエレメント画素構造の製造プロセスには、手順：(a)ブラックマトリックス製造プロセス、(b)ポリシリコンアイランド形成プロセス、(c)ゲート形成プロセス、(d)中間層(interlayer)形成プロセス、(e)CCMプロセス、及び(f)OLEDのインプラント (OLED deposition)プロセスを含む。 - 特許庁

A memory cell transistor comprises a gate electrode structure composed of a gate insulating film 2 of the cell part, a first conductive layer 3, a conductive interlayer insulating film 4, and a second conductive layer 7 insulated from the first conductive layer 3 by the conductive interlayer insulating film 4.例文帳に追加

メモリセルトランジスタが、セル部ゲート絶縁膜２、第一導電層３、導電層間絶縁膜４、この導電層間絶縁膜４で第一導電層３から絶縁された第二導電層７からなるゲート電極構造を備える。 - 特許庁

In a semiconductor device in which a porous material 103 is used for an interlayer insulating film, micro voids are dissipated from the vicinity of the worked side face 103S of the via hole, etc., of the interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜に多孔質材料１０３を用いた半導体装置において、前記層間絶縁膜のビアホール等の加工部分の側面１０３Ｓ近傍のマイクロボイドを消失せしめたことを特徴とするものである。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a substrate; interlayer dielectrics 51, 52 formed on the substrate; Cu wiring 1 buried in the interlayer dielectrics 51, 52; and a second barrier insulating film 4 formed on the Cu wiring 1.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、基板と、基板上に形成された層間絶縁膜５１、５２と、層間絶縁膜５１、５２に埋め込まれたＣｕ配線１と、Ｃｕ配線１上に形成された第二のバリア絶縁膜４と、を有する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device is provided with a substrate 10, an interlayer 30 which consists of a zinc oxide-based material and is formed on the substrate 10 and a semiconductor layer 20 which consists of a zinc oxide-based material and is formed on the interlayer 30.例文帳に追加

半導体発光素子は、基板１０と、基板１０上に形成された、酸化亜鉛系材料からなる中間層３０と、中間層３０上に形成された、酸化亜鉛系材料からなる半導体層２０とを備える。 - 特許庁

An organic film that does not include oxygen is used for an interlayer insulating film 11 as a diffusion barrier, and a Cu wiring 12 is surrounded directly by this interlayer insulating film 11, and a barrier metal is not used at least on the side wall of the Cu wiring 12.例文帳に追加

酸素を有しない有機膜を、拡散バリアとして層間絶縁膜11に用い、この層間絶縁膜11でCu配線12を直接囲む構造とし、バリア金属は少なくともCu配線12の側壁に用いない構造とする。 - 特許庁

A first metal wiring layer 41 (51, 52) suitably thin for microfabrication is formed on a substrate surface via a first interlayer film 31, and a second metal thick wiring layer 46 is thereon formed via a second interlayer film 35.例文帳に追加

基板表面上に第１の層間膜３１を介して微細加工が可能な程度に薄い第１の金属配線層４１（５１，５２）を形成し、その上に第２の層間膜３５を介して厚い第２の金属配線層４６を形成する。 - 特許庁

To solve a problem that, when an integrated circuit having an interlayer insulation film built up on top of a wiring layer is subjected to heat treatment, it is possible that the interlayer insulation film will rupture in a portion wherein a narrow gap section between wirings and a wide opening section contiguous therewith are connected.例文帳に追加

配線層の上に層間絶縁膜を堆積した集積回路において熱処理を施すと、配線間の狭い間隙部と、これにつながる広い開口部との接続部分にて、層間絶縁膜の破裂が起こり得る。 - 特許庁

On the other hand, since the hysteresis-type damper 16 depends on the amount of deformation, its vibration reducing force F becomes small at the origin (δ=0), and reaches its peak at the quiescent point (the interlayer displacement amount δ=±δ_2) where the interlayer displacement amount of the frame 12 shows maximum value.例文帳に追加

一方、履歴型ダンパー１６は、変形量に依存するため、その振動低減力Ｆは、原点（δ＝０）で小さくなり、架構１２の層間変位量が最大となる静止点（層間変位量δ＝±δ_２）で最大となる。 - 特許庁

A large number of interlayer insulating films, via holes formed in a predetermined area of the interlayer insulating films, and first, second, third and fourth metal plugs formed in the via holes are provided in an upper part of the electronic circuit.例文帳に追加

電子回路の上部には多層の層間絶縁膜と、これら層間絶縁膜の所定領域に形成されたビアホールと、ビアホールに形成された第１金属プラグ、第２金属プラグ、第３金属プラグ、第４金属プラグを備える。 - 特許庁

After that, the material for a second interlayer insulating film 14 is deposited on a first interlayer insulating film 12 by a CVD method, for example, where the film 14 which has no overhung-shaped part can be obtained.例文帳に追加

その後、第１層間絶縁膜１２上に、たとえばＣＶＤ法で第２層間絶縁膜１４の材料を堆積させることにより、オーバーハング形状部分を有していない第２層間絶縁膜１４を得ることができる。 - 特許庁

A photodiode 303 in which n-type impurities are ion-implanted is formed for each pixel at the side of the interlayer insulating film 304 of the p-type semiconductor layer 302, and a light-shielding film 305 is formed in the interlayer insulating film 304.例文帳に追加

Ｐ型半導体層３０２の層間絶縁膜３０４側にはＮ型不純物がイオン注入されてなるフォトダイオード３０３が画素毎に形成され、層間絶縁膜３０４中には遮光膜３０５が形成されている。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of film forming the low dielectric constant interlayer insulating film having the source of the hole on a semiconductor substrate, and plasma processing to remove the source of the hole from the low dielectric constant interlayer insulating film by the plasma processing.例文帳に追加

半導体基板上に空孔源を有する低誘電率層間絶縁膜を成膜する成膜工程と、プラズマ処理により低誘電率層間絶縁膜中から空孔源を除去するプラズマ処理工程とを有する。 - 特許庁

Since via-holes 50, 70 and 90 are filled with a soldering material, an area of the interlayer resin insulating layer 60 disposed directly above the via-hole 50 of the lower interlayer resin insulating layer 40 can be made smooth.例文帳に追加

バイアホール５０、７０、９０はめっきを充填して形成されており、下層層間樹脂絶縁層４０のバイアホール５０の上側に配設される中層層間樹脂絶縁層６０の当該バイアホール５０直上部を平滑にできる。 - 特許庁