「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

The intra-film fixed charge density of the interlayer silicon nitride film 26 becomes larger than the intra-film fixed charge density of the gate silicon nitride film 16.例文帳に追加

層間窒化シリコン膜26の膜中固定電荷密度がゲート窒化シリコン膜16の膜中固定電荷密度より高くなる。 - 特許庁

The interlayer insulating film 8 is easier to be etched than the gate protective films 6m and 6n to predetermined etching condition.例文帳に追加

層間絶縁膜８は、所定のエッチング条件に対してゲート保護膜６ｍおよび６ｎよりエッチングされやすい。 - 特許庁

An interlayer resin layer is formed on the part of the primary first-layer wire where the secondary first-layer wire is divided.例文帳に追加

第一の一層目配線における、第二の一層目配線を分断している部分上に、層間樹脂層を形成する。 - 特許庁

The interlayer 4 beneath an isolated upper layer region 6a is isotropically etched until isolated from a base layer 2.例文帳に追加

遊離上層領域６ａ直下の中間層４を等方性エッチングし、ベース層２と分離するに至るまでエッチングする。 - 特許庁

On the interlayer insulating film 1 and wirings 4a and 4b, a film 5 for barrier formation formed of SiO_2 is laminated.例文帳に追加

層間絶縁膜１および配線４ａ、４ｂ上には、ＳｉＯ_2からなるバリア形成用膜５が積層されている。 - 特許庁

The interlayer insulating film 132 is formed of an O_3-TEOS oxide film, with, for instance, a thin nitride film (SiN) in between.例文帳に追加

層間絶縁膜１３２は、例えば薄い窒化膜（ＳｉＮ）を介してＯ_３-ＴＥＯＳ酸化膜が形成されている。 - 特許庁

First, a first interlayer insulating structure is formed with a non-transparent film on a substrate with photodiode formed thereon.例文帳に追加

まず、フォトダイオードが形成されている基板上に不透明膜を有する第１層間絶縁構造物を形成する。 - 特許庁

Then, an interlayer insulating film 21 in which stress does not substantially occur is formed on the whole surface of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

その後、半導体基板１１上の全面に、実質的に応力が生じない層間絶縁膜２１を形成する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit which can readily flatten an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜の平坦化を容易に行うことを可能とする半導体集積回路装置の製造方法を得る。 - 特許庁

The step of wet-etching forms a recess 13 on a surface of the interlayer insulating film 11 on a gate electrode 8.例文帳に追加

前記ウエットエッチングの工程で、リセス１３がゲート電極８上の前記層間絶縁膜１１の表面に形成される。 - 特許庁

The interlayer insulating film IL is provided on the semiconductor substrate SB so as to bury the Cu wiring WR in the film IL.例文帳に追加

層間絶縁膜ＩＬはＣｕ配線ＷＲを埋め込むように半導体基板ＳＢ上に設けられている。 - 特許庁

Further, the element 39 includes a plurality of electric connections 35 between the terminal of the chip and the bond pad 351 on the interlayer.例文帳に追加

素子３９は、更に、チップの端子と介在層上のボンド・パッド３５１との間に複数の電気接続部３５を含む。 - 特許庁

Grooves (4a) are dug in this first interlayer insulating film in the regions going to be formed with data lines (6a).例文帳に追加

この平坦化された第１層間絶縁膜に対し、データ線（６ａ）を形成する予定の領域に溝（４ａ）を掘る。 - 特許庁

To provide a main bar for grating made of a composite resin material and its manufacturing method for preventing interlayer exfoliation.例文帳に追加

層間剥離が生じない複合樹脂材料からなるグレーチング用メインバー、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A pixel electrode 2 is formed on the auxiliary capacitance line 6 via a gate insulating film 9 and an interlayer insulating film 16.例文帳に追加

補助容量ライン６上に、ゲート絶縁膜９および層間絶縁膜１６を介して、画素電極２を形成する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 16 is formed on an insulation film 12 for covering a semiconductor substrate 10 via a wiring layer 14.例文帳に追加

半導体基板１０を覆う絶縁膜１２の上に配線層１４を介して層間絶縁膜１６を形成する。 - 特許庁

To retain an interlayer separation function between a subgrade and a cushion layer for a long time while keeping necessary water permeability.例文帳に追加

必要な透水性を有しつつも、路盤材とクッション層との層間分離機能を長期間にわたって維持する。 - 特許庁

Each of the product chips and the dummy chips includes a gate insulation film, a gate electrode, an interlayer insulation film and a contact hole.例文帳に追加

また、ダミーチップ及び製品チップそれぞれは、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜及びコンタクトホールを有している。 - 特許庁

Then, an anti-diffusion insulation film 107 and an interlayer insulation film 108 are sequentially deposited on the insulation film 102.例文帳に追加

次に、絶縁膜１０２の上に、拡散防止絶縁膜１０７及び層間絶縁膜１０８を順次堆積する。 - 特許庁

A second interlayer insulation film 22 and a protective film 32 are then formed on the silicon substrate to cover the fuse F entirely.例文帳に追加

次に、このヒューズＦ全体を覆うようにシリコン基板上に第２層間絶縁膜２２及び保護膜３２を形成する。 - 特許庁

RESIN COMPOSITION, RESIN FILM, COVER-LAY FILM, INTERLAYER ADHESIVE AGENT, METAL-CLAD LAMINATE, FLEXIBLE PRINTED CIRCUIT BOARD, AND MULTILAYERED CIRCUIT BOARD例文帳に追加

樹脂組成物、樹脂フィルム、カバーレイフィルム、層間接着剤、金属張積層板、フレキシブルプリント回路板および多層回路板。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a pad of excellent adhesion with an interlayer insulating layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

層間絶縁層との密着性が優れたパッド部を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

With a resist pattern 7b as a mask, the etching of the storage node interlayer insulating film 9 is performed to the stopper film 10.例文帳に追加

レジストパターン７ｂをマスクとして、まず、ストレージノード層間絶縁膜９のエッチングをエッチングストッパ膜１０まで行う。 - 特許庁

Also, as correction is performed with the interlayer power ratio α, power at the time of shift to the layer 2 can be set to an appropriate value.例文帳に追加

また、層間パワー比率αにて補正を掛けるため、レイヤー２移行時のパワーを適正値に設定することができる。 - 特許庁

The reflective layer 26 and the translucent pixel electrode 24 are formed on the upper layer side of the interlayer insulating film 23.例文帳に追加

層間絶縁膜２３の上層側には反射層２６および透光性画素電極２４が形成されている。 - 特許庁

To provide an interlayer adhesion promotor for a multilayer electroactive element containing at least one electroactive organic layer.例文帳に追加

少なくとも１つの電気活性有機層を含む多層電気活性素子の層間の接着促進剤を提供する。 - 特許庁

The film thickness of the first interlayer insulating film is formed to not higher than 1/3 of the total film thickness of the laminated insulating films.例文帳に追加

前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜厚の１／３以下に形成する。 - 特許庁

Plugs (9, 19) are buried in the state of wiring in an interlayer insulating film 7 that covers the resistive element layer 5.例文帳に追加

抵抗体層５を覆う層間絶縁膜７には、埋め込み配線の形態で、プラグ９，１９が埋設されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer printed wiring board in which accuracy is enhanced at the interlayer connecting part while increasing the density and the number of layers.例文帳に追加

プリント配線板の多層化において、層間接続部の高精度化、高密度化、高多層化に関するものである。 - 特許庁

Since the curing of the interlayer dielectric film is achieved within a shorter time, the coverall treatment time of the wafer W is reduced.例文帳に追加

これによって，層間絶縁膜の硬化処理がより短時間で行われ，ウェハＷの総処理時間が短縮される。 - 特許庁

A light-shielding film 107, the dichroic filter 106, and a support 105 are formed in the interlayer insulating film 104.例文帳に追加

層間絶縁膜１０４中には、遮光膜１０７、ダイクロイックフィルタ１０６及び支持体１０５が形成されている。 - 特許庁

The position of the surface of the first wiring layer 4 is set flush with or lower than the surface of the interlayer dielectric 23.例文帳に追加

第１の配線層４の表面の位置は、層間絶縁膜２３の表面と同一か、またはそれ以下にされている。 - 特許庁

Further, the interlayer insulating film 12 is polished so as to expose the remaining silicide masking film 9, and the film 12 is flattened.例文帳に追加

さらに、残ったシリサイドマスキング膜９が露出するように層間絶縁膜１２を研磨して、膜１２を平坦化する。 - 特許庁

The bit line loading capacitance is formed of the bit line 14, the first wiring 15 and the first interlayer insulating film 18.例文帳に追加

ビット線１４、第１の配線１５および第１の層間絶縁膜１８とでビット線負荷容量が形成される。 - 特許庁

A required terminal plate of each wiring unit 5 positioned in the vertical direction adjacent to each other are connected to each other with an interlayer connecting member 4.例文帳に追加

上下に位置する各配線ユニット５の所要の端子板２を層間接続部材４により相互に接続する。 - 特許庁

An interlayer insulating layer is deposited on a plurality of the second metal structures.例文帳に追加

本発明の実施形態ではさらに、層間絶縁層を複数の第２の金属構造の上に析出することを記載している。 - 特許庁

The occurrence of delamination between respective layers is suppressed by providing the interlayer 14 between the inner layer 12 and the outer layer 16.例文帳に追加

内層１２と外層１６との間に中間層１４を設けることで、各層間の剥離の発生が抑制される。 - 特許庁

The plurality of second wiring connection plugs 109 and the dummy plug 121 terminate at the upper surface of the interlayer insulating film 119.例文帳に追加

複数の第二配線接続プラグ１０９およびダミープラグ１２１は、層間絶縁膜１１９の上面で終端する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a substrate 20, a conductive layer 6b, an interlayer insulating film 8, and a transparent conductive layer 9.例文帳に追加

半導体装置は基板２０と導電層６ｂと層間絶縁膜８と透明性導電層９とを備える。 - 特許庁

The interlayer connection member is electrically connected to both the source region and the well tap region via the metal silicide layer.例文帳に追加

層間接続部材は、金属シリサイド層を介して、ソース領域とウェルタップ領域との双方に電気的に接続される。 - 特許庁

To provide a satisfactory contact property without degrading an organic interlayer film.例文帳に追加

有機層間膜を劣化させることなく、良好なコンタクト性を得ることのできる多層配線の製造方法を提供する。 - 特許庁

A second contact stud 208b, which is spaced from the first contact stud 208 by a specified distance, is formed inside the interlayer insulating film 204.例文帳に追加

層間絶縁膜の内部に第１コンタクトスタッドと所定距離離隔された第２コンタクトスタッド２０８ｂが形成される。 - 特許庁

To improve burying properties of an interlayer insulating film and a metal film in a space between memory cells while making the space narrower.例文帳に追加

メモリセル間の間隔を狭めつつ、この間隔に対する層間絶縁膜や金属膜の埋め込み性を改善すること。 - 特許庁

To provide an interlayer connecting structure in which sufficient conductivity and productivity are compatible and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

十分な導電性と生産性とを両立した層間接続構造を，その製造方法とともに提供すること。 - 特許庁

In the case of the DVD of the single-layer, since the recording layer is one-layer, and there is not interlayer, a count value becomes a small value.例文帳に追加

単層のＤＶＤの場合、記録層が１層であり層間が存在しないため、カウント値は小さな値となる。 - 特許庁