「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an image display device (field emission display) capable of preventing disconnection of an upper electrode by decrease of a taper angle of an interlayer insulation layer, of realizing reduction of capacitance by increasing the thickness of the interlayer insulation layer and of preventing contamination of an electron source by sodium deposited from glass of a substrate.例文帳に追加

層間絶縁層の低テーパー角化による上部電極の断線を防止し、当該層間絶縁層を圧膜化して低容量化を実現するとともに、基板のガラスから析出したナトリウムによる電子源の汚染を防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which forms an empty groove for preventing the delamination of the interlayer dielectric of a semiconductor device that a low dielectric-constant film is used as the interlayer dielectric, and uses no thick resist film so as to prevent dust from occurring; and to provide the semiconductor device which is formed through the manufacturing method and high in moisture-resistant properties.例文帳に追加

層間絶縁膜として低誘電率膜を用いた半導体装置の層間絶縁膜の膜剥がれを防止するために形成された空堀を厚膜のレジストを用いずにダストの発生を抑えるようにして形成する。 - 特許庁

In the steps for manufacturing a wiring board 50 for the liquid crystal display, a first circuit 44 is formed first on a first substrate 41, an interlayer insulating layer 45 covering the first circuit 44 is formed and the surface of the interlayer insulating layer 45 is made water-repellent.例文帳に追加

液晶表示用配線基板５０の製造工程において、最初に、第１回路４４が第１基板４１上に形成され、第１回路４４を覆う層間絶縁層４５が形成され、該層間絶縁層４５の表面が撥水化される。 - 特許庁

There is s shift in the position of a focusing margin between the formation of a 1st through-hole 12 and the formation of a 2nd through-hole owing to a step of an interlayer insulating film 10 due to the existence of a difference in the thickness of the interlayer insulating film 10.例文帳に追加

層間絶縁膜１０の厚みが異なることによる層間絶縁膜１０の段差が原因で、第１のスルーホール１２形成のフォーカス余裕の位置と、第２のスルーホール１４形成のフォーカス余裕の位置と、にづれが生じている。 - 特許庁

On the first glass substrate 10, an interlayer dielectric 23, a common electrode 25 formed on the interlayer dielectric 23 and a pixel electrode 29 formed on the common electrode 25 through a pixel insulating film 27 are formed.例文帳に追加

第１のガラス基板１０には、層間絶縁膜２３と、この層間絶縁膜２３の上に形成された共通電極２５と、この共通電極２５の上に画素絶縁膜２７を介して形成された画素電極２９とが設けられている。 - 特許庁

Then, a second interlayer insulating film is formed on the silicon nitride film, and after the silicon nitride film is exposed by etching the second interlayer insulating film, via holes are formed by etching the exposed silicon nitride film using a fluorine-containing gas.例文帳に追加

次に、窒化シリコン膜の上に第２の層間絶縁膜を形成し、この第２の層間絶縁膜をエッチングして窒化シリコン膜を露出させた後、露出した窒化シリコン膜をフッ素含有ガスを用いてエッチングすることによってビアホールを形成する。 - 特許庁

The capacitor CAP has a multilayer structure of a lower electrode 40, a capacitor dielectric film 41, and an upper electrode 42 formed on an interlayer insulating film 6 (or further on the upper interlayer insulating film) embedded with the read and write transistors.例文帳に追加

キャパシタＣＡＰは、下部電極４０、キャパシタ誘電体膜４１、上部電極４２を積層させた構造を有し、読み出しおよび書き込みトランジスタを埋め込んだ層間絶縁膜６上（または、さらに上層の層間絶縁膜上）に形成されている。 - 特許庁

In this manufacturing method, while a material gas for an interlayer insulation film is supplied, particles which do not react with the material gas are sprayed over the surface of semiconductor substrate 21 and 22, so that an interlayer insulation film 23, on which particles 24 are dispersed, is formed by the CVD method.例文帳に追加

層間絶縁膜の原料ガスを供給しながら半導体基板２１、２２の表面に原料ガスとは反応しない粒子を吹きかけることにより、粒子２４が分散した層間絶縁膜２３をＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

To provide a panel installing metal fitting capable of further enhancing safety to interlayer displacement at an earthquake, inexpensively manufacturable without increasing a cost, capable of stabilizing movement regulation at interlayer displacement time and having sufficient strength.例文帳に追加

地震時等における層間変位に対して一層安全性を高めることができると共に、コストアップを伴うことなく安価に製作でき、しかも層間変位時の移動規制を安定化でき、かつ十分な強度を有するパネル取り付け金具を提供する。 - 特許庁

Then a resist film 25, which has an opening of a wiring groove pattern 33, is formed on the embedded film 22 and used as a mask to etch the embedded film 24 and interlayer insulating film 22, thereby forming a wiring groove 34 in the interlayer insulating film 22.例文帳に追加

その後、埋込膜２２上に配線溝パターン３３の開口を有するレジスト膜２５を形成し、このレジスト膜２５をマスクとして埋込膜２４及び層間絶縁膜２２をエッチングして層間絶縁膜２２に配線溝３４を形成する。 - 特許庁

To provide a composition which satisfies various performances required as an interlayer insulating film, such as adhesion, surface hardness, transparency, heat-, light- and solvent resistances and is used for forming an interlayer insulating film by a low-cost ink jet system.例文帳に追加

密着性、表面硬度、透明性、耐熱性、耐光性、耐溶剤性などの層間絶縁膜として要求される諸性能を満たすとともに、低コストのインクジェット方式により層間絶縁膜を形成するための組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a highly reliable multilayer wiring board for which a conductor layer is reliably interlayer-connected through a conductor for interlayer connection formed using conductive paste, and which is superior in connection stability in the stage of a product as well, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

導電性ペーストを用いてなる層間接続用導体を介して導体層が確実に層間接続され、製品の段階における接続安定性にも優れた、信頼性の高い多層配線基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hardenable resin film and an electrically insulative material capable of simultaneously filling through-holes bored on the film and forming interlayer insulation layers and of producing built-up multi-layer printed-circuit boards by using the interlayer insulating layer in no need of grinding step.例文帳に追加

スルーホールの穴埋め及び層間絶縁層を同時に形成することができ、さらにこれを用いて、研磨工程が不必要となり、ビルドアップ多層プリント配線板を製造することができる硬化性樹脂フィルムと絶縁材料を提供すること。 - 特許庁

B atoms are introduced in the molecular skeleton of the network structure of the SiOB film, and F atoms prevent the generation of an Si-OH bond and the like in the SiOB film, to reduce the water vapor absorption of the interlayer insulating film and at the same time, the interlayer insulating film can obtain about 3.0 of specific inductive capacity.例文帳に追加

Ｂ原子はＳｉＯＢ膜のネットワーク構造の分子骨格中に導入され，Ｆ原子はＳｉ−ＯＨ結合等の発生を防止して吸湿性を低下させると共に，約３．０の比誘電率を得ることができる。 - 特許庁

To make a composite having high bonding strength at surfaces where a PPS resin and an interlayer metal are in direct contact without imparting damage caused by heat or impact even on the interlayer metal or a precision component incorporated in a hollow composite.例文帳に追加

ＰＰＳ樹脂とインサート金属と直接的に接した面での高い接合強度を有し、且つインサート金属や中空複合体に内包される精密部品に対しても熱や衝撃による損傷を与えることなく複合化することを課題とする。 - 特許庁

The interlayer insulating film 16 and the resist film 17 are anisotropically etched until the residual film thickness (w) of the resist film 17 becomes smaller than the residual film thickness (t) of the interlayer insulating film on the wiring pattern 12 and the dummy pattern 13.例文帳に追加

少なくともレジスト膜１７の残り幅ｗが配線パターン１２及びダミーパターン１３上における層間絶縁膜１６の残り膜厚ｔよりも小さくなるまで、層間絶縁膜１６とレジスト膜１７とを異方性エッチングする。 - 特許庁

The interlayer insulating film 15 on the metallic layer 6 can be set equal in thickness to the interlayer insulating film on a wiring pattern inside an LSI, and a length measuring contact hole can be formed with qualifications near to those of a contact hole located on an actual wiring pattern.例文帳に追加

そして、金属層６上の層間絶縁膜１５の膜圧をＬＳＩ内部の配線パターン上の層間絶縁膜と同等にすることができ、実際の配線パターン上のコンタクトホールと近い条件の測長用コンタクトホールが形成される。 - 特許庁

In addition, the layer 14 intervenes between a wiring layer 16 or an interlayer dielectric 15 and the layer 12, to block off the wiring potential in the wiring layer 16 and an electric field effect with the charge in the interlayer dielectric 15.例文帳に追加

また、このショットキー接触金属層１４が、配線層１６や層間絶縁膜１５とｎ型ＧａＡｓ抵抗層１２との間に介在して、配線層１６の配線電位や層間絶縁膜１５中の電荷による電界効果を遮蔽している。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive composition that has good radiation sensitivity, and from which high light transmittance, voltage retention, and good developability and pattern forming property capable of reacting on changes in cured film formation condition are provided to an interlayer dielectric film obtained, the interlayer dielectric film formed from the composition and a method for forming the interlayer dielectric film.例文帳に追加

優れた放射線感度を有し、得られる層間絶縁膜が高い光線透過率及び電圧保持率を備えつつ、硬化膜形成条件の変化にも対応できる優れた現像性及びパターン形成性を備えるポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成された層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The printed wiring board includes: first wiring 12 arranged on a surface of an insulating layer, an interlayer insulating layer 16 provided on the first wiring 12 and made of a foamed resin including an urethane resin; second wiring 22 arranged on a surface of the interlayer insulating layer 16; and a via conductor 24 provided to penetrate the interlayer insulating layer 16 and connect the first wiring 12 and second wiring 22 to each other.例文帳に追加

絶縁層の表面に配置された第１配線１２と、第１配線１２の上に設けられ、ウレタン樹脂を含む発泡樹脂からなる層間絶縁層１６と、層間絶縁層１６の表面に配置された第２配線２２と、層間絶縁層１６を貫通して設けられ、第１及び第２配線１２、２２を接続するビア導体２４とを備える。 - 特許庁

Thus, the region of the interlayer insulation film 16 with the uneven surface formed on the memory cell region Rmem has a larger polishing rate in CMP than that of a region of the interlayer insulation film 16 with a flat surface formed on a logic region Rlog, thereby alleviating the global level difference as a result, and forming the substantially flattened interlayer insulation film 16.例文帳に追加

これにより、ロジック領域Ｒlogに形成されている表面が平坦な層間絶縁膜１６の領域よりもメモリセル領域Ｒmemに形成されている表面が凹凸な層間絶縁膜１６の領域の方がＣＭＰにおける研磨レートが大きくなり、結果的にグローバル段差が緩和され、実質的に平坦化された層間絶縁膜１６を形成することができる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an interlayer insulation film 2 formed on a silicon substrate 1, gas/liquid separation films 3 and 5 made of an SiOC film through which liquid hardly passes but gas passes easily, formed on the surface of the interlayer insulation film 2 at least partially, and a wiring layer 7 formed on the surface of the interlayer insulation film 2 at least partially.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコン基板１上に形成された層間絶縁膜２と、層間絶縁膜２の表面の少なくとも一部上に形成され、液体を透過しにくいとともに、気体を透過しやすいＳｉＯＣ膜からなる気液分離膜３および５と、層間絶縁膜２の表面の少なくとも一部上に形成された配線層７とを備えている。 - 特許庁

In a semiconductor device including a contact layer, a metal interconnection and an interlayer insulating film on a semiconductor substrate having a gate electrode formed thereon, the interlayer insulating film is formed on the metal interconnection by bias-applied plasma CVD using source gas containing hydrogen atoms, and a silicon oxynitride film is provided in the underlayer of the metal interconnection and the interlayer insulating film.例文帳に追加

ゲート電極を形成した半導体基板上に、コンタクト層と、金属配線と、層間絶縁膜とを備える半導体装置であって、層間絶縁膜は、水素原子を含む原料ガスを用いて、バイアス印加したプラズマＣＶＤにより金属配線上に形成し、金属配線および層間絶縁膜の下層にシリコン酸窒化膜を有することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a transistor having a source-drain region selectively formed in the semiconductor substrate; an interlayer film covering the semiconductor substrate, a capacitor formed on the interlayer film and having a bottom electrode; and a contact plug including a metal in contact with the source-drain region of the transistor and the bottom electrode of the capacitor in the interlayer film.例文帳に追加

半導体基板中に選択的に形成されたソース・ドレイン領域を有するトランジスタと、 前記半導体基板を覆う層間膜と、 前記層間膜上に形成され、下部電極を有するキャパシタと、 前記層間膜中に前記トランジスタの前記ソース・ドレイン領域と前記キャパシタの下部電極とに接している金属から成るコンタクトプラグとを有する半導体装置。 - 特許庁

To provide a light shielding water soluble resin composition which can be effectively used as a light shielding protection film arranged between an organic semiconductor film and an interlayer insulating film to prevent crystallity from being reduced and the organic semiconductor film from being optically oxidized when the interlayer insulating film is irradiated with light in the case of forming the organic semiconductor film of an organic electric element so as to contact with the interlayer insulating film.例文帳に追加

有機電気素子の有機半導体膜が層間絶縁膜と接して形成される場合に、結晶性が低下し層間絶縁膜に対する光照射時に光酸化されることを防止するために、有機半導体膜と層間絶縁膜の間に位置する遮光性保護膜として有用に使用することができる遮光型水溶性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.例文帳に追加

半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 8 contains a lower layer metal wiring 2 formed on a base film 1, an organic interlayer film 4 composed of an insulating material formed on the base film 1 and on the lower layer metal wiring 2, an upper layer metal wiring 7 formed on the organic interlayer film 4, contact metal members 12 that are connected to the lower layer metal wiring 2 piercing the organic interlayer film 4.例文帳に追加

半導体装置８は下地膜１の上に形成された下層金属配線２と、下地膜１および下層金属配線２の上に形成された絶縁材料から成る有機層間膜４と、有機層間膜４の上に形成された上層金属配線７と、有機層間膜４を貫通して下層金属配線２に接続するコンタクトメタル１２を含んでいる。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high radiation sensitivity and a sufficient margin for development, capable of easily forming a patterned thin film excellent in adhesion and suitable for forming an interlayer insulating film and microlenses, to provide a use of the composition for an interlayer insulating film and microlenses and to provide an interlayer insulating film and microlenses formed from the composition.例文帳に追加

高い感放射線感度と十分な現像マージンを有し、しかも、密着性に優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる、層間絶縁膜やマイクロレンズの形成に適する感放射線性樹脂組成物、その組成物の層間絶縁膜およびマイクロレンズ形成への使用、およびその組成物から形成された層間絶縁膜およびマイクロレンズを提供すること。 - 特許庁

The application pressure of the interlayer insulation layer 3 on the backside 12 of the substrate 1 is smaller than that of the surface 11.例文帳に追加

基板１の裏側面１２における層間絶縁層３の塗布圧力は，表側面１１の塗布圧力よりも小さい。 - 特許庁

Consequently, the fuse 26 is supported by the interlayer insulating film 18 so that the pattern disruption and the pattern missing can be prevented.例文帳に追加

これにより、ヒューズ２６が層間絶縁膜１８により支持され、ヒューズのパターン倒れやパターン飛びを防止することができる。 - 特許庁

To provide an interlayer film for a laminated glass, and a laminated glass, which exhibit no rise in the haze value due to moisture absorption, and are excellent in moisture resistance.例文帳に追加

吸湿によるヘイズ値の上昇のない、耐湿性に優れた合わせガラス用中間膜及び合わせガラスを提供する。 - 特許庁

INTERLAYER INSULATING SHEET FOR MODULE WITH BUILT-IN ELECTRONIC COMPONENT, MODULE WITH BUILT-IN ELECTRONIC COMPONENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING MODULE WITH BUILT-IN ELECTRONIC COMPONENT例文帳に追加

電子部品内蔵モジュール用層間絶縁シート、電子部品内蔵モジュール及び電子部品内蔵モジュールの製造方法 - 特許庁

To provide a technique that can reduce warpage in a wafer by decreasing the film stress of an entire interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜全体の膜応力を低くすることにより、ウエハの反りを低減することができる技術を提供する。 - 特許庁

The pattern of a TFT20 is formed on a transparent substrate 2 for every pixels and the TFT20 is coated with an interlayer dielectric 30.例文帳に追加

透明基板２上に画素ごとにＴＦＴ２０をパターニング形成し、ＴＦＴ２０を層間絶縁膜３０で被覆する。 - 特許庁

The part to be abutted on the columnar spacer 20 of the organic interlayer insulating film 39 is removed in this liquid crystal display device.例文帳に追加

この液晶表示装置では、有機層間絶縁膜３９は、柱状スペーサ２０に当接する部分が除去されている。 - 特許庁

The electronic parts have the heat-resistant coating film or a heat-resistant insulating pattern as a surface protective layer or an interlayer insulating layer.例文帳に追加

前記の耐熱性塗膜または耐熱性絶縁パターンを表面保護層または層間絶縁層として有する電子部品。 - 特許庁

To provide an interlayer connecting structure that has sufficient conductivity and can be manufactured with high productivity and, at the same time, to provide a method of manufacturing the structure.例文帳に追加

十分な導電性と生産性とを両立した層間接続構造を，その製造方法とともに提供すること。 - 特許庁

The electronic parts have the above heat-resistant coating film or a heat-resistant insulating pattern as a surface protective layer or an interlayer insulating layer.例文帳に追加

前記の耐熱性塗膜または耐熱性絶縁パターンを表面保護層または層間絶縁層として有する電子部品。 - 特許庁

A conductive layer 3 made of mainly a Cu-plated film is formed and flattened in a stepped recess of an interlayer insulating film 2.例文帳に追加

層間絶縁膜２の段差を有した窪みに主にＣｕメッキ膜でなる導電層３が形成され平坦化されている。 - 特許庁

Thereby, a second via hole for another interlayer connection can be directly connected on the conducive layer with high reliability.例文帳に追加

その結果、その導体層の上に直接、別の層間接続のための第２のビアホールを信頼性良く接続できるようになる。 - 特許庁

On the interlayer dielectric 26, local internal wiring 29 electrically connecting the plug 27 and plug 28 is formed.例文帳に追加

層間絶縁膜２６上には、プラグ２７とプラグ２８とを電気的に接続する局所内部配線２９が形成されている。 - 特許庁

This allows the hardening treatment of the interlayer insulating film to be performed in a shorter time, thereby shortening the total treating time of the wafer W.例文帳に追加

これによって，層間絶縁膜の硬化処理がより短時間で行われ，ウェハＷの総処理時間が短縮される。 - 特許庁

To reduce an interference noise which is caused by an interlayer stray light and generated onto a tracking error signal in a simple configuration.例文帳に追加

本発明は、層間迷光に起因してトラッキングエラー信号に生じる干渉ノイズを簡易な構成で低減することができる。 - 特許庁

To provide a pad structure which prevents damage caused by wire bonding for an interlayer insulating film and a transistor which are located right beneath the a pad.例文帳に追加

パッド直下の相間絶縁膜およびトランジスタに対しワイヤボンドによるダメージ防止が可能なパッド構造を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 131 is formed of a BPSG (BoroPhosphoSilicate Glass) film, with, for instance, a thin oxide film (SiO_2) in-between.例文帳に追加

層間絶縁膜１３１は、例えば薄い酸化膜（ＳｉＯ_２）を介してＢＰＳＧ（ボロン・リン・シリケートガラス）膜が形成されている。 - 特許庁