「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a multilayer wiring board in which reinforcement effect of an interlayer conduction portion is improved and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

層間導通部の補強効果を向上した多層配線板およびその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an interlayer film for laminated glass, wherein a colorant is highly dispersed so as to suppress color unevenness and flow marks.例文帳に追加

着色剤が高分散されることにより、色ムラやフローマークの発生が抑制された合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

The radiation-sensitive resin composition is suitable for use particularly in the formation of an interlayer insulation film or microlenses.例文帳に追加

上記感放射線性樹脂組成物は、特に層間絶縁膜またはマイクロレンズの形成に好適に使用することができる。 - 特許庁

Thereafter, a second polishing processing in which a polishing pressure is set to 1.5 times or more is executed on the surface of the interlayer insulating film 3.例文帳に追加

その後、研磨圧力を１．５倍以上にした第２研磨処理を層間絶縁膜３の表面に対して実行する。 - 特許庁

To form an insulating film with a lower dielectric constant than the dielectric constants of SiO2 and SiOF used as an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜として用いられているＳｉＯ_2、ＳｉＯＦよりも比誘電率の低い絶縁膜をシリコン基板に形成する。 - 特許庁

To bury an interlayer insulating film sufficiently between semiconductor elements and between interconnect lines in a microfabricated semiconductor device.例文帳に追加

微細化された半導体装置において、半導体素子相互間及び配線相互間に層間絶縁膜が十分に埋め込む。 - 特許庁

Then, the barrier metal film 23, the nickel film 24, and the tungsten film 25 on the interlayer dielectric 21 are removed by the CMP method.例文帳に追加

そして、ＣＭＰ法により層間絶縁膜２１上のバリアメタル膜２３、ニッケル膜２４及びタングステン膜２５を除去する。 - 特許庁

In a semiconductor device manufacturing process, a connection hole 6 is provided to an interlayer film 5 by selective etching fill a stopper film 4.例文帳に追加

半導体装置製造プロセスでは、層間膜５を選択的にエッチングしてストッパ膜４に達する接続孔６を開口する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 12 formed on the semiconductor substrate 2 has a laminated structure of a plurality of first insulation films 13.例文帳に追加

半導体基板２上に形成される層間絶縁膜１２は、複数の第１絶縁膜１３の積層構造を有している。 - 特許庁

To provide a wafer alignment device for correcting the displacement of wafer alignment which is attributable to asymmetry of the coverage of an interlayer film.例文帳に追加

層間膜のカバレッジの非対称性に起因するウェハアライメントのずれを補正するためのウェハアライメント装置を提供する。 - 特許庁

To improve the film forming properties, cost performance and workability of an organic SOG interlayer insulation film for forming a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置を構成する有機ＳＯＧ膜よりなる層間絶縁膜の製膜性、コスト性及び加工性を向上させる。 - 特許庁

In an interlayer insulating film on a substrate, a lower metal wire, a lower metal electrode, and first and second capping films are arranged in order.例文帳に追加

基板上の層間絶縁膜内に下部金属配線、下部金属電極、第１、第２のキャッピング膜が順に配置される。 - 特許庁

An interlayer insulating film 4 is formed on a semiconductor substrate 1 on which a base insulating film 2 and a lower layer interconnection 3 are formed.例文帳に追加

下地絶縁膜２及び下層配線３が形成された半導体基板１上に層間絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

Then, a second interlayer insulating film 14 is formed, and the ferroelectric substance film is heat treated in oxygen atmosphere to recover film quality.例文帳に追加

その後、第２の層間絶縁膜１４を形成し、酸素雰囲気中で強誘電体膜の膜質回復熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a forming method for the interlayer insulating film which offers the copper ion diffusion prevention capability as well as superior thermal stability and mechanical strength.例文帳に追加

銅イオンの拡散防止機能、熱安定性、及び機械的強度に優れた層間絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

After forming an interlayer insulation film 11, an electrode layer 4 is formed and connected with the low resistance region 3b through a contact hole 12.例文帳に追加

層間絶縁膜１１を形成後、電極層４を形成し、コンタクトホール１２を介して低抵抗領域３ｂと接続する。 - 特許庁

By rationalizing a scanning line forming and an island forming step of semiconductor layers and by making interlayer dielectrics unnecessary, a four-mask process is developed.例文帳に追加

走査線形成と半導体層の島化工程とを合理化、層間絶縁層の不要化により４枚マスク・プロセスを開発した。 - 特許庁

Preferably, the interlayer insulating film 50 has a laminated structure of the organic resin film 51 and a first inorganic insulating film 52.例文帳に追加

層間絶縁膜５０は、有機樹脂膜５１および第１無機絶縁膜５２の積層構造を有していることが好ましい。 - 特許庁

Parasitic capacitance below the bonding pad is almost eliminated, and further, a nitride film can be used as an interlayer insulating film, so that the cost is reduced.例文帳に追加

ボンディングパッド下の寄生容量がほとんど無くなる上、層間絶縁膜も窒化膜に代用できるのでコストの低減になる。 - 特許庁

In monocrystals adjacent to each other in a crystal growth direction, a c-axis does not agree with each other, and thereby an interlayer interface is formed.例文帳に追加

結晶成長方向に隣接する単結晶同士は、ｃ軸が一致しないことで、層間界面を形成している。 - 特許庁

An interlayer insulating film 12 on a connection wire 10 is removed to form a removed part 18 where the connection wire 10 is exposed.例文帳に追加

接続配線１０上の層間絶縁１２を除去し、接続配線１０を露出した除去部１８を形成する。 - 特許庁

Ranges covered by predetermined distances d1 around a lower part of the PAD are constituted to be fully buried by the interlayer dielectric layers IL.例文帳に追加

ＰＡＤ下周辺の所定距離ｄ１の範囲内はすべて層間絶縁膜ＩＬで埋められた構成となっている。 - 特許庁

To obtain a resin composition with a low dielectric constant, having excellent adhesion and usable as an interlayer insulation film and a printed circuit board or an LSI.例文帳に追加

接着性に優れ、プリント基板やＬＳＩ用の層間絶縁膜に使用できる低誘電率樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Ranges covered by predetermined distances d1 around a lower part of the PAD are constituted to be fully buried by the interlayer dielectrics IL.例文帳に追加

ＰＡＤ下周辺の所定距離ｄ１の範囲内はすべて層間絶縁膜ＩＬで埋められた構成となっている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, provided with a pad 30A which is superior in adhesion to an interlayer insulating layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

層間絶縁層との密着性が優れたパッド部を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To assure reliable embedment of a wire in an interlayer insulating film made of a material containing inpurity of a basic compound.例文帳に追加

塩基性化合物を不純物に含む材料からなる層間絶縁膜に埋め込み配線を確実に形成できるようにする。 - 特許庁

On the silicide layer 12, an interlayer insulating film 14 divided into a first layer 141 and a second layer 142 is provided.例文帳に追加

シリサイド層１２上において第１層１４１、第２層１４２に分割形成された層間絶縁膜１４が設けられている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayered wiring board using a build-up method through which a possibility of interlayer connection failure is reduced.例文帳に追加

層間の接続不良が発生する確率が低い、ビルドアップ法による多層配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent the occurrence of separation at the edge part of a belt layer by decreasing the occurrence of interlayer distortion at the edge part of the belt layer of a tire.例文帳に追加

タイヤのベルト層縁部における層間の歪みを減少させることにより、ベルト層の縁部における分離を防ぐ。 - 特許庁

Interlayer connection viaholes 51a to 51d are provided at edge centers of insulating sheets 41e to 41h respectively.例文帳に追加

絶縁シート４１ｅ〜４１ｈのそれぞれは、手前側の縁辺の中央に層間接続用ビアホール５１ａ〜５１ｄを設けている。 - 特許庁

To prevent the interlayer peeling of a laminate by protecting the cut end face of the laminate after adhesion from heat, water, chemicals, etc.例文帳に追加

接着後の積層体の切断端面を、熱、水分や薬品等から保護し、積層体が層間剥離することを防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of simplifying manufacturing processes and easily flattening an interlayer insulating film.例文帳に追加

工程を簡略化することができ、層間絶縁膜を容易に平坦化できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable interlayer insulations of amorphous materials, and the prevention of scattering their flakes, by easily automated techniques, in an amorphous-core transformer.例文帳に追加

アモルファス鉄心変圧器において、アモルファス材の層間絶縁と破片の飛散防止とを自動化し易い技術で可能にする。 - 特許庁

The second hole 11 is formed from the bottom of the first hole 7 to reach the pad 3 through the interlayer insulating film 2.例文帳に追加

そして、第１孔７の底部から層間絶縁膜２を貫通してパッド３に達する第２孔１１が形成されている。 - 特許庁

To achieve the increase of the density of wirings, by reducing the positioning manhours of the wirings when forming the wirings of the interlayer electrodes of a piezoelectric element.例文帳に追加

積層圧電体の層間電極の配線を形成する際の位置決め工数を減らして、高密度化を達成する。 - 特許庁

To eliminate cracking of an interlayer film due to physical damage at an electrode pad part at the time of bonding, burn-in and probe inspection of a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子のボンディング、バーンイン及びプローブ検査時の電極パッド部の物理的ダメージによる層間膜クラックをなくす。 - 特許庁

The resin layer 5 is provided at an edge of the semiconductor chip 50 so as to touch the interlayer insulating film 4 on the silicon substrate 1.例文帳に追加

樹脂層５は、シリコン基板１上に層間絶縁膜４と接するように半導体チップ５０の端部に設けられる。 - 特許庁

The membrane part 51 is protected from etching solution by a bottom surface protection layer 94, an interlayer film 95 and an upper surface protection layer 96.例文帳に追加

メンブレン部５１は底面保護層９４、層間膜９５、上面保護層９６によってエッチング溶液から保護されている。 - 特許庁

Next, the Ti film 105 is formed on the interlayer insulating film 103 so as to cover the contact hole and the treatment of plasma nitriding is applied.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜１０３上に、コンタクトホールを覆うようにＴｉ膜１０５を形成し、プラズマ窒化の処理を行う。 - 特許庁

The interlayer insulation film 34 above the plug 11 is etched with the silicon nitride films 33 and 32 serving as an etching stopper to form a concave part.例文帳に追加

シリコン窒化膜３３，３２をエッチングストッパとしてプラグ１１上方の層間絶縁膜３４をエッチングして凹部を形成する。 - 特許庁

Interlayer resin insulation layers 24 and 38 and a core substrate 50 for upper layer are built up on a core substrate 10 for lower layer.例文帳に追加

下層用コア基板１０に、層間樹脂絶縁層２４，３８及び上層用コア基板５０がビルドアップして形成されている。 - 特許庁

The dielectric layer between gates is formed on the floating gate that is exposed by removing the mold pattern between the interlayer insulating layer patterns.例文帳に追加

層間絶縁層パターン間のモールドパターンの除去によって露出される浮遊ゲート上にゲート間誘電層を形成する。 - 特許庁

Between the aluminum wiring layer 14 and the interlayer insulating film 16, a TiN film 30, forming a barrier layer, is provided.例文帳に追加

アルミニウム配線層１４と層間絶縁膜１６との間には、バリア層を構成するＴｉＮ膜３０が介在されている。 - 特許庁

STRUCTURE OF EVALUATING INSULATION RELIABILITY OF INTERLAYER CONNECTION CIRCUIT PART OF PRINTED WIRING BOARD, AND METHOD OF EVALUATING THE INSULATION RELIABILITY例文帳に追加

プリント配線板層間接続回路部の絶縁信頼性評価構造体及びその絶縁信頼性評価試験方法 - 特許庁

To provide a resin composition for an interlayer for laminated glass that is excellent in a formaldehyde capturing functionality while maintaining physical properties of the laminated glass.例文帳に追加

合わせガラスの物性を維持しつつ、ホルムアルデヒド捕捉機能に優れる合わせガラス中間層用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁