「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

The hard mask consists of a material having etching selectivity with respect to the interlayer insulating film 13 and the cap insulating film 12.例文帳に追加

ハードマスクは層間絶縁膜１３及びキャップ絶縁膜１２に対してエッチング選択性を有する材料で構成される。 - 特許庁

To introduce an interlayer damper to demonstrate the excellent vibration controllability in an existing building without reforming a wall body.例文帳に追加

優れた制振性を発揮する層間ダンパーの適用を図り、壁体の改修をなすことなく既設建物への導入をなすこと。 - 特許庁

To provide thick FRP moldings eliminating bandage effects and interlayer separation, and its production method.例文帳に追加

包帯効果や層間剥離が解消された肉厚のＦＲＰ成形品及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Moreover, a conductive shading film 415 is formed on the P-type impurity region 430 via a second interlayer insulating film 414.例文帳に追加

また、Ｐ型不純物領域４３０上に第２層間絶縁膜４１４を介して、導電性遮光膜４１５を形成する。 - 特許庁

This liquid crystal display device is provided with a holding capacitance wiring 2 under a thin film semiconductor layer 4 forming a TFT via an interlayer insulating film 3.例文帳に追加

ＴＦＴを構成する薄膜半導体層４の下層に層間絶縁膜３を介して保持容量配線２を設ける。 - 特許庁

A conductor material of low thermal conductivity is used for a conductor film, and a via hole for interlayer connection is formed by direct laser machining.例文帳に追加

導体膜に熱伝導性が低い導体材料を用い、層間接続用ビアホールを直接レーザ加工により形成する。 - 特許庁

Thirdly an interlayer insulator film 12 is formed on the first conductor thin film 20 in which the insulating pattern 44a is formed.例文帳に追加

次に、絶縁パターン４４ａが形成された第１導電体薄膜２０の上に、層間絶縁体薄膜１２を形成する。 - 特許庁

Accordingly, the printed circuit board 8 having an excellent interlayer connection property which enables high density wiring can be manufactured at a lower cost.例文帳に追加

従って高密度配線が可能で層間接続性に優れてたプリント基板８の製造を低コストにて行うことができる。 - 特許庁

Moreover, a gap 11 in an air gap structure AG1 can be formed by etching a first interlayer insulating layer which should become a first interlayer insulating layer 4a so that an interior region in the acceptance surface of the photoelectric conversion section 2 is not exposed, while an exterior region is exposed.例文帳に追加

また、エアギャップ構造ＡＧ１における隙間１１は、光電変換部２の受光面における内側領域を露出せずに外側領域を露出するように、第１の層間絶縁膜４ａとなるべき第１の層間絶縁層をエッチングして形成できる。 - 特許庁

A interlayer 3 is intervened between a first magnetic material layer 1 and second magnetic material layer 2, and the interlayer 3 is made of the first material constituting the first magnetic material layer 1, added with at least one of an oxide and a nitride.例文帳に追加

第１の磁性体層１と第２の磁性体層２との間に中間層３が介在されており、中間層３は、第１の磁性体層１を構成する第１の磁性体材料に酸化物及び窒化物のうちの少なくとも一方が添加されている。 - 特許庁

A pixel electrode 65 is formed on the surface of a second interlayer insulating layer 62 covering the source electrode 36 and conducts to the source electrode 36 via the contact hole CH2s formed in the position overlapping a portion 361 facing the gate out of the second interlayer insulating layer 62.例文帳に追加

画素電極６５は、ソース電極３６を覆う第２層間絶縁層６２の面上に形成され、この第２層間絶縁層６２のうちゲート対向部分３６１と重なる位置に形成されたコンタクトホールＣＨ2を介してソース電極３６に導通する。 - 特許庁

Since stripping of an interlayer insulation layer 50 from a core substrate 30 or the IC chip is prevented and the interlayer insulation layer 50 is protected against cracking in the vicinity of the corner part 20a, reliability of the multilayer printed wiring board 10 can be enhanced.例文帳に追加

このため、角部２０ａの近傍で、コア基板３０と層間樹脂絶縁層５０、ＩＣチップと層間樹脂絶縁層５０との剥離、及び、層間樹脂絶縁層５０でのクラックの発生を防ぎ、多層プリント配線板１０の信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

The signal wiring 11 is formed on a lower layer of the scanning wiring 13 via a first interlayer insulating film 12 and is electrically connected to a source electrode 14S of the thin film transistor 14 via a contact hole 12' formed in the first interlayer insulating film 12.例文帳に追加

信号配線１１は、第１の層間絶縁膜１２を介して走査配線１３の下層に形成されており、第１の層間絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２’を介して薄膜トランジスタ１４のソース電極１４Ｓに電気的に接続されている。 - 特許庁

In accordance with the formation method of the interlayer dielectric even if the aspect ratio of the level difference on the semiconductor substrate is ≥3, the occurrence of any void in the interlayer dielectric is suppressed, and any damage which might be exerted on a semiconductor device by reflowing can be reduced.例文帳に追加

本発明の層間絶縁膜の形成方法によると、半導体基板上の段差部のアスペクト比が３以上であっても、層間絶縁膜内のボイドの発生が抑制され、また、リフローに半導体装置に与えるダメージを小さくすることができる。 - 特許庁

An interlayer insulating film capacitor 19 is constituted by an interlayer insulating film 25 positioned in a region A where an end 38 of a second aluminum connection layer 27b overlaps in a flat manner with the first gate electrode 16, and is connected in series with the second gate electrode 17.例文帳に追加

第２ゲート電極１７には、第２アルミ配線層２７ｂの一端３８と第１ゲート電極１６とが平面的に重なり合う領域Ａにある層間絶縁膜２５をキャパシタとした層間絶縁膜キャパシタ１９が、直列に接続されている。 - 特許庁

In performing working of copper foil of an upper layer and interlayer insulating layer for forming an interlayer conduction structure of a laminated wiring board by a copper direct method using a laser beam, the pulse height of a laser beam is set slightly higher and the pulse length is determined relatively longer.例文帳に追加

積層配線板における層間導通構造の形成のための上層の銅箔および層間絶縁層の加工を，レーザビームを用いた銅ダイレクト法により行うに当たり，レーザビームのパルス高を低めに設定するとともに，パルス長を比較的長めにとる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device that can improve the planarity of an interlayer insulating film, without causing increase in the number of manufacturing steps, by forming an interlayer insulating film having the optimum film thickness, according to the height and interval of a pattern.例文帳に追加

パターンの高さおよび間隔に応じた最適な膜厚で層間絶縁膜を形成することにより、製造工程数を増加させることなく層間絶縁膜の平坦度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The coating films 21 and 26 are composed of such a material as having a selection ratio to an interlayer insulating film 23 functioning as an etching stop material at the time of etching the interlayer insulating film 23 formed above the coating films 21 and 26 at least on the gate electrode 3.例文帳に追加

上記被覆膜２１，２６は、少なくともゲート電極３上の被覆膜２１，２６の上方に形成された層間絶縁膜２３のエッチング時のエッチング停止材料として機能するような層間絶縁膜２３に対する選択比を有する材料からなる。 - 特許庁

To provide an end point detecting method, in which the etching end point is rapidly detected by using an interlayer insulating film having a novel structure when the interlayer insulating film is etched, so that embedded wiring is formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に埋め込み配線を形成する際に行われる層間絶縁膜のエッチングを行う場合に、新規な構造の層間絶縁膜を用いてエッチングの終点検出を速やかに行うことを特徴とする終点検出方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, by performing heat treatment, a barrier layer 14 is formed which is made of manganese silicate that is formed by bonding oxygen in the interlayer insulation film, silicon in the silicon-containing film 11 and manganese in the CuMn film 12, on a boundary face between the interlayer insulation film and the Cu film 13.例文帳に追加

その後、熱処理を行うことにより、層間絶縁膜中の酸素とシリコン含有膜１１中のシリコンとＣｕＭｎ膜１３中のマンガンとを結合させたマンガンシリケートからなるバリア層１４を、層間絶縁膜とＣｕ膜１３との界面に形成する。 - 特許庁

A layer B composed of a metal wiring 302 and an interlayer insulation film 303, and a layer D composed of a metal wiring 304 formed perpendicularly to the metal wiring 302 and an interlayer insulation film 305 are formed beneath an oxide film 301.例文帳に追加

酸化膜３０１の下層には、金属配線３０２と層間絶縁膜３０３からなるＢ層と、金属配線３０２と直交する方向に形成された金属配線３０４と層間絶縁膜３０５からなるＤ層との多層配線が形成されている。 - 特許庁

Among the interlayer insulating films, an interlayer insulating film containing impurities is removed which abuts on the wiring layer at least at the edge of the semiconductor substrate.例文帳に追加

素子領域の形成された半導体基板表面に、層間絶縁膜と配線層とを備えた半導体装置であって、前記層間絶縁膜のうち、前記半導体基板端縁部で、少なくとも前記配線層と当接する、不純物を含む層間絶縁膜が、除去されている。 - 特許庁

A connection hole 26 extending to the lower wiring 22 is formed at the lower portion of the second interlayer dielectric 25 and in the second and first insulating barrier films 24, 23, and a wiring groove 27 extending to the connection hole 26 is formed at the upper portion of the second interlayer dielectric 25.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜２５の下部及び第２、第１の絶縁性バリア膜２４、２３には、下層配線２２に達する接続孔２６が形成され、第２の層間絶縁膜２５の上部には、接続孔２６に達する配線溝２７が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display device in which interlayer short formed in a capacitor in a wiring board or in an intersection between wiring lines may be repaired, and to provide the display device in which defective display caused by the interlayer short in the capacitor in the wiring board may be suppressed.例文帳に追加

配線基板のキャパシタや配線の交差部に生じた層間短絡を修正することが可能な表示装置の製造方法、および配線基板のキャパシタの層間短絡に起因する表示不良を抑えることが可能な表示装置を提供する。 - 特許庁

Preferably, a polyamide or polyester elastomer film is utilized as the elastomer film, a polyester anchor coat agent as the interlayer, and a polyester hot-melt type adhesive as the adhesive layer, and the thickness of the interlayer is 0.5-10 μm, preferably 2-3 μm.例文帳に追加

好適には、エラストマーフィルムとしてポリアミド系又はポリエステル系エラストマーフィルム、中間層としてポリエステル系アンカーコート剤、接着層としてポリエステル系ホットメルト型接着剤が用いられ、また、中間層の厚さは０．５〜１０μｍ、好ましくは２〜３μｍである。 - 特許庁

An active matrix substrate for use in liquid crystal displays comprises a lamination structure in which a plurality of interlayer insulating films and a plurality of conductive layers are alternately stacked and a pixel region having a plurality of pixel electrodes arranged over a top layer of the interlayer insulating films.例文帳に追加

液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板は、複数の層間絶縁膜と複数の導電層とが交互に積層された積層膜構造と、前記最上層の層間絶縁膜上に配置された複数の画素電極を有する画素領域を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can realize rapid operation by a simple method by reducing interlayer capacitance in a wiring layer and the inter-wiring capacitance on the same layer by forming a low dielectric interlayer insulation film.例文帳に追加

低誘電率の層間絶縁膜を形成することによって配線層間容量及び同一層配線間容量の低減を図り、簡便な方法により高速動作を実現することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This interlayer thus obtained is useful as an interlayer for laminated glasses for construction and the like.例文帳に追加

ポリビニルアセタール、可塑剤及び層状珪酸塩を含有し、層状珪酸塩が微細に分散されている中間膜、及び層状珪酸塩と可塑剤とを混合した後に、前記混合物とポリビニルアセタールを混合して得られた組成物を膜に成形するする中間膜の製造方法。 - 特許庁

Then, the unnecessary barrier metal 4 still left on the interlayer insulation film 2 is selectively etched by an etching liquid until the interlayer insulation film 2 is exposed, thus forming a contact plug 6 formed of the barrier metal 4a and the conductor layer 5a within the contact hole 3.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜２上に残存している不要なバリアメタル４を、エッチング液を用いて層間絶縁膜２が露出するまで選択的にウェットエッチングして、コンタクトホール３内にバリアメタル４ａ及び導電層５ａからなるコンタクトプラグ６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which forms a fine interconnection using buried interconnection forming techniques without causing the separation or deformation of an interlayer insulation film during processes, and which uses a film of low permittivity having low film strength as the interlayer insulation film.例文帳に追加

埋め込み配線形成技術を適用して微細な配線を形成しつつも、プロセス中において層間絶縁膜の膜剥がれや変形などを発生させることなく、膜強度の低い低誘電率膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置を得る。 - 特許庁

To protect wirings under an interlayer insulating film against abnormal oxidation when a silicon nitride film is subjected to healing oxidation, in the manufacture of a semiconductor device equipped with a capacitor which is provided with a silicon nitride film as a capacitor dielectric film on the interlayer insulating film.例文帳に追加

キャパシタ誘電体膜２５ｂとしてシリコン窒化膜を含むキャパシタ２５を、層間絶縁膜２１上に具える、半導体素子１０を製造するに当たり、シリコン窒化膜に対するヒーリング酸化時の、層間絶縁膜下の配線１７，１９などの異常酸化を防止する。 - 特許庁

Especially, the thickness of the interlayer of 1 to 20 nm, or further, the interlayer and the oxidation layer having the same chemical component system, above all, both layers made of oxide of a cation-substituted perovskite structure of a specific chemical composition of a specific thickness, are desired.例文帳に追加

特に中間層の厚みが１ないし２０ｎｍのもの、さらには中間層と酸化物層が同じ化学成分系のもの、中でも両層が特定の厚みで特定の化学組成の陽イオン置換型ペロブスカイト構造の酸化物からなるものが望ましい。 - 特許庁

To provide a prepreg which improves reliability on interlayer connection to a printed wiring board when it is manufactured by processing a hole for interlayer connection thereto and filling the hole with a conductive paste, followed by molding thereof.例文帳に追加

プリプレグに層間接続用の孔加工と、この層間接続用の孔への導電性ペーストの充填とを行った後に、成形加工を施すことによりプリント配線板を得るにあたり、層間接続信頼性を向上することができるプリプレグを提供する。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a first interlayer insulating film (8) formed on a semiconductor substrate, a capacitor (18), a second interlayer insulating film (21), a first contact plug (9a, 9b, or 9c), and a second contact plug (22a, 22b, or 22c) formed so as to contact with the first contact plug.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板上に形成された第１の層間絶縁膜(8)と、キャパシタ(18)と、第２の層間絶縁膜(21)と、第１のコンタクトプラグ(9a、9b、又は9c)と、第１のコンタクトプラグと接続するように形成された第２のコンタクトプラグ(22a、22b、又は22c)とを備える。 - 特許庁

The slant wall member 51 is provided between a first interlayer insulating film 13 and a second interlayer insulating film 15, and the opening width of the contact hole 21 is set so that the opening width (W3) of the contact hole 21 at its lower end is narrower than the opening width of the hole 21 at its upper end.例文帳に追加

この傾斜壁部材５１は、第１層間絶縁膜１３と第２層間絶縁膜１５との間に設けられ、コンタクトホール２１の開口幅は、上端部の開口幅（Ｗ２）よりも、下端部の開口幅（Ｗ３）の方が狭く設けられている。 - 特許庁

Therefore, only by forming the first interlayer film (41) on the second light-shielding film (11), a part of the first interlayer film (41) overlapping the second light-shielding film (11) becomes the first protruding part 41a having a shape corresponding to the shape of the second light-shielding film (11).例文帳に追加

したがって、第２遮光膜（１１）上に第１層間膜（４１）が形成されるだけで、第１層間膜（４１）のうち第２遮光膜１１に重なる部分が第２遮光膜（１１）の形状に対応した形状を有する第１突状部４１ａになる。 - 特許庁

The method further includes the steps of forming second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) at an upper side of the second layer wiring 11 on the substrate 1, and removing by etching an unnecessary position including a pad forming region in the second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) by using a mask 16.例文帳に追加

基板１上での第２層目の配線１１の上側に第２層目の層間絶縁膜（膜１３，１４，１５）を形成し、マスク１６を用いて第２層目の層間絶縁膜（膜１３，１４，１５）におけるパッド形成領域を含む不要箇所をエッチング除去する。 - 特許庁

The selective transistor comprises a gate electrode structure composed of the gate insulating film 2 of the cell part, the first conductive layer 3, the conductive interlayer insulating film 4, and the second conductive layer 7 which is electrically connected to the first conductive layer 3 at an opening of the conductive interlayer insulating film 4.例文帳に追加

選択トランジスタは、セル部ゲート絶縁膜２、第一導電層３、導電層間絶縁膜４、導電層間絶縁膜４中の開口部で第一導電層３と電気的に導通下第二導電層７からなるゲート電極構造を備える。 - 特許庁

After a first wiring is formed by selectively removing a part of the first interlayer insulating film 204, the first metal layer 203, and the insulating film 202 by photolithography and dry- etching, a second interlayer insulating film 212 is formed using a plasma CVD apparatus.例文帳に追加

フォトリソグラフィーとドライエッチングとによって第１の層間絶縁膜２０４と第１の金属層２０３と絶縁膜２０２の一部とを選択的に除去して、第１の配線を形成した後、プラズマＣＶＤ装置を使用して第２の層間絶縁膜２１２を形成する。 - 特許庁

A level difference between a gate insulating film 30 and a gate electrode 40 is covered certainly by increasing the thickness of the interlayer insulating film 50 thus reducing defects caused by the interlayer insulating film 50, e.g. open circuit or short circuit of a source electrode 60S and a drain electrode 60D.例文帳に追加

層間絶縁膜５０の厚みを厚くして、ゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０の段差を確実に被覆し、ソース電極６０Ｓおよびドレイン電極６０Ｄの断線あるいは短絡など、層間絶縁膜５０に起因する不良を抑える。 - 特許庁

An interlayer insulating film 45 is dry-etched using a photoresist film 51 formed thereon as a mask and wiring trenches 52 and 53 are formed by stopping the etching on the surface of a stopper film 46 formed in a halfway portion of the interlayer insulating film 45.例文帳に追加

層間絶縁膜４５上に形成したフォトレジスト膜５１をマスクにして層間絶縁膜４５をドライエッチングし、層間絶縁膜４５の中途部に形成したストッパ膜４６の表面でエッチングを停止することによって配線溝５２、５３を形成する。 - 特許庁

When an interlayer insulating film 7 is formed on the capacitive film 4 and the protective film 6, a lower electrode contact hole 8 and an upper electrode contact hole 11 for exposing the capacitive film 4 and the protective film 6 are formed on the interlayer insulating film 7.例文帳に追加

容量膜４および保護膜６上に層間絶縁膜７が形成される場合、層間絶縁膜７には、容量膜４および保護膜６をそれぞれ部分的に露出させる下部電極コンタクトホール８および上部電極コンタクトホール１１が形成される。 - 特許庁

To provide a multilayer type optical recording medium in which a temperature is efficiently increased by irradiation of a laser beam, and interlayer crosstalk and FES interlayer interference from recording layers other than a desired recording layer are reduced, and which has higher density as compared with the conventional one.例文帳に追加

レーザ光の照射による温度上昇を効率的に行うことができ、所望の記録層以外からの層間クロストーク及びＦＥＳの層間干渉を低減し、従来のものに比して高密度な多層型光情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

So, the thickness of the interlayer insulating film accumulated in a peripheral region 144 of the light receiving part 72 is suppressed to reduce the width of the region 144, resulting in improved uniformity of the interlayer insulating film 136 on the light receiving part 72 for improved uniformity in photosensitivity.例文帳に追加

これにより、受光部７２の周縁領域１４４に溜まる層間絶縁膜の厚さが抑制され、また領域１４４の幅も縮小されるので、受光部７２上の層間絶縁膜１３６の均一性が向上し、光感度の均一性が向上する。 - 特許庁

To manufacture a TFT type liquid crystal display device capable of stably connecting a transparent pixel electrode formed on a interlayer insulating film to a drain electrode via a contact hole without any disconnection even if the interlayer insulating film is made thick in thickness.例文帳に追加

層間絶縁膜の膜厚を厚くしても、層間絶縁膜上に形成した透明画素電極とドレイン電極とを、コンタクトホールを介して断線することなく安定して接続できるＴＦＴ型液晶表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁