「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

To fabricate a semiconductor device employing a fluorine added carbon film as an interlayer insulating film using a simple dual Damascene method.例文帳に追加

例えば層間絶縁膜としてフッ素添加カ−ボン膜を用いた半導体装置を簡易な手法のデュアルダマシン法で製造すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having embedded wiring, wherein plating components deposited on the interlayer insulating film have been selectively removed.例文帳に追加

層間絶縁膜上に析出しためっき成分を選択的に除去して、埋め込み配線を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass efficiently shielding heat rays while keeping transparency and adhesion and being excellent in durability.例文帳に追加

透明性、接着性を維持しながら熱線を効率よく遮蔽し、且つ耐久性に優れた合わせガラス用中間膜を提供すること。 - 特許庁

The drain electrode 113 of the TFT is connected to a pixel electrode 115 made of metal material via an interlayer insulating film 114.例文帳に追加

層間絶縁膜１１４を介してＴＦＴのドレイン電極１１３と金属材料でなる画素電極１１５とが接続されている。 - 特許庁

A polysilicon resistive layer 5 extends on the interlayer insulating film 4 to overlap the plurality of level difference forming polysilicon layers 3.例文帳に追加

この層間絶縁膜４上に、複数の段差形成用ポリシリコン層３に重畳するようにポリシリコン抵抗層５が延在している。 - 特許庁

Then an epitaxial layer is etched by As or P-group etching solution to form an interlayer separating mesa structure (second step).例文帳に追加

次いでエピタキシャル層をＡs系またはＰ系のエッチング液を用いてエッチングして素子間分離構造をなすメサを形成する（第２の工程）。 - 特許庁

The interlayer connecting electrode 6 is made by performing plating treatment, thereby plating the opening 10a in the thick resist 10 with metal (copper).例文帳に追加

めっき処理を行って厚膜レジスト１０の開口部１０ａに金属（銅）をめっきして層間接続電極６を形成する。 - 特許庁

Wiring 8a for connecting one impurity region 5b and the gate electrode 4a is formed on the first interlayer insulating film 6.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜６上に、一方の不純物領域５ｂとゲート電極４ａとを接続する配線８ａを形成する。 - 特許庁

A tungsten plug 15 and a dummy tungsten plug 15D are provided through holes 14 and 14D penetrating the interlayer dielectric 12.例文帳に追加

絶縁膜１２を貫通するホール１４及び１４Ｄを介してタングステンプラグ１５及びダミーのタングステンプラグ１５Ｄが設けられている。 - 特許庁

A contact hole 2a is formed on an interlayer insulation film 2 and a barrier film 3 on a semiconductor board 1, and a plug 4 is formed in the contact hole 2a.例文帳に追加

半導体基板１上の層間絶縁膜２,バリア膜３にコンタクトホール２aを形成し、コンタクトホール２a内にプラグ４を形成する。 - 特許庁

The interlayer insulating layer part exposed with the photoresist pattern and the erosion-preventive plug is etched to form a channel contacting the contact hole.例文帳に追加

フォトレジストパターン及び侵蝕防止用プラグにより露出される層間絶縁層部分を蝕刻してコンタクトホールに接する溝を形成する。 - 特許庁

After an interconnection groove 5 and a hole 6 are formed on the interlayer insulating film 4, a TaN film 7 and a Cu film 8 are sequentially formed.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜４に配線溝５及びホール６を形成した後、ＴａＮ膜７及びＣｕ膜８を順次形成する。 - 特許庁

When forming the wiring or the interlayer connection via on the substrate, the groove and the recessed part each having prescribed surface roughness are formed in the substrate.例文帳に追加

基板上に配線又は層間接続ビアを形成するとき、所定の表面粗さを有する溝及び凹部を基板に形成する。 - 特許庁

An evaporation type getter film 10 is formed on the interlayer insulation film 9, and the getter film 10 is covered with a cover 12.例文帳に追加

層間絶縁膜９の上に蒸発型のゲッター膜１０が成膜されており、ゲッター膜１０はカバー１２によって覆われている。 - 特許庁

An interlayer film 15 is formed in such a manner that it covers the memory cell capacitor C on the first hydrogen barrier film 8 and the memory cell capacitor C.例文帳に追加

第１の水素バリア膜８およびメモリセルキャパシタＣの上には、メモリセルキャパシタＣを覆うように層間膜１５が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit comprises a bulk transistor formed on a semiconductor substrate, and a first interlayer insulating film for covering the bulk transistor.例文帳に追加

半導体集積回路は、半導体基板に形成されたバルクトランジスタ及び該バルクトランジスタを覆う第１の層間絶縁膜を備える。 - 特許庁

A hot press process is omitted by attaching a gaseous diffusion layer in a state of wetting after forming a carbon interlayer on the catalyst layer.例文帳に追加

触媒層上にカーボン中間層を形成した後、湿潤状態でガス拡散層を取り付けることでホットプレスを省略する。 - 特許庁

A vanadium oxide film is formed on an interlayer insulation film 4, and a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed on its top in this order.例文帳に追加

層間絶縁膜４上に、酸化バナジウム膜を形成し、その上に、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜をこの順に形成する。 - 特許庁

To provide a high-performance semiconductor device, using a material containing boron, carbon, and nitrogen for the interlayer insulation film of wiring.例文帳に追加

本発明は、ホウ素、炭素、窒素を含有する材料を配線の層間絶縁膜に用いて、高性能半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 26 includes the low specific permittivity interlayer insulation film 8 having a specific permittivity of 3 or below, the barrier metal film 21, and the conductor 22.例文帳に追加

半導体装置２６は、比誘電率が３以下の低比誘電率層間絶縁膜８、バリアメタル膜２１、導電体２２を具備する。 - 特許庁

Anion generated by the ionization of the lithium compound is trapped in the interlayer of the carbon material to increase the specific surface area of the carbon material.例文帳に追加

リチウム化合物が電離して生じたアニオンを、炭素材料の層間に捕捉させ、炭素材料の比表面積を増加させる。 - 特許庁

The thermal expansion coefficient of each layer has the following relation: the third interlayer insulation film 44<stress relaxation film 46<pixel electrode 9a.例文帳に追加

また、各層の熱膨張係数は以下の関係第３層間絶縁膜４４＜応力緩和膜４６＜画素電極９ａにある。 - 特許庁

An interlayer insulating film 131 which is the first layer to cover the memory cell 11 is constituted of a film containing a getter substance for mobile ions.例文帳に追加

メモリセル部１１上を覆う第１層目の層間絶縁膜１３１は、可動イオンのゲッター物質を含む膜で構成されている。 - 特許庁

A reduction layer 17 is provided so as to surround the surroundings of pixel electrodes 16 on a second interlayer insulating layer 12B in a light emitting panel 2.例文帳に追加

発光パネル２内の第２層間絶縁層１２Ｂ上に画素電極１６の周囲を囲うようにして還元層１７を設けた。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 11, a first interlayer insulating film 22 is formed covering the semiconductor element 1 and protective diode 2.例文帳に追加

半導体基板１１の上には、半導体素子１及び保護ダイオード２を覆うように第１の層間絶縁膜２２が形成されている。 - 特許庁

An evaporation type getter film 10 is formed on the interlayer insulation film 9, and the getter film 10 is formed of a single piece of samarium (Sm).例文帳に追加

層間絶縁膜９の上に蒸発型のゲッター膜１０が成膜されており、ゲッター膜１０は、サマリウム（Ｓｍ）単体からなる。 - 特許庁

A first interlayer insulation film 10 is formed on a flash memory cell formed in a storage element region on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上の記憶素子領域形成されたフラッシュメモリセル上に第１の層間絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 20, an element isolation film 21 provided on the semiconductor substrate, an interlayer insulating film 60 and a conductive plug 62.例文帳に追加

半導体基板20、半導体基板に設けられた素子分離膜21、層間絶縁膜60及び導電プラグ62を備えて構成される。 - 特許庁

Lower layer metal wiring is formed on a semiconductor substrate 10, and an interlayer insulation film 15 is accumulated on the metal wiring.例文帳に追加

半導体基板１０の上に下層の金属配線が形成され、該金属配線の上に層間絶縁膜１５が堆積されている。 - 特許庁

In alternative method, an integrated circuit thermistor is formed from a thermistor material region in an embossed region of interlayer dielectric (ILD).例文帳に追加

代替方法の集積回路サーミスタは、レベル間誘電体（ＩＬＤ）のエンボス領域内のサーミスタ材料の領域から形成される。 - 特許庁

Resist layers 14 in plural lines are pattern-formed on the interlayer insulating films 13 in a direction orthogonal to the front electrodes 12.例文帳に追加

層間絶縁膜１３上に前面電極１２と直交する方向にレジスト層１４を複数列をなすようにパターン形成する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 65 is formed inside the gate polysilicon 52 and its inside is filled with the polysilicon 63 which electrically connects to the drain region.例文帳に追加

ゲートポリシリコン５２の内側に層間絶縁膜６５を設け、その内側をドレイン領域に電気的に接続するポリシリコン６３で埋める。 - 特許庁

To allow more rational wiring design and creation of a wiring pattern minimizing interlayer connection path even in a multilayer board.例文帳に追加

より合理的な配線設計を可能とし、多層基板においても層間接続路を極力用いない配線パターンの作成を可能とする。 - 特許庁

ZEOLITE SOL, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, COMPOSITION FOR FORMING POROUS FILM, POROUS FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, INTERLAYER INSULATION FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ゼオライトゾルとその製造方法、多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置 - 特許庁

To provide an optical information recording medium for blue laser having two or more recording layers wherein influence of interlayer crosstalk is prevented.例文帳に追加

２層以上の記録層を有する青色レーザ用の光情報記録媒体において、層間クロストークの影響を受けにくくすること。 - 特許庁

To avoid such a problem due to a hole that is produced when a porous Low-k film is used as an interlayer insulation film to form a wiring layer.例文帳に追加

ポーラスＬｏｗ−ｋ膜を層間絶縁膜に用いた配線層形成時に生じる空孔起因の問題点を回避する。 - 特許庁

In the interlayer insulating film 9 in the logic region 200, a first conductor pattern 11b to be connected to the impurity layer 3 is formed.例文帳に追加

ロジック領域２００の層間絶縁膜９には不純物層３に接続する第１の導電体パターン１１ｂが形成される。 - 特許庁

A region for recording interlayer folding back position information is set on a recording medium (for example, "End sector number in Layer 0" or a session item type 3).例文帳に追加

記録媒体上に、層間折り返し位置情報を記録する領域が設定される（例えば「End sector number in Layer0」、或いはセッションアイテムタイプ３）。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent device in which guided mode loss at the interface of a support substrate and an interlayer insulating film is reduced.例文帳に追加

支持基板と層間絶縁膜との界面における導波モード損失を低減する有機エレクトロルミネセンスデバイスを提供すること。 - 特許庁

A space 91 is formed on interlayer films 56-58 formed on the substrate 51 along the division line in the plan view.例文帳に追加

基板５１上に形成された層間膜５６〜５８に、間隙９１が、前記平面視において前記分割線に沿って形成される。 - 特許庁

To provide a method of forming an interlayer insulating film which has a low dielectric constant, high mechanical strength, and a low water- repellent property on the surface thereof.例文帳に追加

誘電率が低く、機械的強度が高くかつ表面の撥水性が低い層間絶縁膜を形成する方法を与える。 - 特許庁

To provide a multilayered structure which is excellent in gas barrier property and interlayer adhesiveness, and in which deterioration of the gas barrier property after hot water treatment is inhibited.例文帳に追加

ガスバリア性と層間接着性に優れ、かつ熱水処理後のガスバリア性の低下が抑制される多層構造体の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing thermal stress from being applied to an interlayer insulation film and lower-layer wiring.例文帳に追加

層間絶縁膜や下層配線に熱ストレスがかかり難くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display device, which improves use efficiency of a substrate by making a pattern region for interlayer shift measurement small.例文帳に追加

層間ズレ測定用パターン領域を小さくし、基板の利用効率を向上した表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coating film that prevents damages due to etching of an interlayer insulating film and a barrier film in a semiconductor element manufacturing process or the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜やバリア膜のエッチング処理によるダメージを低減する塗膜を提供すること。 - 特許庁