「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device and its manufacturing method including a capacitance element (for instance, a MIM capacitance element) having a large margin for a leak current, and capable of easily leveling an interlayer insulating film by decreasing a step of the interlayer insulating film when forming the capacitance element.例文帳に追加

リーク電流に対するマージンが大きい静電容量素子（例えばＭＩＭ静電容量素子）を備え、静電容量素子を形成するときの層間絶縁膜の段差を低減して層間絶縁膜の平坦化を容易にできる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A conductive material of an index body 10 is filled and formed in a dent formed in an interlayer dielectric film 21 without penetrating the interlayer dielectric film 21 so as to positionally conform to under the wiring part 24 existing just over it (so as to be involved in the wiring part 24 in planar view).例文帳に追加

指標体１０は、その直上に存する配線部２４下に位置整合するように（平坦視では配線部２４に内包されるように）、層間絶縁膜２１内で当該層間絶縁膜２１に非貫通で形成された窪み内に導電材料が充填されて形成されている。 - 特許庁

The nonvolatile memory element 10 is configured with an interlayer dielectric 11 with a contact hole 11a, a lower electrode 12 provided in the contact hole 11a, an adhesive layer 14 provided on the interlayer dielectric 11 in this order, the recording layer 15, and an upper electrode 16.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子１０は、コンタクトホール１１ａを有する層間絶縁膜１１と、コンタクトホール１１ａ内に設けられた下部電極１２と、層間絶縁膜１１上にこの順に設けられた接着層１４、記録層１５及び上部電極１６とを備えて構成されている。 - 特許庁

The Al-Cu film 12 of a lower layer side wiring layer and the TiN film 13 of a barrier metal are formed on a silicon substrate 11 and the d-TEOS film 15 of an interlayer insulating film is formed thereon as an interlayer wiring layer 14 to bury W plugs 16a, 16b and flatten them.例文帳に追加

シリコン基板１１上に下層側配線層のＡｌ−Ｃｕ膜１２、バリアメタルのＴｉＮ膜１３を形成し、この上に層間配線層１４として層間絶縁膜のｄ−ＴＥＯＳ膜１５を形成してＷプラグ１６ａ，１６ｂを埋め込み平坦化する。 - 特許庁

This trimming equipment 10 can enhance production efficiency and also can contemplate to shorten production lines because a process of laminating a first glass plate G1, a second glass plate G2 and an interlayer 16 and a process of cutting a piece of the interlayer can be performed at the same position (laminating position 12) in the production line.例文帳に追加

トリミング装置１０は、第１のガラス板Ｇ１、第２のガラス板Ｇ２及び中間膜１６の積層工程と膜片の切断工程とを生産ラインの同一ポジション（積層位置１２）で実施するので、生産効率を高めるとともに生産ラインの短縮化を図ることができる。 - 特許庁

After forming the alumina mask 32a on the top of the interlayer insulation film 30 consisting of the SiOC film of a low dielectric constant through a cap insulating film 31, the cap insulating film 31 and the interlayer insulation film 30 are dry-etched with a photoresist film as a mask to form a via hole 37.例文帳に追加

低誘電率のＳｉＯＣ膜からなる層間絶縁膜３０の上部にキャップ絶縁膜３１を介してアルミナマスク３２ａを形成した後、フォトレジスト膜をマスクにしてキャップ絶縁膜３１と層間絶縁膜３０とをドライエッチングすることによりビアホール３７を形成する。 - 特許庁

After the second interlayer insulating film 108 and the first interlayer insulating film 107 are dry etched with a resist pattern 109 as a mask to form a contact hole 110, the resist pattern 109 is removed, and thereafter the contact hole 110 is cleaned by using a cleaning liquid containing a hydrofluoric acid.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０８及び第１の層間絶縁膜１０７に対してレジストパターン１０９をマスクにドライエッチングを行なってコンタクトホール１１０を形成した後、レジストパターン１０９を除去し、その後、フッ酸を含む洗浄液を用いてコンタクトホール１１０を洗浄する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 13 is formed to cover the emitter electrode 12E and the base electrode 12B, and bonding pads 14E and 14B are formed on the upper layer of a device to be in contact with the emitter electrode 12E and the base electrode 12B respectively by means of the interlayer insulation film 13.例文帳に追加

そして、エミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂを被覆する層間絶縁膜１３を形成し、層間絶縁膜１３を介してエミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂとそれぞれコンタクトを取るためのボンディングパッド１４Ｅ及び１４Ｂをデバイスの上層に形成する。 - 特許庁

To provide a solid state image sensor capable of covering an imaging region with an interlayer insulating film excellent in film thickness accuracy, suppressing sufficiently parasitic capacitance between wiring on the interlayer insulating film and a lower layer at a peripheral circuit region, and thus improving an imaging property.例文帳に追加

膜厚精度良好な層間絶縁膜で撮像領域を覆うとともに、周辺回路領域においては層間絶縁膜上の配線と下層との間の寄生容量を十分に抑えることができ、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The pattern forming material has on a support a cushion layer, a barrier layer capable of suppressing transfer of a substance, and a photosensitive layer in this order, wherein the interlayer adhesive power of the photosensitive layer and the barrier layer is smallest among all the interlayer adhesive powers of layers.例文帳に追加

支持体上に、クッション層と、物質の移動を抑制可能なバリア層と、感光層とをこの順に有し、各層の層間接着力の中で前記感光層と前記バリア層との層間接着力が最も小さいことを特徴とするパターン形成材料である。 - 特許庁

In the interlayer insulator film, a contact hole (89) which electrically connects the TFT and the pixel electrode is provided and filling material consisting of conductive materials is prepared for all regions of the inside of the hole and flattening treatment is applied to the surface of the interlayer insulator film.例文帳に追加

このうち層間絶縁膜には、ＴＦＴ及び画素電極間を電気的に接続するコンタクトホール（８９）が備えられており、その内部の全領域には導電性材料からなる充填材（４０９ａ）を備えてなり、前記層間絶縁膜の表面は平坦化処理が施されている。 - 特許庁

Also, a Locos oxide film 12 is formed on the element region by thermal oxidation treatment, an interlayer insulation film 13 is formed on the Locos oxide layer 12, and a collector electrode 14, a base electrode 15, and an emitter electrode 16 through the interlayer insulation film 13 are connected.例文帳に追加

また、素子領域の上には、熱酸化処理によってＬｏｃｏｓ酸化膜１２が形成されており、このＬｏｃｏｓ酸化層１２の上には層間絶縁膜１３が形成され、層間絶縁膜１３を貫通するコレクタ電極１４、ベース電極１５、エミッタ電極１６が接続されている。 - 特許庁

Furthermore, in an interlayer insulating film interposed between the heating section and the detection electrode, a plurality of contact holes filled up with a material having a thermal conductivity higher than those of the substrate and the interlayer insulating film are disposed, and respective detection electrodes are connected through the heating elements and the contact holes different from each other.例文帳に追加

そして、発熱部と検出電極との間に介在される層間絶縁膜に、基板及び層間絶縁膜よりも熱伝導率の高い材料が充填された複数のコンタクトホールが設けられ、各検出電極は互いに異なる発熱素子とコンタクトホールを介して接続されている。 - 特許庁

The stress relaxation film 46 is formed from a doped silicon oxide film, disposed in contact with the third interlayer insulation film 44 while having a thermal expansion coefficient different from that of the third interlayer insulation film 44, and also in contact with the pixel electrode 9a while having a thermal expansion coefficient different from that of the pixel electrode 9a.例文帳に追加

応力緩和膜４６は、ドープトシリコン酸化膜からなり、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接するとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。 - 特許庁

A semiconductor wafer 102 is subjected to nitrogen plasma processing either after a step of forming a resist pattern 19 on an interlayer dielectric 18 and thereafter dry-etching the interlayer dielectric 18 or after a step of further dry-etching a stressor SiN film 17 with the resist pattern 19 removed therefrom.例文帳に追加

層間絶縁膜１８にレジストパターン１９を設けたうえで層間絶縁膜１８をドライエッチングする工程の後と、レジストパターン１９を除去した状態のストレッサーＳｉＮ膜１７をさらにドライエッチングする工程の後とのうちのいずれかの時点で、半導体ウェーハ１０２を窒素プラズマ処理する。 - 特許庁

To form a polishing stopper film with a low dielectric constant on an organic interlayer insulating film of a semiconductor device having a multi-layered wiring structure with the organic interlayer insulating film and to form a wiring pattern of an upper layer stably in a favorable yield even if a lower-layer wire is dished.例文帳に追加

有機層間絶縁膜を有する多層配線構造を備えた半導体装置において、前記有機層間絶縁膜上に、低誘電率の研磨ストッパ膜を形成し、さらに下層配線パターンにディッシングが生じた場合にも上層の配線パターンを歩留まり良く、安定して形成する。 - 特許庁

Since a via conductor 34 formed on an insulation layer 32 and a via conductor 70 formed on interlayer resin insulation layer 68 are tapered in the opposite directions, directions of warpage of the insulation layer 32 and the interlayer resin insulation layer 68 are reversed, thus offsetting generated stresses.例文帳に追加

絶縁層３２に形成されるビア導体３４と、層間樹脂絶縁層６８に形成されるビア導体７０とが、テーパの方向が逆であるので、該絶縁層３２と該層間樹脂絶縁層６８とで生じる反りの方向が逆となって、発生する応力を互いに打ち消し合う。 - 特許庁

Since a convex portion of the first interlayer insulating film 92 having a height corresponding to the film thickness of the first Al layer 94 exists on the light receiver where the pattern of the first Al layer 94 is not formed, the surface of a second interlayer insulating film 96 laminated thereon is formed flatly.例文帳に追加

第１Ａｌ層９４のパターンが形成されない受光部に、第１Ａｌ層９４の膜厚に応じた高さの第１層間絶縁膜９２の凸部が存在することで、その上に積層される第２層間絶縁膜９６の表面が平坦に形成される。 - 特許庁

To restrain teardown and film peeling of an interlayer insulating film in a semiconductor element having the interlayer insulating film whose mechanical strength is weak, by reducing stress to the semiconductor element which is generated by difference in thermal expansion coefficients of the semiconductor element and insulating material formed in periphery of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子と半導体素子の周囲に形成された絶縁材料との熱膨張係数の違いにより生じる半導体素子への応力を低減し、機械的強度の弱い層間絶縁膜を有した半導体素子における層間絶縁膜の破壊及び膜剥がれを抑止する。 - 特許庁

Thereafter, an interlayer insulation film is formed to cover an isolation region, the Si active layer region, the gate electrode and the sidewall, and a contact hole for electrical connection is made in the interlayer insulation film at a position on the border line of the isolation region and the silicide film.例文帳に追加

次に、前記の素子分離領域，Ｓｉ活性層領域，ゲート電極，サイドウォールを覆うように層間絶縁膜を形成した後、その層間絶縁膜に対し素子分離領域とシリサイド膜との境界線上の位置で電気的接続用のコンタクト孔を開孔する。 - 特許庁

After the process of flattening the uppermost surface ISF, the uppermost surface ISF of the first interlayer insulation film II4 in the pixel region PDR is flat, and a step HP2 is formed on the uppermost surface ISF of the first interlayer insulation film II4 in the peripheral region PCR.例文帳に追加

最上面ＩＳＦを平坦化する工程の後において、画素領域ＰＤＲにおける第１の層間絶縁膜ＩＩ４の最上面ＩＳＦは平坦であり、周辺領域ＰＣＲにおける第１の層間絶縁膜ＩＩ４の最上面ＩＳＦには段差ＨＰ２が形成されている。 - 特許庁

Since the viscous-type damper 14 depends on speed, its vibration reducing force F reaches its peak at the origin (the interlayer displacement amount δ=0) where the repetitive horizontal deformation speed of the frame 12 shows maximum value, and becomes zero at the quiescent point (the interlayer displacement amount δ=±δ_1) where the horizontal deformation direction of the frame 12 becomes opposite.例文帳に追加

粘性型ダンパー１４は速度に依存するため、その振動低減力Ｆは、架構１２の繰り返し水平変形速度が最大となる原点（層間変位量δ＝０）で最大となり、架構１２の水平変形方向が逆向きとなる静止点（層間変位量δ＝±δ_１）でゼロとなる。 - 特許庁

On the surface of the interlayer dielectric 73 (second interlayer dielectric), second through-holes (display region-side second through-holes 73a and peripheral region-side second through-holes 73b) are opened, of which the opening density in the peripheral region 10b is higher as compared with the display region 10a.例文帳に追加

層間絶縁膜７３（第２層間絶縁膜）の表面では、周辺領域１０ｂにおける開口密度が表示領域１０ａにおける開口密度に比して高い第２スルーホール（表示領域側第２スルーホール７３ａおよび周辺領域側第２スルーホール７３ｂ）が開口している。 - 特許庁

The optical disk device has such a constitution that: an light spot is positioned on a predetermined interlayer interference evaluation area on the disk to detect the tracking error signal in this area; and the quality of the tracking error signal is evaluated by a process to perform a predetermined signal processing and calculate an interlayer interference evaluation value.例文帳に追加

ディスク上の所定の層間干渉評価領域に光スポットを位置づけ、当該領域においてトラッキング誤差信号を検出し、所定の信号処理を行って層間干渉評価値を演算する手順によってトラッキング誤差信号の品質を評価する構成とする。 - 特許庁

The average diameter of holes 10 and holes 11 inside an interlayer insulation film IL2 in a second fine layer 2 composed of porous Low-k film is adjusted to 1.0 nm or more but less than 1.45 nm in order to prevent an altered layer CL from being formed on the surface of the interlayer insulation film IL2 by process damage.例文帳に追加

ポーラスＬｏｗ−ｋ膜からなる第２ファイン層の層間絶縁膜ＩＬ２内の空孔１０および空孔１１の平均径を１．０ｎｍ以上１．４５ｎｍ未満とすることで、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a photoelectric converter PTO formed on a semiconductor substrate SUB, a stopper film AL1 at a mark part, a first interlayer insulating film II2 formed on the stopper film AL1 and the photoelectric converter PTO, a first metal wiring AL2, and a second interlayer insulating film II3.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢに形成された光電変換素子ＰＴＯと、マーク部のストッパ膜ＡＬ１と、ストッパ膜ＡＬ１上および光電変換素子ＰＴＯ上に形成された第１の層間絶縁膜ＩＩ２と、第１の金属配線ＡＬ２と、第２の層間絶縁膜ＩＩ３とを備える。 - 特許庁

Additionally, the semiconductor device 50 is formed by passing through the inside of an interlayer insulating film 12 between an upper surface of the interlayer insulating film 12 and upper surfaces of the polysilicon regions 17 and 18, and is provided with contact holes 13 and 15 of which insides are filled by polysilicon plug having a function as the gettering.例文帳に追加

また、半導体装置５０は、層間絶縁膜１２の上面とポリシリコン領域１７，１８の上面との間で層間絶縁膜１２内を貫通して形成され、ゲッタリングサイトとしての機能を有するポリシリコンプラグによって内部が充填されたコンタクトホール１３，１５を備えている。 - 特許庁

After a first lower layer platinum film 15a is formed on a wall and bottom of a concave section of a second interlayer insulation film 14, and on the second interlayer insulation film 14 by a sputtering method, a second lower layer platinum film 15b is formed on the first lower layer platinum film 15a by CVD method.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１４の凹部の壁面及び底面並びに第２の層間絶縁膜１４の上面にスパッタ法により第１の下層白金膜１５ａを形成した後、該第１の下層白金膜１５ａの上にＣＶＤ法により第２の下層白金膜１５ｂを形成する。 - 特許庁

In an element substrate 10 of a liquid crystal device 100, on a surface of an interlayer insulating film 72 (a first interlayer insulating film), first through-holes 72a on a display area side of a display area 10a and first through-holes 72b on a surrounding area side of a surrounding area 10b have openings in a density equivalent to each other.例文帳に追加

液晶装置１００の素子基板１０において、層間絶縁膜７２（第１層間絶縁膜）の表面では、表示領域１０ａの表示領域側第１スルーホール７２ａと周辺領域１０ｂの周辺領域側第１スルーホール７２ｂとが同等の密度で開口している。 - 特許庁

Even if reflow process of the interlayer insulating film 10 is performed in wet atmosphere, amount of oxidation of the gate electrode 9 can be reduced as compared with a conventional case where rounding oxidation of the gate electrode 9 and reflow process of the interlayer insulating film 10 are performed separately.例文帳に追加

これにより、層間絶縁膜１０のリフロー処理をウェット雰囲気で行ったとしても、従来のようにゲート電極９の丸め酸化と層間絶縁膜１０のリフロー処理とを別々に行う場合と比べて、ゲート電極９の酸化量を少なくすることが可能となる。 - 特許庁

To provide an apparatus for cutting an interlayer which has a simple structure, is compact, can easily adjust each part, provides a simple motion of a cutter, can cut an interlayer of a laminated glass during transportation thereof, has a long cutter life, and can reduce breakage of a glass end, and to provide a method using the apparatus.例文帳に追加

単純な構造でコンパクトであり各部の調整が簡単で、カッターの動きが単純で搬送中の合わせガラスの中間膜も切断可能で、しかもカッター寿命が長く、ガラス端部の破損を削減することが可能な中間膜の切断装置及び切断方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid to be used for barrier metal chemical-mechanical polishing (CMP) for polishing a barrier layer and an interlayer insulating film, in particular, a polishing liquid capable of obtaining an excellent polishing speed with respect to the interlayer insulating film and simultaneously achieving reduction in corrosion on a surface after polishing and in organic residual.例文帳に追加

本発明は、バリア層と層間絶縁膜を研磨するバリアメタルＣＭＰに用いられる研磨液であって、特に、層間絶縁膜に対する優れた研磨速度が得られ、且つ、研磨後表面のコロージョン、有機物残渣の低減を同時に実現し得る研磨液を提供することを目的とする。 - 特許庁

A multilayer wiring structure is formed on a substrate 2, which comprises an interlayer insulating film where fluorinated arylene films 6, 16, and 26 which do not contain vacancy as an organic film and SiC films 8, 14, 18, 24, and 28 as an inorganic film are laminated, and wirings 12 and 32 formed in the interlayer insulating film.例文帳に追加

基板２上に、空孔を含まない有機膜としてのフッ素化アリレン膜６，１６，２６と無機膜としてのＳｉＣ膜８，１４，１８，２４，２８とを積層してなる層間絶縁膜と、この層間絶縁膜内に形成された配線１２，３２とを有する多層配線構造を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has stacked-layer gate electrodes (1 to 7) formed on a semiconductor substrate (1), and an interlayer insulating film (10A) formed on the semiconductor substrate (1) so as to embed itself between the stacked-layer gate electrodes (1 to 7), wherein the impurity concentration within the interlayer insulating film (10A) is nonuniform in the thickness direction.例文帳に追加

半導体基板(1)上に形成された積層ゲート電極(1〜7)と、半導体基板(1)上に、積層ゲート電極(1〜7)間を埋め込むように形成された層間絶縁膜(10A)とを備えた半導体装置であって、層間絶縁膜(10A)中の不純物濃度が、膜厚方向において不均一である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an interlayer capable of forming a range which almost does not have coloration without depending on its shape, freely and without forming distortion, at a colored part of an interlayer for a laminated glass for vehicle having a colored part for forming a shade band.例文帳に追加

本発明は、シェードバンド形成のための着色部を有する車両合わせガラス用中間膜の着色部に、その形状によらずに自在にかつ歪を生じさせずに着色の殆どない領域を形成させることが可能な該中間膜の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A tungsten film 7a is formed inside a connection hole 5 reaching the lower wiring layer 3 and on the surface of an interlayer insulating film 4 through a barrier metal layer (TiN film/Ti film) 6, and an etching back process is performed on the whole surface to form the tungsten plug 7 and to expose the barrier metal layer 6 on the interlayer insulating film 4.例文帳に追加

下層配線層３に達する接続孔５内および層間絶縁膜４表面にバリアメタル層（ＴｉＮ膜／Ｔｉ膜）６を介してタングステン膜７ａを成膜し、全面エッチバックによりタングステンプラグ７を形成して層間絶縁膜４上のバリアメタル層６を露出させる。 - 特許庁

A groove portion 10 is formed on an interlayer insulating film 4 formed on a substrate, a barrier/seed film 6 is formed on an interlayer insulating film 3 including the inner wall of the groove portion 10, and a copper 7 is embedded in the groove portion 10 by an electrolytic method, with the barrier/seed film 6 used as an electrode.例文帳に追加

基板上に形成された層間絶縁膜４に溝部１０を形成した後、溝部１０の内壁を含む層間絶縁膜３上にバリアシード膜６を形成し、バリアシード膜６を電極として、電解メッキ法により溝部１０内に銅７を埋め込む。 - 特許庁

A black layer 32 is formed on a surface outside of a conductive layer 12, a hole is made in an interlayer insulating layer 21 covering the black layer 32, and the conductive layer 12 is etched through the hole to form a hole pattern 31 having holes made through the conductive layer 12 and the interlayer insulating layer 21.例文帳に追加

導体層１２の外向きの面に黒化層３２を形成し，黒化層３２を覆う層間絶縁層２１にレーザ加工により穴を開け，この穴を通して導体層１２をエッチングし，導体層１２および層間絶縁層２１を貫通する穴パターン３１を形成する。 - 特許庁

After a second interlayer insulating film 35 is formed, by causing the second interlayer insulating film 35 to self-align with the bit lines 29 and the insulating spacer 33, a fourth opening 37 for exposing the surface of the second pad layer 25b' is formed, and by filling the opening 37 with a conductive material, a storage electrode 39 is formed thereon.例文帳に追加

第２層間絶縁膜３５を形成した後、ビットライン２９と絶縁性スペーサ３３に自己整合させて、第２パッド層２５ｂ’の表面を露出させるまでの第４開口部３７を形成して、これを導電性物質で埋立て、その上にストレージ電極３９を形成する。 - 特許庁

In a scribe line, a region where interlayer insulating films 2, 4 and 6 do not exist on both sides of the scribe line and a surface of a semiconductor substrate 1 is exposed is provided, and the interlayer insulting films 2, 4 and 6 are left at a middle position of the scribe line, namely in a region held between grooves T.例文帳に追加

スクライブライン内において、スクライブラインの両側では層間絶縁膜２、４、６が存在せず半導体基板１の表面が露出する領域を設け、スクライブラインの中央位置、つまり溝Ｔの間に挟まれた領域には層間絶縁膜２、４、６を残す。 - 特許庁

The carbon nanotube structure is constituted of a first wiring layer 21, an interlayer insulating film 22, and a second wiring layer 23 laminated sequentially; and a via 26 with the carbon nanotube bundle 25 formed to connect electrically the first wiring layer 21 to the second wiring layer 23 in a via hole 24 passing through the interlayer insulating film 22.例文帳に追加

第１配線層２１、層間絶縁膜２２、第２配線層２３が順次積層され、層間絶縁膜２２を貫通するビアホール２４に、第１配線層２１と第２配線層２３を電気的に接続するカーボンナノチューブ束２５が形成されてなるビア２６から構成する。 - 特許庁

The invention relates to the multilayer paperboard comprising at least a surface layer, a back layer and an interlayer composed of a layer or a plurality of layers installed between the surface layer and the back layer, wherein the surface layer and the back layer have water and oil absorbing property and the interlayer has at least a layer having the oil and water resistant property.例文帳に追加

少なくとも表層、裏層、及び表層と裏層との間に配置される１層又は複数層から成る中間層を有する多層抄き板紙であって、表層及び裏層は吸水・吸油性を有し、中間層は少なくとも耐油・耐水性を有する層を有する。 - 特許庁

To prevent separation between an interlayer insulating film and a phase transformation film which constituts a memory layer of a phase transformation memory, and to prevent such a malfunction as the diffusion of constituent atoms of an adhesive layer interposed between the interlayer insulating film, and the diffusion of the phase transformation film in the phase transformation film to fluctuate characteristics of the phase transformation film.例文帳に追加

相変化メモリの記憶層を構成する相変化膜と層間絶縁膜との剥がれを防止すると共に、層間絶縁膜と相変化膜との間に介在する接着層の構成原子が相変化膜内に拡散して相変化膜の特性を変動させる不具合を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, an electrooptic apparatus and a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus capable of avoiding part of interlayer insulating films in the vicinity of the boundary face from being hollowed out in the case of forming a contact hole penetrated through the interlayer insulating films of at least two layers or over.例文帳に追加

少なくとも２層以上の層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する際に、界面付近で発生するえぐれを解消することができる半導体装置及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供すること。 - 特許庁

The compound metal foil is used which is obtained by a method wherein a rolling compound metal foil in which strength of adhesive bonding (interlayer strength) between a copper layer and an aluminum layer is smaller than 3 N/cm is heated at 180-350°C under non-pressurizing condition and the interlayer strength is made at least 6 N/cm.例文帳に追加

銅層とアルミニウム層との接着強度（層間強度）が３Ｎ／ｃｍ未満の圧延複合金属箔を、無加圧条件下１８０〜３５０℃で加熱することにより前記層間強度を６Ｎ／ｃｍ以上とする方法で得られた、複合金属箔を用いる。 - 特許庁