「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for forming an interlayer insulating film is characterized in that an interlayer insulating film is formed on a substrate using a gas containing an insulating film material (known compound including silicon and CH_3) and nitrogen by a plasma CVD method.例文帳に追加

層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料と、窒素を含有するガスとを用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element having an interlayer insulating film with excellent heat resistance and light resistance and having a high voltage holding rate, and to provide a positive radiation-sensitive composition having excellent storage stability and suitable for forming the interlayer insulating film.例文帳に追加

本発明は、優れた耐熱性及び耐光性を有する層間絶縁膜を備え、高い電圧保持率を有する液晶表示素子、及び保存安定性に優れ、かつ上記層間絶縁膜の形成に好適なポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

After that, a via hole reaching the tantalum nitride film is formed by wet etching on the second interlayer dielectric formed on the first interlayer dielectric, a metal film is deposited by second sputtering to form the metal film in the via hole, and a via connected to the tantalum nitride film is formed.例文帳に追加

その後、第１層間絶縁膜上に形成した第２層間絶縁膜に窒化タンタル膜に至るビアホールを湿式エッチングにより形成し、第２スパッタリングにより金属膜を堆積して前記ビアホール内に金属膜を形成し、前記窒化タンタル膜に接続するビアを設ける。 - 特許庁

To provide a laminated coil component capable of improving filling performance for conductive paste into a through-hole for interlayer connection, improving connectability between a beltlike coil conductor pattern and a via-hole conductor for interlayer connection, and obtaining large inductance.例文帳に追加

層間接続用貫通孔への導電ペーストの充填性を向上させ、かつ、帯状コイル導体パターンと層間接続用ビアホール導体との接続性を向上させることができるとともに、大きなインダクタンスを得ることができる積層コイル部品及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for an interlayer insulation film of a semiconductor device capable of ensuring adequate developability and enabling image to be formed with good resolution in a thick film while using a polyimide resin precursor, and enabling an interlayer insulation film excellent in flexibility to be formed.例文帳に追加

ポリイミド樹脂前駆体を用いつつ、十分な現像性を得ることができ、厚膜で解像度よく像形成を行うことが可能であり、且つ、可とう性に優れた層間絶縁膜を形成することが可能な半導体素子の層間絶縁膜用感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

This semiconductor device comprises an aluminum wiring layer 14 formed on a semiconductor substrate, an interlayer insulating film 16 formed on the aluminum wiring layer 14, and a gold wiring layer 19 formed on the interlayer insulating film 16 as an uppermost layer wiring layer composed of a gold layer.例文帳に追加

この半導体装置は、半導体基板上に形成されたアルミニウム配線層１４と、このアルミニウム配線層１４上に形成された層間絶縁膜１６と、この層間絶縁膜１６上に形成され、金層からなる最上層配線層としての金配線層１９とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device achieving short time formation of an interlayer dielectric with a flat surface and ensuring long-term reliability against contamination of a semiconductor substrate with metal ions without increasing the thickness of the interlayer dielectric, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

平坦な表面を有する層間絶縁膜を短時間で形成することができ、また、層間絶縁膜の厚さの増大を招くことなく、金属イオンによる半導体基板の汚染に対する長期信頼性を保証することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The heat ray-absorbing laminated glass is obtained by sticking at least one pair of glass sheets together by way of an interlayer, wherein at least the glass sheets or the interlayer constituting the laminated glass contains a compound containing a divalent copper ion as a constituent.例文帳に追加

少なくとも一対の板ガラスが中間膜を介して貼り合わされた合わせガラスであって、該合わせガラスを構成する板ガラス及び中間膜のうちの少なくとも１つが、２価の銅イオンを構成成分とする化合物を含有することを特徴とする熱線吸収性合わせガラス。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass excellent in adhesiveness with glass regardless of using polyvinyl alcohol resin as a raw material, hardly causing bubbling or variation of physical properties derived from water absorption as causative; and laminated glass made by using the interlayer for laminated glass.例文帳に追加

ポリビニルアルコール樹脂を材料として用いるにもかかわらず、ガラスとの接着性に優れ、吸水が原因となり引き起こされる発泡や物性変化が生じにくい合わせガラス用中間膜、及び、該合わせガラス用中間膜を用いてなる合わせガラスを提供する。 - 特許庁

This semiconductor device is equipped with a lower conductive layer 124 formed on a semiconductor substrate 100, an interlayer dielectric layer 150 that covers the lower conductive layer 124, contact holes 160-164 formed inside the interlayer dielectric layer 150, and contact plugs 170-174 that embed the contact holes 160-164.例文帳に追加

半導体基板１００上に形成された下部導電層１２４、下部導電層１２４を覆う層間絶縁膜１５０、層間絶縁膜１５０内に形成されるコンタクトホール１６０〜１６４、及びコンタクトホール１６０〜１６４を埋めるコンタクトプラグ１７０〜１７４を備える。 - 特許庁

A gate electrode 17 is disposed in a gate trench 15 formed on a silicon substrate 10, a top surface of the gate electrode 17 is coated with an interlayer dielectric 20, and the source electrodes 21 are disposed on the top surface of the interlayer dielectric 20 and above a top surface of the silicon substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０に形成されたゲートトレンチ１５内にゲート電極１７が配置され、ゲート電極１７の上面が層間絶縁膜２０で被覆され、ソース電極２１が層間絶縁膜２０の上面およびシリコン基板１０の上面に配置されている。 - 特許庁

This device contains a silicon substrate 10 on which a MOS element 14 and an element-isolation region 12 are formed, a first interlayer insulation layer 20 formed on the silicon substrate 10, and a metallic wiring layer 30 (and 50) formed on the first interlayer insulation layer 20.例文帳に追加

多層配線構造を有する半導体装置は、ＭＯＳ素子１４および素子分離領域１２が形成されたシリコン基板１０、シリコン基板の上に形成された第１の層間絶縁層２０、および第１の層間絶縁層より上に形成された金属配線層３０（および５０）を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method where an interlayer insulating resin and the barrier metal of a plated wiring uppermost layer can obtain high adhesiveness, for a method for obtaining the adhesiveness between a fine wiring surface and the interlayer insulating resin especially in the wiring transfer method of a multilayer interconnection board.例文帳に追加

多層配線板の、特に配線転写工法における微細配線表面と層間絶縁樹脂の密着性を得る方法に関する問題に鑑み、層間絶縁樹脂とメッキ配線最上層のバリアメタルとが高い密着性を得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

After an interlayer insulating film 3 is formed on a semiconductor substrate 1, a contact hole 3a is formed on the interlayer insulating film 3, and a barrier metal layer 4 composed of a titanium (Ti) layer 4a and a nitride titanium (TiN) layer 4b is formed in a bottom part and the side wall of the contact hole 3a.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜３を形成し、層間絶縁膜３にコンタクトホール３ａを形成した後に、コンタクトホール３ａの底部および側壁に、チタン（Ｔｉ）層４ａおよび窒化チタン（ＴｉＮ）層４ｂからなるバリアメタル層４を形成する。 - 特許庁

A second conductive layer 13 of a ground potential is formed via a first interlayer insulating film 12 on a semiconductor substrate 11 of low resistance, such as the Si substrate and first and second conductive patterns 15 and 16 are formed via a thick (4.7 μm, for instance) second interlayer insulating film 14 on it.例文帳に追加

Ｓｉ基板等の低抵抗の半導体基板１１上に第１の層間絶縁膜１２を介してグランド電位の第２の導電層１３を形成し、その上に厚い（例えば４．７μｍ）第２の層間絶縁膜１４を介して第１、第２の導電パターン１５、１６を形成する。 - 特許庁

Therefore, since several kinds of interference type filter layers are respectively arranged on the different layer through the interlayer film, the interlayer film being foundation functions as an etching stopper or an etching buffer in the case of patterning the filter layers, and dry etching can be performed to realize the scale-down of the color filter.例文帳に追加

したがって、複数種類の干渉型フィルタ層が層間膜を介してそれぞれ別々の層に配置されているため、各フィルタ層をパターニングする際に、下地の層間膜画エッチングストッパ若しくはエッチングバッファとして機能し、ドライエッチングが可能となりカラーフィルタの微細化が可能となる。 - 特許庁

To provide a roughening method for Cu plating wiring which provides a higher firm sticking property of fine wiring and interlayer insulating layer relating to a method of obtaining the firm sticking property of the fine wiring and the interlayer insulating resin in manufacturing of a multilayered wiring board and satisfies electric characteristics.例文帳に追加

多層配線板の製造における微細配線と層間絶縁樹脂の密着性を得る方法に関する問題に鑑み、さらなる微細配線と層間絶縁層が高い密着性を得るとともに電気特性も満足するＣｕメッキ配線の粗化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly durable transparent hard coating film which can assure interlayer adhesive properties even when a hard coating layer is laminated in order to solve problems which cannot assure a working easiness, which are further difficult to stabilize a surface modifying effect, and which do not hence stabilize the interlayer adhesive properties.例文帳に追加

作業容易性を確保できず、さらに表面改質効果を安定させることも困難であり、ひいては層間密着性が安定しない、という問題点を克服すべく、ハードコート層を積層しても層間密着性を確保可能とした、高耐久性透明ハードコートフィルムを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is configured such that an opening size of an interlayer film of a portion closest to a bottom of a contact hole is larger than that of a semiconductor layer, and that a step part between the interlayer film and the semiconductor layer produced by a difference between the sizes of the openings is filled with an insulating film.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、コンタクトホールの底部にもっとも近い部分の層間膜の開口径より半導体層の開口径が大きく、その開口径の差で生じる層間膜と半導体層との間の段差部を絶縁膜で埋める構成を有している。 - 特許庁

To provide a method for forming a multilayer wiring and an electronic device by which no special step is conducted to flat a substrate by forming an interlayer insulating film through liquid-phase film formation, and a step can be simplified by such elimination of a separate step to form a contact hole in the interlayer insulating film.例文帳に追加

液相成膜で層間絶縁膜を形成することで、特殊な工程を用いずに基板の平坦化が可能となり、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程が別途不要なので、工程の簡素化が実現できる多層配線の形成方法および電子デバイスを提供すること。 - 特許庁

Erosion is generated in a comparatively dense contact hole forming area by forming a comparatively dense contact hole in one region in the interlayer insulating film, forming a comparatively coarse contact hole in the other region, and implementing CMP to the surface of the interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜中の一方領域においてコンタクトホールを比較的密に形成し、他方領域においてはコンタクトホールを比較的疎に形成して、層間絶縁膜の表面にＣＭＰを施すことにより、比較的密なコンタクトホールの形成部分にエロージョンを発生させる。 - 特許庁

Consequently, there are discharged a by-product staying on an interface between an upper protective film 6 and a low dielectric interlayer insulating film 5 and a by-product staying on an interface between the etching stopper film 4 and the low dielectric interlayer insulating film 5, and hence it is possible to reduce the remaining amount of such by-products.例文帳に追加

これにより上部保護膜６と低誘電率層間絶縁膜５との界面に滞留した副生成物、およびエッチングストッパ膜４と低誘電率層間絶縁膜５との界面に滞留した副生成物が放出され、副生成物の残留量を減少させることができる。 - 特許庁

On a substrate 1, a lower mask 7 composed of an inorganic interlayer film 5, an organic interlayer film 6 and a silicon oxide film and an upper mask 8 composed of a silicon nitride film are formed and a cover mask 10 composed of a silicon oxide nitride film in a thickness of 20 to 100 nm is formed on the upper mask 8.例文帳に追加

基板１上に無機層間膜５、有機層間膜６、シリコン酸化膜からなる下部マスク７、シリコン窒化膜からなる上部マスク８を形成し、上部マスク８上にシリコン酸化窒化膜からなり膜厚が２０乃至１００ｎｍであるカバーマスク１０を形成する。 - 特許庁

On the entire surface of the TMR element 5 as well as on the upper surface of the TMR lower electrode 28, an interlayer insulating film 30 formed of LT-SiN is formed, with an interlayer insulating film 32 of LT-SiN formed to cover the entire surface including the side surface of the TMR lower electrode 28.例文帳に追加

ＴＭＲ素子５の全面及びＴＭＲ下部電極２８の上面上にＬＴ−ＳｉＮより形成される層間絶縁膜３０が形成され、ＴＭＲ下部電極２８の側面を含む全面を覆ってＬＴ−ＳｉＮよりなる層間絶縁膜３２が形成される。 - 特許庁

A semiconductor device has a first wiring layer 13, an interlayer insulating layer 15 made on the first wiring layer 13, a via plug 16a made inside the interlayer insulating film 15 and made on the first wiring laeyr 13, and second wiring layers 17 and 19 connected with the via plug 16a.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、第１配線層１３と、第１配線層１３上に形成された層間絶縁膜１５と、層間絶縁膜１５内に形成され第１配線層１３上に形成されたビアプラグ１６ａと、ビアプラグ１６ａと接続する第２配線層１７、１９とを有する。 - 特許庁

A region overlapping the conductive material layer 20 between the interlayer insulating layer 26 and the gate insulating layer 22, and the conductive material layer 20 are irradiated with a laser beam, thereby forming a via hole 28 piercing the interlayer insulating layer 26 and the gate insulating layer 22 but not piercing the conductive material layer 20.例文帳に追加

層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２との導電材料層２０にオーバーラップする領域と、導電材料層２０とにレーザ光を照射し、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２とは貫通するが、導電材料層２０は貫通しないビアホール２８を形成する。 - 特許庁

The pieces of the electrode wiring 19a and 19b connected electrically to the lower electrode 6a or the upper electrode 6c upward of the capacity element 6 from among each wiring 12, 19a and 19b are provided in an n+1-th layer interlayer insulating film 15 provided on the interlayer insulating film 8.例文帳に追加

各配線１２，１９ａ，１９ｂのうち、容量素子６の上方で下部電極６ａまたは上部電極６ｃに電気的に接続された電極用配線１９ａ，１９ｂは、層間絶縁膜８の上に設けられた第ｎ＋１層目の層間絶縁膜１５内に設けられている。 - 特許庁

The high-frequency coaxial cable 10 is obtained by providing an adhesion interlayer 12 composed of the resin composition in the outer periphery of a conductor 11 and further providing a foamed insulating layer 13 composed of a foamed resin in the outer periphery of the adhesion interlayer 12.例文帳に追加

また、本発明に係る高周波同軸ケーブル１０は、導体１１の外周に、本発明に係る樹脂組成物で構成される接着中間層１２を設け、その接着中間層１２の外周に発泡樹脂で構成される発泡絶縁層１３を設けたものである。 - 特許庁

Since in such a case, the first and second polymeric layers have poor interlayer adhesion in the absence of a boron-containing compound, the improvement comprises the inclusion of at least one boron-containing compound in one or both of the first and second polymeric layers in an amount sufficient to improve the interlayer adhesion therebetween.例文帳に追加

改良点は、該第一および第二重合体層の一方または両方に、該第一重合体層と該第二重合体層との間の層間接着性を向上させるのに十分な量で、少なくとも１種のホウ素含有化合物を含有させることを包含することにある。 - 特許庁

Then the inter-layer film 6 is polished, while the polished thickness is controlled by measuring the thickness of the part of the interlayer film 6 which is left on the scribe line 4s with the largest thickness, and the interlayer film 6 on the protruding patterns 4 is removed.例文帳に追加

次いで、スクライブライ４ｓ上において層間膜６の膜厚が最も厚く残る部分における層間膜６の膜厚を測定することで研磨膜厚を管理しながら層間膜６を研磨し、チップ領域１ａ内の凸パターン４上の層間膜６を除去する。 - 特許庁

More specifically, a stepped sloping part having a gradient is formed in the boundary region of the transmissible display part and the reflection display part of the interlayer insulating films 3 and the ends of the electrode materials 4 and 5 constituting the reflection display particularly are positioned on the stepped sloping part of the interlayer insulating films 3.例文帳に追加

具体的は、層間絶縁膜の反射表示部と透過表示部との境界領域に勾配を有する段差傾斜部を形成するとともに、反射表示部を構成する電極材料の端部を層間絶縁膜の段差傾斜部上に位置するように構成する。 - 特許庁

Here, the interlayer insulating film 30 is also formed on the light-receiving surface of the diode 4, and a section on an interlayer insulating film 30a formed on the light-receiving surface is coated with light-transmitting gel 100, such as silicon gel having approximately an equivalent refractive index as the inter-layer insulating film 30.例文帳に追加

ここで、層間絶縁膜３０は該ダイオード４の受光面上にも形成されており、該受光面上に形成された層間絶縁膜３０ａの上は、層間絶縁膜３０と略同等の屈折率を有するシリコンゲル等の光透過性ゲル１００にて覆われている。 - 特許庁

The method of forming the contact structure of wiring contains a step of forming the wiring on the upper face of a substrate, a step of forming an interlayer reactive layer on the wiring by performing an annealing, and a step of forming an electrically conductive layer that is to be electrically connected to the wiring via the interlayer reactive layer.例文帳に追加

基板上部に配線を形成する段階；アニーリングを実施して配線上に層間反応層を形成する段階；層間反応層を経由して配線と電気的に連結される導電層を形成する段階を含む配線の接触構造形成方法。 - 特許庁

A connecting hole 47 is formed first of all with a second insulating film 43 of about 50 nm left therein, in the process to form, to an interlayer insulating film, the connecting hole 47 for connecting the upper and lower wirings to hold the interlayer insulating film with a first insulating film 42 and a second insulating film 43.例文帳に追加

第１の絶縁膜４２と第２の絶縁膜４３とよりなる層間絶縁膜を挟んだ上下の配線を接続する接続孔４７を層間絶縁膜に形成する過程で、まず、第２の絶縁膜４３を５０ｎｍ程度残して接続孔４７を形成する。 - 特許庁

To provide a double-sided copper-clad board useful for manufacturing a high density, high multilayer wiring board in which the occurrence of warpage is prevented even after copper foil is patterned to form a conductor pattern and which has high interlayer adhesion reliability and high interlayer connection reliability.例文帳に追加

銅箔をパターニングして導体パターンを形成した後においても、配線基板に反りが生じず、また、極めて高い層間接着信頼性と層間接続信頼性を有し、高密度で高多層な多層配線基板を作製することができる、両面銅張板を提供する。 - 特許庁

An opening 20b for formation of an upper electrode 24b of the capacitor is made in an interlayer insulating film 19 simultaneously with a via hole 20a, a silicon nitride film 19a as the lowermost layer film of the interlayer insulating film 19 is left on the bottom of the opening to be used for a dielectric film 25 of the capacitor.例文帳に追加

キャパシタの上部電極２４ｂ形成の為の開口部２０ｂはビアホール２０ａと同時に層間絶縁膜１９に開口し、その底部に層間絶縁膜１９の最下層膜であるシリコン窒化膜１９ａを残してキャパシタの誘電体膜２５に用いる。 - 特許庁

To provide a technology for controlling erosion or thinning occurring in a process for removing an unnecessary tungsten film formed on an interlayer insulation film when a plug or buried wiring is formed by filling a trench formed on the interlayer insulation film with a tungsten film.例文帳に追加

層間絶縁膜に形成された溝にタングステン膜を埋め込むことによりプラグあるいは埋め込み配線を形成する際、層間絶縁膜上に形成された不要なタングステン膜を除去する工程で生ずるエロージョンあるいはシニングを抑制できる技術を提供する。 - 特許庁

In the interlayer of an orientational substrate for forming the epitaxial film, which is provided between a base material and an epitaxial film to be formed on at least one surface of the base material, the interlayer has a single layer structure or a multilayer structure of not less than two layers and the layer in contact with the substrate is formed from an indium tin oxide (ITO).例文帳に追加

基材と、基材の少なくとも一方に形成されるエピタキシャル膜との間に設けられるエピタキシャル膜形成用配向基板の中間層において、単層構造又は２層以上の多層構造を有し、基板と接触する層がインジウムスズ酸化物からなる中間層である。 - 特許庁

Only the dummy structure 16 is removed to leave the sidewall films 17, a part of lower-layer wiring 14 is exposed, an opening 18a formed on the interlayer insulation film 18 is embedded with Cu, and the surface layer of Cu is flattened in plane with the surface of the interlayer insulation film 18.例文帳に追加

そして、側壁膜１７が残るようにダミー構造物１６のみを除去し、下層配線１４の表面の一部を露出させ、層間絶縁膜１８に形成された開口１８ａをＣｕで埋め込み、Ｃｕの表層を層間絶縁膜１８の表面に合わせて平坦化する。 - 特許庁

When the interlayer insulating film 22D is made of a negative type material, the predetermined region is exposed with an exposure amount larger than the exposure sensitivity and the region of the interlayer insulating film 22D except the predetermined region is exposed with an exposure amount larger than the exposure amount larger than the exposure sensitivity.例文帳に追加

一方、層間絶縁膜２２Ｄがネガ型の材料からなる場合には、露光感度よりも高い露光量で上記所定の領域を露光すると共にその露光量よりも高い露光量で層間絶縁膜２２Ｄのうち上記所定の領域を除く領域を露光する。 - 特許庁

The first interlayer insulating film 2 containing a first porous low dielectric-constant film 2b is formed on a lower-layer wiring 1, and a first barrier layer 5 and a via plug 6 are formed in via holes 3 formed to the first interlayer insulating film 2 through first side-wall protective films 4 formed on the side walls of the via holes 3.例文帳に追加

下層配線１上に多孔質の第１低誘電率膜２ｂを含む第１層間絶縁膜２が形成され、第１層間絶縁膜２に設けられたビアホール３内にその側壁に設けられた第１側壁保護膜４を介して第１バリア層５およびビアプラグ６が形成される。 - 特許庁

In the organic electric field light-emitting element having an organic layer that includes first and second electron transport layers between an anode and cathode and an interlayer between the first and second electron transport layers, the interlayer includes non-metal complex.例文帳に追加

陽極及び陰極の間に、第一の電子輸送層、第二の電子輸送層、及び前記第一の電子輸送層と前記第二の電子輸送層の間に中間層を含む有機層を有してなり、前記中間層が、金属非含有錯体を含有する有機電界発光素子である。 - 特許庁

As an ultraviolet absorber according to this invention, an interlayer insulating resin including fullerene is used thereby causing no deactivation of the ultraviolet absorber, while they pass through the heating step in the steps of usual drying and hardening and can obtain the interlayer insulating resin having the UV-laser processability.例文帳に追加

本発明の紫外線吸収剤としてフラーレンを含んでなる層間絶縁樹脂を用いることにより、通常、乾燥、硬化させる際に、加熱工程を通ることにより、紫外線吸収剤が失活せずに、ＵＶレーザーの加工性をもつ層間絶縁樹脂を得ることができる。 - 特許庁

A method for manufacturing a wiring board laminating an interlayer insulation layer 5 on a lower layer pattern 2 wherein a surface of the lower layer pattern 2 is roughened, tin displacement is plated on the surface of the roughened lower pattern 2, and then the interlayer insulation layer 5 is laminated on the lower layer pattern 2.例文帳に追加

下層パターン２上に層間絶縁層５を積層することよる配線基板の製造方法において，下層パターン２の表面を粗面化し，粗面化された下層パターン２の表面にスズ置換めっきを施し，その後その下層パターン２の上に層間絶縁層５を積層する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 7 forming the substrate of the semiconductor chip 1, a first wiring layer 8, a first interlayer film 9, a second wiring layer 10, a second interlayer film 11, a third wiring layer 12, and an uppermost layer wiring coating film 15 are laminated from the side of the semiconductor substrate 7 in this order.例文帳に追加

半導体チップ１の基体をなす半導体基板７上には、第１配線層８、第１層間膜９、第２配線層１０、第２層間膜１１、第３配線層１２および最上層配線被覆膜１５が半導体基板７側からこの順に積層されている。 - 特許庁