「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

Contact holes 9 are formed through the interlayer insulating film 7 and the insulating film 5, and plugs 10a, 10b are formed inside the contact holes 9.例文帳に追加

層間絶縁膜７および絶縁膜５にコンタクトホール９が形成され、そのコンタクトホール９内にプラグ１０ａ，１０ｂが形成されている。 - 特許庁

Further, a cap film 7 is formed on the interlayer insulating film 6 and then a resist film 8 having a predetermined pattern is formed on the cap film 7.例文帳に追加

さらに、層間絶縁膜６の上にキャップ膜７を形成した後、キャップ膜７の上に所定のパターンを有するレジスト膜８を形成する。 - 特許庁

This dielectric memory 10 is provided with a transistor 10A, a dielectric capacitor 10B and interlayer insulating films 16 and 17 formed thereamong.例文帳に追加

誘電体メモリ１０は、トランジスタ１０Ａ、誘電体キャパシタ１０Ｂおよびこれらの間に設けられた層間絶縁膜１６，１７を備えている。 - 特許庁

To obtain an insulating film which has a low specific permeability and an oxygen plasma resistance as the interlayer insulating film used in semiconductor elements, etc.例文帳に追加

詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、低比誘電率を示し、かつ酸素プラズマ耐性を有する絶縁膜を得る。 - 特許庁

Accordingly, the chemical solution processing time using the peeling solution can be shortened and the etched degree of an interlayer insulation film can be reduced.例文帳に追加

これにより、剥離液による薬液処理時間を短縮することが可能となり、層間絶縁膜のエッチング量を低減することができる。 - 特許庁

With no such deposit such as a hard mask that makes an effective aspect ratio of wiring larger, the interlayer film has such a profile that is wider in an upper part between wiring.例文帳に追加

ハードマスク等、配線の実効的なアスペクト比をより大きくするような堆積物も無く、配線間はより上部が広い形態となる。 - 特許庁

To manufacture a component built-in substrate which is compact and high in reliability by forming an interlayer connection conductor having a small aperture and high straightness.例文帳に追加

口径が小さくストレート性が高い層間接続導体を形状し、小型化で信頼性の高い部品内蔵基板部品を製造する。 - 特許庁

Along with the outer circumference of a semiconductor chip 2, inspection wiring 3 is formed which transmits a signal for detecting peeling of an interlayer dielectric.例文帳に追加

半導体チップ２の外周に沿って層間絶縁膜の剥離を検出するための信号を伝送する検査配線３が形成されている。 - 特許庁

Contact holes 11 extending to diffusion layer regions 8 respectively are formed by dry-etching a stopper film 9 through an interlayer insulating film 10 as a mask.例文帳に追加

層間絶縁膜１０をマスクとしたストッパー膜９のドライエッチングによって、拡散層領域８に至るコンタクトホール１１を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a thin-film resistance film 5 for inspection of crack between a 1st TEOS film 4 and a 2nd TEOS film 6 as an interlayer insulating film.例文帳に追加

１ｓｔＴＥＯＳ膜４と２ｎｄＴＥＯＳ膜６という層間絶縁膜の間にクラック検査用の薄膜抵抗膜５を備える。 - 特許庁

A lower insulating film 32 made of a nitride-based insulating film is provided to cover the entire surface of the interlayer oxide film 12, except for a part corresponding to the contact hole.例文帳に追加

コンタクトホールの部分を除き、層間酸化膜１２の全面を被うように、窒化系絶縁膜で形成された下部絶縁膜３２を設ける。 - 特許庁

Next, a silicon nitriding film 18 is formed on the whole face of the semiconductor board 1, and the interlayer insulation film 19 is formed on the silicon nitriding film 18.例文帳に追加

次に、半導体基板１の全面にシリコン窒化膜１８を形成し、シリコン窒化膜１８上に層間絶縁膜１９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of embedding an interlayer insulation film between gate electrodes with superior repeatability even if a space between the gate electrodes is narrowed.例文帳に追加

ゲート電極間が狭まっても、ゲート電極間に再現性よく層間絶縁膜を埋め込むことが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

An upper electrode 130 of the upper MIM capacitor is situated within the upper interlayer dielectric which is situated over the upper interconnect metal layer.例文帳に追加

上部ＭＩＭキャパシタの上部電極１３０は、上部相互接続金属層の上に位置する上部層間誘電体内に位置している。 - 特許庁

Word lines (W0, W1, W2 to W66) serving also as control electrodes are formed above an interlayer insulating film over the auxiliary electrodes.例文帳に追加

補助電極を覆う層間絶縁膜の上部には、制御電極を兼ねたワード線（Ｗ０、Ｗ１、Ｗ２…Ｗ６６）が形成されている。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has a plurality of light-emitting layers 4 laminated between an anode 1 and a cathode 2 through the interlayer 3.例文帳に追加

陽極１と陰極２の間に、中間層３を介して積層された複数の発光層４を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。 - 特許庁

A fluorine-containing second interlayer insulating film 14 is formed on the wire 13, and a via hole 15 is formed on a part of the upper surface of the wiring 13.例文帳に追加

その上にフッ素を含有する第２の層間絶縁膜１４を形成し、配線１３の一部の上にはヴィアホール１５を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 42 is formed on a semiconductor substrate 20 as an interlayer dielectric film of a first layer interconnect line 26 and a second layer interconnect line 28.例文帳に追加

半導体基板２０の上に第１層の配線２６と第２層の配線２８との層間絶縁膜としてシリコン窒化膜４２を形成する。 - 特許庁

Accordingly, the stress relaxation film 46 relaxes the difference in thermal expansion coefficient between the third interlayer insulation film 44 and the pixel electrode 9a.例文帳に追加

このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。 - 特許庁

Rounding oxidation at the end of a gate electrode 9 is also carried out by reflow process for forming an interlayer insulating film 10.例文帳に追加

層間絶縁膜１０を形成するためのリフロー処理により、ゲート電極９の端部の丸め酸化も兼用して実施されるようにする。 - 特許庁

To provide a filler which has a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent and is useful for a substrate or an interlayer insulating film constituting a circuit substrate.例文帳に追加

比誘電率、誘電正接が低く、回路基板を構成する基板または層間絶縁膜に有用である充填材を提供すること。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board in which a board surface can be made flat and the delamination of an interlayer resin insulation layer is prevented.例文帳に追加

基板表面を平坦に形成し得ると共に層間樹脂絶縁層のデラネーションの発生させない多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

An impurity diffusion layer 101 is formed on the surface of a semiconductor substrate 10 beneath the interlayer insulating film 11 facing the pad PAD.例文帳に追加

パッド部ＰＡＤと対向する層間の絶縁膜１１下の半導体基板１０表面に不純物拡散層１０１が設けられている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an inductor-incorporated printed wiring board which is reducible in resistance of interlayer wiring even when an inductor wiring layer is made thick.例文帳に追加

インダクタ配線層を厚くしても層間配線の抵抗を低減できるインダクタ内蔵プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To stably form a contact hole of a high aspect ratio in an interlayer insulating film formed in a semiconductor substrate by an induction coupled plasma device.例文帳に追加

誘導結合型プラズマ装置によって、半導体基板に形成された層間絶縁膜に高アスペクト比のコンタクトホールを安定して形成する。 - 特許庁

In the interlayer insulating film 16 and the etching stopper film, contact holes 16a and 16b that exposes the surface of a metal silicide 9 are formed.例文帳に追加

その層間絶縁膜１６およびエッチングストッパ膜に、金属シリサイド９の表面を露出するコンタクトホール１６ａ，１６ｂが形成される。 - 特許庁

To improve a transfer capability and a sensor sensitivity by forming an interlayer insulating film without thermally oxidizing a polysilicon transfer electrode film.例文帳に追加

ポリシリコン転送電極膜を熱酸化することなく層間絶縁膜を形成することにより、転送能力やセンサ感度の向上を図る。 - 特許庁

To provide an excellent developing roller which is satisfactory in an interlayer adhesion between a shaft and a covering layer and continuously obtains a high-quality toner image.例文帳に追加

シャフトと被覆層との層間接着性が良好で、高品質のトナー画像が継続して得られる優れた現像ローラを提供する。 - 特許庁

Since the compound of the formula (1) well absorbs an electron beam, an electron beam hardly reaches the low dielectric constant interlayer insulating film as a film to be processed.例文帳に追加

一般式（１）の化合物が電子線をよく吸収するため、被加工膜たる低誘電率層間絶縁膜に電子線が到達しにくい。 - 特許庁

A contact plug 16C is formed at the interlayer insulating film 15A on the source region or the drain region of a second MOS type transistor.例文帳に追加

第２ＭＯＳ型トランジスタのソース領域またはドレイン領域上の層間絶縁膜１５Ａ内にはコンタクトプラグ１６Ｃが形成されている。 - 特許庁

The laminated glass 10 comprises a pair of opposed glass sheets 11 and 12 and an interlayer 15 sandwiched between the glass sheets 11 and 12.例文帳に追加

合せガラス１０は、互いに対向する一対の板ガラス１１，１２と、一対の板ガラス１１，１２間に介装された中間膜１５とから成る。 - 特許庁

To obtain a silica membrane expressing a remarkably low dielectric constant of ≤2.2 and having little moisture absorption as an interlayer insulation in semiconductor elements and the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁として、２．２以下の非常に低い比誘電率を示し、かつ吸湿の少ないシリカ膜を得る。 - 特許庁

Copper wiring lines are made of a Cu film 209 in an interlayer insulating film consisting of an L-Ox film 203 and an SiO_2 film 204.例文帳に追加

Ｌ−Ｏｘ膜２０３およびＳｉＯ_２膜２０４が積層した層間絶縁膜中にＣｕ膜２０９からなる銅配線を形成する。 - 特許庁

Since the film forming surface level of the third interlayer insulation film 13 formed on the dummy patterns A and B is raised, excessive polishing is prevented at the position.例文帳に追加

ダミーパターンＡ，Ｂ上の第３の層間絶縁膜１３の成膜表面レベルが底上げされるため、その部分での過研磨を解消できる。 - 特許庁

On the first interlayer insulating film 3, a groove 4 dug from the upper surface is formed in a region including the prescribed portion 71 in a plan view.例文帳に追加

第１層間絶縁膜３には、平面視で所定部分７１を含む領域に、その上面から掘り下がった溝４が形成されている。 - 特許庁

Thereby, similar refraction with a convex lens occurs in an interface between the high refractive index material 4e and the interlayer insulating film 8, in the trench shape concave section 8e.例文帳に追加

このため、溝状凹部８ｅでは、高屈折率材料４ｅと層間絶縁膜８との界面では凸レンズと同様な屈折が発生する。 - 特許庁

A stopping layer (112) having a SiON layer is formed on an interlayer dielectric-film layer, and a SiC layer (114) is positioned on the SiON layer.例文帳に追加

層間誘電膜層上に、ＳｉＯＮ層を有するストップ層（１１２）が形成され、そのＳｉＯＮ層上にＳｉＣ層（１１４）が位置する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board where an interlayer conductive part can be made easily and surely with a small number of manhours, and its manufacturing method.例文帳に追加

少ない工数で，容易かつ確実に層間導電部を形成することができるプリント配線板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To enhance the reliability by improving the adhesion between an electrode and an interlayer dielectric in a semiconductor device, using silicon carbide.例文帳に追加

炭化珪素を用いた半導体装置において、電極と層間絶縁膜との間の密着性を向上させることにより信頼性を高める。 - 特許庁

An interlayer insulation film 4 is formed entirely on the major surface of a semiconductor substrate 1 on which an insulation film 2 and a metal wiring 3 is formed.例文帳に追加

絶縁膜２及び金属配線３が形成された半導体基板１の主面上の全面に層間絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

The adhesive sheet 1 for an interlayer is constituted of an adhesive layer 2 and mold release films 3 stuck on both of the front surface and the rear surface of the adhesive layer 2.例文帳に追加

中間膜用粘着シート１は粘着剤層２と、その表裏両面に付着された離型フィルム３とから構成されている。 - 特許庁

To provide a joint structure of panels facilitating the construction and preventing a clearance from formed between adjoining panels and damage from formed by interlayer displacement.例文帳に追加

構築が簡単で、隣接するパネルの間に隙間や層間変位による破損が生じないようにしたパネルのジョイント構造を提供する。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 18 and each electrode are formed, a silicon nitride film is formed by plasma CVD as a protective insulation film 22.例文帳に追加

層間絶縁膜１８および各電極を形成した後、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形成して保護絶縁膜２２とする。 - 特許庁

Thereafter, a silicon oxide film including at least one side of phosphorus (P) and boron (B) is formed on the protective insulation film as an interlayer insulation film.例文帳に追加

その後、保護絶縁膜上に、層間絶縁膜として燐（Ｐ）及び硼素（Ｂ）の少なくとも一方を含んだシリコン酸化膜を成膜する。 - 特許庁

A support 25 having a higher hardness than that of the spacer 15 and preventing collapse deformation of the interlayer insulating film 26 at the position corresponding to the spacer 15 is formed.例文帳に追加

スペーサ15よりも大きい硬度を有し、スペーサ15に対応する位置での層間絶縁膜26の潰れ変形を防止する支持体25を形成する。 - 特許庁