Interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
The dielectric memory device includes a first interlayer dielectric 17 formed on a semiconductor substrate 11, and a dielectric capacitor 25.例文帳に追加
誘電体メモリ装置は、半導体基板11の上に形成された第1の層間絶縁膜17と、誘電体キャパシタ25とを備えている。 - 特許庁
Exposure of the hygroscopic film is prevented by forming a trimming fuse for the resistor on the intermetallic interlayer film which has the hygroscopic film.例文帳に追加
抵抗体のトリミング用フューズは吸湿性膜を含む金属間層間膜の上に形成することで吸湿性膜の露出を防止する。 - 特許庁
The method ensures an appropriate functional interaction among circuit features by including functional interlayer and intra-layer constraints on a wafer.例文帳に追加
方法は、ウェハに対する機能的層間および層内制約を含むことによって回路形体間の適正な機能的相互作用を保証する。 - 特許庁
To provide an electric circuit multilayer board where dielectric layers formed of mica or the like are protected against cleavage or interlayer delamination and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
マイカ等からなる誘電体層のへき開や、層間剥離が防止された電気回路用多層基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a laminate member which gives a laminate excellent in interlayer cohesiveness and adhesiveness, and a laminate using the laminate member.例文帳に追加
層間の密着性、接着性に優れた積層体を実現することができるラミネート部材と、このラミネート部材を用いた積層体を提供する。 - 特許庁
A stress-relaxing film 9 constituted of a polyimide film is interposed between the interlayer insulating film 3 on the MOS transistor 4 and the electrode pad 2.例文帳に追加
MOSトランジスタ4上の層間絶縁膜3と電極パッド2との間にポリイミド膜から成る応力緩和膜9が介在している。 - 特許庁
The unnecessary conductor layer 5 formed on the interlayer insulation film 2 is polished and removed by CMP until the barrier metal 4 is exposed.例文帳に追加
その後、層間絶縁膜2上に形成されている不要な導電層5を、CMPを用いてバリアメタル4が露出するまで研磨除去する。 - 特許庁
In a first step, an interlayer insulation film 18 wherein a concave 19 up to a semiconductor substrate 11 is formed on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加
まず、半導体基板11上に、半導体基板11に達する凹部19が設けられた層間絶縁膜18を形成する工程を行う。 - 特許庁
Further, an electrode, wiring, interlayer insulating film etc. are formed onto the semiconductor device substrate thus manufactured to complete it as a semiconductor.例文帳に追加
また、そのようにして製造された半導体装置用基材の上に、電極、配線、層間絶縁膜等を形成して半導体装置とする。 - 特許庁
To provide an interlayer for a laminated glass consisting of a laminated body of a PVB resin layer in which migration of a plasticizer is suppressed and an EVA resin layer.例文帳に追加
可塑剤の移行が抑制されたPVB樹脂層とEVA樹脂層との積層体からなる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁
A lower capacitor electrode 24 is formed on an interlayer insulating film 35, and its electrode wire is extended to the surface of a ferroelectric memory element.例文帳に追加
下部容量電極24は、層間絶縁膜35上に形成され、その電極線は強誘電体記憶素子の表面まで通っている。 - 特許庁
To provide the interlayer of an orientational substrate for forming an epitaxial film that enables formation of an epitaxial film having high orientation.例文帳に追加
エピタキシャル膜形成用配向基板の中間層であって、高い配向性を有するエピタキシャル膜を形成可能とするものを提供する。 - 特許庁
The anode contains a carbon material, the carbon material has an interlayer distance d002 longer than that of graphite and is capable of being inserted with sodium ions.例文帳に追加
アノードは炭素物質を含み、前記炭素物質は層間距離d002がグラファイトのそれよりも大きくナトリウムイオンを挿入可能である。 - 特許庁
The film thickness around the terminal parts of the interlayer insulating film is reduced.例文帳に追加
しかし、この効果を得るためには、比較的厚い層間絶縁層が必要となり、周辺回路チップを端子部に接続する際、その信頼性が低下する。 - 特許庁
In the outer peripheral area 114, a dummy via 136 composed of a metal material is formed in the second interlayer insulating film 122.例文帳に追加
外周領域114において、第二の層間絶縁膜122中に、金属材料により構成されたダミービア136が形成される。 - 特許庁
To provide a method of dry-etching a low-permittivity interlayer insulating film which brings forth a small CD loss, causes no damage to the film, and is set less pattern-dependent than usual.例文帳に追加
CDロスが小さく、膜ダメージもなく、また、パターン依存性の抑制された低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法の提供。 - 特許庁
To minimize occurrence of peeling of a film on the interface of the film, or leakage between adjacent interconnects in an interlayer insulating film having film quality regions different from each other.例文帳に追加
相異なる膜質領域を有する層間絶縁膜において、膜界面における膜剥れや隣接配線間リークの発生を抑制する。 - 特許庁
A total content of B2O3 and P2O5 in a BPSG of an interlayer insulating film is set to a range of 8 to 15 mol%, and hence a smooth reflow shape is obtained.例文帳に追加
層間絶縁膜のBPSG中のB_2 O_3 とP_2 O_5 の総和の含有率を8〜15mol%の範囲とし、滑らかなリフロー形状を得る。 - 特許庁
To provide a conductive paste in which there is no occurrence of gas generation or swelling accompanied with that, and in which interlayer connection of high reliability can be achieved.例文帳に追加
ガス発生やそれに伴う膨れの発生がなく、信頼性の高い層間接続を実現することが可能な導電ペーストを提供する。 - 特許庁
The polymeric-inorganic hybrid material is suitable as materials for manufacturing reflection-preventing films, optical waveguides, and interlayer insulating films.例文帳に追加
本発明の高分子−無機ハイブリッド材料は、反射防止膜、光導波路、層間絶縁膜を製造するための材料として好適である。 - 特許庁
To provide a semiconductor wafer in which the diffusion of a metal component of a metal plating film formed on a barrier metal film from the metal plating film into an interlayer insulating film is prevented.例文帳に追加
バリアメタル膜上に形成される金属めっき膜から、その金属成分が層間絶縁膜に拡散することを防止すること。 - 特許庁
Wiring includes a first line 18 and a second line 20 formed on the first line 18 via a second interlayer insulation film 19.例文帳に追加
配線として、第1配線18と、第1配線18上に第2層間絶縁膜19を介して形成される第2配線20を有する。 - 特許庁
To provide a method for forming an insulating film which is suitably used as a low dielectric constant interlayer insulating film of a semiconductor element device etc.例文帳に追加
半導体素デバイスなどにおける低誘電率層間絶縁膜として使用するのに適した絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which restrains an electric field applied to a protection film or interlayer dielectric film included in the semiconductor device and improves dielectric breakdown voltage.例文帳に追加
半導体装置が有する保護膜や層間絶縁膜にかかる電界を抑制し、半導体装置の絶縁破壊耐圧を向上する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a magnetic core which is kept high in interlayer insulating properties and shock resistance and excellent in productivity even after it is subjected to a thermal treatment.例文帳に追加
熱処理後においても、磁気コアの層間絶縁性、耐衝撃性が強く、かつ、生産性に優れる磁気コアの製造方法を提供する。 - 特許庁
To reduce the film peeling damages of the interlayer insulation film, etc. of a semiconductor wafer which are generated in its periphery, in a CMP for forming its damascene wiring.例文帳に追加
ダマシン配線を形成するCMPにおいて半導体ウエハ周辺部での層間絶縁膜等の膜剥がれ損傷を低減させる。 - 特許庁
To provide a highly reliable semiconductor device by surely preventing crack from advancing inward from the circumferential edge of an interlayer insulating film.例文帳に追加
層間絶縁膜の周縁から内部に向けて伝播するクラックの進行を確実に止め、信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁
A recording mark is formed in the recording track of a radial direction adjacent to each recording mark by shifting only an interlayer half in a depth direction.例文帳に追加
個々の記録マークに対して半径方向隣の記録トラックでは深さ方向に層間の半分だけずらして記録マークを形成する。 - 特許庁
This image sensor comprises: a semiconductor substrate in which a CMOS circuit is formed; an interlayer insulating film containing a trench formed on the semiconductor substrate; metal wiring and a first conductive-type conductive layer which are formed in the trench of the interlayer insulating film; an intrinsic layer formed on the substrate containing the first conductive-type conductive layer and the interlayer insulating film; and a second conductive-type conductive layer.例文帳に追加
実施例のイメージセンサーは、シーモス回路が形成された半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトレンチを含む層間絶縁膜と、該層間絶縁膜のトレンチ内部に形成された金属配線及び第1導電型伝導層と、該第1導電型伝導層及び層間絶縁膜を含む半導体基板上に形成された真性層と、及び前記真性層上に形成された第2導電型伝導層を含む。 - 特許庁
A tight- contact layer 5 of a Ti/TiN film is formed on the interlayer insulating film 2 so as to cover the bottom surface and sidewall of the contact hole 4.例文帳に追加
コンタクトホール4の底面および側壁を覆うようにして層間絶縁膜2上にTi/TiN膜からなる密着層5を形成する。 - 特許庁
To provide a circuit board in which precision of lamination by an interlayer connection means using a conductive paste is improved, and high density and excellent quality are achieved.例文帳に追加
導電性ペースト等を用いた層間接続手段における積層精度が向上し、高密度で品質の優れた回路基板を提供するものである。 - 特許庁
A plurality of projections 4 (made of the same SiO2 film as the interlayer insulating film 2) are formed in the interior of the stepped recess in the film 2 to the halfway of the step difference.例文帳に追加
層間絶縁膜2との段差による窪みの内部に段差途中まで複数の突起部4(層間絶縁膜2と同じSiO2 膜)で構成される。 - 特許庁
A plurality of processing resin sheets 6 are laminated by precipitating and filling a low melting point metal 4 as an interlayer connection material in the via hole 3 by plating.例文帳に追加
ビアホール3内に層間接続材料として低融点金属4をメッキ処理により析出・充填させて、複数の加工樹脂シート6を積層する。 - 特許庁
When the metal films are etched back, the film thickness of the fifth interlayer insulating film 14 is set larger than the recess produced above the upper edge face of the metal plug 18.例文帳に追加
エッチバックの際に金属プラグ18の上端面に形成されるリセスの深さに比して、第5の層間絶縁膜14の膜厚を大きくする。 - 特許庁
The second interlayer insulating film is formed by avoiding a pad formation region consisting of a region where the pad is formed and the peripheral reign of the pad.例文帳に追加
第2層間絶縁膜は、上記パッドが形成される領域と当該パッドの周辺の領域とからなるパッド形成領域を避けて形成されている。 - 特許庁
A first contact plug 151, a second contact plug 152, and a third contact plug 153 penetrate the interlayer insulating film 130 and are connected to the fuse structure 120.例文帳に追加
第1コンタクトプラグ151、第2コンタクトプラグ152及び第3コンタクトプラグ153が層間絶縁膜130を貫通して、ヒューズ構造物120に連結される。 - 特許庁
To provide a heat treatment apparatus capable of positively suppressing deterioration of a film formed by coating or a low dielectric constant interlayer insulating film.例文帳に追加
塗布によって成膜された膜または低誘電率膜層間絶縁膜の劣化を確実に抑止することが可能な熱処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a composite plywood which is free from warpage and interlayer release between base materials, and especially used best-suitably as flooring.例文帳に追加
反りや、基材間に層間剥離が生じることのない複合合板、とくに、床材として好適に用いられる複合合板の製造方法を提供する。 - 特許庁
In this embodiment, a second-layer metal 21 connected to the first-layer metal 182 through the opening area 20 of an interlayer insulating layer 19 is also added to this structure.例文帳に追加
この例では、第1層金属182にさらに層間絶縁層19の開口領域20を介して接続された第2層金属21も付加されている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can polish an interlayer film, while ensuring process margin is secured, and to provide a semiconductor device manufactured using the method.例文帳に追加
プロセスマージンを確保しながら層間膜の研磨を行うことが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁
A contact hole is formed at an interlayer insulating film 101, and a tangsten film is formed on the overall structure on the basis of a CVD method after forming a barrier metal 102.例文帳に追加
層間絶縁膜101にコンタクトホールを形成し、バリアメタル102を形成後、全体構造上にCVD法によりタングステン膜を形成する。 - 特許庁
The surface of the end 31 of a diffusion layer 30 adheres to the surface of the end 21 of a catalyst layer 20 to make the volume of an interlayer air gap zero.例文帳に追加
拡散層30の端部31表面と触媒層20の端部21表面とが密着することで層間空隙の体積をゼロとさせている。 - 特許庁
The first and second wiring layers 6, 15 are electrically connected together through the contact holes penetrating the interlayer insulation films 7, 9.例文帳に追加
第1配線層6と第2配線層15は、層間絶縁膜7,9を貫通して形成されたコンタクトホールを介して互いに電気的に接続している。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device that can inhibit the generation of peel in a connection hole, when the connection hole is formed on an interlayer insulating film.例文帳に追加
層間絶縁膜に接続孔を形成する際に接続孔内に剥離残りが発生するのを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In other aspect, an upper plastic sheet 4 is installed in the upper part of the air mat 30 for the heat retention to form a heat-insulation interlayer part between both of the upper and lower plastic sheets 2 and 4.例文帳に追加
また、保温用空気マット30の上に上部ビニール4を設置して、上下両ビニール(2,4)の間に断熱中間層部を形成する。 - 特許庁
Consequently, a lamination wiring board 1000, wherein a conductor layer 100 and a conductor layer 200 are subjected to interlayer connection by the via hole 13, is manufactured.例文帳に追加
これにより,導体層100と導体層200とが,ビアホール13により層間接続されている積層配線板1000が製造できる。 - 特許庁
A second wiring pattern electrically connected to the columnar pattern is formed on a table formed by the columnar pattern for interlayer connection and the first insulating substrate.例文帳に追加
層間接続用柱状パターンと第一の絶縁基材とによって形成される表に柱状パターンと導通した第二の配線パターンを形成する。 - 特許庁
A coating agent for an interlayer insulating film of a touch panel, a photosensitive composition for a color filter, and a photosensitive solder resist ink are provided, comprising the above photosensitive composition.例文帳に追加
そして、上記感光性組成物を用いてなるタッチパネル層間絶縁膜用コーティング剤、カラーフィルタ用感光性組成物、感光性ソルダーレジストインキ。 - 特許庁
The recessed portion 14c will not reach the upper surface of the sidewall 5 from the upper surface of the interlayer insulating film 9, at a portion specifying the bottom surface of the opening portion 11a3.例文帳に追加
凹部14cは、開口部分11a3の底面を規定している部分の層間絶縁膜9の上面から、サイドウォール5の上面にまで到達しない。 - 特許庁
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