「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a printed wiring board incorporating a semiconductor chip having no adverse effect by an interlayer adhesive material, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

層間接着材料による悪影響のない半導体チップを内蔵するプリント配線板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The memory device further comprises a first diffused barrier film 11 covering the ferroelectric capacitor, and a second interlayer insulating film 12 formed on the film 11.例文帳に追加

誘電体キャパシタを第１拡散バリア膜１１が覆い、この第１拡散バリア膜１１上に第２層間絶縁膜１２を形成している。 - 特許庁

The mixed part 18 is connected to at least one of the external electrode 16, the in-plane connection conductor 14 or the interlayer connection conductor 13.例文帳に追加

混合部１８は、外部電極１６と、面内接続導体１４又は層間接続導体１３の少なくとも一方とに接続されている。 - 特許庁

To provide a method for producing a fiber-reinforced resin composite material enhancing interlayer shearing resistance.例文帳に追加

本発明の目的は、耐層間せん断力を向上させることができる繊維強化樹脂複合材料の製造方法を提供することである。 - 特許庁

At this time, the interlayer insulating film 111 under the bottom of the wiring groove 114 can be prevented from being etched since there exists the conductive film pattern 112.例文帳に追加

このとき、導電性膜パターン１１２があるために配線溝１１４の底部の下にある層間絶縁膜１１１のエッチングを防止できる。 - 特許庁

The portion of the interlayer insulating film interposed by the via plugs 1a to 1c and the via plugs 2a to 2c is made to function as a capacitor dielectric film.例文帳に追加

ビアプラグ１ａ〜１ｃとビアプラグ２ａ〜２ｃとによって挟まれている部分の層間絶縁膜が、キャパシタ誘電体膜として機能する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 12 is provided on the whole and a plurality of via plugs penetrating the film 12 are provided on the electrode 10.例文帳に追加

全体に層間絶縁膜１２が設けられ、ゲート電極１０上に、層間絶縁膜１２を貫通するビアプラグ１４が複数個設けてある。 - 特許庁

To reduce the damages generated in test pads, interlayer insulating films, semiconductor elements, and wiring when electrically inspecting a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

半導体集積回路装置の電気的検査時においてテストパッド、層間絶縁膜、半導体素子および配線に生じるダメージを低減する。 - 特許庁

The method for cutting the laminated glass comprises cutting the laminated glass 10 obtained by interposing an interlayer film 13 between a couple of glass sheets 11, 12, and unifying them.例文帳に追加

１対のガラス１１、１２の間に中間膜１３を挟み込んで一体化させて構成した合わせガラス１０を切断する方法である。 - 特許庁

To provide a biaxially-oriented multilayer stretched film for packaging having excellent impact resistance, pinhole resistance, tensile strength, interlayer peel-strength and gas-barrier properties.例文帳に追加

優れた耐衝撃性、耐ピンホール性、引張強度、層間剥離強力、ガスバリヤー性をする、包装用２軸配向多層延伸フィルムを提供する。 - 特許庁

The phase-change substance pattern is directly, in contact with a conductive film pattern in a plate line contact hole penetrating the upper interlayer insulating film.例文帳に追加

前記相変化物質パターンは前記上部層間絶縁膜を貫通するプレートラインコンタクトホール内の導電膜パターンと直接接触する。 - 特許庁

A wiring structure for semiconductor device has a plurality of wiring layers 14, 16, and 18 which are respectively formed through interlayer insulating films.例文帳に追加

本半導体装置の配線構造は、それぞれ層間絶縁膜２０、２２を介して形成された複数層の配線１４、１６、１８を有する。 - 特許庁

To obtain a method of forming a low-permittivity interlayer insulating film, which is high in moisture resistance and satisfactory in heat resistance, and a semiconductor device provided therewith.例文帳に追加

耐吸湿性、及び、耐熱性が良い低誘電率層間絶縁膜の形成方法、及び、それを用いた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Second layer Cu wirings 12, an interlayer connection Cu wiring 13 and second layer TaN films 14 are formed in the grooves 10 and the hole 11.例文帳に追加

溝１０および孔１１に第２層Cu配線１２、層間接続用Cu配線１３、第２層TaN膜１４を形成し、半導体装置を得る。 - 特許庁

The first layer low-dielectric-constant interlayer insulating film 11a is arranged to be brought into contact on a semiconductor wafer to form Cu wiring 10.例文帳に追加

半導体基板９の上に、これに接触させて第１層低誘電率層間絶縁膜１１ａを設け、Ｃｕ配線１０を形成する。 - 特許庁

To provide a laminated ceramic capacitor 1 wherein the improvement of its bias characteristic obtained at 85 °C can be expected even when thinning its interlayer dielectric layers 2.例文帳に追加

層間誘電体層２を薄層化した場合でも、８５℃でのバイアス特性の向上が期待できる積層セラミックコンデンサ１を提供すること。 - 特許庁

A resist pattern having multi-step local thickness is formed on the interlayer insulating layer 45 using photomasks capable of halftone exposure.例文帳に追加

次に、局所的な厚みが多段階であるレジストパターンが、ハーフトーン露光が可能なフォトマスクを用いて、層間絶縁層４５上に形成される。 - 特許庁

In this case, etching is effected so as to be deeper than the surface of the interlayer wiring layer 14 by a dropping size (f) to form a dropping part P.例文帳に追加

このとき、層間配線層１４の表面から落としこみ寸法ｆだけ深くエッチングで掘り下げて落とし込み部Ｐを形成する。 - 特許庁

The top portion of the protrusion-like conductor 51 is located at a height same as or higher than that of the surface 33b of the lowermost interlayer insulating layer 33.例文帳に追加

突起状導体５１の頂部は、最下層の層間絶縁層３３の表面３３ｂと同じ位置またはそれよりも高い位置にある。 - 特許庁

To improve an adhesion of a carbon coating on a substrate through an interlayer.例文帳に追加

中間層２１を介して炭素被膜２２を基体２０上に形成した炭素被膜形成基体において、炭素被膜２２の密着性を向上させる。 - 特許庁

For example, 1,3-diethynyl adamantane and p-bis (dimethylsilyl) benzene are mixed and polymerized under existence of a platinum catalyst to obtain an interlayer dielectric material.例文帳に追加

例えば１，３−ジエチニルアダマンタンとｐ−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンとを、白金触媒存在下、混合して重合し、層間絶縁膜材料を得る。 - 特許庁

By forming the slit portion 515a, an interlayer short with the scanning line (Lscan) due to a foreign substance is prevented, then, the yield is improved.例文帳に追加

スリット部５１５ａを設けたことで、異物による走査線Ｌscanとの層間ショートを防ぐことができ、歩留まりの向上を図ることができる。 - 特許庁

To suppress occurrence of a poisoned via in the formation of a contact in an organic SOG film used as an interlayer insulating film of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の層間絶縁膜として用いられる有機ＳＯＧ膜にコンタクトを形成する際のポイズンドビアの発生を抑制する。 - 特許庁

At least one highest upper surface in the plurality of hillocks 108 is in contact with the lower surface of the second interlayer insulating film 116.例文帳に追加

複数のヒロック１０８のうちの高さが最も高い少なくとも一つの上面が、第２の層間絶縁膜１１６の下面と接している。 - 特許庁

To satisfactorily reduce deterioration in a signal, based on spherical aberration in a laminated record medium and an interlayer stroke, using a simple constitution.例文帳に追加

簡便な構成でありながら、積層型の記録媒体における球面収差や層間クロストークにもとづく信号劣化を良好に低減する。 - 特許庁

The sidewall coating film 8 is formed on the sidewall of the coating film 6 and contains a material, having an etching rate different from that of the interlayer insulating film 9.例文帳に追加

側壁被覆膜８は、被覆膜６の側壁上に形成され、層間絶縁膜９と異なるエッチング速度を示す材料を含む。 - 特許庁

The interlayer insulation film 21 is etched using the etching rejection film 20 as an etching stopper, and the exposed etching rejection film 20 is then etched.例文帳に追加

エッチング阻止膜２０をエッチングストッパに用いて層間絶縁膜２１をエッチングし、続いて露出しているエッチング阻止膜２０をエッチングする。 - 特許庁

To prevent peel-off between a common electrode formed in a matted manner, in planar and an interlayer insulation film, in an IPS (In Plane Switching)-type liquid crystal display device.例文帳に追加

ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、平面ベタで形成されたコモン電極と層間絶縁膜との剥離を防止する。 - 特許庁

In each cell region 24, a level difference exists between the interlayer insulating film 22 and the n+ semiconductor layer 14 and p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

各セル領域２４において層間絶縁膜２２とｎ＋半導体層１４及びｐ型半導体層１２との間に段差が存在する。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass which allows a change of light transmittance upon voltage application and has excellent adhesion to a conductive film.例文帳に追加

電圧を印加することにより光の透過率が変化し、導電膜に対する密着性に優れる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

To provide a photocurable composition useful as a pattern-forming material for ultraviolet (UV) nanoimprint or an interlayer insulating film-forming material.例文帳に追加

紫外線（ＵＶ）ナノインプリント用のパターン形成材料、あるいは層間絶縁膜形成材料として有用な光硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

The boundary face between the insulating interlayer 11 and the metal wiring guard ring 17 at the via cutout part 15a is covered by the silicon nitride film 19.例文帳に追加

ビア切欠き部１５ａにおける層間絶縁膜１１と金属配線ガードリング１７の界面は窒化シリコン膜１９で覆われている。 - 特許庁

The thin film 161 is faster in etching rate than the interlayer dielectric 105 and removed before the part of an adjacent memory cell layer 104A.例文帳に追加

薄膜１６１は、層間絶縁膜１０５よりもエッチング速度が速く且つ隣接するメモリセル層１０４Ａの部分よりも先に除去される。 - 特許庁

The magnetic memory element includes a laminate structure of a pinned layer magnetized in the X-xis direction, a free layer, and an interlayer inserted between those layers.例文帳に追加

磁気メモリ素子は、Ｘ軸方向に沿った磁化を有するピンド層と、フリー層と、それらに挟まれた中間層との積層構造を含む。 - 特許庁

Gas from the organic passivation film 109 is released from the through hole 140 for degasification, and thereby the interlayer insulating film 111 is prevented from being separated.例文帳に追加

ガス抜きのためのスルーホール１４０から有機パッシベーション膜１０９からのガスを放出させ、層間絶縁膜１１１の剥離を防止する。 - 特許庁

Above the dummy wiring 50, signal wiring 6 is formed through an insulating film (interlayer insulating film 37, first and second protective films 39 and 40).例文帳に追加

ダミー配線５０の上方に、絶縁膜（層間絶縁膜３７、第１及び第２保護膜３９，４０）を介して信号配線６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method that can prevent an embedding failure occurring when an interlayer insulation film is embedded between side walls.例文帳に追加

サイドウォール間に層間絶縁膜を埋め込むときに埋め込み不良の発生を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, an interlayer insulating layer 5 is formed so as to cover the main surface of the substrate 1, a cathode electrode layer 2, the emitter layer 3, and the buffer layer 4.例文帳に追加

次に、基板１の主表面、カソード電極層２、エミッタ層３、および緩衝層４を覆うように層間絶縁層５を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is reliable and equipped with an interlayer insulating film that has a sufficiently low dielectric constant and superior adhesion.例文帳に追加

十分に低い誘電率を有するとともに密着性に優れた層間絶縁膜を有し、信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The spacer can be formed for all interlayer insulating films extended in a dicing line part 3, thereby realizing many layered sealing rings.例文帳に追加

このスペーサは、ダイシングライン部３に延在される層間絶縁膜に全て形成可能であり、これにより何重ものシールリングが実現できる。 - 特許庁

To provide a metal ball for a wiring substrate which is good in loading property and suitable for use for interlayer conduction of the wiring substrate.例文帳に追加

本発明の目的は、搭載性が良く、配線基板の層間導通用途に適した配線基板用金属球を提供することにある。 - 特許庁

Wirings 102 are formed on a first interlayer film 101 on a semiconductor substrate 100, separating from each other by an inter-wiring space 103.例文帳に追加

半導体基板１００上の第１の層間膜１０１の上に複数の配線１０２が配線間スペース１０３を介して形成されている。 - 特許庁

To provide a method for producing a composition for forming an insulation film capable of forming an interlayer insulation film excellent in low dielectric constant, elastic modulus, etc.例文帳に追加

低比誘電率、弾性率等に優れた層間絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, a laminated wiring board 1000 where interlayer connection of conductor layers 100 and 200 is made by the via hole 13 can be produced.例文帳に追加

これにより，導体層１００と導体層２００とが，ビアホール１３により層間接続されている積層配線板１０００が製造できる。 - 特許庁

A contact hole is formed in an interlayer insulating film 50, and metal wirings 53, 54, and 55 are brought into contact with the semiconductor through embedded plugs 51, 52, and 56.例文帳に追加

層間絶縁膜５０にコンタクトホールを形成し、埋め込みプラグ５１，５２，５６を介して金属配線５３，５４，５５と半導体とのコンタクトを取る。 - 特許庁