Interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
A semiconductor package 30A includes a wiring board 20A having electrode pads 4a, 6a exposed from an interlayer insulating layer 14, and the electrode pads 4a, 6a are exposed at mutually different depths from a surface of the interlayer insulating layer 14.例文帳に追加
層間絶縁層14から露出する電極パッド4a、6aを有する配線基板20Aを備えた半導体パッケージ30Aであって、電極パッド4a、6aはそれぞれ層間絶縁層14の表面からの深さが互いに異なって露出している。 - 特許庁
By the laser light irradiation, a high-temperature region 6 is formed extending widely while overlapping on the interlayer insulation film 3a and the like around the trimming element T and the crack inducing body G and the rigidity of the interlayer insulation film 3a and the like having high temperature is deteriorated.例文帳に追加
レーザー光を照射すると、トリミング素子Tの周辺及びクラック誘導体Gの周辺の層間絶縁膜3a等に重畳して広く延在する高温領域6が形成され、該高温化した層間絶縁膜3a等の剛性が低下する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor element for improving the delay characteristics of the signal transmission speed and leakage current characteristics of wiring formed in an interlayer insulating film by restoring the characteristics of the interlayer insulating film made of a low dielectric-constant material.例文帳に追加
低誘電率材料からなる層間絶縁膜の特性を回復することにより、層間絶縁膜中に形成される配線の信号伝達速度の遅延特性やリーク電流特性を向上させる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
After a first wiring is formed by selectively removing a part of the first interlayer insulating film 204, the first metal layer 203, and the insulating film 202 through photolithography and dry-etching, a second interlayer insulating film 212 is formed using a plasma CVD device.例文帳に追加
フォトリソグラフィーとドライエッチングとによって第1の層間絶縁膜204と第1の金属層203と絶縁膜202の一部とを選択的に除去して、第1の配線を形成した後、プラズマCVD装置を使用して第2の層間絶縁膜212を形成する。 - 特許庁
The multilayer wiring 24 comprises a plurality of metal wiring 241 formed in a plurality of lamination on the substrate 21, an interlayer insulating film 242 for insulating each metal interconnection 241, and an interlayer insulating film 243 for covering the most upper level metal wiring 241a.例文帳に追加
多層配線部24は、半導体基板21上において複数重ねて形成された複数のメタル配線241と、各メタル配線241の間を絶縁する層間絶縁膜242と、最上位のメタル配線241aを覆う層間絶縁膜243を有している。 - 特許庁
The second electroconductor is configured so that a third electroconductor arranged in a second hole formed at the first interlayer insulation layer and a fourth electroconductor arranged in a third hole formed at the second interlayer insulation layer can be laminated and electrically connected to each other.例文帳に追加
この第2の導電体は第1の層間絶縁層に配された第2のホールに配された第3の導電体と、第2の層間絶縁層に配された第3のホールに配された第4の導電体とが、積層され電気的に接続された構成である。 - 特許庁
To provide a capacitor having a large adhesion force between an interlayer insulating material and a metal electrode, high long-term reliability, and large capacitance with a dielectric composition that contains a high-permittivity inorganic particle and has large permittivity as an interlayer insulating material.例文帳に追加
高誘電率無機粒子を含有してなる比誘電率が大きい誘電体組成物を層間絶縁材料とし、層間絶縁材料と金属電極の密着力が大きく、長期信頼性が高く、静電容量が大きいキャパシタを提供する。 - 特許庁
To provide a photocatalytic composite material in which titanium oxide is incorpolated in the interlayer of smectite and a structure of the pore to be formed in the interlayer of smectite is controlled to be suitable for adsorbing the molecule to be decomposed.例文帳に追加
本発明は、スメクタイトの層間に酸化チタンを含む光触媒複合材料であって、スメクタイトの層間に形成される細孔構造が、分解対象分子の吸着において好適に制御された光触媒複合材料を提供することを目的とする。 - 特許庁
This image sensor includes: an image sensing section 110 formed on a substrate 100; an interlayer insulation layer 120 formed on the image sensing section 110; and an aspheric microlens 140 formed on the interlayer insulation layer 120.例文帳に追加
本発明によるイメージセンサは基板100に形成されたイメージ感知部110と、前記イメージ感知部110上に形成された層間絶縁層120と、前記層間絶縁層120上に形成された非球面マイクロレンズ140を含むことを特徴とする。 - 特許庁
In the wiring substrate 20J including electrode pads 4a and 6a exposed from an interlayer insulating layer 14, the electrode pads 4a and 6a are exposed on the surface same with the surface of the interlayer insulating layer 14, and materials of the exposed surface are different for every electrode pad 4a and electrode pad 6a.例文帳に追加
層間絶縁層14から露出する電極パッド4a、6aを有する配線基板20Jであって、電極パッド4a、6aはそれぞれ層間絶縁層14の表面と同一面で露出し、電極パッド毎に露出面の材質が異なっている。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is improved such that, in planarizing an interlayer insulating film, occurrence of global steps is restricted without depending on the density of an underlying pattern, and high planarization characteristic of the surface of the interlayer insulating film is obtained.例文帳に追加
層間絶縁膜の平坦化に際し、下地パターンの粗密に依存せず、グローバル段差の発生が抑制され、層間絶縁膜表面の高い平坦性が得られるように改良された半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an electronic component mounting structure in which an interlayer insulating film on a semiconductor chip is easily flattened in the electronic component mounting structure having a structure in which the semiconductor chip and the like are embedded in the interlayer insulating film on a base substrate.例文帳に追加
半導体チップなどがベース基板上の層間絶縁膜に埋設された構造を有する電子部品実装構造において、半導体チップ上の層間絶縁膜が容易に平坦化されて形成される電子部品実装構造の製造方法を提供する。 - 特許庁
An interlayer insulating film 17 is formed on the whole surface of a result object on which the gate pattern is formed, and contact holes exposing a gate electrode 9g of the MOS transistor and a specified region of a resistor pattern 9r are formed by patterning the interlayer insulating film 17.例文帳に追加
ゲートパターンが形成された結果物の全面に層間絶縁膜17を形成し、層間絶縁膜17をパタニングしてMOSトランジスタのゲート電極9g及び抵抗体パターン9rの所定領域を露出させるコンタクトホールを形成する。 - 特許庁
On an element substrate 10 of the liquid crystal device 100, an upper layer side of a thin film transistor 30 is covered with an interlayer insulating film 6 made of an organic flattening film, and a common electrode 9a is formed as a flattened electrode in the upper layer of the interlayer insulating film 6.例文帳に追加
液晶装置100の素子基板10上には、薄膜トランジスタ30の上層側が有機平坦化膜からなる層間絶縁膜6で覆われ、層間絶縁膜6の上層には、共通電極9aがベタの電極層として形成されている。 - 特許庁
A SiCN film 5, and a SiOC film 6, a PAE film 8, and an SiOC film 8 are formed in this order on a substrate of which the surface layer is an interlayer insulation film 2 embedded with first Cu wiring 4, so as to form interlayer insulation films.例文帳に追加
第1Cu配線4が埋め込み形成された層間絶縁膜2を基板の表面層とし、当該基板上にSiCN膜5、SiOC膜6、PAE膜8、およびSiOC膜8をこの順に成膜してなる層間絶縁膜を成膜する。 - 特許庁
Then, an interlayer insulating film is formed at the upper layer of the etching stopper film, and a contact hole for exposing the etching stopper film is opened by such etching as the interlayer insulating film is selectively removed from the etching stopper film, before the etching stopper film at the bottom of the contact hole is removed.例文帳に追加
次に、エッチングストッパ膜の上層に層間絶縁膜を形成し、エッチングストッパ膜に対して選択的に層間絶縁膜を除去するエッチングによりエッチングストッパ膜を露出させるコンタクトホールを開口し、次に、コンタクトホール底部のエッチングストッパ膜を除去する。 - 特許庁
On a semiconductor device 1, a primary interlayer dielectric film 50 overlies the upper layer side of a gate electrode 15, while source-drain electrodes 20 and 40 are electrically connected with source-drain regions 12 and 13 respectively through contact holes 51 and 52 on a primary interlayer dielectric film 60.例文帳に追加
半導体装置1では、ゲート電極15の上層側に第1層間絶縁膜50が形成され、ソース・ドレイン電極20、40は各々、第1層間絶縁膜60のコンタクトホール51、52を介してソース・ドレイン領域12、13に電気的に接続されている。 - 特許庁
To provide a multilayer printed wiring board in which poor solder plating does not take place easily and good interlayer conduction is attained easily, and also to provide its production process.例文帳に追加
めっき不良が起こりにくく、良好な層間導通を得やすい多層プリント配線板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
AlCu is simultaneously deposited in a connection hole 17 and on the surface of an interlayer insulating film 16 so as to form an AlCu film 20.例文帳に追加
接続ホール17内と層間絶縁膜16の表面とに、同時にAlCuを堆積してAlCu膜20を形成する。 - 特許庁
After heating or cooling is carried out at grade in which the form of the imprinted trenches does not collapse, the mold is removed from the interlayer insulating layer.例文帳に追加
これらの転写された溝の形状が崩れない程度に加熱あるいは冷却した後、モールドを層間絶縁層から取り外す。 - 特許庁
The interlayer insulating film 8a on the sidewall of the first groove section 9 is etched for forming the first groove section 9a where opening dimensions are expanded.例文帳に追加
そして、第1の溝部9側壁の層間絶縁膜8aをエッチングし、開口寸法の拡大した第1の溝部9aとする。 - 特許庁
To obtain starch having excellent adhesivity producible at a low cost and to provide a method for making sheet-shaped material using an interlayer adhesive containing the starch.例文帳に追加
優れた接着性能を有する澱粉を安価に提供し、該澱粉を含む層間接着剤を用いた抄紙方法を提供する。 - 特許庁
In the second interlayer insulating film, there is formed a wiring groove which passes through the electric conduction plug top and exposes the upper surface of the electric conduction plug.例文帳に追加
第2の層間絶縁膜に、導電プラグ上を通過して導電プラグの上面を露出させる配線溝が形成されている。 - 特許庁
The gate pattern 200 consists of a gate oxide film 110, a floating gate 120, a gate interlayer insulating film pattern 130, and a control gate 140.例文帳に追加
ここでゲートパターン200は、ゲート酸化膜110、浮遊ゲート120、ゲート層間絶縁膜パターン130、制御ゲート140からなる。 - 特許庁
To provide an interlayer insulating film having a satisfactory gap-fill performance on a gate insulating film by suppressing a charge-damage to the gate insulating film.例文帳に追加
ゲート絶縁膜に対するチャージダメージを抑止しつつ、ギャップフィル特性のよい層間絶縁膜をゲート絶縁膜上に形成する。 - 特許庁
Consequently, the conductor layers 11 and interlayer connection members 15b in contact states are bonded through solid-phase diffusion bonding.例文帳に追加
これによって、接触状態にある導体層11と層間接続部材15との間が固相拡散接合によって接合される。 - 特許庁
To provide a method of producing a multilayer optical recording medium, which is capable of producing the interlayer with high accuracy without necessity of disposing stampers.例文帳に追加
スタンパを使い捨てる必要がなく、各層間隔を精度よく作製可能な多層光記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁
The lower terminal part of a plate heat pipe 7 for heat collecting is inserted in a gap of an interlayer between a high-pressure layer and a low-pressure layer of the coil 6.例文帳に追加
前記巻線6のうち高圧層と低圧層との層間のギャップ内に集熱用プレートヒートパイプ7の下端部を挿入する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of preventing a material of a metal plug, which is embedded in a contact hole, from seeping into an interlayer insulation film.例文帳に追加
コンタクト孔に埋め込まれる金属プラグの材料が層間絶縁膜に染み出すのを防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
Then, a contact hole 10 reaching a part, where the p-type diffusion layer 5 of the silicon substrate 1 is formed, is formed on the interlayer dielectric 7.例文帳に追加
次に、層間絶縁膜7に、シリコン基板1のp型拡散層5が形成された部位に達するコンタクトホール10を形成する。 - 特許庁
Blind via holes 16 and 17 conducting between conductor layers 27 and 28 are formed in an opposite direction to each other in an interlayer insulation layer 11.例文帳に追加
層間絶縁層11に対し,導体層27,28間の導通をとる有底のビアホール16,17を互いに逆向きに形成する。 - 特許庁
To reduce wiring delay by reducing parasitic capacitances between wirings, and to improve the flatness of the surface of an interlayer dielectric after wire forming.例文帳に追加
配線間の寄生容量を下げ配線遅延を低減し、配線形成後の層間絶縁膜の表面の平坦性を向上する。 - 特許庁
To provide a thin film transistor substrate capable of reducing interlayer short-circuit defects in a capacitor, and to provide a display device with the thin film transistor substrate.例文帳に追加
キャパシタの層間ショート欠陥を低減することが可能な薄膜トランジスタ基板およびこれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁
An impact caused when bonding to the metal pad PAD is exerted on the interlayer dielectric layers IL which is buried on the dummy pattern forbidden region PROH.例文帳に追加
金属パッドPADへのボンディング時の衝撃はダミーパターン禁止領域PROH上を埋める層間絶縁膜ILにかかる。 - 特許庁
To improve interlayer adhesion and weatherability of a decorative sheet which can fully express three-dimensional appearance of solidity.例文帳に追加
3次元的な立体感を十分に表現することが可能な加飾シートの層間の密着性及び耐候性の改善を図ること。 - 特許庁
Then a first hole 23 is formed penetrating the first and second interlayer insulating films 18 and 19 and also exposing the etching stopper film 17.例文帳に追加
次に、第1,第2の層間絶縁膜18,19を貫通し、且つ、エッチングストッパー膜17を露出する第1のホール23を形成する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device with which residual film thickness of an interlayer insulating film on a thin-film resistor can be controlled accurately.例文帳に追加
薄膜抵抗体上の層間絶縁膜残存膜厚を精度良く制御できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The silicon oxide film is used as an embedded material and an interlayer insulating film of a trench 5 which is formed on the principle surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
このシリコン酸化膜を半導体基板1主面に形成したトレンチ5の埋め込み材や層間絶縁膜として用いる。 - 特許庁
An impact caused when bonding to the metal pad PAD is exerted on the interlayer dielectrics IL which bury on the dummy pattern forbidden region PROH.例文帳に追加
金属パッドPADへのボンディング時の衝撃はダミーパターン禁止領域PROH上を埋める層間絶縁膜ILにかかる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a printed circuit board which assures excellent interlayer connection reliability and includes a higher density multilayer structure manufactured at a lower cost.例文帳に追加
層間接続信頼性に優れ、高密度且つ低コストの多層構造を有するプリント基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
An interlayer insulating film as a BPSG film 6 is formed on the laminate, and the BPSG film 6 is polished by a CMP method to be flattened.例文帳に追加
その上にBPSG膜6による層間絶縁膜を形成し、CMPを用いてBPSG膜6を研磨して平坦化を行う。 - 特許庁
In Figure, this silicide film 15 of the TiSi_2 exists continuously up to the interlayer insulating film 13 including the inner wall of the contact hole 14.例文帳に追加
図ではこのTiSi_2のシリサイド膜15がコンタクトホール14内壁も含め層間絶縁膜13上にまで連続して存在する。 - 特許庁
The pad structure being connected with a conductive region in a semiconductor integrated circuit (not shown) is formed on an interlayer insulating film 10.例文帳に追加
図示しない半導体集積回路内部の導電領域と接続されるパッド構造は、層間絶縁膜10上に形成される。 - 特許庁
As shown in (a), a BPSG film 12 is used as a flattening interlayer insulation film on a wiring 11, in an Si wafer EF.例文帳に追加
(a)に示すように、SiウェハWFにおいて、配線11上に平坦化層間絶縁膜としてBPSG膜12が用いられる。 - 特許庁
An interlayer insulating film 12 on a connection wire 10 connected to a data line and consisting of a metal having a high melting point is removed to form an aperture.例文帳に追加
データラインに接続された高融点金属から成る接続配線10上の層間絶縁膜12を除去し開口する。 - 特許庁
One end of the interlayer 6 is connected to a side surface terminal 5b communicating from an upper surface electrode 3b loading the LED chip 9.例文帳に追加
中間層6の一端をLEDチップ9を搭載した上面電極3bから連通する側面端子部5bに接続する。 - 特許庁
To stably turn over a page of a bankbook by eliminating a contact of a jumped-up interlayer sheet suspended with a feed roller.例文帳に追加
跳ね上げられた中紙が垂れ下がってフィードローラに接触することがないようにして、頁めくりが安定して行われるようにする。 - 特許庁
To detect an interlayer short circuit of a switch element such as an FET included in an electromagnetic load circuit, and to accurately perform a failure diagnosis of the electromagnetic load circuit.例文帳に追加
電磁負荷回路が含むFETのようなスイッチ素子のレアショートを検出し、電磁負荷回路の故障診断を的確に行う。 - 特許庁
Furthermore, wiring (an auxiliary wiring) formed over the interlayer insulating film is electrically or directly connected to the auxiliary power supply line.例文帳に追加
そして、補助電源線には、層間絶縁膜上に形成された配線(補助配線)が電気的に、或いは直接、接続されている。 - 特許庁
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