Interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
To provide a substrate for printed wiring board in which an interlayer conductive portion can be formed easily at the position of a through-hole with good positioning precision.例文帳に追加
貫通孔の位置に層間導電部を容易に位置精度良く形成できるプリント配線板用基材を提供する。 - 特許庁
To enhance an adhesive property of each of an insulating sheet, a metal wiring, and an interlayer insulating film to prevent a separation.例文帳に追加
絶縁シート,金属配線および層間絶縁膜それぞれの密着性を向上させて剥離を防止することを目的とする。 - 特許庁
An upper light shielding film 56 provided on a third interlayer insulation film 53 shields light irradiated from above.例文帳に追加
第三の層間絶縁膜53上に設けられた上部遮光膜56によって、上方から照射される光を遮光する。 - 特許庁
To provide a thin-film superconducting wire and method of manufacturing the same with improved crystal orientation of an interlayer thin film.例文帳に追加
中間層薄膜の結晶配向性を向上させた薄膜超電導線材及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To reduce the damage of interlayer insulating film, wiring layer, input/output pad or surface protecting film caused by stress accompanied with bonding.例文帳に追加
ボンディングを伴うストレスによる層間絶縁膜および配線層、入出力パッド、表面保護膜等の損傷を低減する。 - 特許庁
The second hole 11 is formed from the bottom part of the first hole 7 to reach the pad 3 through the interlayer insulating film 2.例文帳に追加
そして、第1孔7の底部から層間絶縁膜2を貫通してパッド3に達する第2孔11が形成されている。 - 特許庁
A lower metal layer 2B is provided on a lower interlayer dielectric 1 in an MIM capacitance element forming region 2000.例文帳に追加
MIM容量素子形成領域2000の下層層間絶縁膜1の上には、下層金属層2Bが設けられている。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device that achieves a cost reduction by suppressing an increase in chip area caused by interlayer connection.例文帳に追加
層間接続により生ずるチップ面積の増大を抑制し、コスト削減を実現する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The self-alignment contact is formed by etching the interlayer insulating film 530 and a dielectric layer 310 using the caps as masks.例文帳に追加
前記キャップをマスクとして、前記層間絶縁膜530と誘電体層310をエッチングして自己整合コンタクトを形成する。 - 特許庁
To obtain formation method of a low-dielectric constant interlayer insulating film, and a semiconductor device which is manufactured using the method.例文帳に追加
低誘電率の層間絶縁膜の形成方法、及びその方法を用いて作製される半導体装置を提供すること。 - 特許庁
Further, a PZT films S1b, S2b which serves as barrier layers are formed in the interlayer insulating films S1, S2 of the FeRAM memory cell.例文帳に追加
また、FeRAMメモリセルの層間絶縁膜S1、S2中に、バリア層となるPZT膜S1b、S2bを形成する。 - 特許庁
To improve adhesiveness between a low dielectric constant film and the other film without raising a dielectric constant of an interlayer insulating film.例文帳に追加
層間絶縁膜の誘電率上昇をもたらすことなく、低誘電率膜と他の膜との間の密着性を向上させる。 - 特許庁
Then, an interlayer optical directional coupler having an optical coupling straight part 7 is constituted by the upper and lower cores 21, 22.例文帳に追加
そして、上下のコア21,22により、光結合直線部7を有する層間光方向性結合器が構成されている。 - 特許庁
A liner layer 12 is formed as, for instance, a silicon nitride film, having an etching selection ratio different from a silicon oxide film of an interlayer insulating film 13.例文帳に追加
ライナー層12は、層間絶縁膜13のシリコン酸化膜とエッチング選択比が異なる例えばシリコン窒化膜とする。 - 特許庁
A trench 9 is formed on a first interlayer insulating film 107, and a part of an n^+ impurity diffused region 5A is exposed.例文帳に追加
第1の層間絶縁膜107にトレンチ9を形成して、n^+不純物拡散領域5Aの一部を露出させる。 - 特許庁
A diagnosis section 46 detects the interlayer short-circuit of resolvers 22, 23 and 16 in response to the variation state of these calculated amplitude values.例文帳に追加
診断部46は、これらの計算された振幅値の変化状態に応じて、レゾルバ22,23,16のレアショートを検出する。 - 特許庁
To flatten an interlayer/interalayer insulating film on a semiconductor wafer (14), a method and an apparatus (10 and 50) are provided.例文帳に追加
半導体ウェハ(14)上の層間層内絶縁膜を平坦化するために、方法および装置(10、50)が提供される。 - 特許庁
The thicknesses tO_1, tO_2 and tN_3 of the interlayer insulating films 503, 504 and 202 satisfy relations of tO_1<tN_2, tO_2>tO_1 and tN_2<tO_2.例文帳に追加
層間絶縁膜503,504,202のそれぞれの厚さt_O1,t_O2,t_N2の間には、t_O1<t__N2,t_O2>t_O1,t_N2<t_O2の関係がある。 - 特許庁
The upper surface of a portion formed at least on the lower-layer wiring 7 in the second interlayer insulating film 8 is flat.例文帳に追加
そして、第2層間絶縁膜8における少なくとも下層配線7上に形成された部分の上面は、平坦である。 - 特許庁
To obtain a multilayer printed wiring board in which separation between an Sn (tin) layer and an interlayer resin insulating layer is avoided and which has the excellent connectability of a via-hole part.例文帳に追加
Sn層と層間樹脂絶縁層とが剥離せず、バイアホール部の接続性に優れた多層プリント配線板を得る。 - 特許庁
METHOD FOR IMPROVING INTERLAYER STRENGTH OF COMPOUND METAL FOIL, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND METAL FOIL, AND METAL BASE CIRCUIT BOARD USING THE COMPOUND METAL FOIL例文帳に追加
複合金属箔の層間強度向上法と複合金属箔の製造方法及びそれを用いた金属ベース回路基板 - 特許庁
A lower electrode 25a of silicon material is formed on an interlayer insulating film, and then a specimen is introduced into a deposition chamber.例文帳に追加
層間絶縁膜上にシリコン系材料から成る下部電極25aを形成した後、この試料を成膜室内に入れる。 - 特許庁
To provide a method of efficiently increasing the capacitance by preventing the influence by the outgassing from an interlayer film in a HSG process.例文帳に追加
HSGプロセスにおいて層間膜からのアウトガスの影響を防止し効果的にキャパシタンス容量を増加させる方法を提供する。 - 特許庁
To provide a work arranging device which enhances the efficiency for stacking lead frames or plate works, such as a printed board, with a piece of interlayer paper being interposed therebetween.例文帳に追加
リードフレーム又はプリント基板等のプレート状ワークに層間紙を挟んで積み重ねる作業の効率向上を図る。 - 特許庁
After the film formation process or after the interlayer insulation process, heat treatment is conducted on the transparent substrate in a single-wafer method by heating by a heater.例文帳に追加
成膜工程後又は層間絶縁工程後に、透明基板に対し、ヒータ加熱による熱処理を枚葉式に施す。 - 特許庁
Thus, a step composed of recessed and projecting sections corresponding to each wiring layer 83 is produced on the surface of the second interlayer insulating film 84.例文帳に追加
そのため、第2層間絶縁膜84表面には各配線層83に対応した凹凸からなる段差が生じている。 - 特許庁
An interlayer insulation layer 17 covers MOSFET Q1 and is formed with holes 18t and 18d by being penetrated at predetermined parts.例文帳に追加
層間の絶縁層17はMOSFET Q1を覆い、所定部が貫通されホール18t,18dが形成されている。 - 特許庁
A first interlayer wiring post 20 and the first resin sealed layer 19 are provided around the first CSP 13.例文帳に追加
第1のCSP13の周囲には第1の層間配線ポスト20および第1の樹脂封止層19が設けられている。 - 特許庁
The crack detection pattern 5 is electrically connected to a crack detection pad 6 formed on the interlayer insulating film 27.例文帳に追加
クラック検出用パターン5は、層間絶縁膜27上に形成されるクラック検出用パッド6と電気的に接続されている。 - 特許庁
By interposing the interlayer retention member, doping and undoping of lithium ions to and from the vanadium oxide are smoothly conducted.例文帳に追加
かかる層間確保部材を介在させることで、その後のバナジウム酸化物へのリチウムイオンのドープ、脱ドープが円滑に行われる。 - 特許庁
To improve the reliability of a display device provided with an organic EL layer via an interlayer insulating film on thin-film transistors(TFTs).例文帳に追加
薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜を介して有機EL層を設けてなる表示装置の信頼性の向上を図る。 - 特許庁
The interlayer insulating film 8 is formed on the conductive layer 6b.例文帳に追加
層間絶縁膜8は導電層6b上に形成され、導電層6b上に位置する領域に形成されたコンタクトホール10を有する。 - 特許庁
A fuse side insulating film 1a of the interlayer insulating film 1 is formed on each of side surfaces of the fuse elements 2a, 2b.例文帳に追加
そして、ヒューズ素子2a、2bの側面上には、層間絶縁膜1からなるヒューズ側部絶縁膜1aが形成されている。 - 特許庁
The shading layer 110 formed on the interlayer insulating film 108 is formed to cover at least the memory cell.例文帳に追加
このとき、層間絶縁膜108上に形成された遮光膜110は、少なくともメモリセルを覆う領域に形成される。 - 特許庁
The first interlayer insulating film 12 is thicker than the gate insulating film 16 and is lower in a specific dielectric constant than the gate insulating film 16.例文帳に追加
第1の層間絶縁膜12は、ゲート絶縁膜16よりも厚く、且つ、ゲート絶縁膜16よりも比誘電率が低い。 - 特許庁
To provide a carbon fiber-reinforced plastic molded body and a method of producing the carbon fiber-reinforced plastic molded body, capable of improving an interlayer toughness.例文帳に追加
層間靭性の向上を図ることができる炭素繊維強化プラスチック成形体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Plasma treatment is applied on a surface of an interlayer insulation film IL3 having a line L3 and a digit line DL.例文帳に追加
配線L3およびデジット配線DLを形成した層間絶縁膜IL3の表面に対してプラズマ処理を実施する。 - 特許庁
After transistors T1 and T2 are formed on a semiconductor substrate 110, a stopper layer 120 and an interlayer dielectric film 121 are formed.例文帳に追加
半導体基板110にトランジスタT1、T2を形成した後、ストッパ層120及び層間絶縁膜121を形成する。 - 特許庁
When the ratio B/A is a threshold α or more, the interlayer separation characteristics of the optical pickup device are evaluated to be appropriate.例文帳に追加
そして、この比率B/Aが閾値α以上の場合に、光ピックアップ装置の層間分離特性が適正であると評価する。 - 特許庁
A part 30 of a collector contact opening is formed by etching halfway the interlayer dielectric 23 of an upper part of the trench.例文帳に追加
トレンチの上部の層間絶縁膜23を途中までエッチングすることにより、コレクタコンタクト用開口の一部30を形成する。 - 特許庁
The bankbook or the like 1 is formed by binding a plurality of interlayer sheets 2 and a transparent film 5 between two covers 3 and 4.例文帳に追加
通帳類1は、2枚の表紙3、4の間に複数枚の中紙2および透明フィルム5を綴じて形成される。 - 特許庁
A reformed layer which has resistance to N_2/H_2 plasma, is formed at an exposed part of the interlayer insulating film by using N_2 plasma (process 1).例文帳に追加
層間絶縁膜の露出部分に、N_2/H_2プラズマに耐え得る改質層をN_2プラズマを用いて形成する(工程1)。 - 特許庁
CONTACT HOLE/INTERLAYER INSULATING FILM, FORMING METHOD THEREOF, DISPLAY DEVICE, DISPLAY UNIT, SEMICONDUCTOR OPERATIONAL DEVICE AND COMPUTER例文帳に追加
コンタクトホール/層間絶縁膜の形成方法、コンタクトホール/層間絶縁膜、表示素子、表示装置、半導体演算素子およびコンピュータ - 特許庁
To put it concretely, a projecting part 43a is formed as the part extended to the region R in the third interlayer insulating film 43.例文帳に追加
より具体的には、第3層間絶縁膜43のうち領域Rに延びる部分として凸部43aが形成されている。 - 特許庁
The wiring 5 whose wiring width being ≤0.4 μm and consisting of a metal material is formed on the first interlayer dielectric 3.例文帳に追加
第1層間絶縁膜3上には、金属材料からなり、配線幅が0.4μm以下の配線5が形成されている。 - 特許庁
The middle layer 23 is constituted of a ruthenium film, and a pair of adjacent soft magnetic sandwiching the middle layer are coupled interlayer antiferromagnetically.例文帳に追加
中間層23はルテニウム膜で形成され、それを挟んで隣接する一対の軟磁性膜を層間反強磁性結合させる。 - 特許庁
A liner layer 9 of SiN film or the like is not provided between the side of a side wall spacer 6 and an interlayer insulating film 12.例文帳に追加
SiN膜等からなるライナー層9を、サイドウォールスぺーサ6の側面と層間絶縁膜12との間には形成しない。 - 特許庁
On the 2nd capacitance electrode layer 54, a 3rd capacitance layer 70 is extendedly arranged via an interlayer insulating electrode film 15.例文帳に追加
第2の容量電極層54上には、層間絶縁膜15を介して、第3の容量電極層70が延設されている。 - 特許庁
To provide a method for evaluating a recording system using a multilayer optical recording medium by which influence of interlayer cross-talk is accurately measured.例文帳に追加
層間クロストークの影響を正確に測定できるようにした多層光記録媒体を用いた記録システムの評価方法。 - 特許庁
To form an interlayer dielectric planarized by a CMP method on a semiconductor element where high-accuracy electrical characteristics are required.例文帳に追加
高い精度の電気特性が要求される半導体素子上にCMP法で平坦化した層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁
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