「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, an Ni film 117 is formed for covering the surfaces of the interlayer film 116 and the polysilicon gate electrodes 108, 109.例文帳に追加

さらに、層間膜１１６およびポリシリコン・ゲート電極１０８，１０９の表面を覆うＮｉ膜１１７を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR DETECTING INTERLAYER POSITION OF LAMINATE SUBSTRATE, METHOD FOR DESIGNING LAMINATE SUBSTRATE, AND INSPECTION DEVICE OF DISPLACEMENT IMAGE OF LAMINATE SUBSTRATE例文帳に追加

積層基板の層間位置検出方法、積層基板の設計方法及び積層基板の位置ずれ画像検査装置 - 特許庁

To provide a semiconductor device, provided with a pad 30A superior in adhesion to an interlayer insulating layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

層間絶縁層との密着性が優れたパッド部を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time, the reflow treatment is executed at a temperature lower than the transition temp. of the substrate, thereby flattening the interlayer insulating film 20.例文帳に追加

この際、基板１の転移温度よりも低い温度でリフロー処理を行い、層間絶縁膜２０を平坦化する。 - 特許庁

To make it possible to enlarge a margin for displacement and make a distance among adjoining interlayer wiring layers small.例文帳に追加

位置ずれに対するマージンを大きくとれるようにし、隣接する層間配線層間の距離を短く取れるようにする。 - 特許庁

In the metal wire 33, a part in contact with the interlayer insulating films 25, 14 is covered with a diffusion prevention film 30.例文帳に追加

金属配線３３は、層間絶縁膜２５，１４に接する部位が拡散防止膜３０によって覆われている。 - 特許庁

A first conductive film 23A and a second conductive film 23B are laminated interposing an interlayer insulating layer 22 between them.例文帳に追加

層間絶縁層２２を介して積層された第１の導電膜２３Ａおよび第２の導電膜２３Ｂを設ける。 - 特許庁

To successfully implant Cu in a fine pattern and to suppress diffusion of Cu into an interlayer insulating film.例文帳に追加

微細パターンのＣｕの埋め込みが良好であり、Ｃｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制することを目的とする。 - 特許庁

A transparent coloring material is contained in advance in an interlayer insulating film 12 which is laminated on a glass substrate 21.例文帳に追加

ガラス基板２１上に積層する層間絶縁膜１２に対し、透明な発色材料を予め含有させる。 - 特許庁

Next, the conductive film 5 is polished by a CMP method, until the surface of the interlayer insulation film 3 is exposed (Fig. 2 (c)).例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法を用いて、層間絶縁膜３の表面が露出するまで導電膜５を研磨する（図２（ｃ））。 - 特許庁

Thereafter, recesses 104 are formed in the insulating barrier film 103 and the first interlayer insulating film 101 which are interposed between the lower-layer wirings 102, and a second interlayer insulating film 105 is so deposited on the insulating barrier film 103 as to fill the recesses 104 with the film 105.例文帳に追加

その後、下層配線間の絶縁性バリア膜１０３及び第１の層間絶縁膜１０１に溝１０８を形成し、絶縁性バリア膜１０３の上に溝１０８を埋めるように第２の層間絶縁膜１０５を堆積する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multilayer printed wiring board, in which the so-called 'via fog' is not generated, when an opening for a via hole is formed in an interlayer resin insulating layer and in which a roughened face can be formed easily on the interlayer resin insulating layer.例文帳に追加

層間樹脂絶縁層にバイアホール用開口を形成する際、いわゆるビアかぶりが発生せず、しかも、層間樹脂絶縁層に粗化面を容易に形成することができる多層プリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Further, the interlayer resin insulation layer 60 is hardly peeled off (delaminated) because adhesion between the plane layer 53 and the upper layer of the interlayer resin insulation layer 60 is increased for the recess 50a of the via hole 50A formed at the plane layer 53 serves as an anchor.例文帳に追加

更に、プレーン層５３に形成されるバイアホール５０Ａの窪み５０ａがアンカーとなってプレーン層５３と上層の層間樹脂絶縁層６０との密着性を高めるため、該層間樹脂絶縁層６０に剥離（デラネーション）が生じ難い。 - 特許庁

In this wiring structure where a wiring layer is embedded in an interlayer insulation film, the interlayer adjoining to a wiring layer has a three-layer structure consisting of a diffusion prevention film, a porous insulation film and a cap film, and the cap film is made of SiOC or SiO_2.例文帳に追加

層間絶縁膜に配線層が埋め込まれた配線構造において、配線層に隣接する層間絶縁膜が、拡散防止膜、多孔質絶縁膜、およびキャップ膜の３層構造からなり、キャップ膜がＳｉＯＣまたはＳｉＯ_２からなる。 - 特許庁

At this time, the second and third interlayer insulating films 42, 43 are respectively subjected to planarization processing by using a CMP method, and the contact holes are made, only in the pixel regions 10a of the second and third interlayer insulating films 42, 43 subjected to the planarizing processing.例文帳に追加

その際、ＣＭＰ法を用いて第２，第３層間絶縁膜４２，４３をそれぞれ平坦化処理し、これら平坦化処理した第２，第３層間絶縁膜４２，４３に対しては画素領域１０ａのみにコンタクトホール８３，８４を開孔する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a semiconductor device that allows preventing occurrence of steps on an interlayer dielectric film due to the pattern difference in the underlying structure, by forming the interlayer dielectric film through many-time simultaneous vapor deposition and etching processes.例文帳に追加

多数回の同時蒸着及びエッチング工程によって層間絶縁膜を形成することにより、下部構造物のパターン差による層間絶縁膜の段差発生を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Interlayer insulation films 47 are formed on the surface of the wettability changing layer 43 which is not covered with the conductive layer 45 and, further, a packaged leader lines 49 are formed between the interlayer insulation films 47 so as to cover the conductive layer 45.例文帳に追加

導電層４５で覆われていない濡れ性変化層４３の表面には、層間絶縁膜４７が形成されており、さらに層間絶縁膜４７の間には、導電層４５を覆うように実装引出し配線４９が形成されている。 - 特許庁

Meanwhile, since one part of an interlayer insulation layer 35 enters into the hole portion 161 when the capacitor 101 is disposed on the interlayer insulation layer 33, the positional deviation of the capacitor 101 in a plane direction can be prevented.例文帳に追加

なお、配線基板内蔵用キャパシタ１０１を層間絶縁層３３上に配置する際、層間絶縁層３５の一部が穴部１６１内に入り込むため、配線基板内蔵用キャパシタ１０１の平面方向への位置ずれを防止できる。 - 特許庁

To prevent rear-burning even when board thickness is thin, about 0.2-0.6 mm, in a laminated board with interlayer circuit formed by combining forming material of an interlayer circuit and a prepreg for heat-molding.例文帳に追加

内層回路形成材とプリプレグを組み合わせ、加熱成形してなる内層回路入り積層板であって、板厚が０．２ｍｍ〜０．６ｍｍ程度に薄い場合でも裏焼けを防止できる内層回路入り積層板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A metal wiring 172 in the metal wiring 17 is related to a selective open hole 16 for the second layer 142 of the interlayer insulating film 14, and comprises a region opposed to the silicide layer 12 through the first layer 141 of the interlayer insulating film 14.例文帳に追加

金属配線１７うち金属配線１７２は、層間絶縁膜１４の第２層１４２に対する選択的な開孔部１６に関係し層間絶縁膜１４の第１層１４１を介してシリサイド層１２と対向する領域を有する。 - 特許庁

Also, on a surface of an interlayer insulating film 73 (a second interlayer insulating film), second through-holes 73a on the display area side of the display area 10a and second through-holes 73b on the surrounding area side of the surrounding area 10b have openings in a density equivalent to each other.例文帳に追加

また、層間絶縁膜７３（第２層間絶縁膜）の表面では、表示領域１０ａの表示領域側第２スルーホール７３ａと周辺領域１０ｂの周辺領域側第２スルーホール７３ｂとが同等の密度で開口している。 - 特許庁

To provide a TFT array substrate in which an interlayer short circuit part is separated with laser repair etc. even when interlayer short circuit takes place between a shield common electrode and a drain wire due to a process factor in a lateral electric field type liquid crystal display device.例文帳に追加

横方向電界方式の液晶表示装置において、プロセス要因によるシールド共通電極とドレイン配線の層間ショートが発生しても、レーザーリペア等で層間ショート部を分離することが出来るＴＦＴアレイ基板を提供する。 - 特許庁

A contact hole 11N is formed selectively penetrating through an interlayer insulating film 10 and the element isolation insulating film 9 between the upper surface of the interlayer insulating film 10 and the upper surface of the SOI layer 4.例文帳に追加

また、コンタクトホール１１Ｎは、ＳＯＩ基板１の素子分離領域において、層間絶縁膜１０の上面とＳＯＩ層４の上面との間で層間絶縁膜１０及び素子分離絶縁膜９を選択的に貫通して形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulation film 4 is formed on a semiconductor substrate 1 where a transistor 2 for selecting a storage element is formed, and a contact hole is formed at the interlayer insulation film 4 by a plasma etching method with a gas system containing CHF_3 as an etching gas.例文帳に追加

記憶素子選択用のトランジスタ２を含む回路が形成された半導体基板１の上に層間絶縁膜４を形成し、この層間絶縁膜４に対してＣＨＦ_3 を含むガス系をエッチングガスとするプラズマエッチング法でコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

An element substrate and a counter substrate are bonded with mask layers disposed simultaneously with the pixel electrodes on the second interlayer dielectric (polyimide films) on the driver circuits as a mask and thereafter the second interlayer dielectrics are removed, by which external connecting terminals are exposed.例文帳に追加

ドライバー回路上の第２の層間絶縁膜（ポリイミド膜）の上に画素電極と同時に設けたマスク層をマスクとして、素子基板と対向基板の接合後に第２の層間絶縁膜を除去する事で外部接続端子の露出を行う。 - 特許庁

The substrate for the electrooptical device is provided with: an interlayer film 44 which separates film forming patterns formed in a layered manner on the substrate; a groove section 111 formed on the interlayer film 44; and a pixel electrode 9a formed in the groove section 111.例文帳に追加

基板上に層状に形成された成膜パターンを分離する層間膜４４と、前記層間膜４４上に形成される溝部１１１と、前記溝部１１１内に形成される画素電極９ａとを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having an interlayer and a photosensitive layer on an electroconductive substrate, the interlayer comprises an anatase type titanium dioxide pigment containing 100 ppm to 2.0 mass% of a transition metal.例文帳に追加

導電性基体上に中間層、感光層を有する電子写真感光体において、該中間層が遷移金属を１００ｐｐｍ〜２．０質量％含有したアナターゼ形酸化チタン顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

To provide a laser-boring machine for multilayer printed wiring board, in which interlayer connection reliability of via is enhanced by completely removing remaining resin on the surface at the land part of an inner layer copper foil at boring of a via for interlayer connection.例文帳に追加

配線層間の導通をとるバイア用の孔あけ加工にて、内層銅箔のランド部の表面の樹脂残渣を完全に除去し、バイアの層間接続の信頼性を高める多層プリント配線板用レーザ孔あけ加工機を提供すること。 - 特許庁

Then the entire surface including the interlayer insulating film 22D is subjected to metal oxidation processing and then subjected to ashing using oxidation reaction to remove the part (remaining film 22E) of the interlayer insulating film 22D corresponding to the predetermined region.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜２２Ｄを含む表面全体に対して金属酸化処理を行ったのち、酸化反応を利用したアッシングを行うことにより層間絶縁膜２２Ｄのうち上記所定の領域に対応する部分（残膜２２Ｅ）を除去する。 - 特許庁

An element surface electrode 27 is formed on the interlayer insulating film 13, and a passivation film 15 having an opening 30 opened in part of the element surface electrode 27 is formed on the element surface electrode 27 and on the interlayer insulating film 13.例文帳に追加

層間絶縁膜１３上に素子面電極２７が形成され、素子面電極２７上及び層間絶縁膜１３上に、素子面電極２７の一部分が開口された開口部３０を有するパッシベーション膜１５が形成されている。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, the common electrode 110 is formed on an organic passivation film 109 in a matted manner in plane, the interlayer insulation film 111 is formed on the common electrode 110, and a comb-teeth-shaped pixel electrode 112 is formed on the interlayer insulating film 111.例文帳に追加

有機パッシベーション膜１０９の上に平面ベタでコモン電極１１０が形成され、コモン電極１１０の上に層間絶縁膜１１１が形成され、層間絶縁膜１１１の上に櫛歯状の画素電極１１２が形成されている。 - 特許庁

To surely prevent the crack, peeling, or the like, of an interlayer insulating film made from mechanical or thermal stress, in a semiconductor device which has a multilayer wiring structure using the interlayer insulating films made of a dielectric material having a lower dielectric constant, or the like.例文帳に追加

低誘電率誘電体材料などからなる層間絶縁膜を用いた多層配線構造を有する半導体装置において、機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離等を確実に防止する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process wherein a graphite crystal or a graphite interlayer compound manufactured from the graphite crystal is stirred in water and/or an organic solvent and a graphite layer is peeled from the graphite crystal or the graphite interlayer compound.例文帳に追加

グラファイト結晶、またはグラファイト結晶から作製されたグラファイト層間化合物を、水および／または有機溶媒中で攪拌し、グラファイト結晶またはグラファイト層間化合物から、グラファイト層を剥離する工程を含む事を特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a first interlayer insulating film 101 formed on a semiconductor substrate 100 and a plurality of lower wiring lines 105 made of conductive members buried in a plurality of groove portions formed on the first interlayer insulating film 101.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１００の上に形成された第１の層間絶縁膜１０１と、該第１の層間絶縁膜１０１に形成された複数の溝部に埋められた、導電性部材からなる複数の下部配線１０５とを有している。 - 特許庁

A first-layer convex microlens 8 having a refractive index larger than that of upper and lower interlayer dielectrics and a second-layer concave microlens 9 having a refractive index smaller than that of the upper and lower interlayer dielectrics are provided between a microlens 7 and a photodiode 1.例文帳に追加

マイクロレンズ７とフォトダイオード１との間に、上下の層間絶縁膜よりも屈折率が大きい凸状の第１層内マイクロレンズ８と、上下の層間絶縁膜よりも屈折率が小さい凹状の第２層内マイクロレンズ９を設ける。 - 特許庁

This laminated glass is provided with a couple of glass plates 1a and 1b, a plastic-made interlayer film 2 sandwiched between the glass plates 1a and 1b, and a temperature sensor 5 sandwiched between at least one of the glass plates and the plastic-made interlayer film.例文帳に追加

２枚のガラス板１ａ、１ｂと、該２枚のガラス板の間に挟持されたプラスチック製中間膜２と、該２枚のガラス板の少なくとも一方と該プラスチック製中間膜の間に挟持された温度センサ５とを備えた温度センサ付合わせガラス。 - 特許庁

To eliminate an abnormal form at the connection hold formed at a low permittivity interlayer insulating film, related to a manufacturing method for a contact structure where the formation of embedded wiring and that of a low permittivity interlayer insulating film are coupled.例文帳に追加

埋め込み配線の形成と低誘電率層間絶縁膜の形成とを組み合わせたコンタクト構造の製造方法であって、低誘電率層間絶縁膜に形成する接続孔に対して形状の異常を発生させないものを実現する。 - 特許庁

To provide an interlayer film for a transparent laminate superior in adhesiveness to a transparent glass plate and transparent resin sheet, and, superior in noise insulation property at approximately normal temperature and a tranparent laminate made by using the interlayer film for the tranparent laminate.例文帳に追加

透明ガラス板及び透明樹脂板に対する接着性に優れるとともに、常温付近で優れた遮音性能を有する透明積層体用中間膜、及び、該透明積層体用中間膜を用いてなる透明積層体を提供する。 - 特許庁

The TFT array substrate 200 is formed by successively laminating a semiconductor layer 1, gate insulating film 2, scanning line 3 and capacitor line 3b, flattened interlayer insulating film 4, interlayer insulating film 7 and pixel electrodes 9a on a substrate 10.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板２００は、基板１０上に半導体層１、ゲート絶縁膜２、走査線３及び容量線３ｂ、平坦化処理された層間絶縁膜４、層間絶縁膜７、画素電極９ａが順次積層されて構成される。 - 特許庁

Then, a third insulation film for an interlayer insulation film is formed after forming a second insulating film which is an amorphous compound consisting of fluorine and carbon working as an etching stopper during etching of an interlayer insulation film, on the semiconductor element.例文帳に追加

次に、前記半導体素子上に層間絶縁膜のエッチング時にエッチングストッパーとして働く、フッ素と炭素から成るアモルファス状の化合物である第２の絶縁膜を形成した後、前記層間絶縁膜として第３の絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate having various elements for making the device, an interlayer insulation film on the substrate, a dual damascene pattern made on the interlayer insulation film, and SiC_xH_y film spacers formed on the sidewalls of the dual damascene pattern.例文帳に追加

半導体素子を形成するためのいろいろの要素が設けられた半導体基板と、基板上の層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成されたデュアルダマシンパターンと、デュアルダマシンパターンの側壁に形成されたＳｉＣｘＨｙ膜スペーサーとを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step (a) of forming a barrier metal film on the wiring groove formed on an interlayer dielectric on a semiconductor substrate and the whole surface of the interlayer dielectric; and a step (b) of depositing a metal film on the barrier metal film after the step (a).例文帳に追加

半導体基板上の層間絶縁膜に形成された配線溝及び層間絶縁膜全面にバリアメタル膜を形成する工程（ａ）と、この工程（ａ）の後に、前記バリアメタル膜上に金属膜を堆積する工程（ｂ）とを有している。 - 特許庁

After a wiring trench 7 corresponding to the contact hole 6 is formed in the third interlayer insulation film 11, a second barrier metal film 8 is formed on the third interlayer insulation film 11 to cover the inner surface of the contact hole 6 and the wiring trench 7.例文帳に追加

また、第３の層間絶縁膜１１に接続孔６に対応する配線溝７を形成した後、接続孔６および配線溝７の内面を被覆するようにして、第３の層間絶縁膜１１の上に第２のバリアメタル膜８を形成する。 - 特許庁

An element dielectric film part 5a is formed in a horse-shoe shape on an inside periphery of the first interlayer insulating film 3, and a second electrode (an upper electrode) 6a is formed in the concave part by leveling the first interlayer insulating film 3 by the chemical mechanical polishing method.例文帳に追加

その後第１層間絶縁膜３を化学機械研磨法で平坦化することにより、第１層間絶縁膜３の内周に素子誘電体膜部５ａをＵ字形状に形成し、その凹部に第２電極（上部電極）６ａを形成する。 - 特許庁

This semiconductor device includes a first wiring 3, an interlayer insulating film 2 disposed on the first wiring 3 while having a recessed part at a location corresponding to the first wiring 3, and a second wiring 4 disposed in the recessed part of the interlayer insulating film 2.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置は、第１の配線３と、第１の配線３上に配置され、第１の配線３に対応する場所に凹部を有する層間絶縁膜２と、層間絶縁膜２の凹部に配置された第２の配線４と、を有する。 - 特許庁