「LD」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

For those interested in further optimization,there are flags that affect kernel assembling, packaging and even kernel initialization.例文帳に追加

--kernel-ld=someLinker:これはあなたのカーネルの構築に使われるリンカを指定します。 - Gentoo Linux

The semiconductor laser is preferably a Fabry-Perot type semiconductor laser FP type LD.例文帳に追加

半導体レーザは、ファブリペロー型半導体レーザＦＰ型ＬＤが好ましい。 - 特許庁

OSCILLATION METHOD FOR LD EXCITATION LASER, LASER OSCILLATOR, AND LASER MACHINING DEVICE例文帳に追加

ＬＤ励起レーザ発振方法とレーザ発振器、これによるレーザ加工装置 - 特許庁

Since the resistor R 35 is made to be parallel with an operating resistor Rd in the LD 36, the driving voltage signal Vop of the LD 36 becomes an attenuated (ATT) signal.例文帳に追加

ＬＤ３６内の動作抵抗Ｒｄと抵抗Ｒ３５は並列になるため、ＬＤ３６の駆動電圧信号Ｖopはアッテネート（ＡＴＴ）された信号となる。 - 特許庁

A laser unit 300 is composed of: an LD supporting part 310 supporting the LD 350; a lens supporting part 320 supporting the collimating lens 360; and a slit plate 330.例文帳に追加

レーザユニット３００は、ＬＤ３５０を支持するＬＤ支持部３１０とコリメートレンズ３６０を支持するレンズ支持部３２０とスリット板３３０とからなる。 - 特許庁

To provide an optical transmitter capable of suppressing temperature variation in LD right after the emission of a laser diode (LD) is permitted, and stabilizing the wavelength of a signal light.例文帳に追加

レーザダイオード（ＬＤ）の発光が許可された直後におけるＬＤの温度変化を抑え、信号光の波長を安定させ得る光送信器を提供する。 - 特許庁

The optical pulse testing device includes a plurality of semiconductor lasers (DFB-LD) as testing light sources, and makes output wavelengths of the DFB-LD 2-1 to 2-N mutually different.例文帳に追加

試験光源としての半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）を複数備え、これらＤＦＢ−ＬＤ２−１〜２−Ｎの出力波長を互いに異ならせる。 - 特許庁

The light source 12 is a laser diode (LD) for outputting light beams corresponding to a drive signal input from a laser diode drive circuit (LD drive circuit) 33.例文帳に追加

光源１２は、レーザダイオード駆動回路（ＬＤ駆動回路）３３から入力された駆動信号に対応して、光束を出力するレーザダイオード（ＬＤ）である。 - 特許庁

An LD module 27 is fitted to the alumite film of a cooling plate 27.例文帳に追加

冷却板２７のアルマイト被膜上にＬＤモジュール２７を取り付ける。 - 特許庁

Among them, the light-emitting row Ld is a preliminary row prepared beforehand.例文帳に追加

この中で、発光素子列Ｌｄは予め設けられている予備列である。 - 特許庁

To obtain a laser apparatus capable of highly densely generating radiation light from a plurality of LD arrays in the longitudinal direction of the LD arrays while achieving highly efficient heat waste by ensuring a space for heat dissipation in the longitudinal direction of the LD arrays.例文帳に追加

ＬＤアレイの長手方向に熱の散逸スペースを確保して高効率な廃熱を実現しつつ、複数のＬＤアレイからの放射光をＬＤアレイの長手方向に高密度に発生することのできレーザ装置を得る。 - 特許庁

To provide an optical scanner capable of controlling a beam spot in a geometrical optics way to be not larger than a fixed size even in the application of a high output LD of a large stripe width, a multi-beam LD, a two-dimensionally arrayed LD, or a surface emitting laser.例文帳に追加

ストライプ幅の大きな高出力ＬＤやマルチビームＬＤ、二次元配列ＬＤ、面発光レーザを適用した場合にも幾何光学的にビームスポットを一定の大きさ以下にすることができる光走査装置を提供する。 - 特許庁

φ is 2 π(Ls-u×Ld)/Ld, where "Ls" is a distance between shafts of image carriers, "Ld" is a surface moving distance of an image carrier per rotation of each drive gear, and "u" is the number of rotations of the drive gear while an object to be transferred moves the Ls.例文帳に追加

ただし、「Ｌｓ」は像担持体間の軸間距離、「Ｌｄ」は各駆動ギヤ一回転あたりの像担持体の表面移動距離、「ｕ」はＬｓを被転写体が移動する間に駆動ギヤが回転する周回数である。 - 特許庁

To provide an LD control device which accurately determines the deterioration state of a semiconductor laser (LD) on the basis of drive current detected by a current detection means, and secures an excellent quality of image, and also to provide an image forming device having the LD control device.例文帳に追加

電流検出手段で検出した駆動電流から半導体レーザ（ＬＤ）の劣化状態を精度良く判定し、優れた画像品質を維持できるＬＤ制御装置および画像形成装置を提供する。 - 特許庁

At the LD control part 12, a driving current of an LD 13 is controlled on the basis of the quantity of light correction signal inputted from the writing control part 26 and LD modulation data corresponding to image data, whereby a quantity of laser light is corrected.例文帳に追加

ＬＤ制御部１２では、書込制御部２６から入力された光量補正信号と画像データに対応するＬＤ変調データとに基づいてＬＤ１３の駆動電流を制御しレーザ光量の補正を行う。 - 特許庁

The projection lens 1 is movable laterally by a length, to transmit the survey wave of the LD 1 to only the detection area 1, to transmit the survey wave of the LD 2 to only the detection area 3 and to transmit a survey wave of a LD 4 to only a detection area 4.例文帳に追加

投光レンズ１は、ＬＤ１の探査波が検知エリア１にのみ送波され、ＬＤ２の探査波が検知エリア３にのみ送波され、ＬＤ４の探査波が検知エリア４にのみ送波される長さだけ左右に移動する。 - 特許庁

A low temperature calcination multilayer substrate or an organic multilayer substrate of a resin material is provided with a light emitting/receiving unit mounting part capable of mounting a light emitting/receiving unit including LD and a light receiving element, and an LD protection component mounting part capable of mounting an LD protection component protecting LD from electrostatic destruction and destruction by surge current.例文帳に追加

低温焼成多層基板または樹脂材料を基材とした有機多層基板で、ＬＤ及び受光素子を含む受発光ユニットを実装可能な受発光ユニット実装部と、ＬＤを静電気破壊やサージ電流等による破壊から保護するＬＤ保護部品を実装可能なＬＤ保護部品実装部とを備える。 - 特許庁

In the LD module 1, an LD light source 2 incorporating an LD chip 2A is optically coupled with an optical fiber 3, and the optical fiber 3 is a grating fiber, and the reflection central wavelength of the fiber grating is set in the wavelength shorter than an oscillation central wavelength in the regular use environmental temp. of the LD chip.例文帳に追加

ＬＤチップ（２Ａ）を内蔵するＬＤ光源（２）と光ファイバ（３）とが光結合されたＬＤモジュール（１）であって、光ファイバ（３）がグレーティングファイバであり、そのファイバグレーティングの反射中心波長は、前記ＬＤチップの通常の使用環境温度における発振中心波長より短い波長に設定されている。 - 特許庁

To prevent a semiconductor laser (LD) from deteriorating by preventing a current from being excessively supplied to the LD in a laser device constituted, so that a laser beam emitted from the LD is received by an internal photodiode(PD) or an external PD and the intensity of the laser beam emitted from the LD is controlled to be fed back, based on the light receiving output of the PD.例文帳に追加

半導体レーザ（ＬＤ）で発光されたレーザ光を内部フォトダイオード（ＰＤ）又は外部ＰＤで受光し、その受光出力に基づいてＬＤの発光強度をフィードバック制御するレーザ装置において、ＬＤに供給する電流の過大となることを防止してＬＤの劣化を防止する。 - 特許庁

ASSEMBLING AND ADJUSTING METHOD FOR HOE-LD UNIT AND ASSEMBLING AND ADJUSTING DEVICE THEREFOR例文帳に追加

ＨＯＥ−ＬＤユニットの組立調整方法及びその組立調整装置 - 特許庁

The lens 101 makes a laser beam generated from LD 100 into a parallel beam.例文帳に追加

レンズ１０１は、ＬＤ１００より発生したレーザ光を平行光とする。 - 特許庁

The same process is performed for each of the correction data of the further subsequent lasers LC and LD.例文帳に追加

さらに続く、レーザＬＣ、ＬＤの各補正データにおいても、同様である。 - 特許庁

The comparator 41 receives a set light quantity Ld and brightness signal components.例文帳に追加

比較器４１は設定光量Ｌｄおよび輝度信号成分を受信する。 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING OPTICAL REFLECTING SURFACE, AND OPTICAL ELEMENT, SUB-MOUNT FOR LD AND OPTICAL PICKUP例文帳に追加

光学反斜面作製方法、光学素子、ＬＤ用サブマウント、光ピックアップ - 特許庁

An inversion drive circuit 12 is provided for every two adjacent data lines LD.例文帳に追加

反転駆動回路１２は、隣接する２本のデータ線ＬＤごとに設けられる。 - 特許庁

The solder bump 14 is formed between the PLC electrode 12 and the LD 15.例文帳に追加

半田バンプ１４は、ＰＬＣ電極１２とＬＤ１５との間に形成される。 - 特許庁

A semiconductor chip 20 is provided with a laser diode LD and a fast diode FD.例文帳に追加

半導体チップ２０にレーザダイオードＬＤと高速ダイオードＦＤとを設ける。 - 特許庁

LD EXCITATION SOLID-STATE LASER DEVICE FOR SIMULTANEOUSLY EMITTING BLUE LIGHT AND GREEN LIGHT例文帳に追加

青色光と緑色光の同時発生するＬＤ励起固体レーザ装置 - 特許庁

The bias current is supplied even to the LD not used for forming the image.例文帳に追加

そして、画像形成に使用しないＬＤに対してもバイアス電流を流す。 - 特許庁

An LD control device feeds back light output and performs APC intermittently.例文帳に追加

ＬＤ制御装置は、光出力をフィードバックして、断続的にＡＰＣを行う。 - 特許庁

As an illumination means for irradiating the illumination area of a semiconductor wafer 18 and a mask 40 with light emitted from a light emitting diode LD; the light emitting diode LD, and a lighting control circuit for lighting the light emitting diode LD intermittently, are provided.例文帳に追加

発光ダイオードＬＤの発光による照射光を半導体ウェハ１８とマスク４０の照明エリアに対して照射する照明手段として、発光ダイオードＬＤと、発光ダイオードＬＤを間欠的に点灯する点灯制御回路を備える。 - 特許庁

An image signal is modulated in an LD modulator 10, a light beam is generated by controlling a laser beam generator (LD) 11 using an output signal of the LD modulator 10, a photosensitive body is scanned by said light beam, and an electrostatic latent image is formed on said photosensitive body.例文帳に追加

ＬＤ変調装置１０にて画像信号を変調し、その出力信号によりレーザビーム発生装置（ＬＤ）１１を制御して光ビームを発生し、この光ビームにより感光体を走査して、該感光体上に静電潜像を形成する。 - 特許庁

Next, the dividing line Ld passing the center of the observing target area A is set as shown by the drawing (c) and a marking-off tool 4 is allowed to run along the dividing line Ld to form a marking-off groove 3 along the dividing line Ld excepting the observing target area A.例文帳に追加

次に、（ｃ）に示すように、観察対象エリアＡの中央を通る割断線Ｌｄを設定し、この割断線Ｌｄに沿ってケガキ工具４を走行させ、割断線Ｌｄに沿って観察対象エリアＡを除きケガキ溝３を形成する。 - 特許庁

Meanwhile, the optical module also includes transmitting terminals (10c, 10d) for supplying a transmitting electrical signal to the LD (4) of the light emitting element and projected from the rear surface (1B) of the cavity (1) almost directly under the LD (4), and connected to the LD (4) via a through hole.例文帳に追加

一方、発光素子であるＬＤ（４）に送信電気信号を供給するための送信用端子（１０ｃ、１０ｄ）を、ＬＤ（４）の直下付近にキャビティ（１）の裏面（１Ｂ）から突出して設け、スルーホールを介してＬＤ（４）と接続する。 - 特許庁

When the currents are supplied, the output of the diode LD does not exceed the maximum rated value, and the diode LD is not damaged, because the both-terminal voltage of the diode LD rises with a time constant of the resistor R2 and capacitor C1.例文帳に追加

このときレーザーダイオードＬＤの両端電圧は抵抗Ｒ２とコンデンサＣ１との時定数で上昇するので、レーザーダイオードＬＤの出力が最大定格値を上回ることがなくなり、レーザーダイオードＬＤがダメージを負うことがなくなる。 - 特許庁

Whereupon, a current based on the voltage value of a hold capacitor 25 flows from a current generating circuit 22 into an LD 14 via a switching circuit 23 to make the LD 14 emit and a current proportioned to the intensity of light of the LD 14 flows in a PD 15.例文帳に追加

すると、ホールド・コンデンサ２５の電圧値に基づいた電流が電流発生回路２２からスイッチ回路２３を介してＬＤ１４に流れ込んでＬＤ１４を発光させ、ＬＤ１４の光強度に比例した電流がＰＤ１５に流れ込む。 - 特許庁

The communication module is provided with an LD (semiconductor member) 10, a flexible printed board (FPC) 11 that is electrically connected when LD 10 is mounted, a stem 12 for fixing the FPC 11 while the stem 12 is inserted therein, and a cap 13 to be arranged covering the LD 10.例文帳に追加

ＬＤ（半導体部材）１０と、ＬＤ１０が搭載されて電気的に接続されるフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）１１と、ＦＰＣ１１を挿通させた状態で固定するステム１２と、ＬＤ１０を覆うように配置されるキャップ１３とを具える。 - 特許庁

The semiconductor laser device LD includes a substrate 1, a plurality of semiconductor laser diode elements ld formed over the substrate 1 and stacked one over another, and insulating layers 4 formed between the plurality of semiconductor laser elements ld.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ装置ＬＤは、基板１と、基板１の上方に形成され、互いに積層される複数の半導体レーザダイオード素子ｌｄと、複数の半導体レーザダイオード素子ｌｄの素子間に形成される絶縁層４とを備える。 - 特許庁

A control circuit 3 obtains a setting value in accordance with ambient temperature of the LD element 1.例文帳に追加

制御回路３は、ＬＤ素子１の周囲温度に応じて設定値を求める。 - 特許庁

Thereby, a pulse-like current flows into an LD 71 by discharge of the charge accumulated in the discharging capacitor C3, and a pulse-like laser beam is emitted from the LD 71.例文帳に追加

それにより、放電コンデンサＣ３に蓄積された電荷の放電によりＬＤ７１にパルス状の電流が流れ、ＬＤ７１からパルス状のレーザ光が出射される。 - 特許庁

An outgoing beam 3 from an LD 5 to a belt conveyor 2 is bended by a mirror 11.例文帳に追加

ＬＤ５からベルトコンベア２への出射光３がミラー１１で折り曲げられる。 - 特許庁

To provide a 2-stage optical amplifier of light transmission system which can unify its pump LD part and improve utilization ratio of the pump LD part, and to provide the method for optical amplification.例文帳に追加

ポンプＬＤ部を単一化し、ポンプＬＤ部の使用効率を向上することができる光伝送システムの２段光増幅器及び光増幅方法を提供する。 - 特許庁

A threaded part is formed in an outer peripheral part of a casing 8 of the semiconductor laser 7 and fixed on a wall surface of an LD base 6 to screw nuts 9a and 9b onto the threaded part so as to hold the LD base therebetween.例文帳に追加

半導体レーザ７のケーシング８の外周部にネジ部を形成し、ナット９ａ、９ｂを挿入して挟み込むようにＬＤベース６の壁面に固定する。 - 特許庁

Semiconductor lasers 54 and 55 are press-fitted in a holder 51 of an LD unit 40.例文帳に追加

ＬＤユニット４０のホルダ５１には半導体レーザー５４，５５が圧入されている。 - 特許庁

An electric power is supplied to the LD 10 through the FPC 11 without using a reed pin and a signal is picked up from the LD 10, thereby improving high-frequency characteristic.例文帳に追加

リードピンを用いず、ＦＰＣ１１によりＬＤ１０への電源供給、ＬＤ１０からの信号の取り出しなどを行うことで、高周波特性を向上することができる。 - 特許庁