「Memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(116ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a software testing method which can accurately detect memory access and a memory leakage even for a system which should make real-time response and a system which has memory restriction as a dynamic detecting method for detecting illegal memory access and a memory leakage of a software system.例文帳に追加

ソフトウェアシステムの不正なメモリアクセス及びメモリリークを検出するための動的な検出方法において、リアルタイム性が要求されるシステムやメモリ制限のあるシステムでも、的確にメモリアクセス及びメモリリークの検出を行えるソフトウェア試験方法を提供する。 - 特許庁

OVER-ERASURE CELL DETECTION SYSTEM FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, OVER-ERASION CELL ELIMINATION SYSTEM FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, NON- VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, OVER-ERASURE CELL DETECTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY, OVER- ERASURE CELL ELIMINATION METHOD FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体メモリの過剰消去セル検出システム，不揮発性半導体メモリの過剰消去セル解消システム，不揮発性半導体メモリ，不揮発性半導体メモリの過剰消去セル検出方法，不揮発性半導体メモリの過剰消去セル解消方法 - 特許庁

SELF-ALIGNING METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS HAVING EMBEDDED SOURCE LINE AND FLOATING GATE, AND MEMORY ARRAY FOAMED BY USING THE SAME例文帳に追加

埋設ソースライン及びフローティングゲートを伴うフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレーを形成する自己整列型方法及びそれにより作られたメモリアレー - 特許庁

To provide a memory management device and a memory management method that can control a writing operation by managing a memory in every predetermined storage unit larger than a writing unit.例文帳に追加

書込み単位よりも大きい所定の記憶単位毎にメモリを管理し、書込み動作を制御可能なメモリ管理装置およびメモリ管理手法を提供する。 - 特許庁

MEMORY CARD RECOGNIZING SYSTEM, CAPACITY SWITCHING TYPE MEMORY CARD HOST EQUIPMENT, CAPACITY SWITCHING TYPE MEMORY CARD, STORAGE CAPACITY SETTING METHOD, AND STORAGE CAPACITY SETTING PROGRAM例文帳に追加

メモリカード認識システム、容量切り替え型メモリカード・ホスト機器、容量切り替え型メモリカード、記憶容量設定方法及び記憶容量設定プログラム - 特許庁

To provide a method and a device which improve the throughput of a memory access request in a data processing system regardless of memory access time and memory bandwidth.例文帳に追加

メモリ・アクセス時間およびメモリバンド幅とは無関係に、データ処理システム内のメモリ・アクセス要求のスループットを向上させる方法および装置を提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING RESET CURRENT FOR RESETTING A PORTION OF PHASE TRANSITION MATERIAL IN MEMORY CELL OF PHASE TRANSITION MEMORY DEVICE, AND PHASE TRANSITION MEMORY DEVICE例文帳に追加

相変化メモリ装置のメモリセル内における相変化物質の一部をリセットするためのリセット電流を低減する方法及び相変化メモリ装置 - 特許庁

To provide a memory control device and a memory access method in which power consumption can be reduced in the case of memory access when regularity exists in setting an address.例文帳に追加

アドレスの設定に規則性が有る場合に、メモリアクセス時の消費電力の低減を可能とするメモリ制御装置およびメモリアクセス方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory control device, a memory control system, a recording device and a memory control method, allowing improvement of latency when accessing a dynamic RAM.例文帳に追加

ダイナミックＲＡＭにアクセスする際のレイテンシーを改善することができるメモリー制御装置、メモリー制御システム、記録装置及びメモリー制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that efficiently discriminates and manages defective memory cells, and a method of controlling the non-volatile semiconductor memory device.例文帳に追加

不良メモリセルを効率的に判定して管理できる不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の制御方法を提供する。 - 特許庁

SHAPE MEMORY RESIN-FORMING COMPOSITION, SHAPE MEMORY RESIN MOLDED PRODUCT MOLDED FROM THE COMPOSITION, AND METHOD FOR MANUFACTURING SHAPE MEMORY RESIN MOLDED PRODUCT例文帳に追加

形状記憶樹脂形成性組成物及び該組成物から成形された形状記憶樹脂成形体及び形状記憶樹脂成形体の製造方法 - 特許庁

To divide a shared memory between a common area and individual memories and to perform efficient memory management regardless of the difference of the memory utilizing method of each user.例文帳に追加

共有メモリを共通領域と個別領域に分割し、利用者毎のメモリ利用方法の差異に拘わらず、効率的なメモリ管理を可能とする。 - 特許庁

To provide a data processor capable of preventing data from being erroneously written to a memory region where data have already been written, and to provide a memory control circuit and a memory control method.例文帳に追加

既にデータが書き込まれたメモリ領域に誤ってデータを書き込むことを防止するデータ処理装置、メモリ制御回路、メモリ制御方法を提供する。 - 特許庁

MULTIPLE LEVEL CELL PHASE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING PRE-READ OPERATION RESISTANCE DRIFT RECOVERY, MEMORY SYSTEM EMPLOYING THE SAME, AND METHOD FOR READING THE MEMORY DEVICE例文帳に追加

プリ読み出し動作抵抗移動回復を有するマルチプルレベルセル相変化メモリ装置、そのメモリ装置を搭載したメモリシステム、そのメモリ装置を読み出す方法 - 特許庁

To provide the manufacturing method of non-volatile semiconductor memory capable of obtaining a memory in high reliabity such as repeatability and memory holding characteristics.例文帳に追加

繰り返し特性及び記憶の保持特性等の信頼性が高い記憶装置を得ることができる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an operating method of a nonvolatile memory having a substrate and a memory block including a plurality of memory cells stacked in the direction crossing the substrate.例文帳に追加

基板及び基板と交差する方向に沿って積層された複数のメモリセルを有するメモリブロックを具備した不揮発性メモリ装置の動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory management unit and its management method for an Ethernet controller in order to reduce the waste of a memory and to effectively manage the memory.例文帳に追加

メモリの浪費を減少し、効率的にメモリ管理をすることができるイーサネットコントローラのメモリ管理装置及びその管理方法を提供すること。 - 特許庁

SELF-ALIGNING METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS HAVING ELONGATED NONLINEAR FLOATING GATE, AND MEMORY ARRAY FORMED USING THE SAME例文帳に追加

非直線的な細長いフローティングゲートを伴うフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレーを形成する自己整列方法及びそれにより形成されたメモリアレー - 特許庁

The cache memory control circuit stores data stored in a main memory 71 into a cache memory by a set associative method.例文帳に追加

本発明にかかるキャッシュメモリ制御回路は、セットアソシアティブ方式によって、メインメモリ７１に記憶されるデータをキャッシュメモリに記憶するキャッシュメモリ制御回路である。 - 特許庁

To provide a virtual static random access memory device having a function for refreshing data of a memory cell by using a dynamic memory cell and its driving method.例文帳に追加

ダイナミック型メモリセルを使用し、メモリセルのデータをリフレッシュさせる機能を有する仮想型スタティックランダムアクセスメモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

MEMORY DEVICE AND MEMORY ACCESSING METHOD TO BE APPLIED TO REED-SOLOMON DECODER OF FAST BLOCK PIPELINE STRUCTURE AND REED-SOLOMON DECODER PROVIDED WITH THE MEMORY DEVICE例文帳に追加

高速ブロックパイプライン構造のリード−ソロモンデコーダに適用するためのメモリ装置及びメモリアクセス方法並びにそのメモリ装置を備えたリード−ソロモンデコーダ - 特許庁

To provide a memory device where the density of a memory cell can be increased without adding a constituent, and to provide a method for reading the memory device.例文帳に追加

構成要素を追加することなくメモリセルの密度を増加させることが可能なメモリデバイスおよび該メモリデバイスの読出し方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an access method by which the number of input pins of a memory can be decreased in order to reduce electrical wiring density of a memory module, and to save test costs of a memory chip.例文帳に追加

メモリモジュールの電気配線密度を減らし、メモリチップの試験費用節減のために、メモリの入力ピン数を減少できるアクセス方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ODT (On-Die Termination) circuit and ODT method of a memory device for minimizing on-chip DC current consumption and a memory system provided with the memory device.例文帳に追加

オンチップＤＣ電流消耗を最小化できるメモリ装置のＯＤＴ回路とＯＤＴ方法及びそれを具備するメモリシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a method for programming a nonvolatile memory having at least one memory block with memory cells located at the intersections of rows and columns.例文帳に追加

行と列の交差領域に配列されたメモリセルを有する少なくとも一つのメモリブロックを含む不揮発性メモリ装置をプログラムする方法が開示されている。 - 特許庁

To provide a gain cell for a memory circuit, a memory circuit comprising multiple gain cells, and a method of producing such gain cells and memory circuits.例文帳に追加

メモリ回路用のゲイン・セル、複数のゲイン・セルから形成されたメモリ回路、およびこのようなゲイン・セルおよびメモリ回路を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an information processor and a memory address space assignment method, capable of changing the size of a memory address space assignable to a physical memory.例文帳に追加

物理メモリに割り当て可能なメモリアドレス空間のサイズを変更することが可能な情報処理装置およびメモリアドレス空間割り当て方法を実現する。 - 特許庁

To attain an information processor and a method for assigning memory address space by which size of the memory address space which can be assigned to a physical memory can be changed.例文帳に追加

物理メモリに割り当て可能なメモリアドレス空間のサイズを変更することが可能な情報処理装置およびメモリアドレス空間割り当て方法を実現する。 - 特許庁

To provide a memory system and a memory read method for performing high speed read processing to a flash memory having a write suspend function, and a program.例文帳に追加

書き込みサスペンド機能を持ったフラッシュメモリに高速に読み出し処理を行なうメモリシステム及びメモリの読出し方法並びにプログラムを提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING NONVOLATILE MEMORY CELL HAVING TREATED DIELECTRIC AT LOW TEMPERATURE BETWEEN WORD LINES AND BIT LINES, AND NONVOLATILE MEMORY ARRAY INCLUDING SUCH MEMORY CELL例文帳に追加

ワード線とビット線間に低温形成した誘電体のある不揮発性メモリーセルを形成する方法およびそのようなメモリーセルを有する不揮発性メモリーアレイ - 特許庁

In a method of controlling computer-readable memory that includes a plurality of memory locations, a usage frequency of a data unit stored in a first memory location is determined.例文帳に追加

複数のメモリ場所を含むコンピュータ可読メモリを制御するための方法において、第１メモリ場所に格納されたデータ単位の使用頻度が判断される。 - 特許庁

SELF-ALIGNING METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELL WITH LOW RESISTANCE SOURCE REGION AND HIGH SOURCE COUPLING, AND MEMORY ARRAY MADE THEREBY例文帳に追加

低抵抗ソール領域と高ソース結合を持つフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイを形成する自己整合方法、及びそれにより作られたメモリアレイ - 特許庁

SELF-ALIGNING METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELL WITH PROTRUDING CONTROL GATE, AND MEMORY ARRAY MADE THEREBY例文帳に追加

部分的に突出するコントロールゲートを持つフローティングゲートメモリーセルの半導体メモリーアレーを形成する自己整列方法及びそれによって作られたメモリーアレー - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory and the manufacturing method thereof whereby the variation of the threshold voltage of its memory cell is suppressed while microminiaturizing its memory cell.例文帳に追加

微細化をはかりつつ、メモリセルのしきい値電圧の変動が抑制された不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The allocation of an access address to a cache memory is performed with standard memory capacity as a target in the cache controlling method controlling a cache memory.例文帳に追加

キャッシュメモリを制御するキャッシュ制御方法において、キャッシュメモリに対するアクセスアドレスの割り振りを、標準メモリ容量をターゲットとして行う。 - 特許庁

To provide a memory control method, a memory controller and an image processor, capable of reducing a storage capacity of a memory required for storing image data.例文帳に追加

画像データの記憶に必要なメモリの記憶容量を低減することができるメモリ制御方法、メモリ制御装置及び画像処理装置を提供する。 - 特許庁

VIRTUAL MEMORY MANAGEMENT SYSTEM, VIRTUAL MEMORY MANAGEMENT METHOD, RECORDING MEDIUM WITH PROGRAM FOR MAKING COMPUTER EXECUTE VIRTUAL MEMORY MANAGEMENT METHOD RECORDED THEREON AND CAD DEVICE FOR DESIGNING INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

仮想メモリ管理方式、仮想メモリ管理方法、仮想メモリ管理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び集積回路設計用ＣＡＤ装置 - 特許庁

To provide a power detection circuit, a flash memory device using it, a power-on read signal generation method of the flash memory device and a stable power-on read method of the flash memory device.例文帳に追加

パワー検出回路、これを用いたフラッシュメモリ装置、そのフラッシュメモリ装置のパワーオン読み出し信号発生方法、およびフラッシュメモリ装置の安定的なパワーオン読み出し方法を提供する。 - 特許庁

UNIT CELL OF MULTIBIT NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, OPERATING METHOD OF MULTIBIT NONVOLATILE MEMORY ELEMENT USING IT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND NAND CELL ARRAY OF MULTIBIT NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

マルチビット不揮発性メモリ素子の単位セル、これを用いたマルチビット不揮発性メモリ素子の動作方法、及びその製造方法、並びにマルチビット不揮発性メモリ素子のＮＡＮＤセルアレイ - 特許庁

METHOD FOR TESTING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE CONSTITUTED TESTABLE USING THE METHOD, METHOD FOR TESTING SEMICONDUCTOR MEMORY, AND THE SEMICONDUCTOR MEMORY CONSTITUTED TESTABLE USING THE METHOD例文帳に追加

半導体装置のテスト方法及び同方法を用いてテスト可能に構成した半導体装置、並びに半導体メモリのテスト方法及び同方法を用いてテスト可能に構成した半導体メモリ - 特許庁

MUSICAL TONE FORMING METHOD, MUSICAL TONE DATA FORMING METHOD, MUSICAL TONE WAVEFORM DATA FORMING METHOD, MUSICAL TONE DATA FORMING METHOD AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加

楽音生成方法、楽音デ—タ作成方法、楽音波形デ—タ作成方法、楽音デ—タ生成方法、および記憶媒体 - 特許庁

SPLIT GATE NAND FLASH MEMORY STRUCTURE AND ARRAY, PROGRAMMING METHOD OF THE SAME, ERASURE METHOD AND READOUT METHOD, AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造及びアレイ、そのプログラミング方法、消去方法及び読み出し方法、並びに、製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM MAGNETIC HEAD, AND METHOD OF MANUFACTURING MEMORY ELEMENT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法およびメモリ素子の製造方法 - 特許庁

FORMATION METHOD OF WIRING, FORMATION METHOD OF WIRING PLUG, AND FERROELECTRIC MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

配線の形成方法、配線プラグの形成方法、強誘電体メモリの製造方法、及び強誘電体メモリ - 特許庁

To provide a forming method of a phase-change material layer and a manufacturing method of a phase-change memory element using this method.例文帳に追加

相変化物質層の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁