「Memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(158ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a CPU card and a data communication method which can efficiently use a memory space without requiring any complicated memory management such as exclusive control.例文帳に追加

排他制御等の複雑なメモリ管理を必要とせず、メモリ空間を効率良く活用することのできるＣＰＵカード及びデータ通信方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device capable of suppressing useless access to a defective bit, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile memory device.例文帳に追加

本発明は、不良ビットへの無駄なアクセスを抑制することができる不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for testing a nonvolatile memory element which does not separately execute operations for masking failed bits when the nonvolatile memory element is tested on a wafer.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子をウェーハ上でテストするとき、フェールしたビットのマスキング動作を別途に行わない不揮発性メモリ素子のテスト方法の提供。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory device, in which a memory cell size is reduced, and low-voltage operation and low-current operation are realized, and to provide a method for producing the device.例文帳に追加

メモリセルサイズを小さくし、かつ低電圧動作及び低電流動作を実現した不揮発性記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a program therefor which optimize a memory controller by voluntarily resetting the priority ranking of requests based on activities of a memory bus.例文帳に追加

メモリ・バスのアクティビティに基づいたリクエストの自発的な再優先順位付けによりメモリ・コントローラを最適化するための方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a mixed loading memory which is capable of realizing both of the low leak property and the high-speed operating property of a memory transistor, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

メモリトランジスタの低リーク性と高速動作性とを合わせて実現しうるメモリ混載半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To save memory capacity and to efficiently use a memory by removing common areas for bank switching which are required for all banks in a conventional method.例文帳に追加

従来全バンク中に必要であったバンク切替用のコモン領域をなくすことで、メモリ容量を節約してメモリを効率良く使用できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory apparatus and a refresh control method of the same in which an FBC (Floating Body Cell) technology is applied to a cell transistor of a memory core region.例文帳に追加

本発明は、メモリコア領域のセルトランジスタにＦＢＣ技術を実現した半導体メモリ装置及びそのリフレッシュ制御方法を提供する。 - 特許庁

A compact memory address generation part 16 changes the dividing method for the data storage memory 12 based on a low-order address signal 106 and a higher-order address signal 108.例文帳に追加

コンパクトメモリアドレス生成部１６は、下位アドレス信号１０６および上位アドレス信号１０８に基づいてデータ格納メモリ１２の分割方法を変更する。 - 特許庁

To provide a new memory checkout method by which memory read/ write number does not exponentially increase even if number of address line increases, and to provide its program.例文帳に追加

アドレスラインの本数が増加しても、メモリの読み書き回数が指数的に増加することのない、新たなメモリ検査方法およびそのプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a nonvolatile magnetic memory which reduces dispersion of characteristics between TMR elements and has high manufacturing yield, and to provide structure of the nonvolatile magnetic memory.例文帳に追加

ＴＭＲ素子間の特性のばらつきを低減でき、かつ製造歩留まりの高い不揮発性磁気メモリの製造方法およびその構造を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for information processing which suppress memory capacity small and use a free memory area as a cache area for EPG.例文帳に追加

メモリ容量を抑えて、空きメモリ領域をEPGのキャッシュ領域として利用する情報処理装置及び情報処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a data inspecting method based on CRC for a recording medium such as a memory card and a flash memory, by which a processing time is shortened with a small calculation load.例文帳に追加

計算負荷が小さくて処理時間を短くできる、メモリカード，フラッシュメモリなどの記録媒体に対するＣＲＣに基づくデータ検査方法を提供する。 - 特許庁

In a programming method of a multi-level, each memory region can be programmed by non-binary-number of a level, and integer of bits, for example 5, is stored in an adjacent memory region.例文帳に追加

マルチレベルのプログラミング方法では、各メモリ領域をレベルの非バイナリ数でプログラムでき、ビットの整数例えば５が隣り合うメモリ領域に記憶される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a memory element in which the unit cell area of a memory element, having resistance change layer as a storage node, can be reduced to less than 4F^2.例文帳に追加

抵抗変化層をストレージノードとして備えるメモリ素子の単位セル面積を４Ｆ^２未満に減らせるメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data write failure detecting method and data write failure detection system of a nonvolatile memory capable of saving memory capacity and repairing data.例文帳に追加

メモリ容量が節約でき、データの修復が可能な、不揮発性メモリのデータ書込失敗検出方法およびデータ書込失敗検出システムを提供する。 - 特許庁

To provide a method for managing a rule entry in a routing system by which memory capacitance of a routing table constituted of a ternary CAM and an auxiliary memory can be reduced.例文帳に追加

ターナリＣＡＭと補助メモリで構成されるルーティングテーブルのメモリ量を削減可能とするルーティングシステムのルールエントリー管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a memory cell, which eliminates variations in channel length in a nonvolatile memory cell of a MOS structure for improving reliability in characteristics.例文帳に追加

ＭＯＳ構造をした不揮発性メモリセルにおけるチャンネル長のばらつきを解消し、特性の信頼性を高めたメモリセルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory information storage device and its material data storage method that can substantially extend the lifetime of a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリの寿命を実質的に増大させることが可能な半導体メモリ情報蓄積装置とその素材データ保存方法を提供する。 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE WHICH CAN PREVENT PROGRAM JUDGEMENT ERROR OF FLASH MEMORY CELL, AND CAN HAVE DISTRIBUTION OF UNIFORM THRESHOLD VOLTAGE, AND ITS PROGRAM VERIFYING METHOD例文帳に追加

フラッシュメモリセルのプログラム誤判定を防止し、均一のしきい値電圧の分布を有することができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム検証方法 - 特許庁

A device and method of executing YUV (or YCrCb) video compression before decompression when a block is stored into a memory and is extracted from the memory for are provided.例文帳に追加

メモリ内への記憶及びメモリからのブロック取出し時の解凍の前にＹＵＶ（又はＹＣｒＣｂ）ビデオ圧縮を実行する装置及び方法。 - 特許庁

To provide an asynchronous semiconductor memory device which can realize high speed of a system, an internal control method and a system for the asynchronous semiconductor memory device.例文帳に追加

システムの高速化を実現し得る非同期式半導体記憶装置、非同期式半導体記憶装置の内部制御方法及びシステムを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for selectively forming a memory device formed from a selectively deposited PGO and a Pb_3Ge_5O_11 (PGO) thin film memory device.例文帳に追加

選択堆積されたＰＧＯから形成されたメモリデバイス、およびＰｂ_３Ｇｅ_５Ｏ_１１（ＰＧＯ）薄膜メモリデバイスを選択的に形成する方法が提供される。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for implementing partitioning in memory cards and modules in contrast to conventional memory cards or modules having only a single partition.例文帳に追加

単一パーティションのみを具備している従来のメモリカード又はモジュールであるメモリカード及びモジュールにおいてパーティショニングを実装する装置及び方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of preventing an error in a data read operation and a precharge method of such a semiconductor memory device.例文帳に追加

データリード動作時における誤りを防ぐ事の出来る半導体メモリー装置、及び、そのような半導体メモリー装置のプリチャージ方法を提供する。 - 特許庁

A memory cell becomes a low-resistance condition at a first temperature in the programming method of the phase shift memory that has a high resistive state and a low resistive state.例文帳に追加

高抵抗および低抵抗の状態を持つ相変化メモリセルのプログラミング方法において、メモリセルは第１温度に加熱されて低抵抗状態になる。 - 特許庁

A method for processing elements included in a non-volatile memory of a memory system includes obtaining erase counts associated with a plurality of erased elements.例文帳に追加

メモリシステムの不揮発性メモリに含まれる要素を処理する方法が、複数の消去要素に関連付けられた消去カウントを得ることを含む。 - 特許庁

This data access method in a multichannel flash memory comprises preparing the scheduled quantity of information channels between a plurality of flash memories and flash memory controllers at first.例文帳に追加

マルチチャンネルのフラッシュメモリにおけるデータアクセス方法は、先ず複数個のフラッシュメモリ、フラッシュメモリコントローラの間に予定数量の情報チャンネルを作成する。 - 特許庁

DISK DRIVE DEVICE HAVING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR STORING DATA IN NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE IN DISK DRIVE DEVICE例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置を有するディスク・ドライブ装置及びそのディスク・ドライブ装置において不揮発性半導体メモリ装置にデータを格納する方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device having a memory part and a logic part mixedly mounted, by which the increase of a contact resistance is prevented.例文帳に追加

コンタクト抵抗の増大を防止できるようにする、記憶部と論理部とを混載する不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory control method capable of efficiently using memory region while preventing overhead by copying process for generating a Java object.例文帳に追加

Ｊａｖａオブジェクトを生成するためのコピー処理によるオーバーヘッドを避け、効率的にメモリ領域を使用することができるメモリ管理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a nonvolatile magnetic memory which reduces characteristic irregularities between TMR elements and offer high manufacturing yield, and to provide the structure of the nonvolatile magnetic memory.例文帳に追加

ＴＭＲ素子間の特性のばらつきを低減でき、かつ製造歩留まりの高い不揮発性磁気メモリの製造方法およびその構造を提供する。 - 特許庁

TEST METHOD FOR ELECTRICALLY REWRITABLE NON-VOLATILE MEMORY, AND INFORMATION RECORDING MEDIUM IN WHICH TEST PROGRAM OF ELECTRICALLY REWRITABLE NON-VOLATILE MEMORY IS RECORDED例文帳に追加

電気的書換可能な不揮発性メモリのテスト方法および電気的書換可能な不揮発性メモリのテストプログラムを記録した情報記録媒体 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device which increases external access speed and has high reliability, and to provide a method of controlling the nonvolatile memory device.例文帳に追加

外部アクセス速度を高速化すると共に信頼性が高い不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の制御方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory that has high-density integrated memory cells, can operate in low voltage, and is highly reliable, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセルが高密度集積化され、低電圧による動作が可能で、かつ、信頼性の高い不揮発性メモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which is composed of split gate type memory cells having a double floating gate structure, and also to provide a method of fabricating the same.例文帳に追加

ダブルフローティングゲート構造を持つスプリットゲート型メモリセルで構成される不揮発性半導体メモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory with a property which is hard to deteriorate during a manufacturing process and after a manufacturing and with a high reliability, and a method of manufacturing the ferroelectric memory.例文帳に追加

製造工程および製造後において特性が劣化しにくく、かつ信頼性の高い強誘電体メモリおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data management apparatus and method used for a flash memory, which can guarantee response time by expecting it at the time of data operation in the flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリでのデータ演算時に応答時間を予測して応答時間を保証できるフラッシュメモリのデータ管理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a management method of a flash memory wherein the flash memory looks like a readable/writable data storage device relative to an optional location to an OS.例文帳に追加

ＯＳにとってフラッシュメモリが任意のロケーションに対する読出および書込が可能なデータ記憶装置に見えるようなフラッシュメモリの管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printer capable of accelerating a plotting speed and a printing speed by simplifying memory management, its memory controlling method and a recording medium.例文帳に追加

メモリ管理を簡素化し、描画速度、印刷速度の高速化を測ることができる印刷装置及びそのメモリ制御方法ならびに記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein gates between the transistors of a CMOS part and a memory transistor of high-density memory are manufactured in a common process.例文帳に追加

ＣＭＯＳ部の各トランジスタと、高密度メモリのメモリトランジスタとの各ゲートを共通の工程で製造し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory update method wherein an address translation table required for translating a logical address to a physical address so as to obtain uniform erasure/writing to a sector of a flash memory can be omitted.例文帳に追加

フラッシュ型メモリのセクタへの消去／書き込みを均一にする場合、アドレスを物理アドレスに変換するためのアドレス変換テーブルが必要である。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device whose integration degree can be increased without decreasing the capacitor capacitance of a memory cell, and to provide a a method for manufacturing it.例文帳に追加

メモリセルのキャパシタ容量を減少させることなく集積度を増加させることを可能とした半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To propose a storage device and a data deduplication method which effectively uses a flash memory, while extending the life of the flash memory as a storage medium.例文帳に追加

記憶媒体としてのフラッシュメモリの長寿命化を図りながら、フラッシュメモリを有効活用し得るストレージ装置及びデータ重複排除方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a non-volatile memory for making stable the shape of a floating gate, and making uniform erasure characteristics of each cell and the non-volatile memory.例文帳に追加

フローティングゲートの形状を安定させ、セル毎の消去特性の均一化を図った不揮発性メモリの製造方法及び不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁