「Memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(156ページ目) - Weblio英語例文検索

In this program rewriting method, the program of the electronic appliance 10 having a serial communication terminal 12a for serial communication, an external memory connection terminal 13a connected with an external memory 14, and a program storing memory 15 is rewritten.例文帳に追加

シリアル通信用のシリアル通信端子１２ａと、外部メモリ１４が接続される外部メモリ接続端子１３ａと、プログラム格納用メモリ１５と、を備える電子機器１０のプログラムを書き換える。 - 特許庁

To provide a single electron multi-valued memory for multiple quantum point application applying them to the multi-valued memory by constituting EEPROM or the floating gate of a flash memory of two quantum points and its drive method.例文帳に追加

ＥＥＰＲＯＭあるいはフラッシュメモリの浮遊ゲートを２個の量子点で構成し、これらを多値メモリに応用した多重量子点応用単一電子多値メモリ及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

MEMORY DEVICE, HOST CIRCUIT, CIRCUIT BOARD, LIQUID RECEPTACLE, METHOD OF TRANSMITTING DATA STORED IN NONVOLATILE DATA MEMORY SECTION TO HOST CIRCUIT, AND SYSTEM INCLUDING HOST CIRCUIT AND MEMORY DEVICE DETACHABLY ATTACHABLE TO THE HOST CIRCUIT例文帳に追加

記憶装置、ホスト回路、基板、液体容器、不揮発性のデータ記憶部に格納されたデータをホスト回路に送信する方法、ホスト回路と、前記ホスト回路と着脱可能な記憶装置を含むシステム - 特許庁

In the semiconductor memory device and method, a flash memory cell array fabricated in a well is included together with memory cells in the same column connected to each other in series and connected to respective bit lines.例文帳に追加

半導体メモリデバイス及び方法は、お互いに連続して接続され、それぞれのビット線に接続された同一の列におけるメモリセルとともに、ウェル内に形成されたフラッシュメモリセルアレイを含む。 - 特許庁

To provide a shape-memory resin composition, a shape-memory resin molding, and a method for producing a shape-memory resin molding that enhance heat resistance and allow deformation operation at low temperature.例文帳に追加

耐熱性を高めることができ、低い温度で変形操作を行うことができる、形状記憶樹脂組成物、形状記憶樹脂成形体、及び形状記憶樹脂成形体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory cell, the manufacturing method of the memory cell, and a semiconductor storage device and electronic equipment including the memory cell contriving low consumption power in the simple configuration of a conventional DRAM average quality.例文帳に追加

従来のＤＲＡＭ並みの簡素な構成であってさらに低消費電力化を図るメモリセル、メモリセルの製造方法、そのメモリセルを含む半導体記憶装置及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that restriction in continuance of a memory area which can be explicitly secured and used and reference relation among data for use spoils the convenience of a memory, in a method for managing the memory by garbage collection.例文帳に追加

ガベージコレクションによってメモリ管理する方法において、明示的に確保、利用可能なメモリ領域の存続及び利用する際のデータ間の参照関係の制約は、メモリの利便性を損ねている。 - 特許庁

The memory system and the method for recording data in a memory device which is selectively operated between the dual DQS mode and the single DQS mode having data inversion and reading out the data from the memory device are provided.例文帳に追加

デュアルＤＱＳモードとデータ反転を有する単一ＤＱＳモードとの間で選択的に動作するメモリ装置にデータを記録し、メモリ装置でデータを読み出すメモリシステム及び方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit and its inspection method in which analysis in a memory failure is facilitated for a memory storing secret data while securing secret of data stored in the memory.例文帳に追加

機密データを格納するメモリに対して、メモリに格納されるデータの機密性を確保しつつ、メモリ不良時の解析を容易にする半導体集積回路およびその検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory management device suitable for solving a deficiency that a browser terminal adopting the static memory management method may get into the state that the operation is impossible because of the shortage of memory resources.例文帳に追加

スタティックメモリ管理方式を採用したブラウザ端末において、メモリリソースの不足により操作不能な状態に陥るという不具合を解決するのに好適なメモリ管理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory test method for a semiconductor integrated circuit in which a testing cost is reduced without providing an exclusive circuit for a memory test to perform a self-test of a memory incorporated in a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路に内蔵されたメモリの自己テストのためにメモリテスト専用回路を設けることなく、低コスト化を図った半導体集積回路のメモリテスト方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processor, a memory management method of an image processor, a memory management program of an image processor, and a recording medium which properly manage the life of a NAND type flash memory.例文帳に追加

本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの寿命管理を適切に行う画像処理装置、画像処理装置のメモリ管理方法、画像処理装置のメモリ管理プログラム及び記録媒体に関する。 - 特許庁

To provide a flash memory device in which variation in threshold voltage of a flash memory cell can be prevented/minimized while performing a high speed program, its programming method, a memory system including it, and a computer system.例文帳に追加

高速プログラムを遂行しながらフラッシュメモリセルのしきい値電圧の変化を防止／最小化できるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法、並びにそれを含むメモリシステム及びコンピュータシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a line memory, an image reader, and a line memory control method, which can change the arrangement of pixel data in image data without increasing the cost by using a line memory.例文帳に追加

ラインメモリ使用によるコストアップなどを必要とすることなく、画像データにおける画素データの並びを変更することができるラインメモリ、画像読取装置およびラインメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a distributed shared memory system which enables memory write in unit of transaction with atomicity in an operation node to be transferred to a reserve node and to provide a distributed shared memory system control method.例文帳に追加

運用ノードにおけるアトミック性を持ったトランザクション単位のメモリライトを予備ノードに転送することが可能な分散共有メモリシステム及び分散共有メモリシステム制御方法を提供する。 - 特許庁

In the method for operation of the memory cell, the memory cell has a channel area (2) in which operation is possible in a first direction and a second direction, and the memory cell is characterized by at least one effective parameter.例文帳に追加

本発明のメモリセルの動作方法において、メモリセルは第１の方向および第２の方向に動作可能なチャネル領域（２）を有し、少なくとも１つの有効なパラメータによって特徴づけられる。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and the manufacturing method of the same, reduced in the affection of an interference due to a coupling capacity between neighbored memory cells and improved in the operational margin of the memory cell.例文帳に追加

隣接メモリセル間の結合容量による干渉の影響を小さくしてメモリセルの動作マージンを向上させた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a pseudo multiport memory device capable of realizing an enhanced transfer method to a reference memory under the condition where all reference areas are stored into a shared large capacity pseudo multiport memory.例文帳に追加

共用の大容量擬似多ポートメモリに全ての参照領域を記憶するという条件の下で，参照メモリに対する改良転送法を実現できる擬似多ポートメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus of forming a phase change memory that enhances the speed of reading and writing operations in the phase change memory including laminated metallic chalcogenide films, and to provide a method of forming the change memory.例文帳に追加

金属カルコゲナイド膜の積層体を有する相変化メモリにおいて、読み書き動作の速度を高めることのできる相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having high reliability of information reading, a display device having such semiconductor memory device, an electronic equipment, and a manufacturing method of such a semiconductor memory device.例文帳に追加

情報読取の信頼性の高い半導体記憶装置、そのような半導体記憶装置を有する表示装置および電子機器、および、そのような半導体記憶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a memory structure and the manufacturing method of the same, capable of reducing a time and a process necessary for manufacturing the memory structure and capable of manufacturing the memory structure without employing any transistor for decoding.例文帳に追加

メモリ構造を製造するのに必要な時間と処理とを低減し、復号化用のトランジスタを用いることなくメモリ構造を製造することができるメモリ構造及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a memory management method, a memory management device and a storage medium recording a memory management program, in which a main program can perform processing by interrupting processing for generating continuous usable areas.例文帳に追加

メモリ管理方法、メモリ管理装置、及びメモリ管理プログラムが記録されている記録媒体において、連続した利用可能領域を生成する処理を中断して、主プログラムが処理を行う。 - 特許庁

To provide a cache memory controller, a cache memory control method, a central processor, an information processor, and a central processing method, reducing a waiting time of a demand fetch process waiting a prefetch process.例文帳に追加

プリフェッチ処理を待つディマンドフェッチ処理の待ち時間を短縮するキャッシュメモリ制御装置、キャッシュメモリ制御方法、中央処理装置、情報処理装置、中央処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a non-volatile storage device capable of forming a memory element with a stable characteristic by a simple method even when a memory cell is finely divided.例文帳に追加

メモリセルが微細化されても、安定した特性を有するメモリ素子を、簡易な方法で形成することができる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for employing an optical state-change organic polymer film as an information-storage layer in a high density optoelectric memory and a high density optoelectric memory produced by the method.例文帳に追加

高密度光メモリの情報記憶層として光学状態変化有機ポリマーフィルムを利用する方法及び当該方法によって製造された高密度光メモリを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for demarcating memory states of an electrically alterable and non-volatile multi-bit memory cell and a new device, and to provide a method about a programming reference signal.例文帳に追加

本発明は、複数ビットの電気的可変不揮発メモリセルの記憶状態分界およびプログラミング基準信号に関して新規な装置および方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a memory stick card capable of transferring data by a method different from a conventional data transfer method in order to further speed up the data transfer rate of the memory stick card than heretofore.例文帳に追加

メモリスティックカードのデータ転送レートを従来のものよりも速くすることを目的とし、従来のデータ転送方法とは異なる方法でデータ転送をし得るメモリスティックカードを提供する。 - 特許庁

To provide a self-alignment method for forming a floating gate memory cell array with high programming and erasure efficiency in which the size of memory cell can be reduced, and an array formed by that method.例文帳に追加

メモリセルの小型化可能でプログラミング及び消去効率の高い浮遊ゲート・メモリセル配列を形成するセルフアライメント方法及びその方法により製造される配列が提供される。 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING ERROR BY EXACTLY JUDGING POSITION OF DATA ERROR ON DATA MEMORY DISK, AND METHOD FOR CORRECTING ERROR BY EXACTLY JUDGING POSITION OF DATA ERROR ON DATA MEMORY MEDIUM例文帳に追加

デ—タ記憶ディスク上のデ—タエラ—の位置を正確に判断し、エラ—を訂正するための方法、およびデ—タ記憶媒体上のデ—タエラ—の位置を正確に判断し、エラ—を訂正するための方法 - 特許庁

MEMORY CONTROL METHOD AND DEVICE, PLOTTING PROCESSING METHOD AND DEVICE, VIDEO CONTROL METHOD AND DEVICE, BUFFER CONTROL METHOD AND DEVICE AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加

メモリ制御方法及び装置並びに描画処理方法及び装置並びにビデオ制御方法及び装置並びにバッファ制御方法及び装置並びに記憶媒体 - 特許庁

To provide a method of forming a conductive plug structure such as a via plug using a multitude of conductive patterns and also to provide a method of fabricating a semiconductor element including a semiconductor memory element such as the method of fabricating a phase change memory element.例文帳に追加

多数の導電層パターンからビアプラグのような導電プラグ構造体の形成方法、及び相変化記憶素子の製造方法のような半導体メモリ素子を含む半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the spectacle frame made of a shape memory alloy consists of using the shape memory alloy material as a blank and casting the blank by a precision casting method (investment casting method).例文帳に追加

本発明の形状記憶合金製眼鏡フレームの製造方法は、形状記憶合金材料を素材として、精密鋳造法（Ｉｎｖｅｓｔｍｅｎｔ ｃａｓｔｉｎｇ法）により鋳造することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a phase change memory device for reducing the contact region of a phase change memory layer and an electrode and increasing integration effect, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

相変化メモリ層と電極の接触領域を減少させ、集積効果を改善する相変化メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a game system capable of producing a real and high quality image while applicable memory capacity of data is restrained, an information memory medium, and a compression method.例文帳に追加

データの使用記憶容量を抑えながらもリアルで高品質な画像を生成できるゲームシステム、情報記憶媒体及び圧縮方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a data storing method for a flash memory by which the efficiency of processing of writing data in a flash memory can be improved and a long life can be achieved.例文帳に追加

フラッシュメモリへのデータ書き込み処理の効率向上と共に、長寿命化を図ることのできるフラッシュメモリへのデータ記憶方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory access monitoring device and a method therefor by which memory access is efficiently monitored without performing trial-and-error approach.例文帳に追加

試行錯誤的なアプローチを行うことなくメモリアクセスの監視を効率的に行うことが可能なメモリアクセス監視装置およびその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory distributing method in the communication terminal of a mobile object for validly utilizing a memory resource to be used by a mail function.例文帳に追加

メール機能で利用されるメモリ資源を有効に活用することができる移動体通信端末におけるメモリ配分方法を提供すること。 - 特許庁

In a page mode write-in method of a non-volatile memory being electrically erasable and programmable in an integrated circuit, a written page corresponds to a column of a memory array.例文帳に追加

集積回路内の電気的に消去プログラム可能な不揮発性メモリのページモード書込み方法において、書込むページはメモリアレイの列に対応する。 - 特許庁

To provide an event recorder and a method for recording time data of the event recorder, capable of saving the capacity of a memory by reducing the amount of time data stored in the memory.例文帳に追加

メモリに記録される時刻のデータ量を減らして、メモリの容量を節約するイベントレコーダおよびイベントレコーダの時刻データ記録方法を提供する。 - 特許庁

To provide an NOR-interface flash memory device and an access method concerned in order to allow random access to data by increasing a data access rate of a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのデータアクセス速度を上げ、データのランダムアクセスを可能にするために、ＮＯＲインターフェイスフラッシュメモリ装置及び関連アクセス方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a refresh current consumption is minimized without decreasing substantially memory capacity, and to provide a driving method therefor.例文帳に追加

メモリ容量が実質的に減少せずとも、リフレッシュによる電流の消耗を最小化する半導体メモリ装置及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory element, in which information can be maintained for a long period even when it is manufactured at a low temperature, a manufacturing method of the memory element and an integrated circuit.例文帳に追加

低温で製造しても情報を長時間に渡って保持することができるメモリ素子およびその製造方法ならびに集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a write-in method, by which multi-level data can be written at high speed, in a nonvolatile semiconductor memory device, in which a memory cell can store data of ternary level or higher.例文帳に追加

メモリセルが３値以上のデータを記憶可能な不揮発性半導体記憶装置において、多値データを高速に書き込める書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus, method and program capable of remarkably reducing memory consumption when encoding image data and storing the image data in a memory.例文帳に追加

画像データを符号化してメモリに格納する際のメモリ消費量を大幅に削減できる画像処理装置、方法およびプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a cache memory device for storing image data in which a cache hit rate is improved and a method for controlling the cache memory device.例文帳に追加

画像データを記憶するキャッシュメモリ装置において、キャッシュヒット率を向上させたキャッシュメモリ装置及びキャッシュメモリ装置の制御方法を提供する。 - 特許庁