「Metal gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The insulating adhesion layer contains an oxyhydroxide of the metal contained in the gate electrode.例文帳に追加

また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which uses a gate insulating film having less threshold variation and having metal atoms, and also a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、閾値変動の少ない、金属原子を有するゲート絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

After a metal film 8 is formed to cover the polysilicon gate electrodes 9, 29, it is made silicide by a heat treatment.例文帳に追加

そして、ポリシリコンゲート電極９，２９を覆うように金属膜８を形成後、熱処理によりシリサイド化する。 - 特許庁

The gate insulating film 140 includes an oxygen-containing insulating film 101, and a high dielectric constant insulating film 102 containing a first metal.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１４０は、酸素含有絶縁膜１０１と、第１の金属を含む高誘電率絶縁膜１０２とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a control gate electrode with high aspect ratio, having a homogeneous metal silicide film.例文帳に追加

均質な金属シリサイド膜を有する高アスペクト比の制御ゲート電極を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A gate electrode A containing a metal film is formed on a silicon substrate 1, and a side-wall silicon nitride film 13a is formed on its side surface.例文帳に追加

シリコン基板１上に金属膜を含むゲート電極Ａを形成し、その側面に側壁シリコン窒化膜１３ａを形成する。 - 特許庁

On the other hand, the gate electrodes 31a, 31b are formed by reacting a non-dope silicon film with a metal film.例文帳に追加

また、ゲート電極３１ａ，３１ｂはノンドープのシリコン膜を金属膜と反応させることで形成される。 - 特許庁

Thus, it is not necessary to separately install any metal layer enabling soldered joint at the upper part of the gate electrode and the source electrode just like a conventional technology.例文帳に追加

そのため、従来の技術のように、ゲート電極およびソース電極の上部に別途はんだ接続が可能なメタル層を設ける必要がない。 - 特許庁

The chopper type comparator 100 includes an inverter amplifier IV100 and a CMOS (complimentary metal oxide semiconductor) transfer gate TG1.例文帳に追加

チョッパ型コンパレータ１００は、インバータアンプＩＶ１００と、ＣＭＯＳトランスファゲートＴＧ１とを含む。 - 特許庁

To lower interface resistance between a polysilicon film and a high- melting point metal film, in a gate electrode having a polymetal structure.例文帳に追加

ポリメタル構造を有するゲート電極において、ポリシリコン膜と高融点金属膜との間の界面抵抗を低くする。 - 特許庁

A plurality of ECO cells containing gate electrodes and unconnected to a metal wiring layer are arranged around a standard cell SC.例文帳に追加

ゲート電極を有しメタル配線層が未接続の複数のＥＣＯセルがスタンダードセルＳＣ周囲に配置される。 - 特許庁

MOS TRANSISTOR HAVING MULTIPLE WORK FUNCTION METAL NITRIDE GATE ELECTRODE, CMOS INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT EMPLOYING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加

多重仕事関数金属窒化物ゲート電極を有するＭＯＳトランジスタ、これを採用するＣＭＯＳ集積回路素子及びその製造方法 - 特許庁

A gate insulation layer 5 includes the organic insulation layer 3 and the metal oxide insulation layer 4.例文帳に追加

これら有機物絶縁層３と金属酸化物絶縁層４とにより、ゲート絶縁層５が構成されている。 - 特許庁

As a second gate electrode layer 7, polysilicon, silicide or a high-melting point metal such as W, Mo, Ti, or the like, is employed.例文帳に追加

第２ゲート電極層７として、例えば、ポリシリコンまたはシリサイドまたはＷ，Ｍｏ．Ｔｉなどの高融点金属を採用する。 - 特許庁

Then, a metal film is film-formed, and each surface of the gate electrode, source electrode and drain region that are formed in a peripheral domain is silicided.例文帳に追加

その後、金属膜を成膜し、周辺領域に形成されたゲート電極、ソース領域及びドレイン領域の各表面のシリサイド化を行なう。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing with reduced number of process steps a semiconductor device using metal gate electrodes which exhibits excellent dynamic characteristics.例文帳に追加

メタルゲート電極を用いた半導体装置において、工程数を削減し、動的特性にも優れた製造方法を実現する。 - 特許庁

A first metal film is formed on an insulated substrate, and a gate electrode is formed by the first photoengraving process.例文帳に追加

絶縁基板上に第１の金属膜を成膜し、第１の写真製版工程でゲート電極を形成する。 - 特許庁

FURNACE SYSTEM AND METHOD FOR SELECTIVELY OXIDIZING SIDEWALL SURFACE OF GATE CONDUCTOR BY OXIDIZING SILICON SIDEWALL IN LIEU OF REFRACTORY METAL SIDEWALL例文帳に追加

高融点金属側壁の代わりにシリコン側壁を酸化させてゲート導体の側壁表面を選択的に酸化する炉システムおよび方法 - 特許庁

Then an electrode material which has existed at the gate electrode 122_10 of the transistor of the pixel array 10 is replaced with a metal material.例文帳に追加

その後、画素アレイ部１０のトランジスタのゲート電極１２２_10 部分に存在していた電極材を金属材に置換する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a practical CMISFET having a metal gate electrode suitable for nMIS and pMIS.例文帳に追加

ｎＭＩＳおよびｐＭＩＳに適したメタルゲート電極を有する実用的なＣＭＩＳＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM TRANSISTOR COMPRISING COMMON GATE, LOGIC DEVICE COMPRISING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR例文帳に追加

共通ゲートを備える相補型金属酸化物半導体薄膜トランジスタ、それを備える論理素子及びそのトランジスタの製造方法 - 特許庁

The connection wire 10 is constituted of a metal having a high melting point such as molybdenum by the same process of a gate line GL.例文帳に追加

接続配線１０は、モリブデンなどの高融点金属から構成し、ゲートラインＧＬと同一プロセスによって構成する。 - 特許庁

A high melting point metal and a compound thereof may be used by forming the through electrodes in a gate electrode forming process and thereby resistance may be lowered.例文帳に追加

ゲート電極形成工程において貫通電極を形成することで高融点金属およびその化合物が使用でき、低抵抗化が図れる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate electrode composed of a uniform thickness metal silicide film and its manufacturing method.例文帳に追加

均一な厚さの金属シリサイド膜からなるゲート電極を備える半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A metal silicide is formed on the upper surface of a gate electrode, the deep source/drain regions of the transistor part and the resistor part.例文帳に追加

前記ゲート電極の上面、前記トランジスタ部及び抵抗部の深いソース及びドレーン領域上に金属シリサイドを形成する。 - 特許庁

To provide a production method for a semiconductor device which has a dual gate electrode, containing metal silicide.例文帳に追加

半導体装置の製造方法であって金属シリサイドを含むデュアルゲート電極を有する半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The gate electrode 14 has doped polysilicon films 21a, 21b and 21c and a metal silicide film 22a.例文帳に追加

ゲート電極１４は、ドープドポリシリコン膜２１ａ、２１ｂ、２１ｃと、金属シリサイド膜２２ａとを備えている。 - 特許庁

Metal oxidation and dry etching are employed as a means for changing the size of a gate electrode to be used as a mask during implantation of impurities.例文帳に追加

不純物を注入する際のマスクとして使用するゲート電極の寸法を変える手段として、金属酸化やドライエッチングを利用する。 - 特許庁

A first metal layer 14 is formed above and on a gate electrode 9 and a source electrode 11, and contains at least one of Pt, Ti, Mo, W, and Ta.例文帳に追加

第１金属層１４は、ゲート電極９とソース電極１１との上に形成され、かつ、Ｐｔ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａのうち少なくとも１種を含んでいる。 - 特許庁

A gate electrode GE 1 is provided with a polysilicon layer 4C, a silicon oxide film (smile oxide film) 14, a metal layer 50 and a silicide film 15.例文帳に追加

ゲート電極ＧＥ１は、ポリシリコン層４Ｃと、シリコン酸化膜（スマイル酸化膜）１４と、金属層５０Ｃと、シリサイド膜１５とを備える。 - 特許庁

The SRAM cell is completed at second metal (M2) level, and the leakage, function and manufacturing yield in cell path gate are improved.例文帳に追加

本ＳＲＡＭセルは、第２の金属（Ｍ２）レベルで完成し、セル・パスゲートのリーク、機能および製造歩留りを改善する。 - 特許庁

Then, the salicide metal layers 160, 162, 170 and 172 are formed on surface sides of gate electrodes 120 and 122 and diffusion layers 130 and 132.例文帳に追加

次に、ゲート電極１２０、１２２と拡散層１３０、１３２の表面側に、サリサイドメタル層１６０、１６２、１７０、１７２を形成する。 - 特許庁

GATE STRUCTURE OF INTEGRATED CIRCUIT MEMORY DEVICE HAVING CHARGE STORING NANO CRYSTALS IN METAL OXIDE DIELECTRIC FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

金属酸化物絶縁膜内に電荷保存ナノクリスタルを有する集積回路メモリ装置のゲート構造物及びその形成方法 - 特許庁

An electrode metal film M having the thickness of 3 to 30 nm is formed on the entire upper surface of a gate insulating film 6.例文帳に追加

ゲート絶縁膜６の上面上に、全面的に、３〜３０ｎｍの厚みのゲート電極用金属膜Ｍを形成する。 - 特許庁

HIGH DIELECTRIC CONSTANT METAL OXIDE FILM, METHOD FOR FORMING THE SAME, GATE INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

高誘電率金属酸化物膜の作製方法、高誘電率金属酸化物膜、ゲート絶縁膜、及び半導体素子 - 特許庁

A gate metal electrode (38) of the FET device (10) is controllably diffused in the barrier layer (20) from the shield layer (22) through a recessed part (36).例文帳に追加

このＦＥＴデバイス（１０）のゲート金属電極（３８）は、凹部（３６）を通してシールド層（２２）からバリヤー層（２０）に制御可能に拡散される。 - 特許庁

In the same manner, a gate electrode 3a at the nMOS formation region is silicified fully by a prescribed amount of metal.例文帳に追加

そして、これと同様の手順でｎＭＯＳ形成領域のゲート電極３ａを所定量の金属でフルシリサイド化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that includes a metal gate having high work function and high-temperature stability, and a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

高い仕事関数及び高温安定性を備えたメタルゲートを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A LOCOS oxide film 3 is formed on a silicon substrate 1, and furthermore a gate-metal interlayer film 5 is formed thereon.例文帳に追加

シリコン基板１上にＬＯＣＯＳ酸化膜３が形成され、さらにその上にゲート−メタル層間膜５が形成されている。 - 特許庁

Therefore, the occurrence of leakage between a gate electrode and an emitter due to the adherence of the metal dust can be prevented.例文帳に追加

従って、金属ダストの付着によるゲート電極−エミッタ間のリーク発生を防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can be prevented from becoming higher in threshold voltage even when a gate electrode composed of a metal is used.例文帳に追加

金属からなるゲート電極を用いた場合にも、しきい値電圧が高くなるのを抑制することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can normally activate a Fin-type transistor without enhancing the resistance of its metal gate electrode.例文帳に追加

Ｆｉｎ型トランジスタの金属ゲート電極を高抵抗化させることなく、トランジスタを正常に動作させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING METAL OXIDE FILM FOR GATE PART OF FIELD EFFECT TRANSISTOR AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

電界効果型トランジスタのゲート部用金属酸化物膜の製造方法及び電界効果型トランジスタ - 特許庁

To form an insulation film suitable for use as a high-dielectric-constant gate insulation film and including a high-dielectric-constant metal nitride silicate film.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適し、高誘電率窒化金属シリケート膜を含んでなる絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A metal layer 10A for a second gate electrode and a second cap layer 9 are formed so as to cover one end portion of a first hard mask 8.例文帳に追加

第２ゲート電極用金属層１０Ａおよび第２キャップ層９を、第１ハードマスク８の一端部を被うように形成する。 - 特許庁