「Metal gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The liquid crystal display device further includes a first metal layer 72 deposited on the gate insulating film 15 and patterned to provide a gate electrode 16 on the gate insulating film 15 opposed to a polysilicon layer 11 of parts becoming thin film transistors 4, 5.例文帳に追加

ゲート絶縁膜15上に成膜した第１の金属層72をパターニングして、薄膜トランジスタ４,５となる部分のポリシリコン層11に対向したゲート絶縁膜15上にゲート電極16を設ける。 - 特許庁

To adjust a threshold value of a complementary transistor having a gate stack structure of a high dielectric constant gate insulating film and a metal gate electrode using a simple procedure.例文帳に追加

簡易な手順で、高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲート電極とのゲートスタック構造を有する相補型トランジスタの閾値を調整する。 - 特許庁

The gate electrode 18 includes a first gate layer 19 made of p-type AlGaInP mixed crystal, a second gate layer 20 formed thereupon and made of p-type GaAs, and a metal layer (AuGe/Au electrode) 21 formed thereupon.例文帳に追加

ゲート電極１８は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる第１のゲート層１９と、この上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなる第２のゲート層２０と、この上に形成された金属層（ＡｕＧｅ／Ａｕ電極）２１とを有する。 - 特許庁

Thereby, the contaminated metal in the oxidized film of gate reacts chemically, the oxidized film of gate change in quality, and the withstand voltage of the oxidized film of gate deteriorates.例文帳に追加

これにより、ゲート酸化膜中の汚染金属が化学反応を起こし、ゲート酸化膜が変質することで、ゲート酸化膜の絶縁性が部分的に劣化する。 - 特許庁

To provide an advanced gate structure that includes a silicided metal gate and silicided source and drain regions, and methods for forming the advanced gate structure.例文帳に追加

シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物と、同ゲート構造物を製造する方法と、を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a self-organized gate-insulating layer is performed on the basis of an aqueous processing method, in which the azole-metal complex compound is self-organized on a patterned gate electrode in an aqueous solution, and it can act as the gate-insulating layer.例文帳に追加

自己組織化ゲート絶縁層を作成する方法は、水性溶液中でパターン化ゲート電極上にアゾール−金属錯化合物が自己形成され且つゲート絶縁層の役割を果たすことを可能とする水性処理法。 - 特許庁

A lateral power metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) equipped with a gate structure where an insulated gate is connected to a gate electrode at a plurality of spots through the intermediary of contacts is provided.例文帳に追加

絶縁したゲートがコンタクトを介して複数の場所でゲート電極に接続されるようなゲート構造を有する、横方向パワー酸化金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）が提供される。 - 特許庁

To realize a fine MOS transistor wherein a thin gate oxide film is arranged, metal is used as gate material, a source/drain region is formed by self alignment, a channel region is shallow and a gate length is at most 0.5 μm.例文帳に追加

薄いゲート酸化膜を有し、金属をゲート材料とし、セルファラインでソース／ドレイン領域が形成された、浅いチャネル領域の、０．５μｍ以下のゲート長を持つ微細なＭＯＳトランジスタを実現する。 - 特許庁

A gate line 20 is divided during the course the gate line 20 arrives at an output section of a vertical driver circuit and the divided gate lines 20 are connected to each other by metal wiring 25 of an upper layer.例文帳に追加

ゲートライン２０が垂直ドライバ回路１３０の出力部に至る途中で、ゲートライン２０を分断し、分断されたゲートライン２０，２０同士を上層のメタル配線２５で接続する。 - 特許庁

To realize a method of forming a gate electrode with which an abnormal oxidizing phenomenon of metal can be prevented, without increasing the required quality of heat and deterioration of a gate insulating film, in the gate reoxidizing step.例文帳に追加

ゲート再酸化工程の際、所要熱量及びゲート絶縁膜の劣化を増加させることなく、金属の異常酸化現象を防止できる半導体素子のゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

The gate electrode 126 of the FET 102 and the gate insulating film 114 and gate electrode 121 of the FET 104 include at least one metal selected from a group of Hf, Zr, Al, La, Pr, Y, Ta, and W.例文帳に追加

ＦＥＴ１０２のゲート電極１２６、ＦＥＴ１０４のゲート絶縁膜１１４、ゲート電極１２１はＨｆ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｙ、Ｔａ、Ｗからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む。 - 特許庁

A semiconductor element comprises a metal gate electrode which has a lower portion filling a channel trench formed in a predetermined region of a substrate and an upper portion protruding from the substrate; a gate insulating film which is interposed between the metal gate electrode and the sidewall/bottom face of the channel trench; and source/drain regions which are formed in the substrate on both sides of the metal gate electrode.例文帳に追加

この素子は、下部分が基板の所定領域に形成されたチャンネルトレンチを満たし、上部が基板上に突き出された金属ゲート電極、チャンネルトレンチの側壁及び底面と、金属ゲート電極の間に介在されたゲート絶縁膜、及び金属ゲート電極の両側の基板に形成されたソース／ドレイン領域を具備する。 - 特許庁

To increase a work function difference between a metal compound used in the gate electrode pattern of a n-channel MOS transistor and a metal compound used in the gate electrode pattern of a p-channel MOS transistor, in the n-channel MOS transistor which is formed in a gate first process and which uses the metal compound as the gate electrode pattern.例文帳に追加

ゲートファーストプロセスで形成できる、金属化合物をゲート電極パターンとして使うｎチャネルＭＯＳトランジスタにおいて、ｐチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極パターンに使われる金属化合物に対し、前記ｎチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極パターンに使われる金属化合物の仕事関数差を増大させる。 - 特許庁

After a metal electrode layer 7 is formed to cover them, the metal electrode layer 7 is removed by a focusing ion beam excepting the portions becoming a source electrode 8, a gate electrode 9, and a gate electrode 10.例文帳に追加

そして、これらを覆うように金属電極層７を形成した後、この金属電極層７におけるソース電極８、ドレイン電極９及びゲート電極１０となる部分以外の部分を収束イオンビームにより除去する。 - 特許庁

The gate electrode of a metal oxide field effect transistor for driving a heating element is formed of a polycide structure or a metal gate structure.例文帳に追加

本発明は、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極をポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate electrode portion containing a metal which controls oxidation of a metal contained in the gate electrode portion during formation of a film on the side surface thereof and subsequent process.例文帳に追加

メタルを含むゲート電極部を有する半導体装置において、ゲート電極部の側面に形成される膜の形成時およびその後の工程で、ゲート電極部に含まれるメタルの酸化を抑えることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR EVAPORATING METAL GATE ON HIGH-K DIELECTRIC FILM, METHOD FOR IMPROVING INTERFACE BETWEEN HIGH-K DIELECTRIC FILM AND METAL GATE, AND SUBSTRATE TREATMENT SYSTEM例文帳に追加

ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜上に金属ゲートを蒸着する方法及び、ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの界面を向上させる方法、並びに、基板処理システム - 特許庁

To provide a semiconductor device with a dual-metal gate electrode structure satisfying the relation "Pn<Pp", and to provide a method for readily manufacturing the semiconductor device of the dual-metal gate electrode structure.例文帳に追加

本発明は、「Ｐｎ＜Ｐｐ」の関係を満たすデュアルメタルゲート電極構造の半導体装置及びデュアルメタルゲート電極構造の半導体装置を容易に製造する製造方法を提供するものである。 - 特許庁

The on-die capacitor 5 can be realized by metal layers 3, 4 only, a gate oxide or a combination of a gate oxide and a metal structure.例文帳に追加

本発明によれば、オン・ダイキャパシタンス(5)を、金属層（3,4)単独で、あるいは、ゲート酸化物、またはゲート酸化物と金属構造の組み合わせで具現化することができる。 - 特許庁

Between the first metal gate electrode 4A and the first side wall 1a, the stress mitigating portions (9a, 16) are formed in the structure for reducing an internal stress of the first metal gate electrode 4a.例文帳に追加

第１の金属ゲート電極４Ａと第１のサイドウォール１ａとの間には、第１の金属ゲート電極４ａが有する内部応力を低減させる構造を有するストレス緩和部（９ａ、１６）が形成されている。 - 特許庁

A conductive diffusion prevention layer 15 to prevent the diffusion of metal in forming the metal silicide is formed on the underside of the gate electrodes 105 and 106, so as to contact the gate insulation film 4.例文帳に追加

金属シリサイドの形成時における金属の拡散を防止する導電性拡散防止層１５がゲート電極１０５及び１０６の下側にゲート絶縁膜４と接するように形成されている。 - 特許庁

On a silicon substrate 1, a gate insulating film 3 made of a material containing high-melting-point metal oxide is formed, and on the gate insulating film 3, the metal oxide film 4 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上に、高融点金属酸化物を含む材料からなるゲート絶縁膜３が形成され、ゲート絶縁膜３上に金属酸化膜４が形成される。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a metal film depositing step (S1) of depositing a metal film on a semiconductor element having a gate insulating film and a gate electrode by sputtering through a collimating plate having a plurality of through-holes formed therein.例文帳に追加

複数の貫通孔が形成されているコリメート板を介してスパッタを行うことにより、ゲート絶縁膜及びゲート電極を有する半導体素子上に金属膜を形成する金属膜形成工程（ステップＳ１）を備える。 - 特許庁

Therefore, a diffusion of a metal to the interlayer insulating film from the metal gate electrode when or after being formed is prevented to materialize a semiconductor device of a high breakdown strength with a low-resistive gate electrode.例文帳に追加

そのため、形成時あるいは形成後のメタルゲート電極からの層間絶縁膜への金属の拡散は防止され、低抵抗なゲート電極を有する高耐圧の半導体装置が実現される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of easily controlling the threshold of the semiconductor device having the metal gate structure which adopts materials, such as metal, for a gate electrode material.例文帳に追加

ゲート電極材料に金属等の材料を採用したメタルゲート構造を有する半導体装置の閾値を容易に制御可能な半導体装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a full silicide gate electrode of a uniform metal composition ratio, even if a gate length is different capable of easily controlling the metal composition ratio, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート長が異なっていても、均一な金属組成比のフルシリサイドゲート電極を備え、かつその金属組成比を容易に制御できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a metal film 8 is formed at least on the gate electrode 4 and the diffusion layer 7 at a temperature of 150°C or below and a solid solution layer 9 of a metal and silicon is formed above the gate electrode 4 and the diffusion layer 7.例文帳に追加

その後、少なくともゲート電極４および拡散層７の上に１５０℃以下の温度で金属膜８を成膜し、ゲート電極４および拡散層７の上部に金属とシリコンとの固溶体層９を形成する。 - 特許庁

Then an insulating film 33 for covering the gate electrode 31b and exposing the dummy gate electrode 32 is formed, and a metallic film 35 made of a second metal having a work function lower than the work function of the first metal is formed.例文帳に追加

それから、ゲート電極３１ｂを覆いかつダミーゲート電極３２を露出する絶縁膜３３を形成してから、第１金属の仕事関数よりも低い仕事関数を有する第２金属からなる金属膜３５を形成する。 - 特許庁

Thus, a multilayered gate electrode can be manufactured, without having to form a pattern for forming the gate electrode, except the low-resistance metal layer 30 on the refractory metal layer 14 and the manufacturing cost can be suppressed.例文帳に追加

このように、高融点金属層１４上に低抵抗金属層３０以外のゲート電極形成用パターン等を形成することなく多層ゲート電極を製造でき、製造コストを抑えることができる。 - 特許庁

Molten metal of aluminum or aluminum alloy is poured into the containers 1 through a pouring gate 9 and a pouring gate of the container, and the sand mold 10 is broken to take out the container 1 before the molten metal is completely solidified.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金の溶湯を湯口９及び容器湯口を介して容器１内に注入し、溶湯の凝固完了の前に砂型鋳型１０をばらして容器１を取出す。 - 特許庁

Adhesiveness and planarity are improved by permitting a gate electrode or a gate wiring of a thin film transistor to have a four-layer structure by successively stacking a base adhesive layer, a catalyst layer, a wiring metal layer, and a wiring metal diffusion suppressing layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲート電極或いはゲート配線を、下地密着層、触媒層、配線金属層、配線金属拡散抑止層の順に積層して４層構造にすることよって、密着性及び平坦性を改善した。 - 特許庁

Thermal treatment is performed thereon diffusing an n-side cap layer 8A inside the gate electrode metal film M beneath the n-side cap layer 8A and allowing the former to react with the latter, thereby forming an n-side gate electrode metal film MA inside the nFET region Rn.例文帳に追加

その上で、熱処理を行って、ｎ側キャップ層８Ａを、その直下のゲート電極用金属膜Ｍ内に拡散・反応させて、ｎＦＥＴ領域Ｒｎ内にｎ側ゲート電極用金属膜ＭＡを形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a high-permittivity gate insulating film 2 formed of a high-permittivity insulating film, a metal film 3 formed on the high-permittivity gate insulating film 2, and a polysilicon film 4 formed on the metal film 3.例文帳に追加

半導体装置は、高誘電率絶縁膜からなる高誘電率ゲート絶縁膜２と、高誘電率ゲート絶縁膜２の上に形成された金属膜３と、金属膜３の上に形成されたポリシリコン膜４とを備えている。 - 特許庁

The gate metal pattern (bar) and the emitter metal pattern (bar) can be externally and easily shorted/opened in positions other than the gate terminal 1 and the emitter signal terminal 2.例文帳に追加

ゲート金属パターン（バー）とエミッタ金属パターン（バー）がゲート端子１、エミッタ信号端子２以外の位置で外部から短絡／開放自在に構成される。 - 特許庁

Additionally, the heat insulating material 17 surrounding the molten metal flow passage 19 connecting the stroke 8 and the gate 9 of the mold 4 is provided with a heater 18, and the temperature of the molten metal flow passage 19 is retained so as to be higher than that of the gate 9 of the mold 4.例文帳に追加

加えてストーク８と金型４の湯口９とを連絡する溶融金属流路１９を囲む断熱材１７にヒータ１８を設け、溶融金属流路１９の温度を金型４の湯口９より高く維持する。 - 特許庁

A stroke 8 and the gate 9 of a mold 4 are connected through a molten metal flow passage 19 surrounded by a heat insulating material 17, and the cross-sectional area of the molten metal flow passage 19 is made larger than the cross-sectional area of the gate 9 of the mold 4.例文帳に追加

ストーク８と金型４の湯口９とを断熱材１７で囲まれた溶融金属流路１９により連絡し、この溶融金属流路１９の断面積を金型４の湯口９の断面積より大きくする。 - 特許庁

The gate electrode 22 and the gate line are then covered with an anti-hillock metal film 41 of Cr, or the like, and heat treated before removing the anti-hillock metal film 41.例文帳に追加

そして、ゲート電極２２及びゲート線をＣｒ等からなるヒロック防止用金属膜４１で覆い、熱処理を行った後、ヒロック防止用金属膜４１を除去する。 - 特許庁

Then, a gate 16 changing from an upward gradient to a downward gradient in the molten metal feed direction is formed at a molten metal feed part continuous with the pump side duct 1, and a nozzle 17 jetting a gas toward the top of the gate 16 is arranged.例文帳に追加

そして、ポンプ側ダクト１に続く給湯部分に、給湯方向に上り勾配から下り勾配に変わる堰１６を形成し、この堰１６の頂部に向けてガスを噴出するノズル１７を配置する。 - 特許庁

The silver ink (IJ-Ag) which is the same as that of a the main metal layer LMM of the gate electrode part GT is used for a main metal layer LMM of the gate terminal part GTM and ITO ink (IJ-ITO) is used for a cap layer LCP2.例文帳に追加

ゲート端子部ＧＴＭの主メタル層ＬＭＭはゲート電極部ＧＴの主メタル層ＬＭＭと同じ（ＩＪ−Ａｇ）を、キャップ層ＬＣＰ２はＩＴＯインク（ＩＪ−ＩＴＯ）を用いている。 - 特許庁

Then, a recess groove 8 is formed by a citric acid base etchant, a metal 9 used as the gate electrode is deposited, the SiO2 is etched by fluoric acid for removing unwanted metal, and recess gate structure is formed.例文帳に追加

そいてクエン酸系のエッチャントでリセス溝８を形成し、ゲート電極となる金属９を蒸着し、フッ酸でＳｉＯ_2をエッチングして不要な金属を除去し、リセスゲート構造を形成する。 - 特許庁

Further, the gate 63 is formed at a position where the molten metal directly after the passage of the gate 63 comes in contact with the metal core 52 inside the cavity, and is thereafter comes in contact with the sand core 51.例文帳に追加

また、ゲート６３は、ゲート６３を通過した直後の溶湯がキャビティ６０内で金属中子５２に接触した後、砂中子５１に接触する位置に形成される。 - 特許庁

A first transistor M1 is an N-channel MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) in which a first terminal 12 of a conduction channel, a gate 14 and a back gate 16 are connected to a terminal P1 to be protected.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１は、伝導チャンネルの第１端子１２、ゲート１４およびバックゲート１６が、保護対象となる端子Ｐ１に接続されたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。 - 特許庁

The gate metal film 524 has a plurality of gate metal legs 524A, 524B, 524C, 524D extending radially outward from a central region toward the periphery of a die.例文帳に追加

ゲート金属膜５２４が、中央領域からダイの周辺に向かって半径方向に外側に延びる複数のゲート金属脚部５２４Ａ、５２４Ｂ、５２４Ｃ、５２４Ｄを備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device including metal gate MISFETs suitable to an nMOS and a pMOS differing in work functions without causing a gate insulating film to deteriorate by exposure to an atmosphere, etching liquid of a metal electrode, etc.例文帳に追加

ゲート絶縁膜が大気やメタル電極のエッチング液等に曝されて劣化することなく、仕事関数の異なるｎＭＯＳ、ｐＭＯＳに適したメタルゲートＭＩＳＦＥＴを含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicide gate electrode 2 is formed through diffusion of a metal into a silicon gate electrode 2a while the source electrode 11 and the drain electrode 12 are formed through the diffusion of metal into silicon layers 11a, 12a thicker than the silicon gate electrode 2a.例文帳に追加

シリサイドゲート電極２は、シリコンゲート電極２ａへの金属の拡散により形成され、ソース電極１１及びドレイン電極１２は、シリコンゲート電極２より厚いシリコン層１１ａ、１２ａへの金属拡散により形成する。 - 特許庁