「Metal gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A second gate electrode 37 of metal or alloy is formed on the second gate insulating film 34.例文帳に追加

また、第２ゲート絶縁膜３４上に金属又は合金からなる第２ゲート電極３７が形成されている。 - 特許庁

A gate polysilicon layer, a metal layer and a gate hard mask layer are sequentially formed on the upper portion of a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００の上部にゲートポリシリコン層、金属層及びゲートハードマスク層を順次形成する。 - 特許庁

The first gate electrode is formed on the second silicon-containing gate insulator 122 and has a metal nitride film 124.例文帳に追加

第１ゲート電極はシリコン含有第２ゲート絶縁膜１２２上に形成されており、窒化金属層１２４を有している。 - 特許庁

The surface of the gate diffusion layer 24 and a metal layer as the gate electrode 25 in a high electron mobility transistor are made into an alloy.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタにおけるゲート拡散層２４の表面とゲート電極２５としての金属層とが合金化している。 - 特許庁

The metal film 35 is contacted with the dummy gate electrode 32, but not contacted with the gate electrode 31b with the insulating film 33 disposed therebetween.例文帳に追加

金属膜３５はダミーゲート電極３２に接するが、ゲート電極３１ｂとは、間に絶縁膜３３が介在して接しない。 - 特許庁

The n-type gate electrode 9A and the p-type gate electrode 9B are electrically connected via the metal silicide film 12.例文帳に追加

ｎ型ゲート電極９Ａとｐ型ゲート電極９Ｂとは、金属シリサイド膜１２を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

USE OF F-BASED GATE ETCH TO PASSIVATE HIGH-K/METAL GATE STACK FOR DEEP SUBMICRON TRANSISTOR TECHNOLOGY例文帳に追加

ディープサブミクロントランジスタ技術用のｈｉｇｈ−ｋ／金属ゲートスタックをパッシベートするためのＦベースのゲートエッチングの使用 - 特許庁

Thereafter, a gate insulation film 71 is formed, the metal 72 is embedded in the groove and a gate electrode pattern G is formed.例文帳に追加

この後、ゲート絶縁膜71を形成し、溝に金属72を埋め込み、ゲート電極パターンＧを形成する。 - 特許庁

Where, the step for setting the gate work function includes setting a gate work function, substantially corresponding to the second thickness of the second metal layer.例文帳に追加

ここで、ゲート仕事関数を設定するステップは、第２金属第２厚さに実質的に応じるゲート仕事関数を設定するステップを含む。 - 特許庁

At this time, the control metal gate 125an is formed smaller in width than a width of the control gate mask pattern 130.例文帳に追加

このとき、制御金属ゲート１２５ａｎの幅は、制御ゲートマスクパターン１３０の幅より小さくなるように形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer projection part 12A and the gate metal projection part 7 are partially superimposed at a superimposition part 7a via a gate insulating film 13.例文帳に追加

半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とはゲート絶縁膜１３を介して重畳部７ａで一部重畳している。 - 特許庁

To suppress the leakage current of a gate insulating film for a semiconductor device comprising a laminated metal gate electrode.例文帳に追加

積層メタルゲート電極を備えた半導体装置において、ゲート絶縁膜のリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁

METHOD OF PREVENTING FORMATION OF BUMP ON SIDE WALL OF SILICON METAL LAYER OF GATE ELECTRODE AND METHOD OF MANUFACTURING GATE ELECTRODE例文帳に追加

ゲート電極の珪化金属層側壁にバンプ生成の防止方法並びにゲート電極製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a metal silicide layer from being peeled or aggregating without increasing the gate width of a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極のゲート幅を大きくすることなく、金属シリサイド層の剥離、凝集の発生を抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Contact plugs 58c and 58e are respectively brought into contact with the metal silicide layer 16 of the back gate electrodes 21 and the gate electrodes 22.例文帳に追加

そして、コンタクトプラグ５８ｃ及び５８ｅを、それぞれバックゲート電極２１及びゲート電極２２の金属シリサイド層１６に接触させる。 - 特許庁

To suppress the crystallization of a high dielectric gate insulating film when repairing damage to a metallic gate electrode (metal electrode) by thermal oxidation.例文帳に追加

金属製のゲート電極（メタル電極）のダメージを熱酸化により修復する際の高誘電率ゲート絶縁膜の結晶化を抑制する。 - 特許庁

After that, a lower gate electrode film 200 comprising a metal nitride film is formed on the gate insulation film 100.例文帳に追加

その後ゲート絶縁膜１００上に金属窒化膜により構成される下部ゲート電極膜２００を形成する。 - 特許庁

To improve the performance of a semiconductor device having an MIS transistor of a metal gate electrode/high dielectric gate insulating film structure.例文帳に追加

金属ゲート電極／高誘電体ゲート絶縁膜構造のＭＩＳトランジスタを有する半導体装置を高性能化する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has the metal gate electrode 110 formed on a substrate 101 with the high dielectric gate insulating film 109 interposed.例文帳に追加

半導体装置１００において、基板１０１上に、高誘電体ゲート絶縁膜１０９を介してメタルゲート電極１１０が形成されている。 - 特許庁

To improve the performance of CMISFET equipped with a high dielectric constant gate insulation film and a metal gate electrode.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜およびメタルゲート電極を備えたＣＭＩＳＦＥＴの性能を向上させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device provided with an MISFET having a high dielectric constant gate insulating film and a metal gate electrode.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜およびメタルゲート電極を有するＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置の信頼性向上を図る。 - 特許庁

To provide a PFET including a channel formed of SiGe, and including a metal gate and a high-k gate dielectric.例文帳に追加

ＳｉＧｅから成るチャネルを有し、金属ゲート及び高ｋゲート誘電体を有するＰＦＥＴを提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 103, N-metal 104, and poly-crystalline silicon 106 are laminated in this order to form a first gate structure G1.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０３とＮ−ｍｅｔａｌ１０４と多結晶シリコン１０６とが当該順に積層した第一のゲート構造Ｇ１を形成する。 - 特許庁

To provide a method of preventing the formation of bumps on the side wall of a silicon metal layer of a gate electrode and to provide a method of manufacturing the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の珪化金属層の側壁にバンプが生成することを防止する方法、並びにゲート電極製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for stably forming a T-gate by reducing physical impact applied to a fine gate, in a metal removing process.例文帳に追加

金属除去工程において微細ゲートに加えられる物理的衝撃を低減して安定的にＴ-ゲートを形成する方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate erosion in a gate part and a product shaped part by preventing eccentric injection of molten metal from the gate part to the product shaped part.例文帳に追加

ゲート部から製品形状部への溶湯の偏向噴出を防止して、ゲート部や製品形状部での溶損の発生をなくす。 - 特許庁

To form a dual gate having good element characteristics by adding and carrying out a damascene process in the manufacturing process of a single metal gate.例文帳に追加

単一の金属ゲートの製造工程にダマシーン工程を追加、行うことによって、優れた素子特性を備えたデュアル金属ゲートを形成する。 - 特許庁

At the lower part of the metallic mold 1, an annular gate part 4 is arranged and the metal material is supplied upward from this gate part 4.例文帳に追加

金型１の下部にはリング状のゲート部４が設けられ、このゲート部４から上方に向かって金属材料が供給される。 - 特許庁

A part of pMOSFET is composed of the first gate insulator 110, the second silicon-containing gate insulator 122, and the metal nitride film 124.例文帳に追加

第１ゲート絶縁膜１１０、シリコン含有第２ゲート絶縁膜１２２、及び窒化金属層１２４は、ｐＭＯＳＦＥＴの一部を構成している。 - 特許庁

A gate 25 of metal molds 21, 22 in forming the head part 18 is provided in a position making an angle of about 180 degrees between the gate and the rotating force receiving surface 13.例文帳に追加

頭部18を成形する際の金型21、22のゲート25は前記回転力受け面13とほぼ１８０度の位置に設ける。 - 特許庁

Then, the withstand voltage of the oxidized film of gate is measured by the known method of evaluating a withstand voltage of oxidized film of gate, the metal contamination of epitaxial layer is evaluated.例文帳に追加

その後、公知の酸化膜耐圧評価法でゲート酸化膜の耐圧を測定し、エピタキシャル層の金属汚染を評価する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises a gate insulating film 15 formed of a high dielectric constant material on a substrate, a metal gate electrode formed on the gate insulating film 15, and a sidewall spacer 21 formed on the sidewall of the metal gate electrode.例文帳に追加

基体上に形成された高誘電率材料からなるゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上に形成されたメタルゲート電極と、メタルゲート電極の側壁に形成されたサイドウォールスペーサ２１とを備える半導体装置１０を構成する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 further includes a metal gate electrode layer 22 formed on the gate insulating film, and a semiconductor gate electrode layer 23 of the second conductivity type, which is the inverted conductivity type of the first conductivity type, formed on the metal gate electrode layer.例文帳に追加

半導体装置１０は更に、ゲート絶縁膜上に形成された金属ゲート電極層２２と、金属ゲート電極層上に形成された、第１導電型とは逆の導電型である第２導電型の半導体ゲート電極層２３とを有する。 - 特許庁

A metal is patterned on a substrate and vapor-deposited to form a gate electrode 12, and then the gate electrode 12 is directly oxidized at a normal temperature to 100°C in O_2 plasma process to grow a metal oxide film having a thickness of 10 nm or less, thereby the gate insulating film 13 is formed along the surface of the gate electrode.例文帳に追加

基板上に金属をパターニングし、蒸着してゲート電極１２を形成した後、常温乃至100℃以下でO_2プラズマ工程によりゲート電極１２を直接酸化して10nm以下の厚みで金属酸化膜を成長させることで、ゲート電極の表面に沿ってゲート絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

After patterning the metal conductive film 6 and the polycrystalline semiconductor film 5, a first gate insulating film 7 is formed on the metal conductive film 6, and then a second gate insulating film 8 which grows faster than the first gate insulating film 7 is formed on the first gate insulating film 7.例文帳に追加

そして、金属性導電膜６及び多結晶半導体膜５をパターニングした後、金属性導電膜６上に第１のゲート絶縁膜７を形成し、第１のゲート絶縁膜７上に第１のゲート絶縁膜７に比べて成長速度が速い第２のゲート絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

The gate electrode of the p-type MIS transistor has a first metal at least on te interface with the gate insulation film, and the gate electrode of the n-type MIS transistor has a boride of the first metal at least on the interface with the gate insulation film.例文帳に追加

前記ｐ型ＭＩＳトランジスタにおける前記ゲート電極は、少なくとも前記ゲート絶縁膜との界面に第１の金属を有し、前記ｎ型ＭＩＳトランジスタにおける前記ゲート電極は、少なくとも前記ゲート絶縁膜との界面に、前記第１の金属のホウ化物を有することを特徴とする。 - 特許庁

With this, an uppermost metal film in the first region A can be removed, and accordingly, a first metal gate electrode and a second metal gate electrode having different work functions can be formed without yield reduction.例文帳に追加

これにより、第１領域Ａ内の最上部金属膜を容易に除去することができるので、収率が低下することなく異なる仕事関数を有する第１金属ゲート電極及び第２金属ゲート電極を形成できる。 - 特許庁

To form a p-channel MIS (Metal Insulator Semiconductor) transistor having a metal gate and an n-channel MIS transistor having a metal gate by the small number of steps.例文帳に追加

メタルゲートを有するｐチャネルＭＩＳトランジスタとメタルゲートを有するｎチャネルＭＩＳトランジスタとを、少ない工程数で形成する。 - 特許庁

An average adjustment metal concentration of the adjustment metal in the first gate insulating film is lower than that of the adjustment metal in the second gate insulating film.例文帳に追加

第１のゲート絶縁膜中における調整用金属の平均調整用金属濃度は、第２のゲート絶縁膜中における調整用金属の平均調整用金属濃度に比べて低い。 - 特許庁

On the surface of a substrate with a gate insulating film formed, a first metal forming a gate electrode is deposited, and a metal film that becomes a mask is formed in a region in which the first metal remains.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を形成した基板表面にゲート電極を構成する第１の金属を堆積し、第１の金属を残存させる領域にマスクとなる金属膜を形成する。 - 特許庁

An aluminum film is provided between a first gate insulating film having a higher dielectric constant than that of SiO_2 of an n-channel insulating gate transistor and a first metal gate electrode, and an aluminum oxide film is provided between a second gate insulating film having a higher dielectric constant than that of SiO_2 of a p-channel insulating gate transistor and a second metal gate electrode.例文帳に追加

ｎチャネル絶縁ゲートトランジスタのＳｉＯ_２より誘電率の高い第１のゲート絶縁膜と第１金属ゲート電極との間にアルミニウム膜を設けるとともに、ｐチャネル絶縁ゲートトランジスタのＳｉＯ_２より誘電率の高い第２ゲート絶縁膜と第２金属ゲート電極との間に酸化アルミニウム膜を設ける。 - 特許庁

The thin film transistor has a structure including a gate electrode 20 formed on a substrate 10, a gate insulating film 30 on the gate electrode 20, an oxide semiconductor film 40 on the gate electrode 20 and the gate insulating film 30, a metal oxide film 60 on the oxide semiconductor layer 40, and a metal film 70 on the metal oxide film 60.例文帳に追加

薄膜トランジスタの構造を、基板１０上に形成されたゲート電極２０と、ゲート電極２０上のゲート絶縁膜３０と、ゲート電極２０およびゲート絶縁膜３０上の酸化物半導体膜４０と、酸化物半導体膜４０上の金属酸化物膜６０と、金属酸化物膜６０上の金属膜７０と、を有する構造とする。 - 特許庁

A side gate side pathway to guide molten metal to the side gate 5 side of the molten metal pool and a central pathway to guide the molten metal to a central part between the side gates are provided as pathways 8 to guide the molten metal fed from the tundish 7 onto the molten metal pool.例文帳に追加

タンディッシュ７から供給された溶湯を湯溜り上に案内する経路８として、湯溜りのサイド堰５側に案内するサイド堰側経路と、サイド堰側間となる中央部に案内する中央部経路とを有している。 - 特許庁

On both end sides of gate in the lengthwise direction of a gate region 1 of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor, i.e., on a source region 2 side and a drain region 3 side, a control gate 5 is installed which forms a control gate channel region 6 along with gate width direction and over full width.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート領域１のゲート長方向両端側、つまりソース領域２側とドレイン領域３側とに、ゲート幅方向に沿ってその全幅に渡る制御ゲートチャネル領域６を形成する制御ゲート５が設けられる。 - 特許庁

A gate electrode part 6a provided with a gate insulation film 3 comprising a silicon oxide and oxynitride film in order from below, a lower gate electrode 4a comprising polysilicon, an upper gate electrode 4b comprising a metal laminating filmand a gate electrode part 6a comprising a silicon nitride film is formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に、下から順にシリコン酸窒化膜からなるゲート絶縁膜３と、ポリシリコンからなる下部ゲート電極４ａと、メタル積層膜からなる上部ゲート電極４ｂと、シリコン窒化膜からなるゲート保護層５とを備えるゲート電極部６ａを形成する。 - 特許庁