「Metal gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To achieve a work function value required for an FET of each polarity in a High-k/metal gate electrode structure.例文帳に追加

High-k/metalゲート電極構造において各極性のＦＥＴに要求される仕事関数値を実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a PMISFET (P Channel Metal Insulator Field Effect Transistor) in a metal gate electrode having a low threshold voltage.例文帳に追加

閾値電圧の低い金属ゲート電極においてＰＭＩＳＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

A 1st storage capacitor comprises a 1st metal layer, a gate insulating layer, and a 2nd metal layer.例文帳に追加

第一蓄積コンデンサは、第一金属層、ゲート絶縁層と、第二金属層より形成される。 - 特許庁

A conductive layer 140 is provided between a metal layer 150 and the metal gate 112.例文帳に追加

導電層１４０は、金属層１５０と金属ゲート１１２との間に提供される。 - 特許庁

The gate hard mask layer, the metal layer, the gate polysilicon layer and a gate oxide film 155 are patterned to a gate mask to form the recessed gate 170.例文帳に追加

ゲートマスクにゲートハードマスク層、金属層、ゲートポリシリコン層及びゲート酸化膜１５５をパターニングしてリセスゲート１７０を形成する。 - 特許庁

Then, after the metal gate substance layer is etched to form a metal gate pattern, a capping layer is formed on the metal gate pattern, and a selective oxidation process is performed for selectively oxidizing a substance containing silicon while suppressing oxidation of the metal layer included in the metal gate pattern in order to cure any damage occurring upon etching for forming the metal gate pattern.例文帳に追加

次いで、前記金属ゲート物質層をエッチングして金属ゲートパターンを形成した後、前記金属ゲートパターン上にキャッピング層を形成し、前記金属ゲートパターンを形成するためのエッチング時に発生したダメージをキュアリングするために前記金属ゲートパターンに含まれた前記金属層の酸化を抑制しつつ、シリコンを含有した物質を選択的に酸化させる選択的酸化工程を行う。 - 特許庁

A semiconductor device, when a gate electrode 1 is a metal gate electrode or a gate insulating film 4 is the high dielectric gate insulating film, includes a silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3 in order from the side of the gate electrode 1 between the gate electrode 1 and the gate insulating film 4.例文帳に追加

半導体装置を、ゲート電極１がメタルゲート電極であるか、又は、ゲート絶縁膜４が高誘電率ゲート絶縁膜である場合に、ゲート電極１とゲート絶縁膜４との間に、ゲート電極１側から順に、シリコン酸化膜２、シリコン窒化膜３を備えるものとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a thin film metal layer between a gate insulating film and a gate electrode by which mixing of metal constituting the thin film metal layer into the gate insulating film is prevented.例文帳に追加

ゲート絶縁膜とゲート電極の間に薄膜金属層を有する半導体装置において、薄膜金属層を構成する金属がゲート絶縁膜に混入するのを防ぐ。 - 特許庁

The semiconductor device includes a gate insulation film 105, a pMIS metal material 109 or an nMIS metal material 111, a gate electrode material 112, and a gate side wall metal layer 122 on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１上に、ゲート絶縁膜１０５と、ｐＭＩＳ用金属材料１０９又はｎＭＩＳ用金属材料１１１と、ゲート電極材料１１２と、ゲート側壁メタル層１２２とを備えている。 - 特許庁

In a module 1, a first metal gate space information is obtained from a virtual metal gate space information and a metal gate space information retrieved from the layout data of the macro cell, a breach of the metal gate antenna standard for an upper level layout data of the macro cell is determined by using the first metal gate space information.例文帳に追加

モジュール１において、仮想的なメタル・ゲート面積情報と、マクロセルのレイアウトデータから抽出されたメタル・ゲート面積情報とから第１のメタル・ゲート面積情報を求め、第１のメタル・ゲート面積情報を用いて、マクロセルの上位レベルレイアウトデータでのメタル・ゲートアンテナ基準違反の判定を行う。 - 特許庁

To materialize a metal gate CMOS semiconductor device which suppresses damages to a semiconductor substrate, a gate insulating film, and first and second electroconductive layers (metal gate electrode materials) in a production process as much as possible, prevents an increase of a gate resistance value and a gate leakage current, and is extremely high reliable.例文帳に追加

製造プロセスにおける半導体基板やゲート絶縁膜、第１及び第２の導電層（金属ゲート電極材料）へのダメージを可及的に抑止し、ゲート抵抗値及びゲートリーク電流の増加を防止して、極めて信頼性の高い金属ゲートＣＭＯＳ型の半導体装置を実現する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a gate insulation film 3 formed on a substrate 1, a metal gate electrode 4 containing a metal which is formed on the gate insulation film 3, and a side wall insulation film 5 formed on the side wall of the metal gate electrode 4.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体装置は、基板１上に形成されたゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に形成された金属を含むメタルゲート電極４と、メタルゲート電極４の側壁に形成されたサイドウォール絶縁膜５とを有する。 - 特許庁

A stack of a high-k gate dielectric 30 and a metal gate structure including a lower metal layer 40, a capture metal layer 50, and an upper metal layer 60 is provided.例文帳に追加

高ｋゲート誘電体３０と、下部金属層４０、捕捉金属層５０、および上部金属層６０を含む金属ゲート構造とのスタックを提供する。 - 特許庁

To provide a gate door locking device used in an expansible gate door, composed of a reception metal member and a hooking metal member, having a simple structure, and capable of preventing the hooking metal member from coming off from the reception metal member.例文帳に追加

伸縮門扉に用いる受け金部材と掛け金部材とからなる門扉錠装置において、簡単な構造で、掛け金部材が受け金部材より外れるのを防止できるようにする。 - 特許庁

The metal layer 13 has first metal wiring 21 extending along the gate electrode 7 and second metal wiring 22 vertically crossing it.例文帳に追加

金属層１３は、ゲート電極７に沿って延在する第１金属配線２１と、それと垂直に交差する第２金属配線２２とを有する。 - 特許庁

Then, processing is carried out in which metal atoms constituting the metal oxide film 4 are diffused from the metal oxide film 4 to a surface part of the gate insulating film 3.例文帳に追加

次いで、金属酸化膜４を構成する金属原子を、金属酸化膜４からゲート絶縁膜３の表面部へ拡散させる処理が実施される。 - 特許庁

Each metal gate of a transistor and one of the metal plates of each capacitor have the same metal level in an integrated circuit structure.例文帳に追加

トランジスタの金属ゲートと各コンデンサの金属プレートの１つとは、集積回路構造内で同じ金属レベルを含む。 - 特許庁

A metal contact passes through an interlayer dielectric for electrically connected to a metal structure, such as a metal gate electrode 112 in a transistor.例文帳に追加

金属コンタクトは、層間誘電体を貫通して、トランジスタの金属ゲート電極１１２などの金属構造と電性接続される。 - 特許庁

In manufacturing the Schottky barrier MOSFET, a damascene gate process for forming a gate electrode and a gate insulating film after a source/drain structure is formed is applied to the Schottky barrier MOSFET, so that the gate electrode and the gate insulating film may not be received with a high temperature heat treatment to thereby prevent the deterioration of the metal and the metal oxide for constituting the gate electrode and the gate insulating film.例文帳に追加

ショットキー障壁型MOS FET の製造において、ソース／ドレイン構造を形成した後にゲート電極およびゲート絶縁膜を作成するダマシンゲートプロセスをショットキー障壁型MOS FET に適用することにより、ゲート電極やゲート絶縁膜が高温の熱処理を受けないようにして、ゲート電極やゲート絶縁膜を構成する金属および金属酸化物が劣化するのを防止する。 - 特許庁

A CMOS semiconductor device comprises: a high-k gate dielectric with a theoretical metal:oxygen stoichiometry; an NMOS metal gate electrode containing an aluminide with a composition represented by M_xAl_y, where M is a transition metal, disposed on the high-k gate dielectric; and a PMOS metal gate electrode not containing an aluminide disposed on the high-k gate dielectric.例文帳に追加

理論的な金属：酸素化学量論比を有する高kゲート誘電体、前記高ｋゲート誘電体の上部に設置された、Mを遷移金属として、組成がM_xAl_yで表されるアルミナイドを含むNMOS金属ゲート電極、および前記高ｋゲート誘電体の上部に設置された、アルミナイドを含まないPMOS金属ゲート電極、を有するCMOS半導体デバイス。 - 特許庁

A process of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode made of metal silicide which is a metal-containing material or metal alone includes steps of: etching the gate electrode 14G, thereafter oxidizing a surface of a gate part; and trimming the gate electrode 14G by exposing the gate part to a gaseous substance containing organic acid and heating it to volatilize a reaction product of the metal and the organic acid.例文帳に追加

金属を含む材料である金属シリサイド或いは金属単体から成るゲート電極をもつ半導体装置を作製する工程に於いて、ゲート電極１４Ｇのエッチング後にゲート部の表面を酸化させ、ゲート部を有機酸を含むガス状物質に曝露すると共に加熱して金属と有機酸との反応生成物を揮発させてゲート電極１４Ｇのトリミングを行う。 - 特許庁

The metal-insulator-metal capacitor uses a gate as a capacitor plate, a uniform thickness gate spacer as a gate dielectric and a contact via as another capacitor plate.例文帳に追加

金属−絶縁体−金属キャパシタは、キャパシタ・プレートとしてゲートを用い、ゲート誘電体として均一な厚さのゲート・スペーサを用い、別のキャパシタ・プレートとしてコンタクト・ビアを用いる。 - 特許庁

The gate insulator is inserted between the metal gate and the n-type semiconductor region, and carriers tunnel through the metal gate and the n-type semiconductor region.例文帳に追加

ゲート絶縁体は、メタルゲートとｎ型半導体領域との間に挿入され、メタルゲートとｎ型半導体領域とを通りキャリアはトンネリングする。 - 特許庁

Thereafter, by diffusing the metal material from the gate electrode layer 103 to the gate insulation film 102 by heat treatment, a metal oxide silicon layer 102a is formed at least in a surface layer of the gate insulation film 102.例文帳に追加

その後、熱処理を行うことによりゲート電極層１０３からゲート絶縁膜１０２中に金属材料を拡散させることにより、ゲート絶縁膜１０２の少なくとも表面層に金属酸化シリコン層１０２ａを形成する。 - 特許庁

After a gate insulating layer is formed on a silicon substrate, a metal gate substance layer including at least a metal layer is deposited on the silicon substrate on which the gate insulating layer is formed.例文帳に追加

シリコン基板上にゲート絶縁層を形成した後、前記ゲート絶縁層が形成されたシリコン基板上に少なくとも金属層を含む金属ゲート物質層を蒸着する。 - 特許庁

In addition, the present invention also provides methods for forming the advanced gate structure having the silicided metal gate and the silicided source and drain regions abutting the silicided metal gate.例文帳に追加

さらに、シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化金属ゲートに接するシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物を製造する方法も提供する。 - 特許庁

There is provided a CMOS silicide metal gate integration method capable of eliminating a demerit of generation of variations in the height of poly Si gate stock which varies a silicide metal gate phase.例文帳に追加

形成されるシリサイド金属ゲート相の変化を生じさせるポリＳｉゲートスタック高さの変化という欠点のないＣＭＯＳシリサイド金属ゲート集積化手法が提供される。 - 特許庁

A metal material has a resistance value smaller than that of a metal material used for a gate electrode 27 for p-types, and is used for a gate electrode 25 for n-types and gate wiring 26.例文帳に追加

Ｐ型用ゲート電極27に用いる金属材料の抵抗値より抵抗値が小さな金属材料をＮ型用ゲート電極25およびゲート配線26に用いる。 - 特許庁

Halogen elements segregate on an interface between the high dielectric gate insulating film 109 and metal gate electrode 110 on the side of the metal gate electrode 110.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜１０９とメタルゲート電極１１０との界面におけるメタルゲート電極１１０の側に、ハロゲン元素が偏析している。 - 特許庁

To improve a transistor-driving capability by inhibiting oxidation layer formation on a sidewall of the metal gate electrode in a MOS transistor structure having a high dielectric gate insulating film/metal gate electrode.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜／メタルゲート電極のＭＯＳトランジスタ構造において、メタルゲート電極側壁の酸化層を抑制し、トランジスタ駆動能力を改善する。 - 特許庁

Successively, a metal film EM1 for a gate electrode is formed on the cap film Cp1 for pMIS, and by processing these, a metal gate electrode pG1 for pMIS and a high dielectric gate insulating film pI1 for pMIS are formed.例文帳に追加

続いて、ｐＭＩＳ用キャップ膜Ｃｐ１上にゲート電極用金属膜ＥＭ１を形成し、これらを加工することでｐＭＩＳ用金属ゲート電極ｐＧ１とｐＭＩＳ用高誘電率ゲート絶縁膜ｐＩ１とを形成する。 - 特許庁

In this way, molten metal packed into the cavity 10 of the mold 4 from the gate 9 of the mold 4 is gradually solidified from the inner part of a cavity 10 to the side of the gate 9, and finally, the molten metal of the gate 9 is solidified.例文帳に追加

これにより、金型４のキャビティ１０にその湯口９から充填した溶融金属がキャビティ１０の奥から湯口９側へと次第に凝固していき、最後に湯口９の溶融金属を凝固させる。 - 特許庁

To prevent a liquid crystal on a gate line from being deteriorated in a display device in which a source line is formed of a gate metal and a gate line is formed of a source metal in order to reduce the number of masks.例文帳に追加

マスク枚数を削減のため、ゲートメタルソース線を形成し、ソースメタルでゲート線を形成した表示装置において、ゲート線上の液晶の劣化を防止することを課題とする。 - 特許庁

With an opening command, the entrance gate 8 is opened and an entrance gate control part 18 closes the entrance gate 8 in response to the result of the decision by the metal detector 28 that the passing person carries no metal.例文帳に追加

開指令に応動して入口ゲート８を開き、入口ゲート制御部18が、金属探知機28における通行者の金属非携帯であるとの判定結果に応動して、入口ゲート８を閉じる。 - 特許庁

The present invention provides an advanced gate structure that includes a silicided metal gate, and silicided source and drain regions that abut the silicided metal gate.例文帳に追加

シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化金属ゲートに接するシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物を提供する。 - 特許庁

The gate control transistor is a metal oxide film semiconductor field effect transistor having a gate, a source, and a drain, or an insulated gate bipolar transistor having a gate, an emitter, and a collector.例文帳に追加

ゲート制御トランジスタは、ゲート、ソース、および、ドレインを有する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタか、又は、ゲート、エミッター、コレクターを有する絶縁ゲートバイポーラトランジスタである。 - 特許庁

An n-type gate electrode and a p-type gate electrode are composed of the same metal, and its N concentration is made different between the n-type gate electrode and the p-type gate electrode.例文帳に追加

ｎ型ゲート電極及びｐ型ゲート電極を同一のメタルで構成し、且つ、そのＮ濃度をｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極とで異ならせる。 - 特許庁

The gate electrode 22a has a damascene structure formed by embedding a metal film in the gate electrode forming opening 20a provided by removing a first dummy gate electrode 14a formed at the same time as the gate electrode 14c.例文帳に追加

ゲート電極２２ａは、ゲート電極１４ｃと同時に形成した第１のダミーゲート電極１４ａを除去して設けられたゲート電極形成用開口２０ａ内に金属膜を埋め込んで形成されたダマシン構造を有する。 - 特許庁

The metal is higher in concentration on an interface between the gate insulating film 114 and gate electrode 121 of the FET 104 than on an interface between the gate insulating film 114 and gate electrode 126 of the FET 102.例文帳に追加

ＦＥＴ１０４のゲート絶縁膜１１４とゲート電極１２１との界面における前記金属の濃度は、ＦＥＴ１０２のゲート絶縁膜１１４とゲート電極１２６との界面における前記金属の濃度よりも高い。 - 特許庁

To prevent gate insulating film penetration in a dry etching process when forming a gate electrode pattern in a semiconductor apparatus in which gate structures of an n-channel and that of a p-channel are different from each other and which has metal gate electrodes.例文帳に追加

ｎチャネル及びｐチャネルのゲート構造が異なり且つメタルゲート電極を有する半導体装置において、ゲート電極パターン形成時のドライエッチングでゲート絶縁膜の突き抜けが発生しないようにする。 - 特許庁

The semiconductor element is provided with a gate oxide film 23 formed on a semiconductor substrate 21, a conductive film 25 formed at the upper part of the gate oxide film and a metal oxide film 27 formed at the boundary of the gate oxide film and the conductive film for the gate.例文帳に追加

半導体基板２１上に形成されたゲート酸化膜２３と、前記ゲート酸化膜上部に形成された導電膜２５と、前記ゲート酸化膜とゲート用導電膜の界面で形成された金属酸化膜２７とを備える。 - 特許庁

Gate electrodes 105 and 106 composed of metal silicide are formed through a gate insulation film 4 on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート絶縁膜４を介して金属シリサイドからなるゲート電極１０５及び１０６が形成されている。 - 特許庁

The gate electrode 23 is a full silicide gate electrode including a metal silicide film formed by laminating a plurality of crystal grain layers.例文帳に追加

ゲート電極２３は、層状の複数の結晶粒が積層されてなる金属シリサイド膜を有するフルシリサイドゲート電極である。 - 特許庁

In this case, the gate metal covering a semiconductor active layer of the TFT other than those where gate electrodes are being patterned is still covered with the resist.例文帳に追加

この際、ゲート電極をパターニング中のＴＦＴ以外のＴＦＴの、半導体活性層を覆うゲートメタルは、レジストで覆ったままにする。 - 特許庁

In the manufacturing method for the semiconductor device, the metal film 4 constituting a gate electrode is formed on a gate insulating film 3.例文帳に追加

本発明に係わる半導体装置の製造方法では、ゲート絶縁膜３上に、ゲート電極を構成するメタル膜４を形成する。 - 特許庁