「Metal gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The gate metal is etched at every TFT different in the required characteristics by using the resist mask.例文帳に追加

前記レジストマスクを用いて、要求される特性の異なるＴＦＴ毎に、ゲートメタルのエッチングを行う。 - 特許庁

The gate wiring Wg1 is formed mainly by two or more relay metal wiring 15 and two or more polysilicon wiring 16.例文帳に追加

ゲート配線Ｗｇ１は、複数の中継金属配線１５と複数のポリシリコン配線１６とを中心に構成される。 - 特許庁

A transparent conductive film 2 and a gate metal film 3 are successively formed on a glass substrate 1, and resist patterns 4 are applied.例文帳に追加

ガラス基板１上に、透明導電膜２およびゲートメタル膜３を順次形成し、レジストパターン４を塗布する。 - 特許庁

The gate electrodes 6 and 7 are turned to different metal silicide gates by promoting a silicide forming reaction through a thermal treatment.例文帳に追加

熱処理によるシリサイド化反応の促進により、ゲート電極６，７は、異種の金属シリサイドゲートと成る。 - 特許庁

Consequently, in the nMOS region there is formed a second gate electrode G2, composed of the metal layer 4 and an alloy layer 7 of the conductive layer 6.例文帳に追加

これにより、ｎＭＯＳ領域では、金属層４と導電層６の合金層７からなる第２ゲート電極Ｇ２が形成される。 - 特許庁

A Ta2O5 film 108 and a metal gate electrode 111 are provided inside a groove, where a sidewall comprises the sidewall insulating film 107.例文帳に追加

側壁が側壁絶縁膜１０７からなる溝の内部に、Ｔａ_2Ｏ_5膜１０８，メタルゲート電極１１１である。 - 特許庁

When forming a double gate insulating film, an organic insulating film is formed on the metal oxide film in a self-assembly process or a spin coating process.例文帳に追加

二重ゲート絶縁膜とする場合には、有機絶縁膜を、自己組立工程またはスピンコーティング工程で金属酸化膜の上に形成する。 - 特許庁

To realize a channel concentration profile of a pMOSFET having a metal gate electrode structure and a buried channel structure as desired.例文帳に追加

金属ゲート電極構造および埋め込みチャネル構造を有するｐＭＯＳＦＥＴのチャネル濃度プロファイルを所望通り実現する。 - 特許庁

To obtain a recording tape cartridge which can suppress the effect of a gate exerted on a metal plate fixed to a reel hub.例文帳に追加

ゲート部がリールハブに固着される金属プレートに与える影響を抑制することができる記録テープカートリッジを得る。 - 特許庁

MANUFACTURE OF GATE LINE AND SOURCE LINE ON TFT LCD PANEL USING PURE ALUMINUM METAL例文帳に追加

純アルミニウム金属を用いてＴＦＴＬＣＤパネルにゲートラインおよびソースラインを作製する方法 - 特許庁

As one of solutions of the invention, a metal material or a silicide material capable of wet etching is used in the gate electrode 17.例文帳に追加

そして、本発明に係る１つ解決手段は、ゲート電極１７が、ウェットエッチング可能なメタル材料又はシリサイド材料を用いている。 - 特許庁

The adhesive properties of the film are improved by subjecting it to reverse sputtering of the surface of the substrate before the film formed by using a nitrogen gas, when a gate metal Ag alloy film is formed.例文帳に追加

ゲート金属Ａｇ系合金膜形成時、窒素ガスを用いて成膜前の基板表面を逆スパッタして、膜の密着性を改善する。 - 特許庁

To reduce an influence of an upper layer metal wiring pitch for pile driving to a pitch of gate wiring of a selection transistor included in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルに含まれる選択トランジスタのゲート配線のピッチに対する上層の杭打用金属配線ピッチの影響を低減する。 - 特許庁

The carrier selection element includes a third semiconductor layer, a metal layer, a second gate insulating layer, and a third conductive layer.例文帳に追加

キャリア選択素子は、第３半導体層、金属層、第２ゲート絶縁層、及び第３導電層を備える。 - 特許庁

To achieve a dual metal gate structure capable of obtaining a suitable threshold voltage Vt for further microfabrication.例文帳に追加

さらなる微細化に対しても適正な閾値電圧Ｖｔが得られるデュアルメタルゲート構造を実現する。 - 特許庁

To provide a bearing metal fitting having a simple structure, having strong installation strength, and easily adjusting a position of a gate door.例文帳に追加

簡単な構造で、強い取付強度を有し、容易に門扉の位置調整を行うことができる軸受金具を提供する。 - 特許庁

Thereafter, by laminating thereon such a metal as chrome and pattering it, data wirings intersecting each gate wiring are formed.例文帳に追加

その後にクロムなどの金属を積層しパターニングすることにより、ゲート線と交差するデータ配線を形成する。 - 特許庁

A metal layer 50C is formed, so as to come into contact with a main face 4CS1 on a side opposite to the gate insulating film 3B of the polysilicon layer 4C.例文帳に追加

ポリシリコン層４Ｃのゲート絶縁膜３Ｂとは反対側の主面４ＣＳ１に接して金属層５０Ｃが形成されている。 - 特許庁

An n^+ impurity region 23 and a p^+ impurity region 24 are interconnected and connected to the gate electrode 10 through a metal wiring 31.例文帳に追加

ｎ^+不純物領域２３及びｐ^+不純物領域２４は互いに接続され、かつ金属配線３１によってゲート電極１０と接続されている。 - 特許庁

Then, a high-melting-point metal film 8 is accumulated on the semiconductor substrate 1 so as to cover the gate electrode, and it is annealed.例文帳に追加

その後、ゲート電極を被覆するように半導体基板１上に高融点金属膜８を堆積させ、アニール処理を行う。 - 特許庁

Then, a metal film is formed in the second opening 8 being jointed to the GaAs substrate 2 to serve as a gate electrode 9.例文帳に追加

次に、第２の開口部８にＧａＡｓ基板２と接合する金属膜を形成してゲート電極部９とする。 - 特許庁

To use a metal material as the gate electrode of a MIS transistor and to provide simply a work function according to a device to be needed.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタのゲート電極として金属材料を用い、且つ必要とするデバイスに応じた仕事関数を簡易に実現する。 - 特許庁

A first gate insulating film and a first metal-containing film are sequentially stacked all over a substrate with an element separator formed thereon.例文帳に追加

本発明では、素子分離が形成された基板全面に第１ゲート絶縁膜と第１金属含有膜を順次にスタックする。 - 特許庁

After a semiconductor layer 22 is subjected to pattern formation on a glass substrate 20, a gate insulating film 33 is formed, and then a metal film 24 is formed.例文帳に追加

ガラス基板２０上に半導体層２２をパターン形成後ゲート絶縁膜２３を成膜した後金属膜２４を成膜する。 - 特許庁

Consequently, lateral symmetry of the metal dummy pattern 6 can be kept when viewed from the gate electrode 1.例文帳に追加

これにより、ゲート電極１から眺めたメタルダミーパターン６の形状の左右対称性が保持される。 - 特許庁

The screw 8 is insulated electrically from the metal ring 7A and the gate terminal board 1 by an insulator 9.例文帳に追加

ネジ８は、金属リング７Ａおよびゲート端子板１から、絶縁体９によって電気的に絶縁されている。 - 特許庁

At this time, a gate in the trench has a lamination structure of a polycrystalline silicon film 6 and a metal silicide 9.例文帳に追加

このとき、トレンチ内のゲートを多結晶シリコン膜6と金属シリサイド9との積層構造とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of improving the characteristics and reliability of an element by improving the problem of dual metal gate process.例文帳に追加

デュアルメタルゲートプロセスの問題を改善し、素子の特性や信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve the surface smoothness of a gate insulation film formed of a metal oxide-based film having a high dielectric constant.例文帳に追加

金属酸化物系高誘電体膜で構成されるゲート絶縁膜の表面の平滑性を向上させる。 - 特許庁

A gate material layer 70 made of a high-melt-point metal, such as chromium and molybdenum, is deposited on the entire surface of the glass substrate 50 by a CVD method.例文帳に追加

ガラス基板５０の全面にクロムやモリブデン等の高融点金属から成るゲート材料層７０をＣＶＤ法により堆積する。 - 特許庁

To provide a gate structure for improvement in device performance in a metal oxide film semiconductor field-effect transistor.例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ内にデバイス性能を改善するゲート構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a reliable polymetal gate electrode comprising a high melting-point metal film.例文帳に追加

高融点金属膜の信頼性が高いポリメタルゲート電極を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dangerous object detecting structure in a comfortable environment by preventing discomfort in inspection by a gate passing type metal detector.例文帳に追加

ゲート通過型の金属探知機等による検査の不快感を防止し、快適な環境下での危険物探知構造を提供する。 - 特許庁

To realize a low threshold voltage in both an nMOSFET and a pMOSFET of an ultrathin CMOS transistor, using a metal gate electrode structure.例文帳に追加

金属ゲート電極構造を用いた極微細ＣＭＯＳトランジスタのｎＭＯＳＦＥＴ、ｐＭＯＳＦＥＴともに低い閾値電圧を実現する。 - 特許庁

To provide an image display panel capable of restraining a metal thin film in a gate line driving circuit from being corroded.例文帳に追加

ゲート線駆動回路の金属薄膜の腐食を抑制することができる画像表示パネルを提供する。 - 特許庁

To process a metal film with superior dimensional accuracy without damaging a base gate insulating film by wet etching using a resist mask.例文帳に追加

レジストマスクを用いたウエットエッチングにより、下地のゲート絶縁膜にダメージを与えることなく、寸法精度良く金属膜を加工する。 - 特許庁

A V-shaped groove is provided to the element forming layer 50 through anisotropic etching, and metal is deposited for the formation of a gate 30.例文帳に追加

異方性エッチングで素子形成層５０のＶ字型の溝を作り、ゲート３０のための金属を堆積する。 - 特許庁

The metal plate 30 links the plurality of electrode pads 22a across each section (non-bonding region) where a gate finger 26 or the like is formed.例文帳に追加

この金属板３０は、ゲートフィンガー２６等の設けられた部分（非ボンディング領域）を跨いで、複数の電極パッド２２ａを連結している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor memory element which forms a discrete floating gate composed of metal nanocrystal by an advection accumulation method.例文帳に追加

金属ナノ結晶からなる離散的フローティングゲートを、移流集積法により形成する半導体記憶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An SBD metal electrode 30 provided between a drain electrode 26 and a gate electrode 28 is Schottky-joined to an AlGaN layer 20.例文帳に追加

ドレイン電極２６とゲート電極２８との間に設けられたＳＢＤ金属電極３０がＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されている。 - 特許庁

A gate electrode of the p-channel transistor 105 has a p-channel metal electrode 110 having an internal tensile stress.例文帳に追加

ｐチャネルトランジスタ１０５のゲート電極は、引っ張り内部応力を持つｐチャネルメタル電極１１０を有する。 - 特許庁

The gate electrode of the n-channel transistor 106 has an n-channel metal electrode 116 having an internal compressive stress.例文帳に追加

ｎチャネルトランジスタ１０６のゲート電極は、圧縮内部応力を持つｎチャネルメタル電極１１６を有する。 - 特許庁

On the semiconductor substrate under the first metal layer, a first semiconductor region and a first active region including a first gate electrode are formed.例文帳に追加

第１金属層の下の半導体基板には第１半導体領域と第１ゲート電極を含む第１アクティブ領域が形成されている。 - 特許庁

The NFET comprises the second high-k dielectric 53, a gate including the second metal 52, and a source/drain having silicide.例文帳に追加

ＮＦＥＴは、第２の高ｋ誘電体５３、第二の金属５２を有するゲート及び、シリサイドを有するソース、ドレインからなる。 - 特許庁

To prevent a semiconductor device, which uses a film high in hygroscopic property as a film to be buried between gate electrodes, from deteriorating in the reliability of metal wiring.例文帳に追加

ゲート電極間を埋め込む膜に吸湿性の高い膜を用いた半導体装置において、金属配線の信頼性劣化を防ぐ。 - 特許庁