「Metal gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To suppress damage to a gate insulating film during a step of removing a gate electrode in a semiconductor device having a dual metal gate structure.例文帳に追加

デュアルメタルゲート構造を有する半導体装置において、ゲート電極除去する工程において、ゲート絶縁膜に与える損傷を抑える。 - 特許庁

VERTICAL METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR USING GATE STACK, GATE SPACER AND CONTACT VIA例文帳に追加

ゲート・スタック、ゲート・スペーサ及びコンタクト・ビアを用いる垂直型金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ - 特許庁

A metal gate electrode 41, which is a metal film having the Fermi level equivalent to that of the channel region, is formed on the insulating gate 21.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２１上に、チャネル領域と同等のフェルミレベルを有する金属膜からなる金属ゲート電極４１が形成されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE CONTAINING DOUBLE METAL GATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME (SELF-ALIGNMENT INTEGRATION OF DOUBLE METAL GATE)例文帳に追加

二重金属ゲートを含む半導体構造及びその製造方法（二重金属ゲートの自己整合集積化） - 特許庁

To etch a metal gate part vertically when a semiconductor element having a high-k film/metal gate structure is dry-etched.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ膜／メタルゲート構造を有する半導体素子のドライエッチングにおいて、メタルゲート部分を垂直にエッチングする。 - 特許庁

A metal gate electrode 9 is formed with metal film 15 deposited on the same and embedded in the gate groove 20.例文帳に追加

その上面に金属膜１５を堆積することによってゲート溝２０内に金属膜１５が埋め込まれたメタルゲート電極９が形成される。 - 特許庁

To suppress the crystallization of a high dielectric gate insulating film when repairing the damage of a gate electrode (metal electrode) formed of a metal material by thermal oxidation.例文帳に追加

金属製のゲート電極（メタル電極）のダメージを熱酸化により修復する際の高誘電率ゲート絶縁膜の結晶化を抑制する。 - 特許庁

The metal concentration of a p-side gate electrode 106C is set higher than the metal concentration of the n-side gate electrode 106B.例文帳に追加

ｐ側のゲート電極１０６Ｃの金属濃度は、ｎ側のゲート電極１０６Ｂの金属濃度よりも高くなるように設定されている。 - 特許庁

To back a bit line, a control gate, and a word gate with a metal line of low resistance while maintaining a minimum metal wiring pitch.例文帳に追加

ビット線、コントロールゲートおよびワードゲートに、最小金属配線ピッチを維持しながら低抵抗金属線を裏打ちする。 - 特許庁

In the semiconductor device, a first protective film 25 is disposed between a surface electrode 17 and a gate metal wiring 18, and covers the gate metal wiring 18.例文帳に追加

第１保護膜２５が表面電極１７およびゲート金属配線１８の間に配置されると共に、ゲート金属配線１８を覆っている。 - 特許庁

The metal control gate lines 18 are connected to a decoder 32 and one metal control gate line 18 is selected.例文帳に追加

メタルコントロールゲートライン１８はデコーダ３２に接続され、１本のメタルコントロールゲートライン１８が選択される。 - 特許庁

To provide a low-cost manufacturing technique of a metal gate wherein the metal gate and the interconnection thereof of a semiconductor device are formed in a single processing.例文帳に追加

メタルゲートおよびそのインタコネクトを単一処理する低コストメタルゲート製造技術を提供すること。 - 特許庁

The first gate electrode 33 is a metal gate electrode having a metal film 14a, and the second gate electrode 43 is a full-silicified gate electrode comprising a silicide film 26b.例文帳に追加

第１のゲート電極３３は、金属膜１４ａを有するメタルゲート電極であり、第２のゲート電極４３は、シリサイド膜２６ｂからなるフルシリサイド化ゲート電極である。 - 特許庁

To prevent an increase in gate leakage current or variation of the work function of a gate electrode forming material caused by metal gate forming and other metal atoms remaining on a semiconductor substrate, especially in a gate insulating film.例文帳に追加

メタルゲート形成用等の金属原子が半導体基板、特にゲート絶縁膜に残存することによるゲートリーク電流の増大又はゲート電極の形成材料における仕事関数の変動を防止できるようにする。 - 特許庁

To repair a defect of a gate insulating film without oxidizing a metal gate electrode in a MISFET where the metal gate electrode is formed on the much thinned gate insulating film with a thickness of a silicon dioxide reduced thickness of less than 5 nm.例文帳に追加

二酸化シリコン換算膜厚が５ｎｍ未満の極薄ゲート絶縁膜上にメタルゲート電極を形成したＭＩＳＦＥＴにおいて、メタルゲート電極を酸化させることなくゲート絶縁膜の欠陥を修復する。 - 特許庁

To restore defects of the gate insulating film which has an extremely small thickness of <5 nm (equivalent to silicon dioxide) of an MISFET, in which a metal gate electrode is formed on the gate insulating film without oxidizing the metal gate electrode.例文帳に追加

二酸化シリコン換算膜厚が５nm未満の極薄ゲート絶縁膜上にメタルゲート電極を形成したＭＩＳＦＥＴにおいて、メタルゲート電極を酸化させることなくゲート絶縁膜の欠陥を修復する。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device further includes a step of removing the metal by polishing so that the upper surface of both the first gate 30 and second gate 31 is exposed and the metal is left in the first gate 30 and second gate 31 with different thickness.例文帳に追加

また、第１のゲート部３０及び第２のゲート部３１の上面が共に露出するようにメタルを研磨除去し、第１のゲート部３０と第２のゲート部３１で厚みの異なるメタルを残す工程を備えて構成される。 - 特許庁

The control gate has a lower layer control gate portion composed of a metal or a metal silicide workable by etching, and an upper layer control gate portion in which a material different from a material of the lower layer control gate portion is used.例文帳に追加

コントロールゲートは、エッチングで加工可能な金属または金属シリサイドから成る下層コントロールゲート部分と、下層コントロールゲート部分とは異なる材料を用いた上層コントロールゲート部分とを備えている。 - 特許庁

This ceremony is to place the Gogyo (metal plates under the gate at either end of the main sanctuary roof). 例文帳に追加

御形（正殿の妻の束柱の装飾）を穿つ儀式。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

METAL GATE ELECTRODE AND HIGH-PERFORMANCE CIRCUIT HAVING POLYGATE ELECTRODE例文帳に追加

金属ゲート電極及びポリゲート電極を有する高性能回路 - 特許庁

ELECTRIC FUSE HAVING METAL SILICIDE PIPE UNDER GATE ELECTRODE例文帳に追加

ゲート電極下に金属シリサイドのパイプを有する電気ヒューズ - 特許庁

GATE METAL ROUTING OF TRANSISTOR HAVING GRID-LIKE LAYOUT例文帳に追加

格子状レイアウトを有するトランジスタのゲート金属ルーティング - 特許庁

THIN BARRIER METAL FOR ACTIVE ELECTRODE OF MOS GATE DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳゲートデバイスの能動電極用の薄いバリア金属 - 特許庁

METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS GATE STRUCTURE例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタおよびそのゲート構造 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METAL GATE PATTERN例文帳に追加

金属ゲートパターンを有する半導体素子の製造方法 - 特許庁

METAL-OXIDE-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING IMPROVED GATE CONFIGURATION例文帳に追加

改善されたゲート構成を有する金属酸化膜半導体デバイス - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME (HIGH-K METAL GATE CMOS)例文帳に追加

半導体デバイスとその形成方法（高ｋ金属ゲートＣＭＯＳ） - 特許庁

CONDUCTIVE METAL OXIDE GATE FERROELECTRIC MEMORY TRANSISTOR例文帳に追加

導電性金属酸化物ゲート強誘電体メモリトランジスタ - 特許庁

By these steps, a gate insulating film using a metal oxide film is manufactured.例文帳に追加

これにより、金属酸化膜を用いたゲート絶縁膜を製造する。 - 特許庁

A metal silicide film 30 is formed on the gate electrode 27.例文帳に追加

また、ゲート電極２７上には、金属シリサイド膜３０が形成されている。 - 特許庁

DUAL METAL GATE CMOS DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

デュアルメタルゲートＣＭＯＳデバイスおよびその製造方法 - 特許庁

REGULATION OF MOSFET THRESHOLD VOLTAGE ACCOMPANYING CONTROL OF METAL GATE STACK例文帳に追加

金属ゲートスタック制御を伴うＭＯＳＦＥＴしきい値電圧調整 - 特許庁

METAL GATE, CONTACT HOLE AND CAPACITOR CLEANING AGENT COMPOSITION例文帳に追加

メタルゲート、コンタクトホール及びキャパシタ洗浄液組成物 - 特許庁

The metal gate can form a first terminal in the semiconductor device.例文帳に追加

メタルゲートは、第一の端子を半導体装置に対して形成し得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device having a metal gate pattern.例文帳に追加

金属ゲートパターンを有する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING DAMASCENE METAL GATE例文帳に追加

ダマシーン金属ゲートを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

Metal wirings are arranged face to face at a pitch of twice of the gate wiring.例文帳に追加

金属配線は、ゲート配線の２倍のピッチで対向して配置する。 - 特許庁

DOUBLE WORK FUNCTION METAL GATE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

二重仕事関数金属ゲート構造体及びその製造方法 - 特許庁

Next, the metal film 31 is patterned to form a gate electrode 22.例文帳に追加

次に、金属膜３１をパターニングすると、ゲート電極２２が形成される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING GATE THEREOF, AND METAL LINE例文帳に追加

半導体装置並びにそのゲート及びメタルラインの形成方法 - 特許庁

To provide a technology capable of restraining atoms contained in the described metal films (gate material) from being mutually diffused when a gate electrode is formed in both cases that a dual gate is formed of different metal silicides, and that a dual gate is formed of metal and metal alloy.例文帳に追加

ポリシリコンゲートと金属膜との反応によりデュアルゲートを形成する場合、ゲートの高さ方向以外に横方向にも金属膜の拡散及びシリサイド反応が生じるため、NMIS領域とPMIS領域とのPN境界に於いて金属原子の相互拡散が発生する。 - 特許庁

A high melting point metal film 16 is formed on a gate insulating film forming film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜形成膜上に高融点金属膜１６を形成する。 - 特許庁

The metal film 3b is covered with a gate insulating film 15.例文帳に追加

また、金属膜３ｂは、ゲート絶縁膜１５によって覆われる。 - 特許庁

GATE-SHAPED SIDE DITCH CONSTRUCTION METHOD AND HEIGHT ADJUSTING METAL FITTING USED THEREFOR例文帳に追加

門型側溝の施工法及びそれに用いる高さ調整金具 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GATE DIELECTRIC LAYER MADE OF METAL OXIDE OR METAL SILICATE例文帳に追加

金属酸化物または金属シリケートゲート誘電体層を有する半導体デバイスの製造方法 - 特許庁