「Metal gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The resin is poured into the metal mold via the gate 31 and then the resin is cured.例文帳に追加

そして、このゲート３１を介して金型に樹脂を流し込み、該樹脂を硬化させる。 - 特許庁

MOS TRANSISTOR WITH LASER-PATTERNED METAL GATE AND METHOD FOR FORMING THE TRANSISTOR例文帳に追加

レーザパターニングされた金属ゲートを備えるＭＯＳトランジスタ及びそれを形成するための方法 - 特許庁

The width of the upper part of the metal gate electrode 4 is larger than that of a lower part thereof.例文帳に追加

メタルゲート電極４の上層部の幅は、メタルゲート電極４の下層部の幅に比べて広い。 - 特許庁

The flow velocity of the molten metal at the outlet 63a of a gate 63 is adjusted into a range of 5 to 15 m/s.例文帳に追加

ゲート６３の出口６３ａでの溶湯の流速は、５ｍ／ｓ〜１５ｍ／ｓの範囲に設定される。 - 特許庁

The control gate 11 has a high melting point metal silicide layer 11b.例文帳に追加

コントロールゲート１１は高融点金属シリサイド層１１ｂを有している。 - 特許庁

Then phosphorous ions are implanted into the gate electrode 7a on the side of an MISFET(metal insulator semiconductor field-effect transistor).例文帳に追加

そしてｎチャネルＭＩＳＦＥＴ側のゲート電極７ａにリンをイオン注入する。 - 特許庁

To reduce the threshold value of a CMIS element in which metal is used for a gate electrode material.例文帳に追加

メタルをゲート電極材料に用いたＣＭＩＳ素子の閾値を低減する。 - 特許庁

The gate electrode 6 comprises a metal containing layer 7, a metal containing layer 9 formed on the metal containing layer 7, and a polysilicon layer 8 formed between the metal containing layer 7 and the metal containing layer 9.例文帳に追加

そして、ゲート電極６は、金属含有層７と、金属含有層７上に形成された金属含有層９と、金属含有層７と金属含有層９との間に形成されたポリシリコン層８とを含む。 - 特許庁

A gate electrode 120a does not include a first metal-containing film 114 but includes a second metal-containing film 117a.例文帳に追加

ゲート電極１２０ａは、第１の金属含有膜１１４を含まないと共に第２の金属含有膜１１７ａを含む。 - 特許庁

After the process of diffusing the metal atoms, the metal oxide film 4 is removed selectively with respect to the gate insulating film 3.例文帳に追加

当該金属原子の拡散工程後、上記金属酸化膜４がゲート絶縁膜３に対して選択的に除去される。 - 特許庁

In this case, since the insulating film 12S is interposed, metal atoms are restrained from being mutually diffused into the gate electrodes 6 and 7 from the metal films 14 and 16, respectively.例文帳に追加

その際、絶縁膜１２Ｓの介在により、金属膜１４，１６からゲート電極６，７への金属原子の相互拡散は抑止される。 - 特許庁

Absorption to the shield metal of a necessary input signal can be reduced by providing the shield metal only on a grating-like or gate electrode.例文帳に追加

格子状またはゲート電極上のみにシールドメタルを設けることで必要な入力信号のシールドメタルにへの吸収も低減できる。 - 特許庁

To reduce leakage current in a high dielectric metal oxide film or high dielectric metal silicate film used for a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜に用いる高誘電体金属酸化膜又は高誘電体金属シリケート膜におけるリーク電流を低減できるようにする。 - 特許庁

To prevent the diffusion of a metal to an interlayer insulating film from a metal gate electrode when or after being formed.例文帳に追加

形成時または形成後のメタルゲート電極からの層間絶縁膜への金属の拡散を防止する。 - 特許庁

To provide a method of forming a gate dielectric layer made of a metal oxide or a metal silicate on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に酸化金属またはケイ酸金属ゲート誘電体層を形成するための方法を提供する。 - 特許庁

The semi-molten metal M is supplied into a cavity 12a from the gate part 6 while shifting the semi-molten metal supplying means 3 along the cavity 12.例文帳に追加

半溶融金属供給手段３をキャビティ１２aに沿って移動しつつゲート部６から半溶融金属Ｍをキヤビティ１２a内に供給する。 - 特許庁

To improve the performance of a semiconductor device which uses a metal oxide film or a metal silicate film as a gate insulating film.例文帳に追加

金属酸化物膜或いは金属珪酸化物膜をゲート絶縁膜に用いた半導体装置の性能を向上させる。 - 特許庁

To provide a complementary metal oxide semiconductor integration process that allows a plurality of silicide metal gates to be prepared on a gate dielectric.例文帳に追加

ゲート誘電体の上に複数のシリサイド金属ゲートが作製される相補型金属酸化物半導体集積化プロセスを提供する。 - 特許庁

A third gate electrode comprises the second metal silicide film 22 which is thinner than the first metal silicide on the top surface.例文帳に追加

第３ゲート電極は、上部表面において第１金属シリサイドの厚さより薄い第２金属シリサイド膜２２を有する。 - 特許庁

Subsequently, the metal film 12 is oxidized with an oxygen radical 13 to form a metal oxide film 2 which acts as a gate insulation film.例文帳に追加

続いて、酸素ラジカル１３を用いて金属膜１２を酸化させることにより、ゲート絶縁膜となる金属酸化膜２を形成する。 - 特許庁

A transistor comprises an arrangement of annular trench, a source metal film 224 and a gate metal film 524.例文帳に追加

トランジスタは、環状の溝の配置と、ソース金属膜２２４およびゲート金属膜５２４とを備えている。 - 特許庁

Heat energy is transferred to an amorphous silicon layer 106 by rapidly heating a gate metal and a source/drain metal 110.例文帳に追加

ゲート金属およびソース／ドレイン金属１１０を急速に加熱して、熱エネルギーをアモルファスシリコン層１０６へ伝達する。 - 特許庁

To obtain a MOS transistor, having a poly-metal gate which prevents oxidation of a metal layer to contrive to lower resistance.例文帳に追加

金属層の酸化が防止されて低抵抗化が図られたポリメタルゲートを有するＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

The metal of the metal-based oxide (Hf when the oxide is HfO_2) used as the gate insulating film of the transistor is used as an electrode material.例文帳に追加

電極材料としてゲート絶縁膜として使用した金属系酸化物の金属（Ｈｆ０２であればＨｆ）を使用する。 - 特許庁

Metal mold protruding parts 63, 64A, 64B and 65 for forming the slit and a valve gate are formed on the upper die of the manufacturing metal mold.例文帳に追加

製造用金型の上型には、スリット形成用の金型凸部６３，６４Ａ，６４Ｂ，６５と、バルブゲートとが形成されている。 - 特許庁

The insulated gate transistor includes a semiconductor substrate, a first metal layer, a second metal layer, an insulating layer, and a plating layer.例文帳に追加

絶縁ゲートトランジスタであって、半導体基板と、第１金属層と、第２金属層と、絶縁層と、メッキ層を有している。 - 特許庁

To prevent diffusion of a diffusive material of a metal gate to a high-k dielectric while suppressing a film thickness of a barrier metal.例文帳に追加

バリアメタルの膜厚を抑制しながらメタルゲートの拡散性材料が高誘電率誘電体に拡散することを防ぐ。 - 特許庁

Further, the metal film 17 is so formed that it remains in the inner surface of the metal silicide film 16a, thereby lowering the resistance of the gate electrode.例文帳に追加

また、金属珪化膜１６ａの内面に金属膜１７が残るように形成することにより、ゲート電極を低抵抗化する。 - 特許庁

Molten metal in the first molten metal holding furnace 50 is fed to a center gate 25 in the die 20 via a tapping tube 35.例文帳に追加

第１溶湯保持炉５０の溶湯は出湯管３５を介して金型２０のセンターゲート２５に供給される。 - 特許庁

To provide an improved method and a semiconductor element for adjusting a work function of a metal film in a structure including a double metal gate.例文帳に追加

二重金属ゲートを有する構造体において金属膜の仕事関数を調整する為の改善した方法および半導体素子を提供する。 - 特許庁

In the vicinity of a gate of a mold 11 used in a low pressure casting machine 10, a molten metal passing through detection sensor 13 for detecting when the molten metal passing through is provided.例文帳に追加

低圧鋳造機１０で使用される金型１１の湯口近傍に、溶湯が通過したとき検出する溶湯通過検出センサ１３を設ける。 - 特許庁

The source metal film 224 has a plurality of parts located between the gate metal legs 524A, 524B, 524C, 524D.例文帳に追加

ソース金属膜２２４が、ゲート金属脚部５２４Ａ、５２４Ｂ、５２４Ｃ、５２４Ｄの間に位置する複数の部分を備えている。 - 特許庁

The insulating resin is poured through a gate 23 whereby the metal substrate is sealed while exposing the rear surface of the metal substrate 16.例文帳に追加

ゲート２３から絶縁性樹脂を封入することにより、金属基板１６の裏面を露出させて金属基板を封止する。 - 特許庁

A second gate electrode of a p-type MOSFET is constituted of the second metal film 112A consisting of the second metal formed on the gate insulator film 109A and the low resistance metal film 113A that is formed on the second metal film 112A.例文帳に追加

ｐ型ＭＯＳＦＥＴの第２のゲート電極は、ゲート絶縁膜１０９Ａの上に形成された第２の金属からなる第２の金属膜１１２Ａと、該第２の金属膜１１２Ａの上に形成された低抵抗金属膜１１３Ａとから構成されている。 - 特許庁

The gate connection metal layer and the two gate electrodes (interdigital teeth) surround the interdigital teeth of one source electrode (gate electrode) thus preventing leakage of high frequency signal.例文帳に追加

ゲート接続金属層と２つのゲート電極（櫛歯）により、１つのソース電極（ドレイン電極）の櫛歯を包囲し、高周波信号の漏れを防止する。 - 特許庁

As a result, a full silicide gate electrode of a uniform metal composition ratio can be stably formed even with the polysilicon gate electrodes 9, 29 of different gate lengths.例文帳に追加

その結果、ゲート長が異なるポリシリコンゲート電極９，２９でも、均一な金属組成比のフルシリサイドゲート電極を安定して形成できる。 - 特許庁

The metal dummy pattern 6 formed over a gate electrode 1 extends to a gate longitudinal direction D1 with its both ends projected from a region of the gate electrode 1.例文帳に追加

ゲート電極１の上方に形成されたメタルダミーパターン６は、ゲート長方向Ｄ１に延びており、かつ、その両端がゲート電極１の領域から突き出している。 - 特許庁

To prevent metal atoms from being injected into a gate insulating film in forming a gate electrode, and to prevent increase of gate leakage current, destabilization of threshold voltage, and the like.例文帳に追加

ゲート電極を形成する際に、ゲート絶縁膜に金属原子が注入されることを抑制し、ゲートリーク電流の増加や閾値電圧の不安定化等を防止する。 - 特許庁

To obtain a P type gate electrode of an NMOSFET which can function surely as a P^+ type gate electrode (metal-like gate electrode) by maintaining high concentration of P type impurities.例文帳に追加

ＮＭＯＳＦＥＴのＰ型ゲート電極のＰ型不純物濃度を高濃度に保って確実にＰ^＋型ゲート電極（メタルライクなゲート電極）として機能できるようにする。 - 特許庁

Thus, no gate electrode metal is arranged on the channel region 14, reducing the parasitic capacity which is produced between the gate and the drain or the gate and the source.例文帳に追加

したがって、チャンネル領域１４の上にゲート電極金属が配置されないことになり、ゲート−ドレイン間やゲート−ソース間に生じる寄生容量を低減できる。 - 特許庁

The upper surface of a gate electrode 7 is covered by a metal shadowing film 11 having a high melting point, and a silicon nitride film 6 is formed as a part of gate insulating film beneath the gate electrode 7.例文帳に追加

ゲート電極７上は高融点金属遮光膜１１によって覆われており、ゲート電極７の下にはシリコン窒化膜６がゲート絶縁膜の一部として形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a gate structure having a side wall formed, without causing deterioration in semiconductor characteristics and reliability, in the gate structure made of a metal electrode/high-k gate insulating film.例文帳に追加

メタル電極／ｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜からなるゲート構造において、半導体特性や信頼性の劣化をおこさせることなく、サイドウォールを形成したゲート構造を有する半導体装置の提供。 - 特許庁

The gate insulation film 23 is formed on the entire upper surface of a glass substrate 21 including a gate electrode 22 composed of an Al-based metal such as Al and an Al alloy and a gate wire.例文帳に追加

ＡｌやＡｌ合金等のＡｌ系金属からなるゲート電極２２及びゲート線を含むガラス基板２１の上面全体にゲート絶縁膜２３を成膜する。 - 特許庁

A lateral power metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) is provided, having a gate structure of connecting the insulated gate to the gate electrode through contacts at a plurality of locations.例文帳に追加

絶縁したゲートがコンタクトを介して複数の場所でゲート電極に接続されるようなゲート構造を有する、横方向パワー酸化金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）が提供される。 - 特許庁

Metal layers 3, 4 for constituting the large scale ring oscillator 2 are wired to be near to the gate array, and the gate array master chip 1 is set in a package of the gate array to be tested.例文帳に追加

また、大規模リングオシレータ２を構成するメタル層３、４をゲートアレイと近くなるように配線し、また、ゲートアレイマスタチップ１をゲートアレイのパッケージ５にセットして試験を行う。 - 特許庁