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Pchを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 141



例文

PCH-RECEIVING CIRCUIT例文帳に追加

PCH受信回路 - 特許庁

The pitch PITCH is corrected by the PCH COMP PATTERN corresponding to the pitch correction data PITCHCxx and the PCH PATTERN corresponding to the pitch fluctuation data of the other sound source is added thereto.例文帳に追加

ピッチ PITCHをピッチ補正データPITCHCxxに対応するPCH COMP PATTERNで補正して、他の音源のピッチ変動データに対応する PCH PATTERNを付加する。 - 特許庁

A received data memory 201 is provided with a PCH data symbol part and stores a received symbol after inverse diffusion.例文帳に追加

受信データメモリ201はPCHのデータシンボル部を備え、逆拡散後の受信シンボルを蓄える。 - 特許庁

Thus, the response of the supercharger is improved to increase the rising speed of supercharging pressure Pch during sudden acceleration.例文帳に追加

これにより、過給機のレスポンスが向上し、急加速時における過給圧Pchの上昇速度が増大する。 - 特許庁

例文

To prevent a defective incoming call due to overlapped PCH.例文帳に追加

PCHの重なりによる着信不良を防止するようにする。 - 特許庁


例文

A PCH Slot generating part 222 starts generation of a PCH slot by a signal supplied from a timer control part 210 and sets sequentially the OHM extracted from a PCH transmitting data buffer 221 on the basis of an OHM number counter into the PCH slot.例文帳に追加

PCH Slot生成部222は、タイマ制御部210から供給される信号により、PCHスロットの生成を開始し、OHM番号カウンタに基づきPCH送信データバッファ221から取り出したOHMを、順次、PCHスロットにセットする。 - 特許庁

Bias voltage Vb1 which is input to gates of the Pch MOS transistors which are bias current sources of the Pch side, is input to gates of the Pch MOS transistors PMT 11 and PMT 12.例文帳に追加

Pch MOSトランジスタPMT11及びPMT12のゲートに、Pch側のバイアス電流源であるPch MOSトランジスタのゲートに入力されるバイアス電圧Vb1が入力される。 - 特許庁

A source voltage detection part 4 monitors a source voltage of the Pch FET 3.例文帳に追加

ソース電圧検出部4はPchFET3のソース電圧をモニターする。 - 特許庁

More preferably, the electrostatic protective element is arranged between the Pch region and the Nch region of the output circuits.例文帳に追加

より好ましくは、その静電保護素子を出力回路のPch領域とNch領域の間に配置する。 - 特許庁

例文

The reverse connection protection diode D1 is a parasitic diode of the Pch power MOS transistor PMT1.例文帳に追加

逆接保護ダイオードD1はPchパワーMOSトランジスタPMT1の寄生ダイオードである。 - 特許庁

例文

The amplifier section 2 comprises: a Pch MOS transistor PT1; a Pch MOS transistor PT2; and Nch MOS transistors NT1 to NT3, and the replica amplifier section 3 comprises: a Pch MOS transistor PT11; a Pch MOS transistor PT12; and Nch MOS transistors NT11 to NT13, and has the same circuit configuration as that of the amplifier section 2.例文帳に追加

アンプ部2はPch MOSトランジスタPT1、Pch MOSトランジスタPT2、及びNch MOSトランジスタNT1乃至3から構成され、レプリカアンプ部3はPch MOSトランジスタPT11、Pch MOSトランジスタPT12、及びNch MOSトランジスタNT11乃至13から構成され、アンプ部2と同一回路構成を有する。 - 特許庁

The protection circuits 2 and 3 are provided with a Pch MOS transistor PMT1.例文帳に追加

保護回路2及び保護回路3には、Pch MOSトランジスタPMT1が設けられる。 - 特許庁

Wireless communication user equipment (UE) supports an RRC layer having a plurality of states (CELL PCH, URA PCH) incapable of making uplink communication with a base (UTRAN).例文帳に追加

ワイヤレスコミュニケーション装置(UE)は、ベース(UTRAN)とアップリンク通信ができない複数の状態(CELL PCH, URA PCH)を有するRRC層をサポートする。 - 特許庁

The clamping circuit 2 is provided with an Nch MOS transistor MP3, an Nch MOS transistor MP4, a Pch MOS transistor MP1 and a Pch MOS transistor MP2.例文帳に追加

クランプ回路2には、Nch MOSトランジスタMP3、Nch MOSトランジスタMP4、Pch MOSトランジスタMP1、及びPch MOSトランジスタMP2が設けられる。 - 特許庁

An offset detection circuit 50 is provided with current sources 1 to 3, a Pch MOS transistor PT1, a Pch MOS transistor PT2, Nch MOS transistors NT1 to NT4, and a resistor R1.例文帳に追加

オフセット検出回路50には、電流源1乃至3、Pch MOSトランジスタPT1、Pch MOSトランジスタPT2、Nch MOSトランジスタNT1乃至NT4、及び抵抗R1が設けられる。 - 特許庁

The drive circuit 1 is provided with a Pch MOS transistor PMT1, a Pch MOS transistor PMT2, an Nch MOS transistor NMT1, and a capacitor C_1.例文帳に追加

駆動回路1には、Pch MOSトランジスタPMT1、Pch MOSトランジスタPMT2、Nch MOSトランジスタNMT1、及びコンデンサC_1が設けられる。 - 特許庁

The second circuit portion (reception side) 2 is provided with an Nch MOS transistor NTa, a Pch MOS transistor PTa, and a Pch MOS transistor PTb.例文帳に追加

第2の回路部(受信側)2にはNch MOSトランジスタNTa、Pch MOSトランジスタPTa、及びPch MOSトランジスタPTbが設けられる。 - 特許庁

To prevent a PCH reception error due to a difference in a modulation system by causing a base station to acquire a modulation system of a mobile station of a recipient upon when receiving a call and generating the PCH on the basis of the modulation system.例文帳に追加

着呼の際に基地局が着呼先の移動局の変調方式を取得し、これに基づいてPCHを生成することで、変調方式の違いによるPCHの受信エラーを回避することが可能となる。 - 特許庁

During normal control, the target clutch Pch is set based on the input torque Ti (Step S5), and at lower limit control, the target clutch pressure Pch is set based on the lower limit secondary pressure PsB (Steps S7, S8).例文帳に追加

通常制御時には入力トルクTiに基づき目標クラッチ圧Pchを設定する一方(ステップS5)、下限制御時には下限セカンダリ圧PsBに基づき目標クラッチ圧Pchを設定する(ステップS7,S8)。 - 特許庁

The first differential amplification portion 11 is provided with a differential pair of D-type Pch MOS transistors MDPT1 and MDPT2, and a Pch MOS transistor MPT1.例文帳に追加

第1の差動増幅部11には差動対をなすD型Pch MOSトランジスタMDPT1及びMDPT2とPch MOSトランジスタMPT1が設けられる。 - 特許庁

Succeedingly, area data IPCH and a paging area number included in a paging channel PCH of each control signal in cells A2, A3, A4, B1, B2, are monitored in the cell A1 and it is reported to a center when any fault exists in the monitored data.例文帳に追加

続いて、セルA1において、セルA2,A3,A4,B1,B2の各制御信号のPCH内に含まれるI_PCHおよび一斉呼出しエリア番号をモニタし、異常があればセンタに通知する。 - 特許庁

The user operates a key input unit 26 to set the receiving interval of a paging channel for a 'double mode', and this actuating a PCH receiving interval controller 20a to change the PCH receiving interval.例文帳に追加

使用者がキー入力部26を操作してページングチャネルの受信間隔を「2倍モード」に設定することにより、PCH受信間隔制御部20aがPCHの受信間隔を変更する。 - 特許庁

The source and the back gate of a Pch MOS transistor P1 configuring the first inverter 2 and those of a Pch MOS transistor P2 configuring the second inverter 3 are connected to an N well.例文帳に追加

第1のインバータ2を構成するPch MOSトランジスタP1と第2のインバータ3を構成するPch MOSトランジスタP1のソース及びバックゲートはNウエルに接続されている。 - 特許庁

A PI deciding part 206 decides the existence/absence of an incoming call to a self-station in each group mapped into a PCH, and when an incoming call exists, a saving control part 207 causes an interrupt to be generated.例文帳に追加

さらに、パワー演算部205の演算結果に基づいて、PI判定部206がPCHにマッピングされた各グループのうち自局宛の着信の有無を判定し、着信ありの場合は、セービング制御部207は割り込みを発生させる。 - 特許庁

In the protective circuit 23, since a Pch protective circuit 21 and an Nch protective circuit 22 are formed by individually forming a Pch protective diode 14 at the lower part of a bonding pad 16 for Pch protection and an Nch protective diode 15 at the lower part of a bonding pad 17 for Nch protection, a non-operating protective circuit is not formed at the lower part of the respective bonding pads.例文帳に追加

保護回路23において、Pch保護用ボンディングパッド16の下方にPch保護ダイオード14を、Nch保護用ボンディングパッド17の下方にNch保護ダイオード15を個別に形成することにより、Pch保護回路21及びNch保護回路22が形成されているため、各ボンディングパッドの下方に、作動しない保護回路が形成されることがない。 - 特許庁

A differential amplifier 5 detects a potential difference between a drain voltage of the Pch FET 3 and the source voltage monitored by the source voltage detection part 4.例文帳に追加

差動増幅器5はPchFET3のドレイン電圧とソース電圧検出部4でモニターしたソース電圧との電位差を検出する。 - 特許庁

The amplification part 31 is provided with a comparator CMP1, a Pch MOS transistor PMT1, and an Nch MOS transistor NMT1.例文帳に追加

増幅部31には、コンパレータCMP1、Pch MOSトランジスタPMT1、Nch MOSトランジスタNMT1が設けられる。 - 特許庁

The impedance conversion circuit 3 is provided with a Pch MOS transistor PT3, a resistor R1, and a current source BC2.例文帳に追加

インピーダンス変換回路3には、Pch MOSトランジスタPT3、抵抗R1、及び電流源BC2が設けられている。 - 特許庁

The output stage 5 comprises an output transistor PT1 that is a Pch MOS transistor, a resistor R3, and a resistor R4.例文帳に追加

出力段5は Pch MOSトランジスタである出力トランジスタPT1、抵抗R3、及び抵抗R4から構成されている。 - 特許庁

The reverse connection protection circuit 1 includes a control unit 3, a reverse connection protection diode D1, and a Pch power MOS transistor PMT1.例文帳に追加

逆接保護回路1には制御部3、逆接保護ダイオードD1、及びPchパワーMOSトランジスタPMT1が設けられる。 - 特許庁

The NAND gate 2 comprises Pch MOS transistors P1, P2, and Nch MOS transistors N1, N2.例文帳に追加

NANDゲート2は、Pch MOSトランジスタP1、P2、及びNch MOSトランジスタN1、N2から構成されている。 - 特許庁

The Pch MOS transistor PT2 allows a fixed current I_3 corresponding to the current I_2 to flow in the low-potential side power source Vss.例文帳に追加

Pch MOSトランジスタPT2は低電位側電源Vss側に電流I_2に対応する一定な電流I_3を流す。 - 特許庁

To provide a data driver including a decoder which suppresses the number of elements, the number of wire connection between Pch and Nch, and the area.例文帳に追加

素子数、Pch/Nch間の配線接続数、面積を抑制したデコーダを備えたデータドライバ。 - 特許庁

The Pch MOS transistor PT1 to be connected by diode allows a current I_2 to flow in the low-potential side power source Vss.例文帳に追加

ダイオード接続されるPch MOSトランジスタPT1は低電位側電源Vss側に電流I_2を流す。 - 特許庁

The second differential amplification portion 12 is provided with a differential pair of Pch MOS transistors MPT1 and MPT2, and a constant-current source 14.例文帳に追加

第2の差動増幅部12には差動対をなすPch MOSトランジスタMPT1及びMPT2と定電流源14が設けられる。 - 特許庁

Each Pch transistor has high ON-resistance, and controls a current of the Nch transistor HN1.例文帳に追加

Pchトランジスタは、ON抵抗が高くなっており、NchトランジスタHN1の電流を制御する。 - 特許庁

When an opening exists in the PCH slot setting the OHM at this time, furthermore, the OHM sent next is set into the slot.例文帳に追加

このとき、OHMをセットしたPCHスロットに空きがあるとき、さらに、次に送るOHMを当該スロットにセットする。 - 特許庁

The generated PCH slot is supplied and transmitted to a TX part 240 through a transmitting frame control part 230.例文帳に追加

生成されたPCHスロットは、送信フレーム制御部230を介してTX部240へ供給され、送信される。 - 特許庁

Then respective word switches 20, 30 are constituted by combining Nch type transistors 21, 31 and Pch type transistors 22, 32, respectively.例文帳に追加

そして、各ワードスイッチ20、30を、Nch型のトランジスタ21、31とPch型のトランジスタ22、32とをそれぞれ組み合わせて構成する。 - 特許庁

The Pch MOS transistor PTb connected to the high-side power source VDDB side is a normally-on transistor.例文帳に追加

高電位側電源VDDB側に接続されるPch MOSトランジスタPTbはノーマリーオントランジスタである。 - 特許庁

Thus, the inverse level shift circuit can be realized at a low cost with excellent reliability without using a Pch-DMOS transistor.例文帳に追加

よって、Pch−DMOSトランジスタを使用せず、かつ、低コストで信頼性に優れた逆レベルシフト回路を実現できる。 - 特許庁

That is, ON/OFF timing of the Pch transistor 31 is made not to overlapped with that of the Nch transistor 32.例文帳に追加

つまり、Pchトランジスタ31とNchトランジスタ32のオンオフのタイミングが重ならないようにする。 - 特許庁

VBTSEL is inputted to a Nch gate of a transfer gate 6, and VBTSEL is inputted to Pch gate through an inverter 5.例文帳に追加

トランスファーゲート6のNchゲートには、VBTSELが入力し、Pchゲートには、インバータ5を介しVBTSELが入力する。 - 特許庁

A Darlington circuit is used to drive a switching device 2, and both drains of a first Pch MOSFET 5 and a second Pch MOSFET 6 constituting the Darlington circuit are connected to a gate of an IGBT constituting the switching device 2.例文帳に追加

ダーリントン回路によってスイッチングデバイス2を駆動するようにし、ダーリントン回路を構成する第1PchMOSFET5と第2PchMOSFET6のドレインを共にスイッチングデバイス2を構成するIGBTのゲートに接続する。 - 特許庁

The transconductance of the D-type Pch MOS transistors MDPT1 and MDPT2 in a saturation region and the transconductance of the Pch MOS transistor MTP1 and MPT2 in a saturation region are set equal to each other.例文帳に追加

D型Pch MOSトランジスタMDPT1及びMDPT2の飽和領域でのトランスコンダクタンスとPch MOSトランジスタMPT1及びMPT2の飽和領域でのトランスコンダクタンスが同一になるように設定される。 - 特許庁

A band gap reference circuit 30 is provided with an amplification part 31, Pch MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistors PMT 2-4, a diode D1, a diode D11, a diode D1n, and resistors R1-6, and the reference voltage Vbgr is output from a drain of the Pch MOS transistor PMT4.例文帳に追加

バンドギャップリファレンス回路30には、増幅部31、Pch MOSトランジスタPMT2乃至4、ダイオードD1、ダイオードD11、ダイオードD1n、及び抵抗R1乃至6が設けられ、Pch MOSトランジスタPMT4のドレインから基準電圧Vbgrが出力される。 - 特許庁

Differential delay cells DDC 1 to DDC 4, respectively include: load control parts 1; bias sources 2; Nch MOS transistors NMT 11; Nch MOS transistors NMT 12; Pch MOS transistor PMT 11; and a Pch MOS transistor PMT 12.例文帳に追加

差動遅延セルDDC1乃至DDC4には、負荷制御部1、バイアス源2、Nch MOSトランジスタNMT11、Nch MOSトランジスタNMT12、Pch MOSトランジスタPMT11、及びPch MOSトランジスタPMT12がそれぞれ設けられる。 - 特許庁

A drain potential of the Pch transistor 31 is maintained at a power source potential VDD, during an ON period of the Pch transistor 31, and a drain potential of the Nch transistor 32 is maintained at a grounding potential GND, during an ON period of the Nch transistor 32.例文帳に追加

さらに、Pchトランジスタ31のオン期間中は、該Pchトランジスタ31のドレイン電位を電源電位VDDに維持し、Nchトランジスタ32のオン期間中は、該Nchトランジスタ32のドレイン電位を接地電位GNDに維持する。 - 特許庁

An HS-DSCH medium access control (MAC-ehs) entity receives MAC-ehs protocol data units (PDUs) via an HS-DSCH while in one of Cell_FACH, Cell_PCH, and URA_PCH states.例文帳に追加

HS−DSCH媒体アクセス制御(MAC−ehs)エンティティは、Cell_FACH状態、Cell_PCH状態およびURA_PCH状態のうちの1つにある間にHS−DSCHを介してMAC−ehsプロトコルデータユニット(PDU)を受信する。 - 特許庁

例文

Thus, a threshold voltage Vth of the Pch MOSFET 5a is set so as to be high for the precharge period and low for the evaluate period, and a current leak when the Pch MOSFET 5a is turned off is low for the precharge period so as to attain energy saving.例文帳に追加

これにより、PchMOSFET5aの閾値電圧Vthは、プリチャージ期間に高く、エバリュエート期間に低くなるように設定され、プリチャージ期間にはPchMOSFET5aのオフ時の電流リークを低リーク化し、省エネルギー化することができる。 - 特許庁

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