「SCCM」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Upon the heat treatment (crystallization annealing), a flow rate of oxidative gas is assumed to be 10 sccm to 100 sccm.例文帳に追加

なお、熱処理（結晶化アニール）の際に、酸化性ガスの流量を１０ｓｃｃｍ乃至１００ｓｃｃｍとする。 - 特許庁

In a process manufacturing the first SiO_x and/or the gate insulating films, a flow rate of silane (SiH_4) is maintained at 50 sccm to 700 sccm and a flow rate of dinitrogen monoxide (N_2O) is maintained at 700 sccm to 4,500 sccm.例文帳に追加

前記第１シリコン酸化膜及び／または前記ゲート絶縁膜を製造する過程で、シラン（ＳｉＨ_４）のフローレートは５０ｓｃｃｍ〜７００ｓｃｃｍに維持し、一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）のフローレートは７００ｓｃｃｍ〜４,５００ｓｃｃｍに維持する。 - 特許庁

When the polysilicon layer 9 is etched, conditions such as Cl2: 150 sccm, HBr: 450 sccm, CHF3: 100 sccm, pressure: 100 mTorr, RF power in an upper counter electrode 15: 500 W and RF power in a lower counter electrode 13: 300 W are adopted.例文帳に追加

ここで、ポリシリコン層9のエッチングにおいて、例えば、Cl_2:150sccm、HBr:450sccm、CHF_3:100sccm、圧力:100mTorr、上部対向電極15におけるRFパワー:500W、および下部対向電極13におけるRFパワー:300Wの条件を用いる。 - 特許庁

By setting the reaction temperature to around 430°C, a seed layer about 100 nm thick is deposited by using WF_6: 50 sccm, SiH_4: 10 sccm and H_2: 1,000 sccm as the reaction gas in an atmosphere of Ar, N_2: 30 Torr.例文帳に追加

反応温度を４３０℃程度に設定し、Ａｒ，Ｎ_2：３０Ｔｏｒｒの雰囲気中で、まず、反応ガスとして、ＷＦ_6：５０ｓｃｃｍ、ＳｉＨ_4：１０ｓｃｃｍ、Ｈ_2：１０００ｓｃｃｍを用いて、１００ｎｍ程度の膜厚のｓｅｅｄ層を積層する。 - 特許庁

In this case, the flow of monosilane and hydrogen is respectively 20 sccm and 20 slm.例文帳に追加

このとき、モノシラン及び水素の各流量は、夫々２０ｓｃｃｍ、２０ｓｌｍとする。 - 特許庁

SF_6 gas is fed into the chamber at a flow rate of 10 sccm or so.例文帳に追加

また、チャンバ内に、ＳＦ_6ガスを１０ｓｃｃｍ程度の流速で供給する。 - 特許庁

To provide a method of remote-controlling gas flow in a trace range less than 1 sccm.例文帳に追加

１ｓｃｃｍ未満という微小領域のガス流量を遠隔的に制御できる方法を提供する。 - 特許庁

The total flow rates of argon gas and oxygen are set to 120 SCCM, and 90 SCCM, respectively, and the pressure in the vacuum container is set to be 0.7 Pa.例文帳に追加

合計でアルゴンガスの流量を１２０ＳＣＣＭ、酸素ガスの流量を９０ＳＣＣＭとして、真空容器内の圧力を０．７Ｐａに設定する。 - 特許庁

Power of microwaves, RF power applied to the target, gas pressure in sputtering, the flow rate of argon, and the flow rate of O, are set at 800 W, 500 W, 0.13 Pa, 20 sccm (97.6 vol.%), and 0.5 sccm (2.4 vol.%), respectively.例文帳に追加

また、マイクロ波のパワーは８００Ｗ、ターゲットに印加するＲＦパワーは５００Ｗ、スパッタ時のガス圧は０．１３Ｐａ、アルゴンの流量は２０sccm（９７．６ｖｏｌ％）、Ｏの流量は０．５sccm（２．４ｖｏｌ％）とする。 - 特許庁

Precipitation quantity is controlled by the nitrogen quantity of the nitride gas contained in the ambient gas of RTA (Rapid Thermal Annealing) processing, wherein the nitride gas is in the range of 0.05% or more and less than 0.5%, or more than 1 sccm (standard cubic centimeter per minute) and 10 sccm or less.例文帳に追加

ＲＴＡ処理における雰囲気ガスに含まれる窒化ガスを０．０５％以上０．５％未満、又は１ｓｃｃｍを越えて１０ｓｃｃｍ以下の範囲として、この窒素量により析出量をコントロールする。 - 特許庁

After that, the film around 300 nm thick is further deposited by using WF_6: 75 sccm and H_2: 500 sccm as the reaction gas in an atmosphere of Ar, N_2: 80 Torr.例文帳に追加

その後、Ａｒ，Ｎ_2：８０Ｔｏｒｒの雰囲気中で、反応ガスとして、ＷＦ_6：７５ｓｃｃｍ、Ｈ_2：５００ｓｃｃｍを用いて、３００ｎｍ程度の膜厚を積層する。 - 特許庁

The density of the gas of the nitrogen source is 5 to 6 slm and the concentration of the gas of the group-III source is 80 to 130 sccm.例文帳に追加

前記窒素源のガスの濃度は５〜６ｓｌｍ、前記３族源のガスの濃度は８０〜１３０ｓｃｃｍである。 - 特許庁

Then, when reactive-ion etching using mixture gas of fluorine gas (100 sccm) and oxygen gas (100-400 sccm) as etching gas is performed, the dry etching of the silicon nitride film 22 in areas under the resist film 23 is performed, and its etching rate is about 2,000 Å/min.例文帳に追加

そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および酸素ガス（１００〜４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜23下以外の領域における窒化シリコン膜22がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約２０００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁

Then, when reactive ion etching using the gas mixture of a fluorine gas (100 sccm) and an oxygen gas (100-400 sccm) as an etching gas is performed, the silicon nitride film 22 in an area other than the one below the resist film 23 is dry-etched, and its etching rate is about 2,000 Å/min.例文帳に追加

そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および酸素ガス（１００〜４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜２３下以外の領域における窒化シリコン膜２２がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約２０００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁

For example, when thermally processing the ferroelectric film 127 that is formed in an early period of lifetime of the target, oxygen supply shall be 40 to 60 sccm, and when thermally processing the ferroelectric film that is formed in a later period of the lifetime, the oxygen supply shall be 70 to 100 sccm.例文帳に追加

例えば、ターゲットのライフタイムの初期に形成された強誘電体膜１２７を熱処理するときには酸素共有量を４０〜６０ｓｃｃｍとし、ライフタイムの後期に形成された強誘電体膜を熱処理するときには酸素供給量を７０〜１００ｓｃｃｍとする。 - 特許庁

After loading a semiconductor substrate inside a depositing chamber, undoped polysilicon film is deposited on the semiconductor substrate by flowing SiH_4 or Si_2H_6 gas about at a flow rate of 150 sccm or more and 250 sccm or less inside the depositing chamber.例文帳に追加

半導体基板を蒸着チャンバーの内部にロードさせた後、前記蒸着チャンバーの内部にＳｉＨ_４またはＳｉ_２Ｈ_６ガスを１５０ｓｃｃｍ以上、且つ２５０ｓｃｃｍ以下程度の流量でフローさせ、前記半導体基板上にアンドープトポリシリコン膜を蒸着する段階を含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

As raw material gas, silane gas and ammonia gas or nitrogen gas are used, and the effective power calculated by prescribed calculation formula is controlled to 10 to 100 W/sccm to the feed flow rate of the silane gas.例文帳に追加

原料ガスとして、シランガスと、アンモニアガスあるいは窒素ガスとを用い、シランガスの供給流量に対し、所定の計算式で算出される有効パワーを１０〜１００Ｗ／ｓｃｃｍとすることにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

A parent material containing a gaseous hydrocarbon compound is fed into the container 10 at a flow rate of 0.1 to 0.8 sccm/cm^2 per surface area of the container.例文帳に追加

容器１０内に、ガス状の炭化水素化合物を含む出発原料を、容器表面積当たり０．１〜０．８ｓｃｃｍ／ｃｍ^2の流量で供給する。 - 特許庁

A ratio P/Q of high frequency power P (W) required to form the silicon nitride film to total gas flow Q (sccm) of the silane gas, the ammonia gas and the nitrogen gas is in a range of from 0.4 to 40.例文帳に追加

窒化シリコン膜の成膜に要する高周波電力をＰ（Ｗ）とし、シランガス、アンモニアガスおよび窒素ガスの総流量をＱ（ｓｃｃｍ）とするとき、高周波電力とガスの総流量との比Ｐ／Ｑが０．４〜４０である。 - 特許庁

A preferred flow rate of the carrier gas is 300-3,000 SCCM, the starting material is preferably put in a heat resistant vessel, and the cooling is preferably performed by depositing the zinc oxide fine wires on a substrate at room temperature.例文帳に追加

キャリアガスのフローレートは、３００〜３０００ＳＣＣＭが好ましく、原料は、耐熱性容器内に載置することが好ましく、冷却は、室温の基板上に酸化亜鉛細線を堆積することにより行うことが好ましい。 - 特許庁

In this case, it is preferable that the flow rate ratio of the ammonia gas and the inert gas is within a range of from 40:60 to 60:40 and the total flow rate of the ammonia gas and the inert gas is within a range of 400-500 sccm.例文帳に追加

この場合、アンモニアガスと不活性ガスとの流量比が、４０：６０〜６０：４０の範囲であり、アンモニアガスと不活性ガスとの流量の和が、４００〜５００ｓｃｃｍの範囲であることが好ましい。 - 特許庁

Successively, oxygen plasma is irradiated under an oxygen volume of 10 sccm, a gas pressure of 10 Pa, and a discharge power of 400 W, for one minute to remove the deposited polymer (Fig. 7(c)).例文帳に追加

引き続き、酸素プラズマを酸素流量１０ｓｃｃｍ、ガス圧力１０Ｐａ、放電電力４００Ｗで１分間照射すると、堆積したポリマーが除去される（図７（ｃ））。 - 特許庁

A junction surface for the heater plate 2 and a junction surface for the shaft 3 are surface-treated so that an air leak in a gap between the junction surface for the heater plate 2 and the junction surface for the shaft 3 is equal to or less than 0.05 sccm.例文帳に追加

ヒータープレート２の接合面とシャフト３の接合面との間隙からのエアリークが０．０５ｓｃｃｍ以下となるように、ヒータープレート２の接合面とシャフト３の接合面とが表面処理されている。 - 特許庁

The ashing treatment is performed under a condition of plasma formation wherein high frequency electric power is 300 W, atmospheric pressure is 30 Pa, an oxygen flow rate is 100 sccm, and substrate temperature is 25°C.例文帳に追加

かかるアッシング処理は、高周波電力が３００Ｗ、雰囲気圧力が３０Ｐａ、酸素流量が１００ｓｃｃｍ、基板温度が２５℃のプラズマ形成条件下で実施される。 - 特許庁

An Xe2 excimer lamp 1 is lighted over a synthetic quartz window 2, and TEOS and an additive gas O2 are introduced in a vacuum chamber 3 to form a film on a wafer 6 for a forming time of 15 min with a gas flow rate of 100 sccm at a TEOS partial pressure of 300 mTorr.例文帳に追加

合成石英窓２上よりＸｅ_2 エキシマランプ１を照射し、真空チャンバ３内にＴＥＯＳ、添加ガスであるＯ_2 を導入することにより、ウエハ６上に成膜を行った。 - 特許庁

To provide a reaction furnace for generating water capable of stably attaining water generation reaction rate exceeding 99% even under the condition that the temp. of the furnace is ≤400°C and the generated quantity of water is ≥1000 sccm.例文帳に追加

炉温度が４００℃以下で水分発生量が１０００ｓｃｃｍ以上の条件下においても、９９％を超える水分発生反応率を安定して得ることができる水分発生用反応炉を提供する。 - 特許庁

The manganese-doped gallium nitride nano-wire having 100-500 nm diameter and several tens micrometer length is manufactured by heating a mixture of gallium oxide powder, manganese phosphide powder and manganese dioxide powder at 1,353-1,423K temperatures for 0.5-1 hr while passing ammonia gas at 100-400 sccm flow rate.例文帳に追加

酸化ガリウム粉末、リン化マンガン粉末および二酸化マンガン粉末の混合物を、流量100〜400sccmのアンモニアガスを流しながら、1353〜1423Kの温度に0.5〜1時間加熱して、直径100〜500ナノメートル、長さ数十マイクロメートルのマンガンがドープされた窒化ガリウムナノワイヤーを製造する。 - 特許庁

A silicon nitride layer is deposited on a base film at a ratio P/Q of less than 10 [W/sccm], with Q being the silane gas flow rate and P being the plasma-generating electric power, a deposition pressure of 20 to 200 Pa, and at a base film temperature of not more than 70°C, under a bias potential of not more than -100V applied to the base film.例文帳に追加

シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０［Ｗ／ｓｃｃｍ］未満、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

When, using silane gas and ammonia gas as raw material gas, a silicon nitride film is formed by an inductively coupled plasma CVD process, film formation is performed in such a manner that effective power calculated by prescribed calculation formula is controlled to 3 to 30 W/sccm to the feed flow rate of the ammonia gas.例文帳に追加

原料ガスとして、シランガスおよびアンモニアガスを用い、誘導結合プラズマＣＶＤ法によって窒化珪素膜を成膜するに際し、アンモニアガスの供給流量に対し、所定の計算式で算出される有効パワーを３〜３０Ｗ／ｓｃｃｍとして成膜を行う。 - 特許庁

In the method for etching an oxide film, an etching gas containing C_5F_8 gases is changed to a plasma state, under which condition an oxide film on a substrate is etched with a flow rate of a CO gas set to 20-90 sccm, thus solving the above problem.例文帳に追加

Ｃ_5Ｆ_8ガスとＣＯガスとを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ状態にして基板上の酸化膜をエッチングするにあたり、ＣＯガスの流量を２０〜９０ｓｃｃｍにすることを特徴とする酸化膜のエッチング方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

A silicon nitride film is formed on a substrate while applying bias potential of ≤-100 V under the conditions where P/Q with a gaseous silane flow rate as Q and plasma production as P is 10 to 30[W/sccm], film formation pressure is 20 to 200 Pa and substrate temperature is ≤70°C.例文帳に追加

シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０〜３０［Ｗ／ｓｃｃｍ］、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜する。 - 特許庁

After elevating the temperature of a substrate 31 to a first temperature T1 in an atmosphere containing AsH_3, the substrate 31 is thermally cleaned at the first temperature T1 while making the AsH_3 sufficiently smaller than a supply amount 5 to 15 sccm when growing a crystal using the AsH_3 flow.例文帳に追加

ＡｓＨ_３を含む雰囲気中で基板３１の温度を第１の温度Ｔ１に上昇した後に、ＡｓＨ_３を用いて結晶成長する際の供給量５〜１５ｓｃｃｍに比べて十分に小さいＡｓＨ_３を流しながら、第１の温度Ｔ１で基板３１をサーマルクリーニングを行う。 - 特許庁

The method comprises applying a high frequency power of 500 W or more per total mass flow rate of 100 SCCM of a material gas and an oxidative gas, setting a mass flow rate ratio of the oxidative gas to a material gas to 3 or more to 1 and setting the film forming temperature to a range of 100-300°C, thus forming an oxide film.例文帳に追加

原料ガスと酸化ガスの総質量流量１００ＳＣＣＭ当たりに５００Ｗ以上の高周波パワーを印加し、且つ前記原料ガスに対する酸化ガスの質量流量比を３倍以上とし、更に成膜温度範囲を１００℃〜３００℃として、酸化膜を形成する。 - 特許庁

A ZnO sintered compact containing 0.1 to 15 mass% rare earth elements is used for a vapor deposition material, and film deposition is performed by a reactive vapor deposition process in an oxygen gas flow rate of 0 to 500 sccm and at a film deposition rate of 0.5 to 5.0 nm/s, so as to deposit a ZnO film having high moisture resistance.例文帳に追加

希土類元素を０．１〜１５質量％含むＺｎＯ焼結体を蒸着材に用い、反応性プラズマ蒸着法により酸素ガス流量０〜５００ｓｃｃｍ、成膜速度０．５〜５．０ｎｍ／秒で成膜を行い、高耐湿性のＺｎＯ膜を成膜する。 - 特許庁

The cool-down step is a process wherein Ar gas of the flow rate of 400-800 sccm is introduced into the plasma etching device for 80 seconds or more, and the pressure in the etching device is made at 200-300 mTorr, and high-frequency voltage of 150 W or less is applied to an upper electrode and a lower electrode, respectively.例文帳に追加

クールダウンステップは、プラズマエッチング装置内に４００sccm以上８００sccm以下の流量のＡｒガスを８０秒間以上導入し、エッチング装置内の圧力を２００ｍTorr以上３００ｍTorr以下にし、上部電極及び下部電極それぞれに１５０Ｗ以下の高周波電圧を印加する工程である。 - 特許庁

The gallium oxide single-crystal substrate containing at least the one element selected from Si, Ge, Sn, Al is nitrided at 850-1000°C, with an ammonia (NH_3) flow rate of 80-120 sccm, and for 50-100 minutes to form the gallium nitride crystal on the gallium oxide single-crystal substrate surface.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＡｌから選択された少なくとも一種の元素を含有する酸化ガリウム単結晶基板を、温度８５０〜１０００℃、アンモニア（ＮＨ_3）流量８０〜１２０ｓｃｃｍ、時間５０分〜１００分の条件で窒化処理し、該酸化ガリウム単結晶基板表面に窒化ガリウム結晶を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 特許庁