| 意味 | 例文 |
Selective Memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 119件
SEMICONDUCTOR DEVICE MEMORY CELL, AND ITS SELECTIVE ERASING METHOD例文帳に追加
半導体デバイス・メモリ・セルおよびその選択的消去方法 - 特許庁
A diffusion layer of memory cell and the selective gate transistor is n-type.例文帳に追加
メモリセル及び選択ゲートトランジスタの拡散層は、n型である。 - 特許庁
A selective transistor is connected to an end memory cell provided at one end of the memory cell string.例文帳に追加
選択トランジスタが、メモリセルストリングの一端にある端部メモリセルに接続されている。 - 特許庁
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING SELECTIVE MULTIPLE-SPEED OPERATION MODE例文帳に追加
選択的倍速動作モードをもつ不揮発性半導体メモリ装置 - 特許庁
This semiconductor device is provided with a first selective transistor, a second selective transistor, a first nonvolatile semiconductor memory including a number of first memory cell transistors connected in series between the first and second selective transistors and a second nonvolatile semiconductor memory including a third selective transistor and second memory cell transistor connected in series.例文帳に追加
第1、第2選択トランジスタと、前記第1、第2選択トランジスタ間に直列接続された複数の第1メモリセルトランジスタとを含む第1不揮発性半導体メモリと、直列接続された第3選択トランジスタ及び第2メモリセルトランジスタを含む第2不揮発性半導体メモリとを備える。 - 特許庁
The nonvolatile memory element comprises memory cell units comprising a pair of memory transistors and one selective transistor.例文帳に追加
本発明の不揮発性メモリ素子は、一対のメモリトランジスタと一つの選択トランジスタで構成されたメモリセルユニットで構成される。 - 特許庁
INTEGRATED CIRCUIT MEMORY DEVICE THAT SUPPORTS MEMORY MODULE RELATED TO SELECTIVE MODE RESISTER SET COMMAND, MEMORY CONTROLLER AND METHOD例文帳に追加
選択的なモードレジスタセットの命令と関連したメモリモジュールを支援する集積回路メモリ装置、メモリコントローラ及び方法 - 特許庁
The memory cell comprises a selective transistor formed on the substrate 1, and a capacitor connected to the selective transistor.例文帳に追加
メモリセルは、基板1上に形成された選択トランジスタと、その選択トランジスタに接続されたキャパシタとを備える。 - 特許庁
A sidewall film coats a side surface of a gate of the end memory cell and a side surface of a gate of the selective transistor between the end memory cell and the selective transistor.例文帳に追加
側壁膜が、端部メモリセルと選択トランジスタとの間において、端部メモリセルのゲートの側面および選択トランジスタのゲートの側面を被覆する。 - 特許庁
To provide a configuration in which a gap is formed between adjacent memory cells and between the memory cells and a selective transistor and which suppresses short-circuiting of the selective transistor and peripheral circuits.例文帳に追加
隣接するメモリセル間およびメモリセルと選択トランジスタとの間に間隙を設けつつ、選択トランジスタおよび周辺回路における短絡を抑制する。 - 特許庁
The non-volatile semiconductor memory device comprises a plurality of memory strings, a selective transistor, and a carrier selection element.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリストリング、選択トランジスタ、及びキャリア選択素子を備える。 - 特許庁
To provide the layout of a flash memory capable of increasing the current driving capability of a selective transistor selecting the memory cells of a flash memory.例文帳に追加
フラッシュメモリのメモリセルを選択する選択トランジスタの電流駆動能力を向上させるフラッシュメモリのレイアウトを提供する。 - 特許庁
MEMORY DEVICE USING SELECTIVE SELF-BOOSTED PROGRAMMING OPERATION AND ITS PROGRAMMING METHOD例文帳に追加
選択的にセルフブーストプログラム動作を利用するメモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁
To provide an integrated circuit memory device that supports a memory module related to a selective mode resister set command, a memory controller and a method.例文帳に追加
選択的なモードレジスタセットの命令と関連したメモリモジュールを支援する集積回路メモリ装置、メモリコントローラ及び方法を提供する。 - 特許庁
APPARATUS AND SYSTEM FOR FORMING IMAGE, METHOD FOR SELECTIVE CONTROLLING PAPER AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加
画像形成装置、画像形成システム、用紙選択制御方法及び記憶媒体 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which can decrease the noise of selective gate potential in a selective gate transistor and increase stability.例文帳に追加
選択ゲートトランジスタにおける選択ゲート電位のノイズを低減し安定性を高めることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
Responsive to the unloading, selective clearance of the electronic images in the memory is enabled.例文帳に追加
抜き取りに応答して、メモリ112内の電子画像の選択的な消去が可能にされる。 - 特許庁
A gap is formed between the sidewall film of the end memory cell and the sidewall film of the selective transistor.例文帳に追加
端部メモリセルの側壁膜と選択トランジスタの側壁膜との間に空隙がある。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device has memory transistors MTr1 to MTr8, first and second drain side selective transistors SDTr1 and SDTr2, and first and second source side selective transistors SSTr1 and SSTr2.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、メモリトランジスタMTr1〜8、第1、第2ドレイン側選択トランジスタSDTr1、2、第1、第2ソース側選択トランジスタSSTr1、2を有する。 - 特許庁
A data reading circuit 100 reads storage data of the selective memory cell on the basis of the access to the selective memory cell and the access to one selected from the RMC and the SRMC.例文帳に追加
データ読出回路100は、選択メモリセルへのアクセスと、リファレンスセルRMCおよびスペアリファレンスセルSRMCの選択された一方へのアクセスとに基づいて、選択メモリセルの記憶データを読出す。 - 特許庁
Further, a source side selective transistor 9 is arranged on the source side of the memory cell transistor 7.例文帳に追加
更に、このメモリセルトランジスタ7のソース側にはソース側選択トランジスタ9が配設されている。 - 特許庁
Hard mask fabrication for magnetic random access memory elements using focused ion beam assisted selective chemical vapor deposition. 例文帳に追加
集中イオンビーム補助選択的化学蒸着を利用した磁気RAM素子のためのハードマスク製造。 - コンピューター用語辞典
The boosting voltage of the conductive layer 18 is applied to a non-selective memory cell, and as the memory cell located between the selective memory cell and the bit line has a negative threshold voltage in erasing state, the high-speed transmission of boosting voltage can be accomplished.例文帳に追加
導電層18の昇圧電圧を非選択メモリセルに伝達し、かつ選択メモリセルとビット線間のメモリセルが消去状態の負のしきい値電圧を有するので、昇圧電圧の伝達を高速に実現できる。 - 特許庁
In a state where the USB memory job acceptance is permitted, processing is progressed to the next step S22 to execute USB memory job selective display processing.例文帳に追加
USBメモリジョブ受付許可状態である場合には次のステップS22に進み、USBメモリジョブ選択表示処理を実行する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device preventing an erroneous erase operation of data held by a memory cell in a non-selective block.例文帳に追加
非選択ブロックにおいて、メモリセルに保持されたデータの誤った消去動作を防ぐことができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device includes a plurality of memory blocks which include a plurality of memory cell groups having memory cells connected to word lines and selection gates for selecting the plurality of memory cell groups, and the selection gates in the non-selective memory block are programmed at a read operation.例文帳に追加
半導体装置は、ワード線に接続されたメモリセルを含む複数のメモリセル群と該複数のメモリセル群を選択する選択ゲートとを含む複数のメモリブロックを含み、読み出し時、非選択のメモリブロック内の選択ゲートがプログラムされている。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device that has a selective element such as a diode on a metal wiring and achieves high performance, high reliability, and manufacturing cost reduction by laminating the selective element and a memory element such as a phase-change memory together, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
金属配線上にダイオード等の選択素子を有し、選択素子と相変化メモリ等の記憶素子とを共に積層することにより、高性能化、高信頼化を実現し、製造コストを低減する半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
In addition to batch reading operations conducted for selected memory cells, a voltage Vp, which is an inverse polarity voltage with respect to the voltages (-Vp1 and -Vp0) applied to the non-selective memory cells during a reading operation, is applied to at least the non-selective memory cells.例文帳に追加
そして、選択メモリセルに対して一括して行われる読み出し動作に加えて、少なくとも非選択メモリセルに、読み出し動作において非選択メモリセルに印加される電圧(−Vp1および−Vp0)とは逆極性の電圧であるVpを印加する。 - 特許庁
Messages received by the radio selective call receiver are stored in a memory section for each directory (folder).例文帳に追加
無線選択呼出受信機が受信したメッセージを、アドレスもしくは階層(フォルダ)毎にメモリ部5に格納する。 - 特許庁
The selective transistor is arranged between the pair of the memory transistors formed in the active region in a semiconductor substrate.例文帳に追加
選択トランジスタは半導体基板内の活性領域に形成された一対のメモリトランジスタの間に配置される。 - 特許庁
To provide a memory cell structure for enabling selective access to a core cell without needing access transistors.例文帳に追加
アクセストランジスタを必要とせずにコアセルに対する選択的なアクセスを可能にするメモリセル構造体の提供。 - 特許庁
To avoid a resistance delay in a selective gate region and a peripheral circuit region while miniaturizing a memory cell array region, and to form simultaneously gates in the memory cell array region, the selective gate region and the peripheral circuit region.例文帳に追加
メモリセルアレイ領域の微細化を図りつつ選択ゲート領域及び周辺回路領域における抵抗遅延を回避し、かつメモリセルアレイ領域と選択ゲート領域と周辺回路領域とのゲート加工を同時に行う。 - 特許庁
Meanwhile corresponding to each row of the MTJ memory cell, a word line WL operating as a readout selective line and a write digit line WDL operating as a writing selective line are provided.例文帳に追加
一方、MTJメモリセルの各行に対応して、読出選択線として作用するワード線WLおよび書込選択線として作用するライトディジット線WDLが設けられる。 - 特許庁
To provide a processor for allowing a user to easily and correctly confirm various kinds of information of non-selective memory card.例文帳に追加
非選択メモリカードの諸情報をユーザーが容易かつ正確に確認することができる処理装置を提供する。 - 特許庁
In the silicon layer 13, a portion corresponding to a memory cell M and a selective gate transistor SG forms an active region.例文帳に追加
シリコン層13は、メモリセルM及び選択ゲートトランジスタSGに対応する部分が活性領域を形成している。 - 特許庁
To reduce an electric field between a memory cell connected to an edge word line and selective transistor, and prevent a program disturbance by hot electrons.例文帳に追加
エッジワードラインに接続されたメモリセルと選択トランジスタ間の電気場を減らし、ホットエレクトロンによるプログラムディスターブを防止する。 - 特許庁
This attains nonvolatile memory capable of bit by bit selective erase arranged in array, thereby reducing the core area remarkably.例文帳に追加
ビットごとの選択消去が可能な不揮発性メモリをアレイ化することが可能となり、コア面積の大幅な縮小が可能となる。 - 特許庁
To provide a phase change memory cell including nanocomposite insulator, contacting a storage material, which makes each more minute selective device operational by reducing electric power required for changing a memory state in a memory cell.例文帳に追加
メモリセル内のメモリ状態を変化させるために必要な電力を低減し、より微細な各選択デバイスの使用を可能にした、記憶材料に接触しているナノコンポジット絶縁体を有する相変化メモリセルを提供する。 - 特許庁
The data read circuit 160 reads the data by detecting and amplifying a difference between a current passing through a selective memory cell and a dummy cell.例文帳に追加
データ読出回路160は、選択メモリセルおよびダミーセルの通過電流差を検知・増幅して選択メモリセルからのデータ読出を実行する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory, comprising selective transistors having short gate lengths suited for making a high-speed and highly integrated structure.例文帳に追加
選択トランジスタのゲート長が短く、高速化及び高集積化に適した構成の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To suppress a data reading precision from being degraded due to production variation in reference cell characteristics and deterioration with age in a nonvolatile semiconductor memory device for executing data readout by access comparison between a selective memory cell and a reference memory cell.例文帳に追加
選択メモリセルとリファレンスメモリセルとのアクセス比較によってデータ読出を実行する不揮発性半導体記憶装置において、リファレンスセル特性の製造ばらつきおよび経時劣化に対応して、データ読出精度の悪化を抑制する。 - 特許庁
To provide a base station controller which minimizes the memory capacity needed for selective composition processing and a mobile communication system which uses it.例文帳に追加
選択合成処理に必要なメモリ容量の最小化を図る基地局制御装置およびこれを用いた移動通信システムを提供する。 - 特許庁
A spare reference cell SRMC being a spare is arranged with respect to the reference cell RMC of a comparison object of the selective memory sell at the time of reading data.例文帳に追加
データ読出時における選択メモリセルの比較対象となるリファレンスセルRMCに対して、予備となるスペアリファレンスセルSRMCを配置する。 - 特許庁
A nonvolatile memory device executes a program verification operation comprising a selective verification operation and a sequential verification operation.例文帳に追加
本発明の実施形態による不揮発性メモリー装置は、選択検証動作と順次検証動作で構成されたプログラム検証動作を実行する。 - 特許庁
In a memory cell, two inverters INV1 and INV2 are constituted of four transistors 1, 2, 3 and 4, and two transistors 5, 6 are made to be selective transistors.例文帳に追加
メモリセルは4つのトランジスタ1,2,3,4にて2つのインバータINV1,INV2を構成し、2つのトランジスタ5,6を選択トランジスタとしている。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
JESC: Japanese-English Subtitle Corpus映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書のコンテンツは、特に明示されている場合を除いて、次のライセンスに従います: Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International (CC BY-SA 4.0) |
| Copyright (C) 1994- Nichigai Associates, Inc., All rights reserved. |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International (CC BY-SA 4.0)