「Sin an」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

On a semiconductor layer 2, a tensile stress nitride film 15 is formed which includes an SiN film containing Si having three or more Si-N bonds.例文帳に追加

半導体層２上には、Ｓｉ−Ｎ結合を３以上有するＳｉを含むＳｉＮ膜からなる引張応力窒化膜１５が形成されている。 - 特許庁

A digital remodulation system includes a digital/analog (D/A) converter having an undesirable inherent frequency response sin (x)/x.例文帳に追加

ディジタル再変調システムは、望ましくない固有の周波数応答ｓｉｎ（ｘ）／ｘを有するディジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換器を含んでいる。 - 特許庁

The substrate 1 is subjected to thermal processing in a nitrogen atmosphere to form an SiN layer 18 on the surface of the electrode 4.例文帳に追加

窒素雰囲気中で半導体基板１を熱処理し、ゲート電極４の表面にＳｉＮ層１８を形成する。 - 特許庁

A photoresist film 5 is formed through lithography, and the SiN film 4a is patterned by a RIE to form an insulation film mask 4 (b).例文帳に追加

フォトレジスト膜５をリソグラフィにて形成し、ＲＩＥによりＳｉＮ膜４ａをパターニングして絶縁膜マスク４を形成する（ｂ）。 - 特許庁

On the lower surface of the shading film 29, a hydrogen supply layer 28 composed of a plasma SiN film or an amorphous silicon film is provided.例文帳に追加

この遮光膜２９の下面には、プラズマＳｉＮ膜やアモルファスシリコン膜などからなる水素供給層２８が設けられている。 - 特許庁

Then, water polishing using water continuously is performed to polish the HDP 4 remaining on the surface of an SiN 5.例文帳に追加

次に連続的に水を用いた水ポリッシュ研磨を行なうことでＳｉＮ５表面上に残ったＨＤＰ４を研磨する。 - 特許庁

An underlying insulation layer 1, a lower metal wiring 2, having a TiN layer 2a on the surface, a BCB film 3, a SiN film 4a are formed sequentially (a).例文帳に追加

下地絶縁膜１、表面にＴｉＮ層２ａを有する下層メタル配線２、ＢＣＢ膜３、ＳｉＮ膜４ａを順に形成する（ａ）。 - 特許庁

The SIN signal and the COS signal thus determined is transmitted to the ECU 10 through a DA converter or an isolation amplifier.例文帳に追加

決定されたＳＩＮ信号およびＣＯＳ信号は，ＤＡコンバータやアイソレーションアンプ等を介してＥＣＵ１０に送信される。 - 特許庁

An amplitude calculating part 150a calculates the amplitude Ax of the sine wave signal Ax.sin(2πft+ψ) by executing computing of (Csin12+ Ccos12)1/2.例文帳に追加

振幅演算部１５０ａは、(Ｃ_sin1^2＋Ｃ_cos1^2)^1/2の演算の実行によって正弦波信号Ａx・sin(２πｆｔ＋ψ)の振幅Ａxを計算する。 - 特許庁

The insulating film 21a, adjacent to the gate electrode 17, is formed using an SiN film having a relative dielectric constant ks of "7.8".例文帳に追加

ゲート電極１７に隣接する第１の側壁絶縁膜２１ａは、比誘電率ｋｓが「７．８」であるＳｉＮ膜を用いて形成されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate having an element, on which a TEOS film 53, a 2ndAl film 54 and a P-SiN film 55 are formed, is prepared.例文帳に追加

素子を有する半導体基板上にＴＥＯＳ膜５３と、２ｎｄＡｌ膜５４と、Ｐ−ＳｉＮ膜５５とが形成された半導体基板を用意する。 - 特許庁

Further, the diffusion of Na can be prevented by using an Al based material for the wiring material and SiN for the inter-layer insulation layer.例文帳に追加

さらに、配線材料にＡｌ系材料を用い、さらに層間絶縁層にＳｉＮを用いることによりＮａの拡散を防止することができる。 - 特許庁

D type flip-flops (DFF) 14 and 16 output signals S14 and S16 produced by delaying an input signal Sin every specified periods.例文帳に追加

Ｄ型フリップフロップ（ＤＦＦ）１４，１６は、入力信号Ｓinを所定周期毎に遅延して成る信号Ｓ14，Ｓ16を出力する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 132 is formed of an O_3-TEOS oxide film, with, for instance, a thin nitride film (SiN) in between.例文帳に追加

層間絶縁膜１３２は、例えば薄い窒化膜（ＳｉＮ）を介してＯ_３-ＴＥＯＳ酸化膜が形成されている。 - 特許庁

A liner layer 9 of SiN film or the like is not provided between the side of a side wall spacer 6 and an interlayer insulating film 12.例文帳に追加

ＳｉＮ膜等からなるライナー層９を、サイドウォールスぺーサ６の側面と層間絶縁膜１２との間には形成しない。 - 特許庁

Temperature lowering of the heater board process is attempted by using plasma CVD SiN and SiON films as an etching stopping layer.例文帳に追加

エッチングストップ層として、プラズマＣＶＤのＳｉＮおよびＳｉＯＮ膜を用いて、ヒーターボードプロセスの低温化を図る。 - 特許庁

On the surface and the back of a silicon monocrystal substrate 1, an SiN film 2 as a support body is formed by LP-CVD or the like (a).例文帳に追加

シリコン単結晶基板１の表裏面に、ＬＰ−ＣＶＤ等により、支持体となるのSiＮ膜２を成膜する（ａ）。 - 特許庁

A capacitor dielectric SiN film is formed thereon and an intermediate conduction film 21 is deposited after forming.例文帳に追加

その上にキャパシタ誘電体ＳｉＮ膜を形成し、成形した後、中間導電体膜２１を堆積して成形する。 - 特許庁

Then an SiN film 7, a TEOS film 6 and the SiOC film 5 are etched by using a resist mask 10 as a mask.例文帳に追加

その後、レジストマスク１０をマスクとして、ＳｉＮ膜７、ＴＥＯＳ膜６及びＳｉＯＣ膜５のエッチングを行う。 - 特許庁

While a control signal SS1 is in an enable state, the switch 3 outputs the input signal Sin to a node N2 via a bypass path.例文帳に追加

スイッチ３は、制御信号ＳＳ１がｅｎａｂｌｅ状態のときにバイパス径路を介して入力信号ＳｉｎをノードＮ２に出力する。 - 特許庁

An SiN_x and/or SiO_2-based ceramic coating film is formed on the surface of a base plate having a large surface area at a thickness of 0.01 to 5 μm.例文帳に追加

大表面積を有する基板の表面、ＳｉＮ_ｘ及び／又はＳｉＯ_２系セラミック被覆膜を０．０１〜５μｍの厚さで形成する。 - 特許庁

A scintillator 16 having a columnar structure for converting an incident radiation into a visible ray is formed on the surface of the SiN film 14.例文帳に追加

このＳｉＮ膜１４の表面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が形成されている。 - 特許庁

To provide an electroless nickel plating solution for solar cell electrode which has a patterned structure of SiN_x and Si.例文帳に追加

ＳｉＮ_x及びＳｉのパターン化された構造を含む、太陽電池電極のための無電解ニッケルめっき溶液を提供する。 - 特許庁

The ΔΣ type A/D converter 100 converts an analog input signal Sin into a digital output signal Sout.例文帳に追加

ΔΣ型Ａ／Ｄ変換器１００は、アナログの入力信号Ｓｉｎをデジタルの出力信号Ｓｏｕｔに変換する。 - 特許庁

On the BPSG film 49, an SiN film 52 is formed filling a recess 50 thereof so as to form a downward convex in-layer lens 29.例文帳に追加

ＢＰＳＧ膜４９上にその凹部５０を埋めるようにＳｉＮ膜５２を形成して、下凸層内レンズ２９を形成する。 - 特許庁

The individual displacement sections 4-2, 6-1 curve toward the substrate 1 and have a double-layer structure, consisting of a lower Al film and an upper SiN film.例文帳に追加

個別変位部４−２，６−１は、基板１側に湾曲し、下側のＡｌ膜と上側のＳｉＮ膜との２重膜からなる。 - 特許庁

A multiplier 15 generates a signal S4 by multiplying the signal generated by an oscillator 14 by the input signal Sin.例文帳に追加

乗算器１５は、発振器１４が生成した信号と入力信号Ｓinとを乗算することにより信号Ｓ４を生成する。 - 特許庁

An insulating film SI is formed on the copper interconnection layer CL1, via the diffusion-preventing insulating film DP interposed and is made of SiN.例文帳に追加

絶縁膜ＳＩは、拡散防止絶縁膜ＤＰを介して銅配線層ＣＬ１上に形成されており、かつＳｉＮよりなっている。 - 特許庁

Thus an angle θ3 of the light exiting from the exit surface 15b is about 57° that is a Brewster angle (arcsin (1.55865*sin 32.7)).例文帳に追加

従って、出射面１５ｂから出射する出射光の角度θ３は、ブリュースタ角である約５７度（ａｒｃｓｉｎ（１．５５８６５＊ｓｉｎ３２．７））になる。 - 特許庁

A tungsten film 3 is etched anisotropically by an RIE method, while using the patterns 10 of the SiN films as protective masks.例文帳に追加

このＳｉＮ膜のパターン１０を保護マスクとしてＲＩＥ法によってタングステン膜３を異方性エッチングする。 - 特許庁

A pad oxide film 2 and an LP-SiN film 4 are deposited sequentially on a silicon substrate 1 and then a resist 5 is deposited.例文帳に追加

シリコン基板１上にパッド酸化膜２とＬＰ−ＳｉＮ膜４とを順に成膜したのち、レジスト５を成膜する。 - 特許庁

The individual displacement sections 4-1, 6-2 curve in a direction opposite to the substrate 1 and have a double-layer structure, consisting of a lower SiN film and an upper Al film.例文帳に追加

個別変位部４−１，６−２は、基板１とは反対側に湾曲し、下側のＳｉＮ膜と上側のＡｌ膜との２重膜からなる。 - 特許庁

Or a film thickness in the HDP 4 remaining on the surface of the SiN 5 is accurately measured by an optical measuring unit for etching removal.例文帳に追加

あるいは、ＳｉＮ５の表面に残ったＨＤＰ４の膜厚を光学測定器により正確に測定し、エッチング除去する。 - 特許庁

The surface insulating film 9 is formed of a laminated film in which a lower layer film 10 composed of SiN and an upper film 11 composed of SiO_2 are laminated.例文帳に追加

表面絶縁膜９は、ＳｉＮからなる下層膜１０とＳｉＯ_２からなる上層膜１１とが積層された積層膜で形成されている。 - 特許庁

When a control signal Sin of 'H' level is inputted, a control circuit 36 is actuated, and an FET 35 is on/off-operated.例文帳に追加

“Ｈ”レベルの制御信号Ｓｉｎが入力されると、制御回路３６が動作し、ＦＥＴ３５がオン、オフ動作する。 - 特許庁

A second comparator 10 generates a signal SIN, based on an S-phase detect signal outputted from the converting element.例文帳に追加

第２の比較器１０が、振動検出用の電気−機械エネルギー変換素子から出力されたＳ相検出信号を基に信号ＳＩＮを生成する。 - 特許庁

MOSFETs Q2, Q3 are nonconductive in a standby state and a MOSFET Q1 is also nonconductive in the absence of an input signal Sin.例文帳に追加

スタンバイ時ＭＯＳＦＥＴＱ２、Ｑ３はオフであり、入力信号Ｓｉｎが無いときＭＯＳＦＥＴＱ１もオフしている。 - 特許庁

Further, an SiN film 7 is provided which insulates the gate electrode 11g and AlN layer 5 in the opening 22.例文帳に追加

更に、開口部２２内においてゲート電極１１ｇとＡｌＮ層５とを絶縁するＳｉＮ膜７が設けられている。 - 特許庁

Further, a second dielectric SiN film is deposited, an upper conduction film 23 is deposited and formed thereon after forming.例文帳に追加

更にその上に第２誘電体ＳｉＮ膜を堆積、成形し、その上に上導電体膜２３を堆積成形する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which can form an embedded SiN film by applying a bias power, and to provide a plasma processing system.例文帳に追加

バイアスパワー印加によるＳｉＮ膜の埋め込み成膜が可能なプラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

An interpolator 100 receives a sin signal and a cos signal from a center 22, and outputs velocity V and a position P to a control part 31.例文帳に追加

インターポレータ１００は、センサ２２からのｓｉｎ信号及びｃｏｓ信号を入力されて、速度Ｖ及び位置Ｐを制御部３１に出力する。 - 特許庁

An SiN films 6 is formed between the silicon oxide films 4 and side surfaces of the low-resistance layers 5b above the P^-type impurity region 2b.例文帳に追加

また、Ｐ^-型不純物領域２ｂの上方におけるシリコン酸化膜４と低抵抗層５ｂの側面との間には、ＳｉＮ膜６が形成されている。 - 特許庁

A voice identification part 40 identifies sequentially each unit section T of an acoustic signal SIN, as the voice and the nonvoice sound.例文帳に追加

音声識別部４０は、音響信号ＳINの各単位区間Ｔを音声と非音声とに順次に識別する。 - 特許庁

For the bodies of those animals, whose blood is brought into the holy place by the high priest as an offering for sin, are burned outside of the camp. 例文帳に追加

なぜなら，動物の血は罪のためのささげ物として大祭司によって聖なる場所に持って行かれますが，その体は宿営の外で焼かれるからです。 - 電網聖書『ヘブライ人への手紙 13:11』

On the entire surface of the TMR element 5 as well as on the upper surface of the TMR lower electrode 28, an interlayer insulating film 30 formed of LT-SiN is formed, with an interlayer insulating film 32 of LT-SiN formed to cover the entire surface including the side surface of the TMR lower electrode 28.例文帳に追加

ＴＭＲ素子５の全面及びＴＭＲ下部電極２８の上面上にＬＴ−ＳｉＮより形成される層間絶縁膜３０が形成され、ＴＭＲ下部電極２８の側面を含む全面を覆ってＬＴ−ＳｉＮよりなる層間絶縁膜３２が形成される。 - 特許庁