「Sin an」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A laminated layer formed of an SiN film 21 and an SiO_2 film 22 is formed below the field plate 5.例文帳に追加

フィールドプレート部５の下に、ＳｉＮ膜２１およびＳｉＯ_2膜２２からなる積層膜を形成する。 - 特許庁

The signal processing unit 5 process an input signal Sin to obtain an analog output signal Sout.例文帳に追加

信号処理部５は、アナログ出力信号Ｓｏｕｔを得るために、入力信号Ｓｉｎを処理する。 - 特許庁

A pad oxide film 2 and an SiN film 3 are sequentially formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にパッド酸化膜２、ＳｉＮ膜３を順次形成する。 - 特許庁

An SiN film 29 (a second insulating protective film) overhangs the T-type gate electrode 25 in the form of an umbrella.例文帳に追加

Ｔ型ゲート電極２５上からＳｉＮ膜２９（第２の絶縁保護膜）が傘状に張り出している。 - 特許庁

An SiO2 film 12 and an SiN film 14 are formed over an Si substrate 10 in this order, and the SiN film 14 is worked into a pad SiN film 14a by etching with a fist resist pattern 16, formed thereon as a mask, and then the first resist pattern 16 is cured through UV curing.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０上にＳｉＯ_2 膜１２及びＳｉＮ膜１４を形成し、このＳｉＮ膜１４をその上に形成した第１のレジストパターン１６をマスクとするエッチングによりパッドＳｉＮ膜１４ａに加工した後、ＵＶキュアにより第１のレジストパターン１６を硬化させる。 - 特許庁

Chujo Hime had been continuously abused by this stepmother and nearly killed because of an innocent sin at last. 例文帳に追加

中将姫はこの継母から執拗ないじめを受け、ついには無実の罪で殺されかける。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An upper electrode 23 for the MIM capacitor is formed on the lower electrode 17 through the SiN film 20.例文帳に追加

ＳｉＮ膜２０を介して下部電極１７上にＭＩＭキャパシタの上部電極２３を形成する。 - 特許庁

With H3PO4 as the etchant, the SiN film is etched to form an opening 7.例文帳に追加

Ｈ_3ＰＯ_4をエッチング液としてＳｉＮ膜をエッチングし、開口７を形成する。 - 特許庁

A SiN film 50 is formed as an antireflection film of the substrate surface on the back face of the GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板の裏面には、ＳｉＮ膜５０が基板面の反射防止膜として設けられている。 - 特許庁

Silicon nitride film (ALD-SiN film 3) is formed on the substrate 1 by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

基板１上に、原子層蒸着法によって窒化シリコン膜（ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３）を成膜する。 - 特許庁

Subsequently, an SiN film 4 is formed on the SiON film 3 by a CVD method, etc.例文帳に追加

次いで、ＣＶＤ法等により、ＳｉＮ膜４をＳｉＯＮ膜３上に形成する。 - 特許庁

The SiN film 21 is formed to cover the surface of an AlGaN electron supply layer 13.例文帳に追加

ＳｉＮ膜２１はＡｌＧａＮ電子供給層１３の表面を覆うように形成する。 - 特許庁

An inverter cooling water outlet temperature sensor 24 and a VVVF 20 are connected by a signal wire SIN.例文帳に追加

ＶＶＶＦ２０とインバータ冷却水出口温度センサ２４とを信号線ＳＩＮで接続する。 - 特許庁

Next, an etching resistance protection film (Al film) 103 is formed on the surface of the SiN film 102.例文帳に追加

次に、ＳｉＮ膜102の表面に耐エッチング保護膜(Ａｌ膜)103を形成する。 - 特許庁

Furthermore, an SiN film 109 is formed at a location adjacent to a first gate electrode side wall 104.例文帳に追加

さらに第１のゲート電極側壁１０４に隣接して、ＳｉＮ膜１０９を形成する。 - 特許庁

Alternatively, an Si-rich SiN-based protective film is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

あるいは、Ｓｉ基板１上にＳｉリッチなＳｉＮ系保護膜を形成する。 - 特許庁

A laminated structure with the amorphous carbon nitrite film and an inorganic film such as SiN film may be provided.例文帳に追加

またアモルファス窒化炭素膜とＳｉＮ膜等の無機膜との積層構造としてもよい。 - 特許庁

All the displacement sections 5, 6, 9, and 10 are made of a double film of a lower SiN film and an upper Al film.例文帳に追加

変位部５，６，９，１０は全て、下側のＳｉＮ膜と上側のＡｌ膜との２重膜からなる。 - 特許庁

An SiN film (a first material layer) 102 is formed on a surface of each of the element substrate 1 and PSG film 101.例文帳に追加

そして、素子基板1およびＰＳＧ膜101の表面にＳｉＮ膜（第１の材料層）102を形成する。 - 特許庁

An opening is provided in the SiN film 3, and a trench 5 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

ＳｉＮ膜３に開口を形成し、Ｓｉ基板１にトレンチ５を形成する。 - 特許庁

The SiN film 21 is formed in such a way that it covers an AlGaN electron supply layer 13.例文帳に追加

ＳｉＮ膜２１はＡｌＧａＮ電子供給層１３の表面はを覆うように形成する。 - 特許庁

To provide a method of making hydrophilic a surface of an SiN layer film-formed on a substrate.例文帳に追加

基材上に成膜されたＳｉＮ層の表面を親水化する方法を提供する。 - 特許庁

An LP (low pressure CVD)-SiN film is formed at a film thickness of tens nm for a contact etching stopper.例文帳に追加

コンタクトエッチングのストッパ用にＬＰ−ＳｉＮ膜を数十ｎｍの膜厚で形成する。 - 特許庁

Next, a re-oxidation process is performed to grow an oxide layer on the surface of the SiN layer.例文帳に追加

次いで、再酸化工程が実施され、ＳｉＮ層の表面上に酸化層が成長される。 - 特許庁

A CPU 50 turns on all switch matrixes 54 to output an SIN wave.例文帳に追加

ＣＰＵ５０は、スイッチマトリックス５４を全部ＯＮにしてからＳＩＮ波を出力する。 - 特許庁

Each deposition layer 6a is an SiN layer and its deposition time is 12 sec.例文帳に追加

堆積層６ａはそれぞれ何れもＳｉＮから成る層で、堆積時間は１２秒とした。 - 特許庁

An inversion selecting circuit 11 selects the inversion or non-inversion of the signal SIN.例文帳に追加

反転選択回路１１が信号ＳＩＮに対して反転または非反転を行う。 - 特許庁

To provide a means to improve surface flatness after film formation of an SiN film by a PCVD method.例文帳に追加

ＰＣＶＤ法によるＳｉＮ膜の成膜後の表面平坦性を向上させる手段を提供する。 - 特許庁

Then, an SiN film is formed as a cover film 22 on the reflector 21.例文帳に追加

その後、反射電極２１の上にカバー膜２２としてＳｉＮ膜を形成する。 - 特許庁

Moreover, the second p-type AlGaN layer 607 covers a part of an SiN film 606.例文帳に追加

また、第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７はＳｉＮ膜６０６の一部を覆う。 - 特許庁

Based on the EF voltage and the rotation angle θ, the microcomputer 21 determines an SIN signal and a COS signal.例文帳に追加

これと回転角θによりマイコン２１は，ＳＩＮ信号およびＣＯＳ信号を決定する。 - 特許庁

It is preferable to form an SiN:H protection layer 3 on the thin film compound semiconductor layer 2 to protect the thin film.例文帳に追加

この上に、ＳｉＮ：Ｈからなる保護層３を設けることが薄膜を保護するために好ましい。 - 特許庁

but whoever may blaspheme against the Holy Spirit never has forgiveness, but is guilty of an eternal sin” 例文帳に追加

だが，だれでも聖霊に対して冒とくする者は決して許しを得ず，永遠の罪の責めを負う」。 - 電網聖書『マルコによる福音書 3:29』

Thereafter, an SiN film 27 is formed in order to prevent generation of copper hillock, acquire the SiN film 27 in the uniform thickness, prevent break of the SiN film 27 in the process, and suppress the physical and chemical damage for the first wiring 25 to the minimum degree.例文帳に追加

その後、ＳｉＮ膜２７を形成することにより、銅ヒロックの発生を防ぎ、ＳｉＮ膜２７の均一な膜厚を確保し、工程中のＳｉＮ膜２７破れを防ぎ、第１配線２５に対する物理的化学的ダメージを最低限に抑制する。 - 特許庁

A SiN film 64 being a silicide block is formed on a semiconductor substrate 60 formed with the gate electrode 62 and an LDD layer 63 and an opening leading to the gate electrode 62 is formed to the SiN film 64.例文帳に追加

ゲート電極６２及びＬＤＤ層６３が形成された半導体基板６０の上にシリサイドブロックとなるＳｉＮ膜６４を形成し、このＳｉＮ膜６４にゲート電極６２に通じる開口部を設ける。 - 特許庁

An RF filter 1a extracts high frequency signals of a plurality of channels included in a reception wave Sin, and a signal Scp level-adjusted by a variable filter circuit 1b is supplied to an RF amplifier 4.例文帳に追加

受信波Sinに含まれる複数チャンネルの高周波信号をＲＦフィルタ1aで抽出し、可変フィルタ回路1bでレベル調整した信号ScpをＲＦアンプ４へ供給する。 - 特許庁

A SiN film 129 is formed so as to be in contact with the top of an element-forming surface of a silicon substrate 101, and the SiN film is selectively removed to form an opening 115.例文帳に追加

シリコン基板１０１の素子形成面の上部に接してＳｉＮ膜１２９を形成し、ＳｉＮ膜１２９を選択的に除去して開口部１１５を形成する。 - 特許庁

To create an SiO_2 film and/or an SiN film satisfying diffusion control properties and passivation properties in a deposition method that creates the SiO_2 film and/or the SiN film patterned on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にパターニングされたＳｉＯ_2膜および／もしくはＳｉN膜を生成する製膜方法において、拡散制御性能、またはパッシベーション性能を満たすＳｉＯ_2膜および／もしくはＳｉN膜を生成する。 - 特許庁

The back-channel-etch type TFT 108 includes a gate electrode 11, an SiN film 12 that is formed on the gate electrode 11, and an SiO film 13 that is formed and patterned on the SiN film 12.例文帳に追加

本発明にかかるバックチャネルエッチ型のＴＦＴ１０８は、ゲート電極１１と、ゲート電極１１上に形成されたＳｉＮ膜１２と、ＳｉＮ膜１２上にパターニング形成されたＳｉＯ膜１３とを有する。 - 特許庁

By switching an input terminal to which an input AC signal Sin is input among a plurality of terminals in3, in5 and in7, the input paths of the input AC signal Sin to blocks in a conductor part 111 are switched.例文帳に追加

入力交流信号Ｓinが入力される入力端子を、複数の端子in３，in５，in７間で切り換えることにより、導体部１１１におけるブロックに対する入力交流信号Ｓinの入力経路を切り換える。 - 特許庁

A low-pass filter circuit 11 has a first input terminal to which a sensor signal (SIN) is supplied, a second input terminal, and an output terminal for outputting an output signal (SOUTP).例文帳に追加

ローパスフィルタ回路１１は、センサ信号(SIN)が供給される第１の入力端子と、第２の入力端子と、出力信号(SOUTP)を出力するための出力端子とを有する。 - 特許庁

The sin(mθ+ψ) calculated by a sine operation part 55 is multiplied by a predetermined gain G by an amplitude adjustment part 57, and an angular velocity ω of the detection target by a multiplier 59.例文帳に追加

正弦演算部５５が算出したsin（mθ＋ψ）に振幅調整部５７が所定のゲインGを、乗算器５９が検出対象の角速度ωを乗じる。 - 特許庁

To provide a power device the manufacturing yield of which can be improved by preventing the occurrence of short-circuiting failure in an element caused by the cracks in an SiN film formed on the outer periphery of a chip area by making the SiN film hardly develop cracks.例文帳に追加

チップ領域外周部上のＳｉＮ膜にクラックが発生し難くなり、ＳｉＮ膜のクラックに起因する素子の短絡不良の発生を防止し、製造上の歩留りを向上させ得るパワーデバイスを提供する。 - 特許庁

A first logic unit 20 generates a first control signal S1 that is in accordance with an input signal Sin or having an L level in response to the input signal Sin and the first detection signal DZ.例文帳に追加

第１論理部２０は、入力信号Ｓｉｎと第１検知信号ＤＺとに基づいて、入力信号Ｓｉｎに応じた第１の制御信号Ｓ１、又はＬレベルの第１の制御信号Ｓ１を出力する。 - 特許庁

Concretely, the gain function generating section uses cos(x) as an even function and employs sin(x) as an odd function, and generates the gain function gc(x) on the basis of the normalized a, b, a+b, and a-b received from the deviation calculation section 23.例文帳に追加

具体的には、偶関数にはCOS(x)を、奇関数にはsin(x)を用い、偏差算出部２３から入力される正規化されたａ，ｂ，ａ＋ｂおよびａ−ｂに基づいて次式のようにゲイン関数gc(x)を生成する。 - 特許庁