「Sin an」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, the semiconductor device includes: an HDP oxide film 22 formed on the upper surface of the plasma SiON film 21; and a plasma SiN film 25 formed covering the HDP oxide film 22.例文帳に追加

さらに、複数の配線を覆うように、プラズマＳｉＯＮ膜２１の上面に形成されたＨＤＰ酸化膜２２と、ＨＤＰ酸化膜２２を覆うように形成されたプラズマＳｉＮ膜２５とを備えている。 - 特許庁

In a vibration part 11 for performing resonance vibration by longitudinal wave vibration according to the frequency of an input AC signal Sin, not less than three insulation films 112 are provided.例文帳に追加

入力交流信号Ｓinの周波数に応じて縦波振動による共振振動を行う振動部１１内において、絶縁膜１１２を３つ以上設ける。 - 特許庁

The barrier film is made from silicon nitride (SiN_x) having a ratio [N/(Si+N)] indicating an atomic ratio relation between nitrogen N and silicon Si in the range of 0.60 to 0.65, by using a surface wave plasma chemical vapor deposition (CVD) device.例文帳に追加

表面波プラズマＣＶＤ装置を用いて、窒素Ｎと珪素Ｓｉの原子比率を表す比率Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ）が０．６０から０．６５の間である窒化珪素（ＳｉＮ_ｘ）からなるバリヤ膜を形成する。 - 特許庁

To obtain a film-forming composition and an insulating film-forming material useful as interlayer insulating film materials for semiconductor elements, etc., each of which yields a coated film showing excellent mechanical properties, crack resistance and adhesion to SiN and shows a low relative dielectric constant.例文帳に追加

、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の機械的特性やクラック耐性やＳｉＮとの密着性に優れ、かつ低い比誘電率を示す膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料を得る。 - 特許庁

Here, |Δfb×sin(Θmax)|max≤80.8, where Δfb is the maximum distance by which the primariy image point shift in focusing and Θmax is the maximum value of the angle of a circumferential light beam, traveling from the center of the object to the center of an image plane, to a base ray.例文帳に追加

｜Δｆb×ｓｉｎ（Θ_max）｜_max≦０．８ 但し、 Δｆb：フォーカシング中に１次像点が変化する最大の距離 Θ_max：物体中心から像面中心へ向かう周辺の光線の、ベースレイに対する角度の最大値 である。 - 特許庁

A through-hole 8AK of a BPTEOS layer 8A is smaller than a through-hole 4AK of a SiN layer 4A and therefore an end part near the through-hole 8AK or peripheral part 8AT forms a hood structure for the through-hole 4AK.例文帳に追加

ＢＰＴＥＯＳ層８Ａの貫通孔８ＡＫはＳｉＮ層４Ａの貫通孔４ＡＫよりも小さく、貫通孔８ＡＫ付近の端部ないしは周縁部８ＡＴは貫通孔８ＡＫに対してひさし構造を成している。 - 特許庁

A TiN film 4, a W film 3, and a SiN film 2, which has different etching characteristic from that of an interlayer insulating film 9 covering the W film 3 to which patterning has been performed, are sequentially deposited on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ上にＴｉＮ膜４、Ｗ膜３、および、パターニングされた後のＷ膜３を覆う層間絶縁膜９のエッチング特性と異なるエッチング特性を有するＳｉＮ膜２を順次積層する。 - 特許庁

A clocking start signal SIN is inputted to a path switching means 2, controlled by an external/refresh operation-operation start request signal REQ (O)/(I), and connected to first or second clocking section 3, 4.例文帳に追加

計時開始信号ＳＩＮが経路切り換え手段２に入力され、外部アクセス／リフレッシュ動作開始要求信号ＲＥＱ（Ｏ）／（Ｉ）により制御されて第１又は第２計時部３、４に接続される。 - 特許庁

The first insulation film 4a is formed of SiN_x or the like having a high insulation property, while the second insulation film 4b is formed of an oxide (for example, SiO_2).例文帳に追加

この構造により、第２絶縁膜４ｂと界面を形成する半導体層５の結晶性の向上と、半導体層と第２絶縁膜との界面の欠陥準位の低減とを図ることができる。 - 特許庁

A non-SiN-based insulating film, such as a P-SiO film having N-H groups on its surface generated by an HMDS process may be uses as the CU anti-diffusion layer and/or etching stopper layer.例文帳に追加

ＨＭＤＳ処理などにより表面にＮ−Ｈ基を生成したＰ−ＳｉＯ膜などの非ＳｉＮ系絶縁膜をＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として用いてもよい。 - 特許庁

In a second state, the low noise amplifier 12 sets the frequency band learned in the first state and receives and amplifiers an input signal SIN selected and outputted by the selection part 31.例文帳に追加

そして第２の状態において、低雑音増幅器１２は、第１の状態において学習された周波数帯域が設定され、選択部３１によって選択出力された入力信号ＳＩＮを受けて増幅を行う。 - 特許庁

Then, a switch circuit 46 connected to the second MOS transistor Q12 is on/off controlled based on an input signal Sin so that the output currents Iout can be on/off controlled.例文帳に追加

そして、入力信号Ｓinに基づいて第２のＭＯＳトランジスタＱ１２に接続したスイッチ回路４６をオン・オフ制御して出力電流Ｉout をオン・オフ制御する。 - 特許庁

To provide a Cu alloy film for a display apparatus which is excellent in adhesiveness to an insulating film (for example, SiN film) while maintaining low electric resistivity that is a characteristic of Cu based material.例文帳に追加

Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗率を維持しつつ、絶縁膜（例えばＳｉＮ膜）との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method for improving the water resistance of cosmetic formulations by adding an effective amount of 1,2-pentanediol for improving the water resistance into the formulations on cosmetic formulations or formulations for sin care, particularly the formulations for protecting from ultraviolet rays.例文帳に追加

化粧品配合物またはスキンケア用配合物に関し、特に紫外線保護用配合物に関し、耐水性改善有効量の１，２−ペンタンジオールを配合物に加え、配合物の耐水性を改善するための方法の提供。 - 特許庁

In the signal processing circuit section 200, various kinds of transistors, wiring 8 and 10, etc., are arranged and an SiN film 11 is formed on the whole surface of the section 200 as a protective film.例文帳に追加

信号処理回路部２００には、各種トランジスタや配線８、１０などが配置されて、その上に保護膜としてＳｉＮ膜１１が全面に形成されている。 - 特許庁

After an embedded oxide film 8 is formed by embedding into the groove 6 and the opening 3a through high density plasma chemical vapor deposition(CVD), the embedded oxide film 8 on the SiN film 3 is removed and flattening is performed by chemical-mechanical polishing(CMP).例文帳に追加

高密度プラズマＣＶＤ法により、溝６および開口３ａの内部に埋め込むようにして、埋め込み酸化膜８を形成した後、ＳｉＮ膜３上の埋め込み酸化膜８を除去し、ＣＭＰ法により平坦化を行う。 - 特許庁

A switching control part 36 generates the control signals DA and DB for selecting a pair of first and second differential amplifiers 32 and 33 or a pair of third and fourth differential amplifiers 34 and 35 based on an input signal Sin.例文帳に追加

切替制御部３６は、入力信号Ｓｉｎに基づいて第１及び第２差動増幅器３２，３３の対と第３及び第４差動増幅器３４，３５の対のいずれかの対を選択するための制御信号ＤＡ，ＤＢを生成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film-forming composition which excels in coating uniformity of a solution and surface hardness of a coating film and adhesion to SiN and, at the same time, exhibits a low relative permittivity, and to obtain an insulating film-forming material.例文帳に追加

溶液の塗布均一性や塗膜の表面硬度やＳｉＮとの密着性に優れ、かつ低い比誘電率を示す膜形成用組成物の製造方法、および絶縁膜形成用材料を得る。 - 特許庁

To provide an organic EL element having a passivation film having water vapor barrier properties and transparency higher than those of silicon nitride (SiN_x) single-layer film or usual silicon oxide nitride (SiO_xN_y) film, and to provide a color filter.例文帳に追加

窒化珪素（ＳｉＮｘ）の単層膜や通常の窒化酸化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）膜より高い水蒸気バリア性と透明性を有するパッシベーション膜を有する有機ＥＬ素子及びカラーフィルターを提供する。 - 特許庁

A signal conversion circuit 110 receives an input signal Sin constituted of a high level (VDDCORE) and a low level (GND), converts the signal into a signal Sout constituted of a high level (VDDIO) and a low level (GND) and outputs it.例文帳に追加

信号変換回路１１０は、ハイレベル（ＶＤＤＣＯＲＥ）およびローレベル（ＧＮＤ）からなる信号Ｓｉｎを入力し、ハイレベル（ＶＤＤＩＯ）およびローレベル（ＧＮＤ）からなる信号Ｓｏｕｔに変換して出力する。 - 特許庁

The SiN film 2 at the switch TFT, the photo sensor, and the wiring cross not shown in the Fig., the a-Si film 25, and the n+ film 26 are formed in a shape like an island.例文帳に追加

スイッチＴＦＴ部、光センサー部及び図示しない配線クロス部のＳｉＮ膜２４、ａ−Ｓｉ膜２５及びｎ＋膜２６を島状に形成する。 - 特許庁

An I phase signal and a Q phase signal are obtained by multiplying a cosine wave and a sine wave which are orthogonal to each other with a received signal that is QPSK-modulated.例文帳に追加

ＱＰＳＫ変調された受信信号に互いに直交するcos 波およびsin波を乗積することによりＩフェーズ信号およびＱフェース信号が得られる。 - 特許庁

This solid state imaging device includes a plurality of photodetectors 22 formed on an Si substrate 20, and microlenses 26 respectively made of a plurality of SiN films each for condensing a light in the photodetectors 22.例文帳に追加

この固体撮像装置は、Ｓｉ基板２０に形成された複数の受光部２２と、受光部２２に光を集光するための複数のＳｉＮ膜からなるマイクロレンズ２６とを備えている。 - 特許庁

The class D amplifier 1 includes: a differential signal output section 2 for outputting a differential signal from an audio signal received from a Sin; and charge balancing class D amplifiers 3N, 3P of P and N sides for outputting differential signals.例文帳に追加

Ｄ級アンプ１は、Ｓｉｎより入力される音声信号から差動信号を出力する差動信号出力部２と、差動信号が出力されるＰ側、Ｎ側の各電荷平衡型Ｄ級アンプ３Ｎ、３Ｐとを有する。 - 特許庁

The condensing element 2 comprises two kinds of gradient index lenses (concave type and convex type), and a concentric circular SiN (N=2) film having a two-stage structure is buried in an SiO_2 (N=1.45) film.例文帳に追加

集光素子は２種類の分布屈折率レンズ（Ｏ型、凸型）によって構成されており、２段構造を有する同心円形状であるＳiＮ(Ｎ＝２)膜が、Ｓi Ｏ_2（Ｎ＝１．４５）膜中に埋め込まれている。 - 特許庁

A PSG film 9, an SiN film 11, and a photosensitive polyimide layer 15 on the lower-layer conductive film 7 has through-holes 17 formed corresponding to one end side and the other end side of the lower-layer conductive films 7.例文帳に追加

下層導電性膜７上のＰＳＧ膜９、ＳｉＮ膜１１及び感光性ポリイミド層１５に、下層導電性膜７の一端側及び他端側にそれぞれ対応してスルーホール１７が形成されている。 - 特許庁

In a power feeder TM, an electric power signal Sp for electric power transmission is modulated as a carrier wave, by using a data signal Sin, and supplied to a power receiver RV.例文帳に追加

給電装置ＴＭにおいて、電力伝送用の電力信号Ｓpを搬送波とし、これをデータ信号Ｓinを用いて変調して受電装置ＲＶに供給する。 - 特許庁

After a resist pattern is formed on a sacrificial oxide film 35 of a first insulating film, openings 36 and 37 for forming storage nodes are formed through the oxide film 35 and an SiN film 34.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＰＤＡＳ膜４とＷＳｉ_2 膜５とを形成し、パターンニングしてゲート電極６とワード線７〜１０とを形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method to suppress etching of a base silicon oxide film in a peeling-off/removal step for hard mask of P-SiN after forming an Al-alloy wiring.例文帳に追加

Ａｌ合金の配線形成後のＰ−ＳｉＮのハードマスクの剥離、除去工程において下地シリコン酸化膜のエッチングを抑制する製造方法を提供する。 - 特許庁

A calculation part 14 calculates the rotation angle ϕ, before the compensation of an object to be measured, including total error signal Δϕ from SIN signal and COS signal output from a sensor means 1 and a signal converter 12.例文帳に追加

演算部１４は、センサ手段１及び信号変換部１２から出力されるＳＩＮ信号とＣＯＳ信号とから総誤差信号Δφを含む被測定物の補正前の回転角度φを算出する。 - 特許庁

A sampling value is individually approximated by a least square with a first reference signal sinωt in an SIN phase amplitude arithmetic part 36 and then with a second reference signal cosωt in a COS phase amplitude arithmetic part 38.例文帳に追加

サンプリング値はＳＩＮ相振幅演算部３６によって第１基準信号sinωｔで、またＣＯＳ相振幅演算部３８により第２基準信号cosωｔでそれぞれで最小二乗近似される。 - 特許庁

The region of the n-side electrode 16 on a side of p-side electrode 15 and the upper surface and the side surface of the resonator forming part other than the p-side electrode 15 are covered with an insulating film 17 made of SiN, respectively.例文帳に追加

ｎ側電極１６のｐ側電極１５側の領域、並びにｐ側電極１５を除く共振器形成部の上面及び側面は、それぞれＳｉＮからなる絶縁膜１７に覆われている。 - 特許庁

Since negative fixed charges are introduced into an SiN film by simply controlling the flow rate ratio of SiH_4 gas and NH_3 gas appropriately during film deposition, a troublesome step is not required additionally.例文帳に追加

ＳｉＮ膜中に負の固定電荷を導入するには、成膜時のＳｉＨ_4ガスとＮＨ_3ガスとの流量比を適切に制御するだけでよいので特に面倒な工程の追加を要しない。 - 特許庁

Two Hall elements are arranged forming an angle of 90° in the direction of rotation of the detection object, and outputs output signals V1, V2 having a sin-cos relation, according to magnetic field changing by the rotation of the detection object.例文帳に追加

２つのホール素子は、検出対象の回転方向に９０°の角度を形成して配置され、検出対象の回転により変化する磁界に応じてｓｉｎとｃｏｓの関係を有する出力信号Ｖ１、Ｖ２を出力する。 - 特許庁

To provide an image processing method capable of automatically detecting a skin color region in a digital color image and of producing a clear sin color image even if blond hair is present.例文帳に追加

ディジタルカラー画像中の肌色領域を自動的に検出し、金髪が存在する場合にもきれいな肌色画像を生成する画像処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A complex sinusoidal wave SIN is generated based on the detected frequency offset OFF, and the frequency of an input signal IN is converted, thus correcting the offset of the reception signal R.例文帳に追加

検出された周波数オフセットＯＦＦに基づいて複素正弦波ＳＩＮを生成し、入力信号ＩＮを周波数変換すれば、受信信号Ｒのオフセットが補正できる。 - 特許庁

Relating to a one-way clutch 13, the answer of vertical drag A=F/2×sin α is 9-14 N, where F is spring force of an elastic body 19 and 2 α is wedge angle.例文帳に追加

一方向クラッチ１３において、Ｆを弾性体１９のばね力、２αをくさび角とした場合、垂直抗力Ａ＝Ｆ／２×ｓｉｎαが９〜１４Ｎである。 - 特許庁

SiN and SiO2 films 2 and 3 are deposited through CVD method on an HEMT substrate 1, where a channel layer or the like is grown successively and epitaxially on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にチャネル層等を順次エピタキシャル成長したＨＥＭＴ基板１にＣＶＤ法によりＳｉＮ膜２及びＳｉＯ_2膜３を堆積する。 - 特許庁

A method of manufacturing a magnetic memory device has a process for forming the magnetoresistive element 12 used as a memory cell, and a process for forming an SiN protection insulating film 39 for covering the magnetoresistive element 12.例文帳に追加

本発明による磁気メモリ装置の製造方法は、メモリセルとして使用される磁気抵抗素子１２を形成する工程と、磁気抵抗素子１２を被覆するＳｉＮ保護絶縁膜３９を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

A controller circuit 14 having detected supply of power sets an input signal Sin into a state of muting using a volume control circuit 15, and gradually releases the state of muting after a prescribed period passes.例文帳に追加

電源が投入されたことを検出したコントローラ回路１４は、ボリュームコントロール回路１５を用いて入力信号Ｓｉｎをミュート状態に設定し、所定期間が経過した後に、ミュート状態を徐々に解除する。 - 特許庁

To realize a substrate for an X-ray optical element which has stiffness that is higher than those of the conventional SiN substrates and is superior in X-ray transmissivity and the resistance to X-ray irradiation.例文帳に追加

従来のＳｉＮ基板よりも剛性が高く、Ｘ線透過率およびＸ線照射耐性に優れた、Ｘ線光学素子用の基板を実現する。 - 特許庁

A receiver 70 is provided with an amplifier circuit 1, an input signal amplitude limiter circuit 2, a switch 3, a switch 4, a power source 5, a signal processor 6, an input terminal Pad1, and an output terminal Pad2, wherein a desired wave signal and an interference signal wave are input as an input signal Sin.例文帳に追加

受信装置７０には、増幅回路１、入力信号振幅制限回路２、スイッチ３、スイッチ４、電源５、信号処理部６、入力端子Ｐａｄ１、及び出力端子Ｐａｄ２が設けられ、所望波信号と妨害波信号が入力信号Ｓｉｎとして入力される。 - 特許庁

An electrode substrate 2 comprises a recess forming film 12 where an SiN film 13, an SiO2 film 14, an SiON film 15 and a phosphorus doped P-Si film 16 are deposited sequentially on a basic material 11 from the low etching rate side and a recess 17 having an inclining face 17a is made therein.例文帳に追加

電極基板２は、基材１１上にエッチレイトの低い側からＳｉＮ膜１３、ＳｉＯ_2膜１４、ＳｉＯＮ膜１５及びリンドープＰ−Ｓｉ膜１６を順次積層した凹部形成膜１２を設けて、傾斜面１７ａを有する凹部１７を形成した。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which makes a surface of a latent image carrier scanned in a reciprocating manner via a scanning optical system with arc-sin characteristics by an optical beam deflected by a vibrating deflection mirror, and which prevents such a harmful effect on an image that the density of toner formed at an end is higher than that of toner formed in a central part.例文帳に追加

振動する偏向ミラーにより偏向された光ビームをａｒｃ−ｓｉｎ特性を有する走査光学系を介して潜像担持体表面に往復走査する画像形成装置において、中央部より端部において形成されるトナー濃度が濃くなるという画像弊害を防止する。 - 特許庁

An SiN film 24 as a gate insulating layer of the switch TFT, an a-Si film 25 as a photoelectric conversion sensor and as a semiconductor layer of the switch TFT, and an n+ film 26 as a carrier implantation barrier layer of the photo sensor and as an ohmic contact layer of the switch TFT, are sequentially formed.例文帳に追加

スイッチＴＦＴのゲート絶縁層としてＳｉＮ膜２４、光センサーの光電変換層及びスイッチＴＦＴの半導体層としてａ−Ｓｉ膜２５、光センサーのキャリア注入阻止層及びスイッチＴＦＴのオーミックコンタクト層としてｎ＋膜２６を連続成膜する。 - 特許庁