「Sin an」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In the grain oriented silicon steel sheet, oriented the average value of D sin β is ≤0.2 mm, with respect to the submergence angle β of an axis of easy magnetization forming the smallest angle with the surface of the steel sheet and a grain diameter D (mm).例文帳に追加

方向性電磁鋼板の各結晶粒において、鋼板表面と最も小さい角をなす磁化容易軸の潜り角βと結晶粒径Ｄ（mm）に対して、Ｄ sinβの平均値が０．２mm以下であることを特徴とする高加工性方向性電磁鋼板。 - 特許庁

A fourth insulating film 22 is flattened and provided below a filter 23 of each color, and between the filter 23 and fourth insulating film 22, neither an antireflective SiON film nor a plasma SiN film 25 for passivation and hydrogen sintering is left and provided, as is the conventional case.例文帳に追加

各色のフィルタ２３の直下に第４絶縁膜２２が平坦化されて設けられており、フィルタ２３と第４絶縁膜２２との間に、従来のような反射防止用のＳｉＯＮ膜や、パッシベーションおよび水素シンター用のプラズマＳｉＮ膜２５を残さず設けていない。 - 特許庁

A trapezoidal wave voltage generating circuit 10 outputs the trapezoidal wave voltage based on the ground by charging/discharging operation to a capacitor C1 based on an input signal Sin and a voltage-current converting circuit 20 converts the trapezoidal wave voltage outputted from the circuit 10 to a trapezoidal wave current.例文帳に追加

台形波電圧発生回路１０は、入力信号Ｓｉｎに基づきコンデンサＣ１への充放電作用により、グランドを基準として台形波電圧を出力し、電圧−電流変換回路２０は、台形波電圧発生回路１０から出力された台形波電圧を台形波電流に変換する。 - 特許庁

Meanwhile, when the defect of the track is formed, the SW1 is turned OFF and the SW2 is turned ON, and then such a PWM signal that has a DC level coinciding with the DC level of the servo signal directly before the defect formation is supplied to the driver 20 from a SIN wave generating circuit 18c to drive an objective lens.例文帳に追加

一方、トラック欠陥が生じた場合、ＳＷ１をＯＦＦし、ＳＷ２をＯＮしてそのＤＣレベルが欠陥発生直前のサーボ信号のＤＣレベルに一致するＰＷＭ信号をＳＩＮ波発生回路１８ｃからドライバ２０に供給して対物レンズを駆動する。 - 特許庁

Here, particles 14 and 20, remaining on the surface of a semiconductor base body and an SiN film 12 at the bottom surface part of a polysilicon fragment 18b, are etching-removed from lateral direction, allowing the particles 14 and 20 and polysilicon fragment 18b to be bitten at roots and removed.例文帳に追加

このとき、半導体基体表面に残存するパーティクル１４、２０やポリシリコン片１８ｂの底面部のＳｉＮ膜１２が横方向からエッチング除去され、これらのパーティクル１４、２０やポリシリコン片１８ｂはその足場を掬われるようにして除去される。 - 特許庁

A resin hose 8 includes: a cylindrical inner layer 80 comprised of a polyamide resin; a cylindrical outer layer 82 which is laminated outside of the inner layer 80 in a radial direction and comprised of a polyamide resin; and an intermediate layer 81 which is laminated between the inner layer 80 and the outer layer 82 and comprised of SiN.例文帳に追加

樹脂ホース８は、ポリアミド樹脂からなる円筒状の内層８０と、内層８０の径方向外側に積層されポリアミド樹脂からなる円筒状の外層８２と、内層８０と外層８２との間に積層されＳｉＮからなる中間層８１と、を有する。 - 特許庁

In the case when a silicon-containing layer in a form of SiN_xO_y (0<x≤1.5 and 0≤y≤2) is to be formed in order to obtain a good surface and volume passivations, a single or more catalytic dopants are selectively mixed in accordance with an objective.例文帳に追加

良好な表面及び体積不動態化を得るために、ＳｉＮ_xＯ_y（０＜ｘ≦１．５及び０≦ｙ≦２）の形のシリコン含有層を形成するときに、単数又は複数の触媒作用ドーピング物質を目的に応じて選択的に混入することを提案する。 - 特許庁

A extraction wiring 109 from the wiring for an excitation, the wiring for a sin output, and the wiring for a cos output of a resolver having a plurality of the angle detecting sections is connected to a circuit board 106 that is fixed with a stud bolt 107 to a stator 103.例文帳に追加

この角度検出セクションを複数備えたレゾルバの励磁用の巻線、ｓｉｎ出力用の巻線およびｃｏｓ出力用の巻線からの引き出し配線１０９を、ステータ１０３にスタッドボルト１０７によって固定された回路基板１０６に接続する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a protective film is deposited on the substrate by an aerosol deposition method in which powder containing silicon compound (SiC or SiN) is sprayed to the substrate together with carrier gas such as helium at the spraying particle speed of ≥ 800 m/s from very small nozzles.例文帳に追加

ケイ素化合物（ＳｉＣ又はＳｉＮ）を含む粉末を、例えばヘリウムのようなキャリアガスと共に微小孔ノズルから８００ｍ／ｓ以上の吹きかけ粒子速度で基板に吹きかけるエアロゾルデポジション法によって基板上に保護膜を成膜する。 - 特許庁

Leprosy was mainly considered to be a sickness caused as a punishment for sin in the Medieval Age; as history shifted from the Medieval to Early-Modern Ages, the disease was considered to be hereditary or "in the family."; it is also pointed out in the existing research of history that this disease has been thought of as an infectious disease since the Modern Age.例文帳に追加

「癩」はかつて中世社会では、主として仏罰による病と考えられていたが、やがて近世に至って「家筋」とみなされるようになり、さらに近代以降は伝染病認識も加わっていったことが従来の歴史研究の中で指摘されている。 - 厚生労働省

When an RS flip-flop FF1 is in a set state, an output signal S0 of an AND gate AND 1 rises in response to a leading edge of an input signal Sin, a logic circuit LC is operated accordingly, an output signal Sout goes to a high level after the lapse of a prescribed time top, and then the RS flip-flop FF1 is reset.例文帳に追加

RSフリップフロップFF１がセット状態にあるとき入力信号Ｓ_inの立ち上がりエッジに応じて ANDゲートAND1の出力信号Ｓ_O が立ち上がり、これに応じて論理回路ＬＣが動作し、所定の時間ｔ_opが経過したあと、出力信号Ｓ_outがハイレベルになり、よってRSフリップフロップFF１がリセットされる。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device in the present invention comprises the steps of: forming an Si layer 20 on an upper surface of a nitride semiconductor layer 11 including a channel layer of an FET; performing heat treatment during or after the step of forming the Si layer 20; and forming an SiN layer 22 on an upper surface of the Si layer after the step of forming the Si layer 20.例文帳に追加

本発明は、ＦＥＴのチャネル層を含む窒化物半導体層１１の上面にＳｉ層２０を形成する工程と、Ｓｉ層２０を形成する工程において、又はＳｉ層２０を形成する工程の後に、熱処理を行う工程と、Ｓｉ層２０を形成する工程の後にＳｉ層の上面にＳｉＮ層２２を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

An AD converter 2 AD-converts a second source voltage Vb in response to the assertion of an AD conversion control signal Sc and, when an AD converted value reaches a set value, asserts a coincidence signal Se and AD-converts an input signal Sin in normal operation mode in response to negation of the AD conversion control signal Sc.例文帳に追加

ＡＤコンバータ２は、ＡＤ変換制御信号Ｓｃのアサートにより第２の電源電圧ＶｂのＡＤ変換を行い、ＡＤ変換値が設定値に達したときに一致信号Ｓｅをアサートする一方、ＡＤ変換制御信号Ｓｃのネゲートにより通常動作モードで入力信号ＳinのＡＤ変換を行う。 - 特許庁

The semiconductor device includes a fluorine added carbon film 20 formed on a substrate 1; the hard mask layer formed on the fluorine added carbon film 20 and containing an SiCO film 23 and an SiO_2 film 24; and a barrier layer formed by laminating an SiN film 21 and an SiCN film 22, in this order, starting from beneath between the fluorine added carbon film 20 and the hard mask layer.例文帳に追加

基板１上に形成されたフッ素添加カーボン膜２０と、このフッ素添加カーボン膜２０の上に形成され、ＳｉＣＯ膜２３とＳｉＯ_２膜２４とを含むハードマスク層と、前記フッ素添加カーボン膜２０とハードマスク層との間に、ＳｉＮ膜２１とＳｉＣＮ膜２２とを下からこの順序で積層して形成されたバリア層と、を備える。 - 特許庁

The variable phase shift circuit is provided with: an input A for inputting an input signal Sin having a designated oscillation frequency; an output B for supplying an output signal Sout having the same oscillation frequency as the input signal and having a variable phase shift to the input signal; and at least one control input C.例文帳に追加

可変位相シフト回路は、指定された発振周波数を有する入力信号Ｓｉｎを入力する入力Ａと、同じ発振周波数を有し、かつ入力信号に対する可変位相シフトを有する出力信号Ｓｏｕｔを供給する出力Ｂと、少なくとも１個の制御入力Ｃとを備える。 - 特許庁

Buried metallization can be formed while suppressing erosion at the time of CMP and preventing metal diffusion into an interlayer insulation film by forming a film having both CMP stop function and metal diffusion preventive function of an SiN film, an SiC film, or the like, on an interlayer insulation film at a field part.例文帳に追加

フィールド部の層間絶縁膜上に、ＳｉＮ膜やＳｉＣ膜などのＣＭＰ停止機能と金属拡散防止機能の両機能を有する膜を成膜するすることにより、ＣＭＰ時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線を形成することができる。 - 特許庁

A current control unit 4, a dq/αβ coordinate converter 5, an αβ/UVW coordinate converter 6, a PWM forming unit 7, a current detecting unit 8, an A/D converter 9, a UVW/αβ coordinate converter 10, an αβ/dq coordinate converter 11, and SIN/COS calculating unit 13 make up hardware H, which maintain high-speed processing.例文帳に追加

電流制御部４、ｄｑ／αβ座標変換器５、αβ／ＵＶＷ座標変換器６、ＰＷＭ形成部７、電流検出部８、Ａ／Ｄ変換部９、ＵＶＷ／αβ座標変換器１０、αβ／ｄｑ座標変換器１１、ＳＩＮ／ＣＯＳ演算部１３がハードウェアＨにより構成されており、処理の高速化を保持できる。 - 特許庁

The information recorded on the information recording/ reproducing medium is optically read out by a pickup, and an RF signal SRF' generated by an RF signal producing circuit CQ1 based on this reading signal Sin is supplied to a frequency property compensating circuit 10 to produce an RF signal SRF with which the frequency property of the RF signal SRF' is compensated.例文帳に追加

ピックアップによって情報記録再生媒体に記録されている情報を光学的に読み取り、その読取り信号Ｓinに基づいてＲＦ信号生成回路ＣＱ１が生成したＲＦ信号ＳRF’を周波数特性補償回路１０に供給し、ＲＦ信号ＳRF’の周波数特性を補償したＲＦ信号ＳRFを生成する。 - 特許庁

As an insulated layer of a solder bump 5 and an organic insulating film 2, one of SiO_2, SiN and SiON is used as an inorganic based insulating film 3 to form a mask for patterning on the inorganic based insulating film 3, metal films as a composition of a solder are deposited from thereon, respectively, and this mask is removed to form a bump precursor.例文帳に追加

はんだバンプ５と有機絶縁膜２の分離層として、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、およびＳｉＯＮの１つを無機系絶縁膜３として用い、無機系絶縁膜３に、パターニングするマスクを形成し、その上からはんだの組成となる金属膜をそれぞれ蒸着し、このマスクを除去してバンプ前駆体を形成する。 - 特許庁

The membrane 32 comprises the bridge member 34 which has an SiO_2 film 36 of 20 nm in film thickness as a lower layer and is laminated with an SiN film 38 of, for example, 100 nm in film thickness thereon and a membrane side electrode 14 commonly used as a light reflection surface consisting of an Al film of 100 nm in film thickness formed on the bridge member 34.例文帳に追加

メンブレン３２は、下層に膜厚が２０ｎｍのＳｉＯ_2 膜３６を有し、その上に膜厚が例えば１００ｎｍのＳｉＮ膜３８を積層させたブリッジ部材３４と、ブリッジ部材３４上に形成された、膜厚１００ｎｍのＡｌ膜からなる光反射面兼メンブレン側電極１４とから構成されている。 - 特許庁

Then, an opening 71a for the N+ diffusion layer 62b and an opening 71b for the polycrystalline Si film 66b are simultaneously formed on an SiO2 film 68, and SiN films 72a and 72b that are the capacitance dielectric films of the MIS capacitor 88 and the MIM capacitor 89 are simultaneously formed on the openings 71a and 71b.例文帳に追加

そして、Ｎ^+ 拡散層６２ｂに対する開口７１ａと多結晶Ｓｉ膜６６ｂに対する開口７１ｂとをＳｉＯ_2 膜６８に同時に形成し、ＭＩＳ容量素子８８及びＭＩＭ容量素子８９の夫々の容量誘電膜であるＳｉＮ膜７２ａ、７２ｂを開口７１ａ、７１ｂ上に同時に形成する。 - 特許庁

The light guide 10 for reflecting linear light made incident from an incident surface Sin by prisms 11a and allowing the reflected light to exit from an outgoing surface Sout is constituted so that the prism sheet 11 on which a prism array consisting of a plurality of prisms 11a is laminated with the light propagation layer 13 having the outgoing surface Sout of the body 10 through an adhesive layer 12.例文帳に追加

導光体１０は、入射面Ｓinから入射した線状光をプリズム１１ａで反射して出射面Ｓoutより面状光を出射する導光体であって、複数のプリズム１１ａよりなるプリズムアレイが形成されたプリズムシート１１と、導光体１０の出射面Ｓoutを有する光伝搬層１３とが、接着層１２によって貼り合わされて構成されている。 - 特許庁

A semiconductor film 105 and an ohmic contact layer 107 are successively formed on the gate insulating film 104, and a jumper line 143 is formed on the ohmic contact layer 107 to partially overlap the gate electrode line 142, and an OC-SiN film 111 is formed on the jumper line 143.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０４には半導体膜１０５、オーミックコンタクト層１０７が順次形成され、オーミックコンタクト層１０７には一部の位置がゲート電極線１４２と重なるように、ジャンパー線１４３が形成されており、このジャンパー線１４３上にはＯＣ−ＳｉＮ膜１１１が形成されている。 - 特許庁

A substrate for an electronic circuit is provided with a wafer (1) of silicon Si with the upper surface covered with an electrically insulating layer (3) of silicon nitride SiN and supports more than one of conductive tracks (4) obtainable by metallizing the upper surface of the layer (3) are supported by the layer 3 for enabling the connection of more than one of electronic components (5) with each other.例文帳に追加

窒化シリコンＳｉＮの電気絶縁層（３）で上面が被覆されたシリコンＳｉのウェーハ（１）を具備し、１つ以上の電子部品（５）を接続可能にするために、窒化シリコンの前記電気絶縁層（３）が、電気絶縁層（３）の上面をメタライジングすることにより得られる１つ以上の導電トラック（４）を支持する、電子回路基板。 - 特許庁

In a plasma-etching method for etching an SiN layer 104 or a silicon oxide layer formed on a substrate to be processed by plasma of processing gas with an ArF photoresist layer 102 as a mask, the processing gas contains at least CF_3I gas, and a high frequency power having a frequency of 13.56 MHz or less is applied to a lower electrode on which the substrate to be processed is mounted.例文帳に追加

被処理基板上に形成されたＳｉＮ層１０４又は酸化シリコン層を、ＡｒＦフォトレジスト層１０２をマスクとして処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスは、少なくともＣＦ_3Ｉガスを含み、被処理基板を載置する下部電極に１３．５６ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を印加する。 - 特許庁

In a semiconductor device where a capacitor comprising a ferroelectric film is integrated on a semiconductor substrate where an active element is formed, at least an insulating film principally comprising SiN is formed between the active element, e.g. a transistor, formed on the semiconductor substrate and the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体膜からなるキャパシタが、能動素子が形成された同一半導体基板上に集積された半導体装置において、前記半導体基板上に形成されたトランジスタなどの能動素子と、前記強誘電体からなるキャパシタとの間に主成分がＳｉＮからなる絶縁膜がすくなくとも形成されている。 - 特許庁

When forming, on the insulation film 6, an opening 60 for exposing the electron supply layer 4 therefrom, the SiN film 6A in contact with a semiconductor is side-etched, whereby contact between an inner peripheral surface 61 of the opening 60 on the electron supply layer 4 side and a gate electrode 7 is avoided, and only the InGsP layer 4B can be exposed around the gate electrode 7.例文帳に追加

絶縁膜６に電子供給層４を露出させる開口６０を形成する際に、半導体と接触しているＳｉＮ膜６Ａがサイドエッチングされることで、開口６０の電子供給層４側の内周面６１とゲート電極７との接触が回避され、しかもゲート電極７の周囲にＩｎＧａＰ層４Ｂのみを露出させることができる。 - 特許庁

Gotairo (Council of Five Elders) highly regarded the fine deeds of the Shimazu family, who defeated the Ming army and permitted the systematic retreat of its allies and assisted an escape of the Konishi army in the Battle of Noryang (they killed Korean Marine General Yi Sun-sin in the process) which occurred soon after, and the Shimazu family was the only one that was awarded with the estate among various daimyo that participated in the Bunroku-Keicho War. 例文帳に追加

島津家がこの泗川の戦いで明軍を撃退して味方の組織的な撤退を可能にしたこと、また直後の露梁海戦で小西軍の脱出を可能にした(その際に、朝鮮水軍大将李舜臣を討取った)という功績は五大老達から高く評価されており、島津家は文禄・慶長の役に参加した諸大名で唯一の加増に預かった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Therefore, transmission the SIN signal is performed by only one signal line L1, and the wiper controller 100 does not require a micro computer, and can be composed of a duty oscillation circuit 110 or the like as an analog signal generation circuit, so that load on the hardware and software does not increase and installability of the auto wiper system on the vehicle can be improved.例文帳に追加

このため、ＳＩＮ信号の送信が信号線Ｌ1 の１本のみで構成され、ワイパコントローラ１００側ではマイクロコンピュータを必要とせず、アナログ信号発生回路としてのデューティ発振回路１１０等にて構成でき、ハード及びソフトの負荷が増大しないため、オートワイパシステムの車両への搭載性が向上される。 - 特許庁

In a estimation method for modulation factor which applies a demodulation processing used in an interference optical fiber sensor, a signal generator 3A which adds the first and second higher harmonic wave components of a FM signal ω0+2ω0, the first and second higher harmonic wave component of a pilot signal ωsin+2ωsin and a cross modulated wave component is used.例文帳に追加

干渉型光ファイバセンサに用いられる復調処理を応用した変調度推定方法において、ＦＭ信号の第１次および第２次高調波成分ω_0 ＋２ω_0、パイロット信号の第１次および第２次高調波成分ω_sin ＋２ω_sin 、混変調波成分を足し合わせた信号発生器３Ａを用いる。 - 特許庁

To provide a method for easily removing a residual generated in dry-etching on SiN (silicon nitride) which is an insulting film layer in a process for manufacturing a semiconductor substrate and efficiently cleaning the semiconductor substrate without the corrosion of a-Si, polysilicon and a wiring material, which are used for a glass substrate and a thin film circuit.例文帳に追加

半導体基板を製造する工程で、絶縁膜層であるＳｉＮ（窒化シリコン）等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor wafer 102 is subjected to nitrogen plasma processing either after a step of forming a resist pattern 19 on an interlayer dielectric 18 and thereafter dry-etching the interlayer dielectric 18 or after a step of further dry-etching a stressor SiN film 17 with the resist pattern 19 removed therefrom.例文帳に追加

層間絶縁膜１８にレジストパターン１９を設けたうえで層間絶縁膜１８をドライエッチングする工程の後と、レジストパターン１９を除去した状態のストレッサーＳｉＮ膜１７をさらにドライエッチングする工程の後とのうちのいずれかの時点で、半導体ウェーハ１０２を窒素プラズマ処理する。 - 特許庁

A ReRAM according to the present embodiment includes: a memory part formed of a three-dimensional structure in which a plurality of memory structures are laminated; and a wiring region, for example, formed in a structure in which the coating type SiO_2 film, which fills in a wide space around an element, is segmented into small ones by a SiN film.例文帳に追加

上記課題を解決するために、例えば、本実施形態のＲｅＲＡＭは、メモリ部において、メモリ構造を複数積層してなる三次元構造が形成され、例えば、配線領域において、素子の周辺部の広い空間を充填している塗布型ＳｉＯ_２膜がＳｉＮ膜によって細かく分断されてなる構造に形成されている。 - 特許庁

After La(O) film 11 as a cap film and a W film 12 of a metal electrode are formed on a silicon film 7 on an NMOS region and on a SiN film 9 on a PMOS region; and then heat treated to diffuse La elements of the La(O) film 11 into high-dielectric gate insulating film in NMOS region.例文帳に追加

そしてＮＭＯＳ領域上のシリコン膜７及びＰＭＯＳ領域上のＳｉＮ膜９上にキャップ膜としてのＬａ（Ｏ）膜１１及びメタル電極のＷ膜１２を形成した後、加熱処理して、Ｌａ（Ｏ）膜１１のＬａ元素をＮＭＯＳ領域の高誘電率ゲート絶縁膜に拡散させる。 - 特許庁

To provide a method of forming a partial mask of SiO_2 or SiN_x having an opening in a substrate or a group III nitride semiconductor crystal, and thereby to reduce a damage given to a front surface of the substrate or the group III nitride semiconductor crystal by ion species in plasma at the original time of forming a film according to former plasma CVD methods.例文帳に追加

基板やIII族窒化物半導体結晶に開口部を有するＳｉＯ_２やＳｉＮ_ｘの部分的なマスクを形成させる方法において、従来のプラズマＣＶＤ法はプラズマ中のイオン種が膜形成初期に基板やIII族窒化物半導体結晶の表面にダメージを与えていたが、本発明はこのダメージを少なくしたマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁

The adhesive sheet includes a resin composition without foaming at 200°C or lower by heating at 140°C for one minute, and exhibits improved adhesive force by heating at 140°C for one minute and then heating at 200°C for one minute on a Si base material coated with SiN and shows an adhesive force of 1.0 MPa or over determined at 180°C.例文帳に追加

樹脂組成物から構成され、１４０℃で１分間加熱することで２００℃以下では発泡しなくなる接着シートであって、１４０℃で１分間、続いて２００℃で１分間加熱することによりＳｉＮをコートしたＳｉ基材への接着力が向上し、１８０℃で測定した接着力が１．０ＭＰａ以上となる接着シートとする。 - 特許庁

The current control circuit 13 is provided with a charging/discharging circuit 24 similar to the charging/discharging circuit 12. and the output voltage V1 increases according to a primary function during a period from a time point when a level of an input signal Sin changes, to a time point when a voltage Vo reaches a reference voltage Va (=1/2Vcc), and decreases later according to the primary function.例文帳に追加

電流制御回路１３は、充放電回路１２と同様の充放電回路２４を備えており、出力電圧Ｖ１は、入力信号Ｓｉｎのレベルが変化した時点から電圧Ｖｏが基準電圧Ｖａ（＝１／２Ｖｃｃ）に達するまでの期間１次関数に従って増加し、その後１次関数に従って減少する。 - 特許庁

A method includes: forming an insulation film 13 composed of SiO_2 film or SiN film according to a sputtering method on the common electrode 12; and forming the patterned pixel electrode 14 on the insulation film 13, whereby liquid crystal 8 is arranged on the pixel electrode 14 and the alignment of the liquid crystal 8 is changed by parallel electric field formed in the liquid crystal 8 to display letters and images.例文帳に追加

共通電極１２上に、スパッタリング法によってＳｉＯ_2膜又はＳｉＮ膜から成る絶縁膜１３を形成し、その絶縁膜１３上にパターニングした画素電極１４を形成し、画素電極１４上に液晶８を配置し、液晶８中に形成する平行電界によって液晶８の配向を変え、文字や画像を表示する。 - 特許庁

The controlling unit 30 carries out the step of changing a characteristic of dialysate Cd upstream and downstream of the membrane exchanger 1 for measuring each change, the step of integrating each change relative to time and obtaining each area Sin and Sout corresponding to a total of each change, and an estimating step of estimating effectiveness of the membrane exchanger 1 for dialysis.例文帳に追加

制御ユニット３０は、透析液の特性Ｃｄを膜交換器１の上流と下流で変化させてそれぞれの変化を測定する段階と、前記各変化を時間に関して積分して各変化の合計に相当する各面積Ｓｉｎ，Ｓｏｕｔを得る段階と、膜交換器１の透析の有効性を評価する評価段階とを実施させる。 - 特許庁

An image reconfiguration section 4 extracts a noise image signal NSin by adding signals each resulting from subtracting a processed band limit image signal fBk whose noise is suppressed from a band limit image signal Bk, for each frequency band, and reconfigures processed image signals Sproc whose noise is suppressed, by subtracting the noise image signal NSin from the input image signal Sin.例文帳に追加

処理済画像生成部４は、周波数帯域ごとに、帯域制限画像信号Ｂk からノイズが抑制された処理済帯域制限画像信号ｆＢk を差し引いて得られる信号を足し合わせて、ノイズ画像信号ＮＳinを抽出し、入力画像信号Ｓinからノイズ画像信号ＮＳinを差し引いて、ノイズが抑制された処理済画像Ｓprocを得る。 - 特許庁

The drive circuit device 30 of a power semiconductor includes: an electronic control device 32 for generating a control input signal Sin; a signal transmission circuit device 300 having a main path 34 and a self-diagnosis function 38; and a power semiconductor 40 to be driven by a control output signal Sout from the signal transmission circuit device 300.例文帳に追加

パワー半導体の駆動回路装置３０は、制御入力信号Ｓｉｎを生成する電子制御装置３２と、主経路３４と自己診断機能３８を有する信号伝達回路装置３００と、信号伝達回路装置３００からの制御出力信号Ｓｏｕｔで駆動されるパワー半導体４０とを備える。 - 特許庁

A phase comparator circuit consisting of a multiplication circuit 11 and a loop filter 12 outputs a signal S12a of a level corresponding to the phase difference between an FM signal Sin and a signal S13, and a VCO 13 generates the signal S13 of a frequency corresponding to the level of the signal S12a and the absolute value dispersion and temperature characteristic of the circuit element.例文帳に追加

乗算回路１１およびループフィルタ１２からなる位相比較回路においてＦＭ信号Ｓinと信号Ｓ13の位相差に応じたレベルの信号Ｓ12a を出力し、この信号Ｓ12a のレベルならびに回路素子の絶対値ばらつきおよび温度特性に応じた周波数の信号Ｓ13をＶＣＯ１３で生成する。 - 特許庁

A microphone (sensor) 30 comprises a diaphragm 4a provided in a vibrative manner, an electrode plate 7a opposed to the diaphragm 4a at a prescribed distance having a sound hole 9 vertically penetrating it and a lower support layer 5, and an upper support layer 8 made of SiN having an elastic modulus higher than the elastic modulus of polysilicon constituting the electrode plate 7a for supporting the electrode plate 7a.例文帳に追加

マイクロホン（センサ装置）３０は、振動可能に設けられたダイアフラム部４ａと、ダイアフラム部４ａと所定の距離を隔てて対向するように設けられ、上下方向に貫通された音響孔９を有する電極板部７ａと、電極板部７ａを構成するポリシリコンの弾性率よりも高い弾性率を有するＳｉＮからなり、電極板部７ａを支持する下部支持体層５および上部支持体層８とを備えている。 - 特許庁

With regard to the portable non-contact communication device, a contact and non-contact SIN is mounted in a communication device including a portable telephone function or an SIM reader/writer function so as to settle a traffic fare or a transaction with an external apparatus via an antenna coil that is included in the device.例文帳に追加

本発明の携帯可能な非接触通信デバイスは、携帯電話機能を有するか、ＳＩＭリーダライタ機能を有する通信デバイス内に、接触、非接触両用ＳＩＭを装着し、デバイス内に有するアンテナコイルを介して外部機器との間で交通運賃や取引の決済処理を可能にした非接触通信デバイスであって、ＳＩＭ内の取引データを表示する表示機能面を当該デバイスの一面に有し、当該表示機能面とは反対側のデバイス面の一部もしくは全面に、クッション性素材５ａ，５ｂ，５ｃを付与して外部機器受信部と接触した際の衝撃を緩和したことを特徴とする。 - 特許庁

By the method of forming the gate recess 20, UV light having energy, where a bandgap energy is equivalent to that of a prescribed semiconductor layer within the semiconductor layer, is applied from the surface of the semiconductor layer changing in a layer direction from a gate opening 19 by photoelectrochemical etching, and at the same time the semiconductor layer of prescribed bandgap energy within the semiconductor layer is etched from the gate opening of an SiN surface protection layer 17.例文帳に追加

光電気化学エッチングにより、バンドギャップエネルギーが、ゲート開口部１９から層方向に変化する半導体層の表面から前記半導体層内の所定の半導体層のバンドギャップエネルギーに相当するエネルギーを有するＵＶ光を照射しながら、ＳｉＮ表面保護層１７の前記ゲート開口部から前記半導体層内の所定のバンドギャップエネルギーの半導体層をエッチングすることを特徴とするゲートリセス２０の形成方法。 - 特許庁