「TANTALUM CARBIDE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD OF TANTALUM TUBE AND PIT CARBON CORE, TANTALUM TUBE AND PIT CARBON CORE, MANUFACTURING METHOD OF TANTALUM CARBIDE WIRING, AND TANTALUM CARBIDE WIRING例文帳に追加

タンタルチューブとＰＩＴ炭素芯の製造方法、タンタルチューブとＰＩＴ炭素芯、タンタル炭化物配線の製造方法及びタンタル炭化物配線 - 特許庁

Suitable carbides include, but are not to limited to, chromium carbide, titanium carbide, tantalum carbide, niobium carbide and zirconium carbide.例文帳に追加

適切なカーバイドは、クロムカーバイド、チタンカーバイド、タンタルカーバイド、ニオブカーバイドおよびジルコニウムカーバイドを含むが、これだけには限定されない。 - 特許庁

METHOD FOR RECOVERING TANTALUM/NIOBIUM FROM CARBIDE- BASE RAW MATERIAL CONTAINING TANTALUM/NIOBIUM例文帳に追加

タンタル／ニオブ含有の炭化物系原料からのタンタル／ニオブの回収方法 - 特許庁

The tantalum carbide coating film is formed on a carbon substrate with a process of forming the tantalum carbide coating film.例文帳に追加

炭素基材上に炭化タンタル被覆膜形成工程により炭化タンタル被覆膜を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING BONDED MATERIAL OF TANTALUM AND CARBON, GRADIENT COMPOSITION STRUCTURE OF TANTALUM AND CARBON, METHOD FOR PRODUCING TANTALUM TUBE AND PIT CARBON CORE, TANTALUM TUBE AND PIT CARBON CORE, METHOD FOR PRODUCING TANTALUM CARBIDE WIRE, AND TANTALUM CARBIDE WIRE例文帳に追加

タンタルと炭素結合物の製造方法、タンタルと炭素の傾斜組成構造、タンタルチューブとＰＩＴ炭素芯の製造方法、タンタルチューブとＰＩＴ炭素芯、タンタル炭化物配線の製造方法、タンタル炭化物配線 - 特許庁

The alloy preferably comprises 0.01 to 5.0% of one or more kinds selected from molybdenum carbide, tungsten carbide, vanadium carbide, chromium carbide, tantalum carbide, titanium carbide, zirconium carbide and hafnium carbide.例文帳に追加

モリブデン炭化物、タングステン炭化物、バナジウム炭化物、クロム炭化物、タンタル炭化物、チタン炭化物、ジルコニウム炭化物及びハフニウム炭化物のうちの１種または２種以上：０．０１〜５．０％を含むことが好ましい。 - 特許庁

Concretely, it is suitable to contain at least one of a group consisting of titanium oxide, zirconium oxide, tantalum oxide, tungsten oxide, tungsten carbide, tantalum carbide, titanium carbide, and molybdenum carbide.例文帳に追加

具体的には、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化タングステン、タングステンカーバイド、タンタルカーバイド、チタンカーバイドおよびモリブデンカーバイドからなる群のうち少なくとも１つを含むと良い。 - 特許庁

TANTALUM CARBIDE-COVERED CARBON MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

炭化タンタル被覆炭素材料およびその製造方法 - 特許庁

The susceptor comprises a graphite material covered with silicon carbide and at least a portion of a part on which the wafer is placed is composed of tantalum carbide or a graphite material covered with tantalum carbide.例文帳に追加

ウェハを載置する部分の少なくとも一部が、炭化タンタル又は炭化タンタル被覆黒鉛材である、炭化珪素被覆黒鉛材のサセプタである。 - 特許庁

The process of forming the tantalum carbide coating film includes: a first forming step of forming a first tantalum carbide coating film on a surface of the carbon substrate; and a second forming step of forming a new tantalum carbide coating film more than once on the first tantalum carbide coating film.例文帳に追加

炭化タンタル被覆膜形成工程は、炭素基材の表面に第１炭化タンタル被覆膜を形成する第１形成工程と、第１炭化タンタル被覆膜上に１回以上新たな炭化タンタル被覆膜を形成する第２形成工程とを有する。 - 特許庁

A surface-treated layer of hafnium carbide, niobium carbide, silicon carbide, tantalum carbide, thorium carbide, titanium carbide, uranium carbide, tungsten carbide, zirconium carbide, or the like is formed in the slide glass which are capable of carrying oligonucleotide or DNA fragments on the surface.例文帳に追加

オリゴヌクレオチドまたはＤＮＡ断片を表面に担持可能なスライドグラスにおいて、炭化ハフニウム、炭化ニオブ、炭化珪素、炭化タンタル、炭化トリウム、炭化チタン、炭化ウラン、炭化タングステンまたは炭化ジルコニウム等の表面処理層が形成されていることを特徴とするスライドグラス。 - 特許庁

The peripheral edge part 6b is made of tantalum carbide and covers the core part 6a.例文帳に追加

周縁部６ｂは、炭化タンタルからなり、芯部６ａを被覆する。 - 特許庁

The gate electrode is made of yttrium-doped tantalum carbide.例文帳に追加

炭化タンタルにイットリウムを添加した材料でゲート電極を作成する。 - 特許庁

To provide a method for recovering tantalum and/or niobium at a high yield from a carbide-base raw material containing a tantalum carbide and/or niobium carbide which is heretofore difficult in recovering of the tantalum and/or the niobium.例文帳に追加

従来、タンタルおよび／またはニオブの回収が困難とされてきたタンタル炭化物および／またはニオブ炭化物含有の炭化物系原料から、高収率でタンタルおよび／またはニオブを回収する方法を提供する。 - 特許庁

A solid substrate which can carry oligonucleotide or a DNA fragment on its surface has a surface treatment layer of a hafnium carbide, niobium carbide, silicon carbide, tantalum carbide, thorium carbide, titanium carbide, uranium carbide, tungsten carbide, zirconium carbide, etc., on its surface.例文帳に追加

本発明の固体支持体は、オリゴヌクレオチドまたはＤＮＡ断片を表面に担持可能な固体支持体において、炭化ハフニウム、炭化ニオブ、炭化珪素、炭化タンタル、炭化トリウム、炭化チタン、炭化ウラン、炭化タングステンまたは炭化ジルコニウム等の表面処理層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A method for producing the carbon material coated with tantalum carbide is a method of forming the tantalum carbide coating film on a carbon substrate, and includes: a crystal nucleus forming step of forming a crystal nucleus of tantalum carbide on a surface of the carbon substrate; and a crystal growth step of growing the crystal nucleus of the tantalum carbide after the crystal nucleus forming step.例文帳に追加

炭素基材上に炭化タンタル被覆膜を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材の表面に炭化タンタル結晶核を形成する結晶核生成工程と、結晶核生成工程後に炭化タンタル結晶核を結晶成長させる結晶成長工程とを含む。 - 特許庁

A method for manufacturing the tantalum carbide-coated carbon material which forms the tantalum carbide-coated film 2 on a carbon substrate 1 includes a process of forming a tantalum carbide-coated film on the surface of the carbon substrate 1, and a process of curbulization treatment for curbulizing the tantalum-covered film.例文帳に追加

炭素基材１上に炭化タンタル被覆膜２を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材１表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程と、タンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing tantalum carbide capable of easily forming a tantalum carbide having a required shape and a uniform thickness when tantalum carbide is used for coating the surface of an article, which is not peeled off by a thermal history, tantalum carbide obtained by the method, and wiring lines and electrodes of tantalum carbide.例文帳に追加

簡易な方法で、所定の形状のタンタルの炭化物を形成することが可能であり、また、表面にタンタルの炭化物を被覆する場合であっても、均一な厚みのタンタルの炭化物を形成することができるとともに、熱履歴によっても剥離することのないタンタルの炭化物の製造方法及びその製造方法により得られるタンタルの炭化物並びにタンタルの炭化物配線及びタンタルの炭化物電極を提供する。 - 特許庁

TANTALUM CARBIDE SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, MOLDING DIE, AND TARGET MATERIAL例文帳に追加

炭化タンタル焼結体およびその製造方法ならびに成形用型およびターゲット材 - 特許庁

BIS(ETHYLCYCLOPENTADIENYL)TRIHYDROTANTALUM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR FORMING TANTALUM CARBIDE FILM OR TANTALUM CARBONITRIDE FILM USING THE SAME例文帳に追加

ビス（エチルシクロペンタジエニル）トリヒドロタンタルおよびその製造方法ならびにそれを用いた炭化タンタル膜または炭窒化タンタル膜の形成方法 - 特許庁

The first tantalum carbide coating film has a maximum peak value at 80° or more in an orientation angle of the (311) plane of a diffraction peak which corresponds to the tantalum carbide in an X-ray diffraction analysis.例文帳に追加

第１炭化タンタル被覆膜は、Ｘ線回折により炭化タンタルに対応した回折ピークの（３１１）面の配向角度において８０°以上に最大のピーク値を有する。 - 特許庁

The tantalum carbide coating film 42 has a maximum peak value at 80° or more in an orientation angle of the (311) plane of a diffraction peak which corresponds to the tantalum carbide in an X-ray diffraction analysis.例文帳に追加

炭化タンタル被覆膜４２は、Ｘ線回折により炭化タンタルに対応した回折ピークの（３１１）面の配向角度において８０°以上に最大のピーク値を有する。 - 特許庁

The screw is brought into contact with any member of metal, metal carbide or graphite, and at least the portion brought into contact with the member of metal, metal carbide or graphite comprises tantalum to which tantalum carbide is applied.例文帳に追加

ネジは、金属、金属カーバイド又はグラファイトの何れかの部材と接しており、少なくとも前記金属、金属カーバイド又はグラファイトの何れかの部材に接する部分が、タンタルカーバイド処理を施したタンタルからなることを特徴とする。 - 特許庁

Tungsten, tantalum, niobium, molybdenum and chrome are included in the cermet alloy in the form of carbide.例文帳に追加

タングステン、タンタル、ニオブ、モリブデンおよびクロムは炭化物の形態でサーメット合金中に含まれている。 - 特許庁

Since the tantalum film 7 is arranged between the gallium arsenide substrate 6 and the silicon carbide film 8, the silicon carbide film 8 is not contacted directly to the gallium arsenide substrate 6 and coated on the tantalum film 7.例文帳に追加

タンタル膜７は、ガリウム砒素基板６と炭化珪素膜８との間に配置されてため、炭化珪素膜８は、ガリウム砒素基板６に直接接することなく、タンタル膜７上に皮膜される。 - 特許庁

In the crucible 1, a guide 3 which guides a sublimated gas from the raw material 2 into the seed crystal 4 and a tantalum ring 6 comprising tantalum or tantalum carbide which encloses the surrounding of the seed crystal 4 are set.例文帳に追加

また坩堝１内には、原料２が昇華したガスを種結晶４へと導くガイド３および種結晶４の周囲を囲みタンタル又は炭化タンタルから成るタンタルリング６が配設される。 - 特許庁

On inner surface of the graphite crucible 1 having the inner surface covered with tantalum carbide, tantalum is deposited in layers utilizing an electron beam heating vapor depositing method, and then a carbide inner surface layer is formed by a carbonization method.例文帳に追加

内面が炭化タンタルで被覆された黒鉛ルツボ１は、先ずルツボ１の内面を電子ビーム加熱蒸着法等を用いてタンタルを層状に蒸着させ、その後、炭化処理法により炭化物内面層を形成させる。 - 特許庁

A protective coating is provided to a metal surface by applying a nickel or tantalum plate layer to the metal surface and dispersing particles of a hard material such as diamond, alumina, vanadium nitride, tantalum carbide, and/or tungsten carbide within the nickel or tantalum plate layer as the plating is occurring.例文帳に追加

金属表面にニッケル又はタンタルのめっき層を塗工し、めっきを行いながらダイヤモンド、アルミナ、窒化バナジウム、炭化タンタル及び／又は炭化タングステンなどの硬質材料の粒子をニッケル又はタンタルのめっき層の中に分散させることによって、金属表面に保護皮膜を設ける。 - 特許庁

The carbon composite material for the reducing atmosphere furnace has a film of tantalum carbide having a crystal structure constituted by laminating tantalum carbide fine particles onto the surface of a graphite base material by adhering thereon tantalum fine particles together with reactive gas fine particles containing carbon.例文帳に追加

本発明の還元性雰囲気炉用炭素複合材料は、タンタル微粒子を、炭素を含む反応性ガス粒子と共に、黒鉛基材の表面に付着させることによって、前記表面に炭化タンタル微粒子を積層してなる結晶組織の炭化タンタルの被膜を有していることを特徴とする。 - 特許庁

The tantalum carbide coating film 42 which covers a carbon substrate 41 is formed on a surface of the carbon substrate 41.例文帳に追加

炭素基材４１の表面に、炭素基材４１を被覆した炭化タンタル被覆膜４２が形成されている。 - 特許庁

To produce low oxygen and low free carbon high-quality tantalum carbide in a good yield.例文帳に追加

低酸素でかつ低遊離カーボンの高品質の炭化タンタルを歩留り良く製造する方法を提供すること。 - 特許庁

As the ceramic, alumina, chromium oxide, silicon nitride, silicon carbide, zirconium, etc. are selected, and as the metal, molybdenum, tungsten, tantalum, etc are selected.例文帳に追加

該セラミックは、アルミナ、酸化クロム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニウム等であり、該金属は、モリブデン、タングステン、タンタル等からなる。 - 特許庁

The tantalum carbide is formed on the surface of tantalum or a tantalum alloy by placing the tantalum or the tantalum alloy in a vacuum heat treatment furnace, heat-treating the tantalum or the tantalum alloy under a condition where a natural oxide film of Ta_2O_5 is sublimated and removed, introducing a carbon source into the vacuum heat treatment furnace, and then heat-treating.例文帳に追加

タンタル若しくはタンタル合金を真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ_2Ｏ_5が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ_2Ｏ_5を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面にタンタルの炭化物を形成することを特徴とする。 - 特許庁

(c) Among crucibles with a capacity exceeding 0.05 liters and less than 2 liters, made from or lined with tantalum with a weight-based purity level of 98% or more, those that are coated with tantalum carbide, tantalum nitride, tantalum boride, or a combination thereof 例文帳に追加

ハ　容量が〇・〇五リットル超二リットル未満のるつぼであって、重量比による純度が九八パーセント以上のタンタル製のもの又はそのタンタルで裏打ちされたもののうち、タンタルの炭化物、窒化物、ほう化物又はこれらのいずれかを組み合わせたもので被覆されたもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide a manufacturing method which enables the solid-phase diffusion joining of tantalum of a prescribed shape and carbon by a simple method, and forms a carbide on a tantalum surface other than a place where the solid-phase diffusion joining of the tantalum and the carbon is performed.例文帳に追加

簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素との固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素の固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する方法を提供する。 - 特許庁

A DLC layer via a substrate layer and an intermediate layer or a metal carbide layer composed of vanadium carbide (VC), titanium carbide (TiC), zirconium carbide (ZrC), niobium carbide (NbC) or tantalum carbide (TaC) by pack cementation is formed on the bearing rings 101a, 102a of a first race 101 and a second race 102, and the circumferential face (rolling face) of a cylindrical roller 103.例文帳に追加

第１のレース１０１および第２のレース１０２の軌道輪１０１ａ，１０２ａと、円筒ころ１０３の周面（転動面）に、下地層および中間層を介したＤＬＣ層か、拡散浸透処理によるバナジウムカーバイト（ＶＣ）、チタンカーバイト（ＴｉＣ）、ジルコニウムカーバイト（ＺｒＣ）、ニオブカーバイト（ＮｂＣ）、またはタンタルカーバイト（ＴａＣ）からなる金属炭化物層を形成する。 - 特許庁

To provide a tantalum carbide sintered compact having high purity, high density and high mechanical strength and suitably used as a heat resistant material forming a molding die molding glass, resin, ceramics or the like or a target material for tantalum carbide film deposition, to provide a method for producing the same, further to provide a molding die and a target material formed by the tantalum carbide sintered compact.例文帳に追加

本発明は、ガラス、樹脂およびセラミックスなどを成形する成形用型などを形成する耐熱性材料または炭化タンタル製膜用のターゲット材として好適に用いられる高純度かつ高密度で機械的強度が高い炭化タンタル焼結体およびその製造方法、ならびにかかる炭化タンタル焼結により形成される成形用型およびターゲット材を提供する。 - 特許庁

Therefore, the silicon carbide film 8 protects the gallium arsenide substrate 6 through the tantalum film 7, and improves impact resistance of the slider 1.例文帳に追加

よって、炭化珪素膜８は、タンタル膜７介してガリウム砒素基板６を保護し、スライダ１の耐衝撃性を向上させる。 - 特許庁

To provide tantalum carbide powder and solid solution of tantalum carbide-niobium as raw material for composite material, each of which is composed of fine and uniform particles uniformly dispersed, also stoichiometrically sufficiently bonded with carbon and has a low oxygen content, and to provide their production methods.例文帳に追加

複合材料の原料として均一分散が可能な微粒で均粒、且つ化学量論的に炭素と充分に結合し、且つ酸素含有量の少ない炭化タンタル粉末、および炭化タンタル−ニオブの固溶体とそれらの製造方法とを提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the insulated gate-type semiconductor device has steps of: forming a gate insulating film on a semiconductor substrate; carrying out the film formation of the tantalum carbide film on the gate insulating film; and performing hydrogen plasma treatment after forming a mask pattern having an aperture for exposing a part of the tantalum carbide film.例文帳に追加

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に炭化タンタル膜を成膜する工程と、前記炭化タンタル膜の一部を露出する開口を有するマスクパターンを形成したのち、水素プラズマ処理を行う工程とを設ける。 - 特許庁

Powders of titanium carbide, titanium nitride, titanium carbonitride, niobium carbide, tantalum carbide, molybdenum carbide, tungsten carbide, nickel and cobalt are mixed in such a manner that the ratio of each compound is made into the prescribed one, the powdery mixture is subjected to wet grinding by using an attritor, is dried after the removal of a solvent and is compacted by a pressing machine.例文帳に追加

平均粒径０．５〜２μｍの炭化チタン粉末、窒化チタン粉末、炭窒化チタン粉末、炭化ニオブ粉末、炭化タンタル粉末、炭化モリブデン粉末、炭化タングステン粉末、ニッケル粉末及びコバルト粉末を、各化合物が所定の割合となるように混合し、アトライターを用いて湿式粉砕し、溶媒を除去した後、乾燥させ、プレス機により成形する。 - 特許庁

The production method of the group III nitride semiconductor layer includes steps of: forming a carbide layer 11 selected from titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide, vanadium carbide and tantalum carbide on a base substrate 10; growing a group III nitride semiconductor layer 12 above the carbide layer 11; and removing the base substrate 10 by inducing cracks in the group III nitride semiconductor layer 12 to obtain the group III nitride semiconductor layer.例文帳に追加

III族窒化物半導体層の製造方法は、下地基板１０上に、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層１１を形成する工程と、炭化物層１１の上部にIII族窒化物半導体層１２を成長させる工程と、III族窒化物半導体層１２中で亀裂を生じさせて、前記下地基板１０を除去し、III族窒化物半導体層を得る工程とを含む - 特許庁

To properly and selectively control a work function of a tantalum carbide film in an insulated gate-type semiconductor device, related to a method of manufacturing the insulated gate-type semiconductor device.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法に関し、炭化タンタル膜の仕事関数を適正に選択的に制御する。 - 特許庁

A tantalum carbide filament 1 formed by coating and forming a carbon film 7 on both electrode ends of the filament in the form of a sheath is used in the hot filament CVD system X.例文帳に追加

熱フィラメントＣＶＤ装置Ｘにおいて、フィラメントの両電極端にカーボン７を鞘状に被覆形成した炭化タンタルフィラメント１を用いる。 - 特許庁

The tantalum carbide sintered compact has a purity of ≥98.5 mass%, and whose relative density as a ratio of bulk density to true density is ≥96.5%.例文帳に追加

本炭化タンタル焼結体は、純度が９８．５質量％以上で真密度に対するかさ密度の比率である相対密度が９６．５％以上である。 - 特許庁