| 意味 | 例文 |
Varistorを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 701件
The semiconductor light emitting element 1 is located on the multi-layered chip varistor 11, and is connected with the plurality of external electrodes 27, 28 so as to be connected with the multi-layered chip varistor 11 in parallel.例文帳に追加
半導体発光素子1は、積層型チップバリスタ11上に配され、当該積層型チップバリスタ11に並列接続されるように複数の外部電極27,28に接続されている。 - 特許庁
The multilayer printed circuit board 1 comprises a varistor layer 2 formed of a zinc oxide sheet on the inner layer, the varistor layer 2 being connected to a signal line 3, a gland layer 4 and a power supply layer 5.例文帳に追加
内層に酸化亜鉛シートからなるバリスタ層2を有し、かつ、このバリスタ層2が、信号ライン3、グランド層4及び電源層5に接続されている多層プリント配線板1である。 - 特許庁
To provide a stacked chip varistor in which a fall in varistor voltage is small even if a plated layer is further formed on the surface of outer electrodes, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
外部電極の表面にめっき層をさらに形成させた場合であってもバリスタ電圧の低下が少ない積層型チップバリスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
The semiconductor light emitting element 1 is disposed on the laminated chip varistor 11 and is connected with the second external electrodes 25 to 28 so as to be connected in parallel with the laminated chip varistor 11.例文帳に追加
半導体発光素子1は、積層型チップバリスタ11上に配され、当該積層型チップバリスタ11に並列接続されるように第2の外部電極25〜28に接続されている。 - 特許庁
To provide a complex perovskite varistor having small E_10 temperature characteristics in a wide range of varistor voltage E_10 and the function not lost even after soldering at a high temperature.例文帳に追加
幅広いバリスタ電圧E_10範囲でE_10温度特性が小さく、かつ高温の半田付けが行われてもその機能が損なわれない複合ペロブスカイト系のバリスタを提供する。 - 特許庁
To provide a laminated varistor of superior static electricity suppression effect and static electricity resistance which has varistor voltage and voltage non-linearity of equivalent level to the case where firing is performed in atmosphere by using an electrode of a noble metal such as a Pd even when an non-fired varistor material and a Cu electrode are integrally fired.例文帳に追加
未焼成のバリスタ材料とCu電極とを一体焼成しても、Pd等の貴金属の電極を用いて大気中で焼成した場合と同等レベルのバリスタ電圧と電圧非直線性を有し、優れた静電気抑制効果と静電気耐性を実現する。 - 特許庁
Varistors V1 and V2 are connected in series between external electrodes (terminals) 4a and 4b, the varistor V2 is set larger in surge resistance than the varistor V1, and the varistor V2 having a larger surge resistance is connected in series with one terminal 4b through the intermediary of a fuse element 5.例文帳に追加
外部電極(端子)4a,4b間に直列にバリスタV1,V2を配設するとともに、このバリスタ(V1,V2)のうち、バリスタV2のサージ耐量をバリスタV1より大きくし、このサージ耐量の大きいバリスタV2を、ヒューズ素子5を介して一方の端子4bに直列に接続する。 - 特許庁
Further, the impedance improving unit is provided with a varistor 24 for limiting a voltage caused across both terminals of the ferrite core 21.例文帳に追加
また、フェライトコア21の両端間に生じる電圧を制限するバリスタ24を備える。 - 特許庁
To provide a low capacitance multilayer chip varistor lower in capacitance than 0.5 pF at 1 MHz.例文帳に追加
キャパシタンスが1MHzで0.5pFより小さい低キャパシタンス多層チップバリスタを提供すること。 - 特許庁
METHOD AND PORTABLE MEASURING INSTRUMENT FOR MEASURING ALLOWABLE VOLTAGE OF VARISTOR LOADED ON ELECTRICAL APPARATUS例文帳に追加
電気機器に搭載されたバリスタの許容電圧の測定方法、及びこの携帯用測定器 - 特許庁
A glass coating layer 81 is formed on the whole surface of an element body 71 of a lamination layer chip varistor.例文帳に追加
積層チップバリスタの素体71の表面全体にガラスの被覆層81を形成する。 - 特許庁
To enhance bonding strength between a varistor element principally comprising ZnO and an external electrode.例文帳に追加
ZnOを主成分とするバリスタ素体と外部電極との接着強度を向上させること。 - 特許庁
To provide a laminated chip varistor capable of reducing a mounting area.例文帳に追加
実装面積を縮小することが可能な積層型チップバリスタを提供することを目的とする。 - 特許庁
A varistor 19 is supported to the shaft 1 and is arranged at the other side of the axial direction of the core 3.例文帳に追加
バリスタ19は軸1に支持されてコア3の軸方向の他方側に配置されている。 - 特許庁
The first outer electrodes 5, 6 are formed respectively on one main surface 2 of the varistor body 1.例文帳に追加
第1の外部電極5,6は、バリスタ素体1の一方の主面2にそれぞれ形成される。 - 特許庁
The second outer electrodes 7, 8 are formed respectively on the other main surface 3 of the varistor body 1.例文帳に追加
第2の外部電極7,8は、バリスタ素体1の他方の主面3にそれぞれ形成される。 - 特許庁
To provide a surge protection device which detects the destruction of a varistor quickly and automatically.例文帳に追加
バリスタの破壊を迅速に、且つ自動的に検出することができるサージ防護デバイスを提供する。 - 特許庁
ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, METHOD OF MANUFACTURING VARISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
電子回路装置、その製造方法、バリスタの製造方法、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
To provide a stacked chip varistor of little dispersion in electrostatic capacity, and its manufacturing method.例文帳に追加
静電容量のばらつきが少ない積層型チップバリスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A light emitting device LE1 includes the semiconductor light emitting element 1 and a multi-layered chip varistor 11.例文帳に追加
発光装置LE1は、半導体発光素子1と積層型チップバリスタ11とを備えている。 - 特許庁
The varistor composes anyone part of the ceramic board and may compose the entire part of it.例文帳に追加
バリスタ部分は、セラミック基体の何れかの部分(セラミック基体の全てを含む)であることができる。 - 特許庁
To prevent an earth leakage breaker from burning by preventing short circuit and breakage of a varistor when excess surge exceeding surge- resisting amount enters the varistor (surge absorber) for protecting a leak detecting circuit.例文帳に追加
漏電検出回路を保護するバリスタ(サージアブソーバ)にサージ耐量を超える過大サージが侵入した場合に、バリスタが短絡,破壊されるのを防止して漏電しゃ断器の焼損を防ぐようにする。 - 特許庁
A light-receiving circuit 11 which detects infrared rays emitted from a varistor 8 is arranged and installed in the vicinity of the varistor 8 installed in an energization path between a commercial power supply 100 and a power supply circuit 2.例文帳に追加
商用電源100と電源回路2との間の通電経路に設けられたバリスタ8の近傍には、そのバリスタ8から放射される赤外線を検出する受光回路11が配設されている。 - 特許庁
A cut (72) is formed in the inner side face of each commutator segment 34, a varistor 71 formed annularly is arranged in the cut 72, and then the varistor 71 and the commutator segment 34 are secured by caulking.例文帳に追加
各整流子片34の内側面に切り欠き部72を形成し、この切り欠き部72に円環状に形成されるバリスタ71を配置し、かしめによりバリスタ71を整流子片34に固定する。 - 特許庁
The riser portions 12 protrude to the side where the varistor 13 is stacked, each having a contact point 12a that contacts the varistor 13 which is gripped and fixed by a bushing 15 via a wave washer 14.例文帳に追加
ライザ部12は、バリスタ13が重ねられる側に突出して、バリスタ13と接触する接点部12aを有するとともに、バリスタ13がウェーブワッシャ14を介してブッシュ15により狭持固定されている。 - 特許庁
In a varistor V1, a composite part 5 formed of a composite material of ZnO and Ag while having good heat dissipation is disposed from the main face 2a of the varistor element 2 till its main face 2b.例文帳に追加
バリスタV1では、ZnOとAgとの複合材料によって形成された放熱性の良好なコンポジット部5が、バリスタ素体2の主面2aから主面2bに至るように配置されている。 - 特許庁
When the low-melting point metal alloy 14 is melted by the abnormal heat generation of the varistor 1, the separating conductor 13 is separated from the electrode 11 of the varistor 1 by the spring force in the two directions of the spring section 13c.例文帳に追加
バリスタ1の異常発熱で低溶融金属合金14が溶融するときに、ばね部13cの二方向のばね力で引き離し導体13をバリスタ1の電極11から引き離す。 - 特許庁
To provide a temperature fuse built-in varistor which is never deteriorated in varistor function when an excessive surge voltage is applied from a power supply, high in safety, and excellent in reliability.例文帳に追加
電源側からの過大なサージ電圧印加に対し、バリスタ機能を低下することの無い安全性に優れ高い信頼性を有する温度ヒューズ内蔵型バリスタを提供することを目的とするものである。 - 特許庁
To obtain a voltage nonlinear resistor which has small capacitance, a voltage nonlinear coefficient α being high and a low varistor voltage, a manufacturing method of the resistor, and a varistor using the voltage nonlinear resistor.例文帳に追加
静電容量が小さく、電圧非直線係数αが高く、バリスタ電圧が低い電圧非直線抵抗体及びその製造方法、並びに、この電圧非直線抵抗体を用いたバリスタを得る。 - 特許庁
A laminated chip varistor V1 comprises a varistor element 10, first and second internal electrodes 12 and 14, a thermal conductor 16, an insulation film 17, and first and second external electrodes 18 and 20.例文帳に追加
積層型チップバリスタV1は、バリスタ素体10と、第1及び第2の内部電極12,14と、熱伝導体16と、絶縁膜17と、第1及び第2の外部電極18,20とを備える。 - 特許庁
The laminated chip varistor 1 is provided with a laminate 3 having a varistor layer 11 and a plurality of internal electrodes 13, 14 arranged so as to pinch a varister layer 11, and a pair of external electrodes 5.例文帳に追加
積層型チップバリスタ1は、バリスタ層11と当該バリスタ層11を挟むように配置される複数の内部電極13,14とを有する積層体3と、一対の外部電極5とを備えている。 - 特許庁
The semiconductor light-emitting elements 1 are disposed on the laminated chip varistor 11, and connected to the second corresponding external electrodes 27 and 28 respectively so as to be connected in parallel with the corresponding varistor sections.例文帳に追加
半導体発光素子1は、積層型チップバリスタ11上に配され、対応するバリスタ部に並列接続されるように、対応する第2の外部電極27,28にそれぞれ接続されている。 - 特許庁
The first and second internal electrodes 31, 33, 41 are disposed oppositely in the varistor element 21 so that the end faces 31a, 31b, 33a, 33b and 41a, 41b are exposed to major surfaces 22, 23 of the varistor element 21.例文帳に追加
第1及び第2の内部電極31,33,41は、互いに対向すると共に端面31a,31b,33a,33b,41a,41bがバリスタ素体21の主面22,23に露出するようにバリスタ素体21内に配置されている。 - 特許庁
To provide a bismuth-based zinc oxide varistor having improved characteristics in surge resistance, a clamping voltage ratio, or the like.例文帳に追加
サージ耐量や制限電圧比等の特性が向上したビスマス系酸化亜鉛バリスタを提供する。 - 特許庁
Meanwhile, a high voltage is impressed also on the varistor.例文帳に追加
しかし、バリスタはバリスタ電圧がHID用安定器の定格二次電圧より大きいものが使用されている。 - 特許庁
To provide a power supply plug in which a surge protector function can be obtained by a simple structure without using a varistor.例文帳に追加
バリスタを用いることなく、簡易な構造でサージプロテクタの機能が得られる電源プラグを提供する。 - 特許庁
To provide a fireproof varistor with high smokelessness, incombustibility, and moisture resistance and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
無煙性および不燃性が高く、耐湿性も高い不燃化バリスタとその製造方法を提供する。 - 特許庁
To assemble a commutator part, and fit and connect a varistor with high workability.例文帳に追加
作業性良く整流子部を組み立て、さらにはバリスタを取付けかつ接続することを目的としている。 - 特許庁
The varistor part 7 consists of a sintered body containing ZnO as a main component, and manifests voltage nonlinear characteristics.例文帳に追加
バリスタ部7は、ZnOを主成分とする焼結体からなり、電圧非直線特性を発現する。 - 特許庁
To provide a zinc oxide varistor having a high lightning surge withstanding performance, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
高い雷サージ耐量性能を有する酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A terminal part 20b to attach a varistor 3 is provided in a riser part 20a of a segment 20.例文帳に追加
セグメント20のライザ部20aには、バリスタ3を取り付けるためのターミナル部20bが設けられている。 - 特許庁
The varistor portion 7 and the pair of outer layer portions 9 principally comprise ZnO and contain Pr.例文帳に追加
バリスタ部7及び一対の外層部9は、ZnOを主成分とすると共にPrを含んでいる。 - 特許庁
Surface roughness Ra of the varistor element is desirable to be 0.06 μm to 0.11 μm.例文帳に追加
さらに、バリスタ素体の表面粗さRaが0.06μm以上0.11μm以下であることが好ましい。 - 特許庁
To obtain a ZnO varistor powder having a high operating voltage and superior in a current-voltage-nonlinear resistance characteristic.例文帳に追加
動作電圧が高く、電流−電圧非直線抵抗特性に優れたZnOバリスター粉末を得る。 - 特許庁
The surge voltage can be suppressed by the voltage characteristics of the varistor which is smaller than the breakover voltage as whole.例文帳に追加
全体のブレークオーバ電圧よりも小さいバリスタの電圧特性にてサージ電圧を抑制できる。 - 特許庁
The varistor part 3 is composed by alternately laminating internal electrodes 7 and voltage nonlinear resistors 8.例文帳に追加
バリスタ部3は、内部電極7と電圧非直線抵抗体8が交互に積層して構成される。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING MULTILAYER CHIP TYPE ZINC OXIDE VARISTOR WITH PURE SILVER INTERNAL ELECTRODE PRODUCED BY LOW TEMPERATURE SINTERING例文帳に追加
低温焼結による純銀内部電極を備えた多層チップ型酸化亜鉛バリスタの製造方法 - 特許庁
The light-emitting device LE1 has a plurality of semiconductor light-emitting elements 1 and a laminated chip varistor 11.例文帳に追加
発光装置LE1は、複数の半導体発光素子1と積層型チップバリスタ11とを備える。 - 特許庁
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