「Varistor」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The ZnO system varistor device 2 is provided with an element assembly 3 configured such that a varistor, an inductor, and a protective layer are laminated sequentially from below, and terminal electrodes 4 to 6 and an external conductor 7 provided on the surface of the element assembly 3.例文帳に追加

ＺｎＯ系バリスタ素子２は、バリスタ部、インダクタ部及び保護層が下から順に積層されてなる素体３と、この素体３の表面に設けられた端子電極４〜６及び外部導体７を備えている。 - 特許庁

An electrostatic protective element 1 comprises: a varistor 3 comprising a sintered body which contains ZnO as a main component and Co as an accessory component; and a plurality of conductors 5 and 7 arranged to sandwich the varistor 3 therebetween.例文帳に追加

静電気保護素子１は、ＺｎＯを主成分とすると共に副成分としてＣｏを含有する焼結体からなるバリスタ部３と、バリスタ部３を挟んで配置された複数の導体部５，７と、を備えている。 - 特許庁

To provide a varistor holding structure which can avoid damage on a solder junction 5 and can prevent a varistor 3 from falling from a terminal part 20b by alleviating stress on the solder junction 5 when rotating an armature.例文帳に追加

電機子の回転時に半田接合部５に掛かる応力を緩和することにより、半田接合部５の破損を回避でき、且つ、ターミナル部２０ｂからバリスタ３が脱落することを防止できるバリスタ保持構造を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayered filter which prevents a current rapidly starting flowing by a varistor effect from becoming noise and passing when noise of a high voltage exceeding a varistor voltage is applied to an input.例文帳に追加

バリスタ電圧を越える高い電圧のノイズが入力に印加された際に、バリスタ効果によって急激に流れた電流がノイズとなって通過するのを防止することができる積層型フィルタを提供する。 - 特許庁

The outer package structure is multi-layered by using the first and second coating layers, and the flexibility of the second coating layer can suppress scattering of resin and solder or the like due to breakage of the varistor in the case of operation of the varistor at absorption of surge or the like.例文帳に追加

第１及び第２の被覆層により外装構造の多層化とともに、第２の被覆層の柔軟性によりサージ吸収等の動作時、破壊による樹脂やハンダ等の飛散を抑制できる。 - 特許庁

Furthermore, the separation of the electric wire winding section 18 and the ring varistor 20 by a predetermined interval makes it hard to generate a welded mass on the ring varistor 20 side on welding the electric wire W to the electric wire winding section 18.例文帳に追加

さらに、電線巻付け部１８とリングバリスタ２０とを所定間隔だけ離間させる結果として、電線Ｗと電線巻付け部１８との溶接時にリングバリスタ２０側に溶接塊が生成され難い。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 1 is arranged on the multilayered chip varistor 11, and electrically connected to the first and second internal electrodes 31 and 41 so as to be connected in parallel to the multilayered chip varistor 11.例文帳に追加

半導体発光素子１は、積層型チップバリスタ１１上に配されると共に、該積層型チップバリスタ１１に並列接続されるように第１及び第２の内部電極３１，４１に電気的に接続される。 - 特許庁

A plurality of bumps 42 formed in the semiconductor device 40 and the ceramic layer 30a (serving for a varistor element) of the ceramic varistor 3 are connected by a conductor wire 121 pattern-formed on the resin layer 120.例文帳に追加

半導体装置４０に形成された複数のバンプ４２、及びセラミックバリスタ３のセラミック層３０ａ（バリスタ素子として機能する。）は、樹脂層１２０上にパターン形成された導体線１２１によって接続されている。 - 特許庁

A varistor material composed of thermosetting resin and ground semiconductor ceramic is molded on the inside of each commutator segment 34 to form a varistor 71 which is then arranged in the body section 64 by insert molding.例文帳に追加

熱硬化性樹脂と半導体セラミックの粉砕物から成るバリスタ素材を各整流子片３４の内側で型成形してバリスタ７１を形成し、このバリスタ７１をインサート成型により胴部６４に内部に配置する。 - 特許庁

The Zener voltage of the Zener diode is set to a predetermined first voltage value and the varistor voltage of the varistor is set to a second voltage value equal to or higher than the first voltage value.例文帳に追加

ここで前記ツェナーダイオードのツェナー電圧は所定の第１電圧値に設定されており、且つ、前記バリスタのバリスタ電圧は、前記第１電圧値と等しいか又はそれよりも大きい第２電圧値に設定されている。 - 特許庁

The insulator 10 is bonded to the varistor element 20 and is provided with first and second internal conductors 12 and 14.例文帳に追加

絶縁体１０は、バリスタ素体２０と固着し、第１及び第２の内部導体１２，１４が設けられている。 - 特許庁

A region where Li is dispersed near the external surface of the varistor element body 11 has a very high electric resistance.例文帳に追加

バリスタ素体１１の外表面近傍のＬｉが拡散された領域は電気抵抗が極めて高くなる。 - 特許庁

To provide a laminated chip varistor improved in moisture resistance, plating resistance, and also improved in surge resistance and energy resistance.例文帳に追加

耐湿性・耐メッキ性を改善し、サージ耐量およびエネルギー耐量も向上させた積層チップバリスタを提供する。 - 特許庁

To provide a varistor capable of reducing capacitance, while maintaining proper voltage nonlinear characteristics.例文帳に追加

電圧非直線特性を良好に維持しつつ、低静電容量化を図ることが可能なバリスタを提供すること。 - 特許庁

To configure a nonlinear resistance change element whose low varistor voltage characteristics are compatible with the low capacitance characteristics.例文帳に追加

低バリスタ電圧特性と低静電容量特性とが両立する非線形抵抗変化素子を構成する。 - 特許庁

To provide a laminated chip varistor that appropriately maintains ESD withstand, while reducing the capacitance.例文帳に追加

ＥＳＤ耐量を良好に維持しつつ、低静電容量化を図ることが可能な積層型チップバリスタを提供する。 - 特許庁

To downsize a deterioration display circuit and further surely check performance of a varistor in a protector for power supply at a time of maintenance.例文帳に追加

劣化表示回路を小型化し、更に、電源用保安器のメンテナンス時のバリスタ性能確認を正確に行う。 - 特許庁

The varistor portion 7 and the pair of outer layer portions 9 principally comprise ZnO and contain a rare earth metal.例文帳に追加

バリスタ部７及び一対の外層部９は、ＺｎＯを主成分とすると共に希土類金属を含んでいる。 - 特許庁

The layered product formed in the lamination process is provided with first and second varistor green parts and a heat radiation green part.例文帳に追加

積層工程で形成するグリーン積層体は、第１及び第２のバリスタグリーン部と放熱グリーン部とを備える。 - 特許庁

An output terminal of a frequency output device 2 to output a frequency signal includes a varistor element Zs1.例文帳に追加

周波数信号を出力する周波数出力装置２の出力端子にバリスタ素子Ｚｓ１を設ける。 - 特許庁

The light emitting device LE1 comprises a laminated chip varistor 11, a semiconductor light emitting element 1, and a reflecting layer 24.例文帳に追加

発光装置ＬＥ１は、積層型チップバリスタ１１と、半導体発光素子１と、反射層２４とを備える。 - 特許庁

ZINC OXIDE CERAMIC COMPOSITION AND ITS PRODUCTION METHOD AND ZINC OXIDE VARISTOR AND DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

酸化亜鉛磁器組成物とその製造方法および酸化亜鉛バリスタとこれを用いた酸化亜鉛バリスタ装置 - 特許庁

Configuration installing a varistor which establishes operation voltage of the photo-coupler against AC output of the voltage dividing circuit is included.例文帳に追加

分圧回路の交流出力に対するフォトカプラの動作電圧を設定するバリスタを設けた構成も含む。 - 特許庁

To provide a varistor in which the capacitance can be reduced, and to provide its production process.例文帳に追加

静電容量を低減させることができるバリスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The metal pieces 51 to 53 are jointed to the electrodes 42 to 44 of the varistor element 40 by laser welding 21 to 23.例文帳に追加

金属片５１〜５３は、レーザ溶接２１〜３により、バリスタ素子４０の電極４２〜４４に接合されている。 - 特許庁

A varistor VR and varicap VC are provided at a negative resistance generation circuit which is to be connected to a spiral inductor L.例文帳に追加

スパイラルインダクタＬに接続される負性抵抗発生回路に、バリスタＶＲ及びバリキャップＶＣを設ける。 - 特許庁

To provide a power source circuit for a small lifting magnet capable of absorbing the backward voltage except for a varistor.例文帳に追加

バリスタ以外のもので逆電圧を吸収させるようにした小型のリフマグ用電源回路を提供する。 - 特許庁

The SPD for power supplies has: an insulator plate 30a moving between an electrode extraction terminal 11 of a zinc oxide varistor element 10 and a disconnection conductor 21 disconnected from the electrode extraction terminal 11 in the fault of the varistor element 10 to insulate both the conductive materials; and a spring member 31 for energizing so that the insulator plate 30a is operated when the varistor element 10 fails.例文帳に追加

酸化亜鉛形バリスタ素子１０の電極引出し端子１１と、バリスタ素子１０の異常時に電極引出し端子１１から切り離された切離し導体２１との間に移動して両者導電体間を絶縁する絶縁板３０ａと、絶縁板３０ａをバリスタ素子１０の異常時に動作させるように附勢するばね材３１を備える。 - 特許庁

A filter circuit 200 of a surge protection device includes a Y capacitor 202, a first metal oxide varistor 204 connected between a first line and the Y capacitor 202, and a second metal oxide varistor 208 connected between a second line and the Y capacitor 202.例文帳に追加

サージ保護装置のフィルタ回路(200)は、Ｙキャパシタ(202)、第１のラインとＹキャパシタ(202)の間に結合された第１の金属酸化物バリスタ(204)、および、第２のラインとＹキャパシタ(202)の間に結合された第２の金属酸化物バリスタ(208)を備える。 - 特許庁

In addition, the varistor voltage, electrostatic capacitance, and voltage nonlinear index of the varistor ceramic 1a constituting the base member section 1 are adjusted by adjusting the amount of the particles of the metallic conductive material 1b scattered in the ceramic 1a.例文帳に追加

静電気保護素子１０の基材部１を構成するバリスタセラミック１ａのバリスタ電圧、静電容量、および電圧非直線指数を、バリスタセラミック１ａに分散させる金属導電体１ｂの粒子の添加量により調整する。 - 特許庁

The green stacked products formed in the stacking step each includes a first and a second varistor green section and a heat dissipating green section.例文帳に追加

積層工程で形成するグリーン積層体は、第１及び第２のバリスタグリーン部と放熱グリーン部とを備える。 - 特許庁

To provide a laminated chip varistor which is made low in electrostatic capacity while keeping ESD dielectric strength excellent.例文帳に追加

ＥＳＤ耐量を良好に維持しつつ、低静電容量化を図ることが可能な積層型チップバリスタを提供すること。 - 特許庁

To solve the problems of a conventional joining method between a commutator piece and a ring varistor that continuity failure occurs and that the workability is not good, either.例文帳に追加

従来のコミュテータ片とリングバリスタとの接合方法では、導通不良が生じ易く、作業性も良くない。 - 特許庁

To provide a varistor element which can be suitably and easily mounted even when mounted in the form of a BGA (ball grid array) package.例文帳に追加

ＢＧＡパッケージとされた場合でも、適切且つ容易に実装することが可能なバリスタ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a varistor that is made higher in energy withstand characteristic by improving a heat sink function by eliminating the conventional metallic plate.例文帳に追加

従前の金属プレートを省略してヒートシンク機能を高め、高エネルギ耐量を実現したバリスタを提供すること。 - 特許庁

To provide a laminated chip varistor capable of increasing static capacitance without increasing a leakage current.例文帳に追加

漏洩電流を増加させることなく、高静電容量化を図ることが可能な積層型チップバリスタを提供すること。 - 特許庁

To provide a laminated chip varistor that appropriately maintains ESD withstand, while reducing the capacitance.例文帳に追加

ＥＳＤ耐量を良好に維持しつつ、低静電容量化を図ることが可能な積層型チップバリスタを提供すること。 - 特許庁

An average diameter of crystal grain of the surface of the ZnO thin film having varistor characteristics is set to 50 nm or greater.例文帳に追加

バリスタ特性を有するＺｎＯ薄膜の表面の結晶粒の平均的な直径を５０ｎｍ以上とする。 - 特許庁

To provide a motor that can effectively prevent a spark by changing only a structure of the motor without a ring varistor and a capacitor.例文帳に追加

リングバリスタやコンデンサなどを用いなくても、モータの構造を変更するだけでスパークを効果的に防止できるモータ。 - 特許庁

A thin-film varistor 1 includes a nickel layer 10, a nickel oxide layer 12, a zinc oxide layer 14, and electrode layers 16 and 18.例文帳に追加

薄膜バリスタ１は、ニッケル層１０と、酸化ニッケル層１２と、酸化亜鉛層１４と、電極層１６，１８とを備える。 - 特許庁

CERAMIC MATERIAL USED FOR PROTECTION TO ELECTRICALLY EXCESS STRESS, AND LOW CAPACITANCE MULTILAYER CHIP VARISTOR USING IT例文帳に追加

電気的過大応力に対する保護のために使用されるセラミック材料、及びそれを使用する低キャパシタンス多層チップバリスタ - 特許庁

The first electrode layer 51a is formed on an outside surface of the varistor element 11, and contains Ag and a glass substance.例文帳に追加

第１の電極層５１ａは、バリスタ素体１１の外表面上に形成され、Ａｇ及びガラス物質を含んでいる。 - 特許庁

The light emitting device 1 comprises a light emitting diode 1 as a semiconductor light emitting element; and a varistor element 5 as a protective element.例文帳に追加

発光装置１は、半導体発光素子としての発光ダイオード１と、保護素子としてのバリスタ素子５とを備える。 - 特許庁

Three electrodes 11 of concentric circle state are formed at predetermined intervals on a flat surface of the annular varistor 10.例文帳に追加

リング状のバリスタ１０の平面には、３つの同心円状の電極１１が所定間隔をおいて形成されている。 - 特許庁

The varistor element 5 is connected in parallel with the light emitting diode 1 for protecting the light emitting diode 1 from static discharge.例文帳に追加

バリスタ素子５は、発光ダイオード１に並列接続されると共に、発光ダイオード１を静電気放電から保護する。 - 特許庁