「a VG」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a voltage-controlled oscillator which does not vary in sensitivity of f-VG characteristic with temperature.例文帳に追加

ｆ−VG特性の感度が温度により変化しない電圧制御型発振器を提供する。 - 特許庁

The capacitance increased between both electrodes drops voltage Vg between both electrodes, and since the relation of Vd=Vg+Vd (eff) is valid, effective voltage Vd (eff) between the third focusing electrode G5-1 and a forth focusing electrode G5-2 is increased.例文帳に追加

両電極間の増大されたキャパシタンスは両電極間の電圧Vgを立下げ、Vd=Vg+Vd(eff)なので第３フォーカス電極G5-1と第４フォーカス電極G5-2間の有効電圧Vd(eff）が増大される。 - 特許庁

To universally evaluate a degree of hump for an Id-Vg characteristic.例文帳に追加

Ｉd-Ｖg 特性のハンプの度合いを普遍的に評価する。 - 特許庁

A voltage VG with a fixed voltage value generated by a VG generator is used as a gate drive voltage VGa with respect to an Lo-side transistor Q11.例文帳に追加

ＬｏサイドのトランジスタＱ１１に対するゲート駆動電圧ＶＧａは、ＶＧ生成部により電圧値が固定的に生成された電圧ＶＧを用いる。 - 特許庁

The gate voltage Vg (Tr2) is set to a voltage lower than a first voltage V_H.例文帳に追加

ゲート電圧Ｖｇ（Ｔｒ２）は、第１電圧Ｖ_Ｈ未満に設定されている。 - 特許庁

A current I corresponding to the output voltage Vg flows in a load circuit 20.例文帳に追加

負荷回路２０では、出力電圧Ｖｇに対応した電流Ｉが流れる。 - 特許庁

The auxiliary capacitor voltage VSC which inverts after rising of a gate voltage VG is impressed to the auxiliary capacitor lines disposed at every gate line.例文帳に追加

ゲートライン毎に設けられた補助容量ラインに、ゲート電圧VGの立ち下がりの後に、反転する補助容量電圧VSCを印加する。 - 特許庁

A drive transistor TDR generates a driving current IDR, according to the potential VG of the gate.例文帳に追加

駆動トランジスタＴDRは、ゲートの電位ＶGに応じた駆動電流ＩDRを生成する。 - 特許庁

A driving transistor TDR generates a driving current IDR corresponding to the potential VG at the gate.例文帳に追加

駆動トランジスタＴDRは、ゲートの電位ＶGに応じた駆動電流ＩDRを生成する。 - 特許庁

Bias voltage Vg is outputted from a bias voltage output part 14 in accordance with the calculated power level and the bias of a power amplification part 10 is set with bias voltage.例文帳に追加

同算出した電力レベルに応じ、バイアス電圧出力部14よりバイアス電圧Vgを出力し、同電圧で電力増幅部10のバイアス設定をする。 - 特許庁

The gate voltage VG (-3V) is a negative voltage, the absolute value of which is smaller than the absolute value of a gate voltage VG (-10. 5V) to be applied during data erasing.例文帳に追加

このゲート電圧ＶＧ（−３Ｖ）は、データ消去時に印加されるゲート電圧ＶＧ（−１０．５Ｖ）の絶対値よりもその絶対値が小さな負電圧にされる。 - 特許庁

A clamping circuit 30 clamps the gate voltage Vg of the output transistor 12.例文帳に追加

クランプ回路３０は、出力トランジスタ１２のゲート電圧Ｖｇをクランプする。 - 特許庁

Firstly, a first metal is film-formed and a lower-part electrode 22 of the Vg line is patterned.例文帳に追加

まず、第１の金属を成膜し、Ｖｇ ｌｉｎｅの下部電極２２をパターニングする。 - 特許庁

Voltages VG, VD1 are lowered when, for example, a terminal T2 (or a terminal CP) is grounded.例文帳に追加

たとえば端子Ｔ２（あるいは端子ＣＰ）の地絡時に電圧ＶＧ，ＶＤ１は低下する。 - 特許庁

A VG generating circuit 10 outputs a voltage VG which gradually increases similar to an exponential function, when rising and becomes stable at a gate drive voltage of transistors Q10 and Q11.例文帳に追加

ＶＧ生成回路１０は、立ち上がり時に電圧が指数関数的に漸増し、トランジスタＱ１０及びＱ１１のゲート駆動電圧で安定する電圧ＶＧを出力する。 - 特許庁

The drive transistor TDR includes a gate D having a potential VG set in accordance with a data signal D[j] and a back gate B for controlling a channel formed in accordance with the potential VG of the gate G.例文帳に追加

駆動トランジスタＴDRは、データ信号Ｄ[j]に応じて電位ＶGが設定されるゲートＧと、当該ゲートＧの電位ＶGに応じて形成されるチャネルを制御するバックゲートＢとを含む。 - 特許庁

Since a Vg redundant wiring Y is formed simultaneously with an Sig line, no additional manufacturing process is required for forming the Vg redundant wiring Y.例文帳に追加

Ｖｇ冗長配線ＹはＳｉｇ線と同時に形成されるため、Ｖｇ冗長配線Ｙを形成するために製造プロセスを増やす必要はない。 - 特許庁

The random number generating circuit 11 and the comparator 13 have a low threshold value Vg which is the same as that of a microcomputer which is not shown in a figure, and the memory 12 has a little higher threshold value Vm than the threshold value Vg.例文帳に追加

乱数発生回路１１及びコンパレータ１３は図示されないマイクロコンピュータと同一の低い閾値Ｖｇを持ち、メモリ１２はＶｇより若干高い閾値Ｖｍを持っている。 - 特許庁

The IGBTs 27, 28 are driven at a common gate voltage Vg by a driving circuit 47.例文帳に追加

ＩＧＢＴ２７と２８は駆動回路４７により共通のゲート電圧Ｖｇで駆動される。 - 特許庁

A gate charging current IC flows to the N channel transistor M3 and a gate voltage VG is increased.例文帳に追加

ＮチャネルトランジスタＭ３には、ゲート充電電流ＩＣが流れゲート電圧ＶＧが上昇する。 - 特許庁

The forward voltage (gate voltage VG) across the gate-source of the JFET 2 is limited to a voltage value (Vo) lower than a built-in voltage between the gate and source, and therefore a gate current is also restrained.例文帳に追加

ＪＦＥＴ２のゲート−ソース間の順方向電圧（ゲート電圧VG）は、ゲート−ソース間のビルトイン電圧よりも低い値（Vo）に抑制され、ゲート電流IGも抑制されることになる。 - 特許庁

The first glass substrate 4 is partially notched so as to form a V-shaped groove VG.例文帳に追加

そして第１のガラス基板４の一部をノッチングして、Ｖ字型の溝ＶＧを形成する。 - 特許庁

Then, one portion of the first glass substrate 4 is notched for forming a V-shaped groove VG.例文帳に追加

そして第１のガラス基板４の一部をノッチングして、Ｖ字型の溝ＶＧを形成する。 - 特許庁

Output voltage Vg is produced based on the electromotive force Vf of a chemical battery 31.例文帳に追加

化学電池３１の起電力Ｖｆを基にして出力電圧Ｖｇが生成される。 - 特許庁

The Vg lines 4 are connected with a GND potential used as a constant potential means on an opposite side of the gate driver 13 for applying bias voltages to the Vg lines 4, by using a semiconductor layer 7 and a metal wiring 8.例文帳に追加

Ｖg線４は、Ｖg線４にバイアス電圧を印加するゲートドライバ１３と反対側で、半導体層７と金属配線８によって、定電位手段たるＧＮＤ電位に接続されている。 - 特許庁

When the error amplifier 5 has a slight decrease in gate voltage Vg, the value of the gate voltage Vg after the decrease is higher than the operating threshold voltage Vth of an inverter circuit 21.例文帳に追加

誤差増幅器５がゲート電圧Ｖｇをわずかに低下させた場合、低下後のゲート電圧Ｖｇの値は、インバータ回路２１の動作しきい値電圧Ｖｔｈよりも高い。 - 特許庁

To write or read a plurality of memory transistors continuing to a word line in parallel in a VG memory cell array.例文帳に追加

ＶＧ型メモリセルアレイにおいて、ワード線に連なる複数のメモリトランジスタを並列に書き込みまたは読み出す。 - 特許庁

The Vg line is a metal wiring formed on a substrate which is provided at the lowest part.例文帳に追加

Ｖｇ ｌｉｎｅは基板上に形成される金属配線の最も下部に配置される配線である。 - 特許庁

In this case, a voltage Vstb at the substrate voltage terminal 24 is set smaller than a gate voltage Vg in an OFF state.例文帳に追加

その際に、基板電圧端子２４の電圧Ｖstbをオフ時のゲート電圧Ｖgよりも小さく設定する。 - 特許庁

A grid electrode 12 on which voltage Vg is applied is disposed between the discharge electrode 10 and a photoreceptor 13.例文帳に追加

電圧Ｖｇを印加したグリッド電極１２を放電電極１０と感光体１３間に配置する。 - 特許庁

Drive operation is performed under a relation of voltage Va of the anode 5 > voltage Vf of the focusing electrode 15 > voltage Vg of the gate electrode 14.例文帳に追加

アノード電圧Ｖ_a ＞収束電極15の電圧Ｖ_f ＞ゲート電極14の電圧Ｖ_g で駆動する。 - 特許庁

Resultingly, a higher side voltage out of a voltage Ve and a voltage Vf is output as a voltage Vg to a g-point, and an A/D converter 26 detects the abnormality of the voltage output from the battery 10, based on the voltage Vg.例文帳に追加

この結果ｇ点には、電圧Ｖｅまたは電圧Ｖｆのいずれか高い方の電圧が、電圧Ｖｇとして出力され、ＡＤコンバータ２６は、電圧Ｖｇに基づいてバッテリ１０が出力する電圧の異常検出を行う。 - 特許庁

Following relation is set among cell well voltage Vsub, gate voltage Vg, source voltage Vs, and drain voltage Vd; Vsub≥Vg>Vs>Vd, so that Vg-Vd becomes larger than a potential difference generated by the tunnel current between bands, and Vsub-Vd becomes equal to or larger than the barrier potential of a tunnel insulating film.例文帳に追加

セルウェル電圧Ｖｓｕｂ、ゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓ、ドレイン電圧Ｖｄの関係をＶｓｕｂ≧Ｖｇ＞Ｖｓ＞Ｖｄとし、Ｖｇ−Ｖｄがバント間トンネル電流の発生電位差以上となり、且つ、Ｖｓｕｂ−Ｖｄがトンネル絶縁膜の障壁電位と比べてほぼ同等以上となるようにする。 - 特許庁

Eight feature lines L1 to L8 smaller than the number of horizontal scanning lines (256 lines) of template image data VG are set in the template image data VG stored in a template image recording memory 24.例文帳に追加

テンプレート画像記録用メモリ２４に記憶されたテンプレート画像データＶG に対しその水平走査ライン数（２５６本）より少数の８本の特徴ラインＬ１〜Ｌ８を設定する。 - 特許庁

Control voltage VG is supplied to the gate of the MOS-FET (Q11) and voltage obtained by reversing polarity of the control voltage VG is supplied to the drain through a resistance element R12.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｑ11）のゲートに制御電圧ＶGが供給されるとともに、この制御電圧ＶGの極性を反転した電圧が抵抗素子Ｒ12を通じてドレインに供給される。 - 特許庁

If VA>VG, the forward-direction current (VA-VF-VG)/R1 flows in the diode D2 so that the output voltage of the voltage amplifier 5 which is a guard buffer is kept at VS=VO.例文帳に追加

また、ＶＡ＞ＶＧの時は、ダイオードＤ２には（ＶＡ−ＶＦ−ＶＧ）／Ｒ１の順方向電流が流れ、ガードバッファである電圧増幅器５の出力電圧はＶＳ＝ＶＯに維持される。 - 特許庁

A capacitor element C1 is electrically connected to a gate electrode of the drive transistor Tdr to set and maintain a gate potential Vg.例文帳に追加

容量素子Ｃ1は、駆動トランジスタＴdrのゲート電極に電気的に接続されてゲート電位Ｖgを設定・保持する。 - 特許庁

Also, a bit line 11b is connected to a reading circuit 22, a bit line 11b is associative-grounded to Vg=(V1+V2)/2.例文帳に追加

また、ビット線１１ｂを読み出し回路２２に接続し、ビット線１１ｂは、Ｖｇ＝（Ｖ１＋Ｖ２）／２に仮想接地される。 - 特許庁

A game apparatus calculates a gravitational vector Vg, which represents a gravitational direction viewed from an input device, based on operation data.例文帳に追加

ゲーム装置は、入力装置から見た重力方向を表す重力ベクトルＶｇを操作データを用いて算出する。 - 特許庁

In an initialization period PRS, a potential VG of a gate of a driving transistor TDR is initialized to turn on the driving transistor TDR.例文帳に追加

初期化期間ＰRSにおいては、駆動トランジスタTDRのゲートの電位ＶGを初期化することで駆動トランジスタTDRを導通させる。 - 特許庁

In this case, a delay time Td2 of a drain voltage Vd to a gate voltage Vg is made longer than a variable delay time Td0.例文帳に追加

この場合、ゲート電圧Ｖｇに対するドレイン電圧Ｖｄの遅延時間Ｔｄ２を可変遅延時間Ｔｄ０より長くする。 - 特許庁

When the output voltage Vg of a generator 3 is temporarily lowered to a predetermined value or below due to application of a load, a voltage drop detector 251 detects that and outputs the lowered output voltage Vg to a limit value computing means 252.例文帳に追加

負荷投入にともない発電機３の出力電圧Ｖｇが一時的に所定値以下に低下したとき、電圧低下検出器２５１が検出してこの低下した出力電圧Ｖｇを制限値演算手段２５２に出力する。 - 特許庁

The fluctuation quantity of the voltage Vg is detected as the fluctuation quantity of a signal current Isig in a signal processing circuit.例文帳に追加

電圧Ｖｇの変動量は、信号電流Ｉsigの変動量として、信号処理回路で検出される。 - 特許庁

The P channel transistor M1 becomes a diode connection and the increase change rate of the gate voltage VG becomes smooth.例文帳に追加

ＰチャネルトランジスタＭ１は、ダイオード接続となり、ゲート電圧ＶＧの上昇変化率が緩やかとなる。 - 特許庁

The voltage containing a bias voltage VG and an input signal vi is applied to the gate of the MOS transistor M1.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１のゲートには、バイアス電圧Ｖ_Gと入力信号ｖ_iを含む電圧が印加される。 - 特許庁