「amorphous structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

This is an X-ray mask which has an X-ray absorber made selectively on an X-ray transmitting film 2, and as this X-ray absorber 1, amorphous structure of TaSiAl, TaSiTi, TaSiCr, TaSiMo, TaSiCu, TaGeAl, TaGeTi, TaGeCr, TaSiMo, or TaGeCu is used.例文帳に追加

Ｘ線透過膜２上に選択的に形成されたＸ線吸収体１を有するＸ線マスクであって、このＸ線吸収体１として、アモルファス構造のＴａＳｉＡｌ、ＴａＳｉＴｉ、ＴａＳｉＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、ＴａＳｉＣｕ、ＴａＧｅＡｌ、ＴａＧｅＴｉ、ＴａＧｅＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、ＴａＧｅＣｕを用いる。 - 特許庁

Further, the observation method for observing the cross section of the semiconductor device includes a process for observing the cross section of the specific place of the semiconductor device by a scanning microscope and a process for forming the protective film of an amorphous structure to the cross section and further observing the cross section by the transmission type electron microscope through the protective film.例文帳に追加

また、半導体デバイスの断面を観察する観察方法において、前記半導体デバイスの特定箇所の断面を走査型顕微鏡で観察する工程と；前記断面に非晶質構造の保護膜を形成し、当該保護膜を透して透過型電子顕微鏡によって前記断面を更に観察する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

An alloy 31 which has glass transition temperature and crystallization temperature and also has an amorphous structure is disposed between a semiconductor chip 11 and a wiring layer 14, and while they are pressed, the alloy 31 is heated to the level of a temperature between the glass transition temperature and crystallization temperature to bond the semiconductor chip 11 and wiring layer 14 together.例文帳に追加

ガラス転移温度と結晶化温度を有し、かつアモルファス組織を有する合金３１を半導体チップ１１と配線層１４との間に配置して、これらを加圧しつつ、合金３１をガラス転移温度から結晶化温度までの間の温度に加熱して半導体チップ１１と配線層１４接合する。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁

To provide a core structure for a magnetic bearing capable of constituting even a stator core having a projection part in a peripheral direction of a laminated steel plate, efficiently performing cutting by avoiding falling, collapse and peeling of the laminated steel plate, using an amorphous material difficult to be laminated, reducing manufacturing/working cost and remarkably reducing excess current generated in a stator part and manufacturing method therefor.例文帳に追加

周方向に張出し部を有するステータコアであっても、これを積層鋼板で構成することができ、かつ積層鋼板の脱落、潰れ、剥離を回避して、能率良く切削加工することができ、更に積層が難しいアモルファス材を使用することができ、これにより製作・加工コストを低減でき、かつステータ部に発生する渦電流を大幅に低減できる磁気軸受のコア構造とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic core material for an antenna is composed of an amorphous alloy strip with a sheet thickness of ≤25 μm or a nanocrystal alloy strip with a sheet thickness of ≤25 μm in which at least 50% of the structure is composed of crystal grains with a grain size of ≤100 nm, and further, induced magnetic anisotropy is applied to the width direction or thickness direction of the alloy strip.例文帳に追加

板厚が25μm以下であるアモルファス合金薄帯、若しくは組織の少なくとも50%が粒径100nm以下の結晶粒からなる板厚25μm以下のナノ結晶合金薄帯からなるとともに、前記合金薄帯の幅方向あるいは厚さ方向に誘導磁気異方性が付与されていることを特徴とするアンテナ用磁心材料を用いる。 - 特許庁

The electrolyte membrane for the direct methanol fuel cell has stacked structure of a proton conductive polymer membrane 1 and a carbon thin membrane 6, and the carbon thin membrane 6 is formed on the proton conductive polymer membrane 1 by an electron cyclotron resonance sputtering method, and has structure mixed with graphite structure crystalline carbon 7 and amorphous carbon 8.例文帳に追加

プロトン伝導性高分子膜１とカーボン薄膜６との積層構造を有する直接メタノール型燃料電池用電解質膜であって、カーボン薄膜６は、電子サイクロトン共鳴スパッタ法を用いてプロトン伝導性高分子膜１上に成膜され、グラファイト構造の結晶性カーボン７とアモルファスカーボン８が混在した構造を有することを特徴とする直接メタノール型燃料電池用電解質膜を構成する。 - 特許庁

The antistatic sheet having the multilayer structure 10 is provided with a three-layer structure at least formed by interposing an intermediate layer comprising an organic boron-based polymer compound and a vinyl resin binder between the surface layers constituted by a pair of sheets made of a thermoplastic resin [preferably, A-PET (amorphous-polyethylene terephthalate), polystyrene, polypropylene, polyethylene, polycarbonate, an acrylic resin, an acrylonitrile-butadiene-styrene resin].例文帳に追加

この発明の多層構造の帯電防止シート１０では、一対の熱可塑性樹脂（好ましくはＡ−ＰＥＴ（アモルファス−ポリエチレンテレフタレート）、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、アクリルニトリルブタジエンスチレン樹脂）シートで構成された表面層間に有機ホウ素系高分子化合物及びビニール系樹脂バインダーからなる中間層を介在させた三層構造を少なくとも有している。 - 特許庁

A nanocrystal structure has a thermoelectric power and/or power factor increased through heat-treatment that is performed for a time sufficient for evenly precipitating several XSi_2 crystal grains in an amorphous matrix which comprises a potentially bivalent element (X) and silicon (Si) and for at least partially percolating the individual precipitated XSi_2 crystal grains but is stopped before a silicon (Si) crystal precipitates.例文帳に追加

２価を取り得る元素（X）—シリコン（Si）非晶質母体中に多数のXSi_2結晶粒を均一に析出させるのに十分であり、前記析出させたXSi_2結晶粒のそれぞれの少なくとも一部をパーコレーションさせるのに十分であり、かつ、シリコン（Si）結晶の析出が起こる一歩手前である熱処理を施すことによって、熱電能および／またはパワーファクターを増加させたことを特徴とするナノクリスタル構造体を提供する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon thin film for a display device is featured in that adjoining primary crystal grain boundaries are not parallel and an area enclosed by primary crystal grain boundaries is larger than 1 μm^2, and also characterized by a step of crystallizing amorphous silicon using a laser beam, through the use of a mask having a mixed structure of a laser-transparent line-shaped pattern and a laser-opaque pattern.例文帳に追加

本発明は多結晶シリコン薄膜、これの製造方法及びこれを利用して製造された薄膜トランジスタに係り、隣接したプライマリ結晶粒境界が平行せずにプライマリ結晶粒境界に囲まれた面積が１μｍ^２より大きいことを特徴とするディスプレーデバイス用多結晶シリコン薄膜及びレーザーが透過するライン形態のパターンとレーザーが透過することができないパターンが混合された構造を有するマスクを用いて非晶質シリコンをレーザーを利用して結晶化する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device equipped with a ferroelectric capacitor comprises processes of forming the lower electrode layer of the ferroelectric capacitor on the semiconductor wafer provided with an underlying structure for the ferroelectric capacitor, forming an amorphous ferroelectric layer on the lower electrode layer, thermally treating the ferroelectric layer in an atmosphere containing a prescribed gas, and forming an upper electrode on the ferroelectric layer that has been crystallized through a thermal treatment.例文帳に追加

本発明による強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法は、強誘電体キャパシタに対する下地構造を有する半導体ウエハに、強誘電体キャパシタの下部電極層を形成する工程と、下部電極層に、アモルファス相の強誘電体層を形成する工程と、所定のガスを含む雰囲気中で、強誘電体層に熱処理を行う工程と、熱処理により結晶化した強誘電体層に、上部電極を形成する工程より成る。 - 特許庁

The heat-shrinkable polyester film is made of a polyester based resin which includes ethylene terephthalate as essential constitutional component and contains at least 13 mol% of at least one kind of monomer component which may be turned into an amorphous component in the total polyester resin component, has a monolayer or a two-kind three-layer structure and has a specified heat-shrinkage characteristic and a specified dynamic characteristic after heat-shrinkage treatment.例文帳に追加

エチレンテレフタレートを主たる構成成分とし、全ポリエステル樹脂成分中において非晶質成分となりうる１種以上のモノマー成分を１３モル％以上含有しているポリエステル系樹脂からなり、単層又は２種３層構成の熱収縮性ポリエステル系フィルムであって、特定の熱収縮特性と特定の熱収縮処理後の力学的特性を有する熱収縮性ポリエステル系フィルム。 - 特許庁

The polymer material with biocompatibility is characterized by having a structure in which a polymer having vinyl carboxylate as a constitutional unit is dispersed in a nanometer order in the amorphous portion of a polyolefin matrix and constructing a surface having a phosphatide polar group, wherein the phosphatide polar group is fixed by chemically modifying a hydroxyl group generated by hydrolyzing an ester group of the polymer present in the vicinity of the surface.例文帳に追加

ポリオレフィン基質の非晶質部分に、カルボン酸ビニルを構成単位とする重合体がナノメートルオーダーで分散した構造を有すると共に、リン脂質極性基を有する表面が構築され、前記リン脂質極性基は、表面近傍に存在する重合体のエステル基を加水分解して生じた水酸基を化学修飾することにより固定されていることを特徴とする、生体親和性高分子材料。 - 特許庁