「amorphous structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

This provides a relatively uniform surface for producing a dielectric thereon, which results in that a dielectric layer having a substantially uniform thickness and a homogeneous amorphous structure is formed, thereby improving a leakage current and stability.例文帳に追加

これは、誘電体の生成のための比較的均一な表面を提供し、それは、次に、実質的に均一な厚み及び均質なアモルファス構造を有する誘電体層をもたらし、従って、漏れ電流及び安定性が改善される。 - 特許庁

In the granular structure film, magnetic crystal grains are dispersed in a non-magnetic amorphous matrix and respective crystal grains are enclosed by a grain enclosing material for suppressing the crystal grains from growing and making their diameter large when annealing.例文帳に追加

本粒状組織膜においては、磁性結晶粒が非磁性アモルファスマトリックス中に分散され、アニーリング時に結晶粒が成長して大径化することを抑制する粒子閉じ込め材料で各結晶粒が囲まれている。 - 特許庁

The toner contains an amorphous polymer having a structural moiety of triphenyl imidazole having a crosslinked structure between imidazole rings, and a crystalline polymer which is a polyester having a structural unit derived from an unsaturated polycarboxylic acid, by 5 to 45 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the amorphous polymer.例文帳に追加

トナーは、イミダゾール環間で架橋構造を有するトリフェニルイミダゾールの構造部位を有する非結晶性ポリマー、および、不飽和多価カルボン酸に由来する構造単位を含むポリエステルである結晶性ポリマーを、非結晶性ポリマー１００質量部に対して５〜４５質量部含有することを特徴とする。 - 特許庁

An intermediate layer 5 sandwiched by an amorphous Si photoelectric converting layer 4 and a microcrystal Si photoelectric converting layer 6 is a double-layer structure of a positive charge holding aluminum oxide layer 5a having a positive fixed charge in the interface of the amorphous Si photoelectric converting layer 4 side and a negative charge holding aluminum oxide layer 5b having a negative fixed charge in the interface of the opposite side microcrystal Si photoelectric converting layer 6 side.例文帳に追加

非晶質Ｓｉ光電変換層４と微結晶Ｓｉ光電変換層６とに挟まれた中間層５は、非晶質Ｓｉ光電変換層４側の界面に正の固定電荷を持った正電荷保持酸化アルミニウム層５ａ、反対側の微結晶Ｓｉ光電変換層６側の界面に負の固定電荷を持った負電荷保持酸化アルミニウム層５ｂとする２層構造とする。 - 特許庁

A process for forming a gettering site comprises the steps of: forming a semiconductor film containing a rare gas element; forming a semiconductor film having an amorphous structure containing a high-concentration rare gas element, amorphous silicon film as a major example, on the surface of a second semiconductor film by treating the film for generating plasma of a rare gas element, carbon, or oxygen; and gettering the semiconductor film.例文帳に追加

ゲッタリングサイトを形成する工程として、希ガス元素を含む半導体膜を形成した後、希ガス元素、炭素、または酸素のプラズマを発生させる処理を行うことで第２の半導体膜表面に高濃度の希ガス元素を含ませた非晶質構造を有する半導体膜、代表的にはアモルファスシリコン膜を形成した後、ゲッタリング処理を行うものである。 - 特許庁

The plated layer 11 has a laminated structure 13 comprising the amorphous part 11a on the surface side and the crystalline part 11b inside, wherein the amorphous part 11a comprises crystal particles with ≤20 nm of particle diameter, and the crystalline part 11b comprises crystal particles with ≥20 nm of particle diameter.例文帳に追加

また、ブラスめっき層１１が、表面側の非結晶質性部１１ａと内側の結晶質性部１１ｂとが積層された積層構造部分１３を備え、非結晶質性部１１ａが２０ｎｍ以下の粒径の結晶粒により形成され、結晶質性部１１ｂが２０ｎｍを超える粒径の結晶粒により形成されたことも特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor substrate, along with an intermediate structure for forming a thin film transistor substrate, capable of preventing bad effect on polycrystallization by a natural oxide film formed on an amorphous silicon film when changing the amorphous silicon film into polycrystal silicon film by laser radiation.例文帳に追加

非晶質シリコン膜をレーザー照射により多結晶シリコン膜に変化させる際に、非晶質シリコン膜上に形成された自然酸化膜が多結晶化に及ぼす悪影響を防ぐことができる薄膜トランジスタ基板の製造方法及び薄膜トランジスタ基板形成用中間構造物を提供する。 - 特許庁

In the alloy negative electrode material for a lithium secondary battery, the alloy negative electrode material includes an amorphous tin alloy (A) formed from tin and a crystallization inhibitor (D) and a carbon material (B) having voids in the structure, and 5-40 vol.% of the voids (C) exist between the amorphous tin alloy (A) and the carbon material (B) in the alloy negative electrode material.例文帳に追加

スズと結晶化抑制剤（Ｄ）から形成された非晶質スズ合金（Ａ）と、構造体中に空隙を有する炭素材料（Ｂ）とからなる合金負極材料であり、該合金負極材料中において非晶質スズ合金（Ａ）と炭素材料（Ｂ）との間に空隙（Ｃ）が５〜４０体積％存在する、リチウム二次電池用合金負極材料。 - 特許庁

The semiconductor device having a copper wiring layer comprises at least one lamination structure including a copper wire, an amorphous carbon film of which the density is ≥2.4 g/cm^3, a silicon oxide group porous insulating material layer, and an amorphous carbon film of which the density is ≥2.4 g/cm^3 in this order.例文帳に追加

本半導体装置は、銅配線層を有する半導体装置であって、銅配線、密度２．４ｇ／ｃｍ^３以上のアモルファス炭素膜、酸化ケイ素系ポーラス絶縁材料層、密度２．４ｇ／ｃｍ^３以上のアモルファス炭素膜および銅配線をこの順に有する積層構造を少なくとも一つ有する。 - 特許庁

Higher output and smaller physical size are achieved by integrating an output amplifier circuit composed of TFT having a crystal structure semiconductor film (typically polysilicon film) with a sensor element using an amorphous semiconductor film (typically amorphous silicon film) on a heat-resistant plastic film substrate which can resist temperature at a time of packaging for solder reflow treatment and the like.例文帳に追加

本発明は、半田リフロー処理などの実装時の温度に耐えうる耐熱性プラスチックフィルム基板上に、結晶構造を有する半導体膜（代表的にはポリシリコン膜）を有するＴＦＴからなる出力増幅回路と、非晶質半導体膜（代表的にはアモルファスシリコン膜）を用いたセンサ素子とを一体化させることで、高出力化及び小型化を図る。 - 特許庁

Using a gas material of hydride, fluoride or chloride of silicon atoms, an amorphous semiconductor film is formed by the plasma CVD, using intermittent discharge at a repetition frequency of 10 kHz or lower and a duty ratio of 50% or less, and an element for accelerating the crystallization of the amorphous semiconductor film is introduced into the surface of this film to obtain a semiconductor film having a crystal structure for utilizing this element.例文帳に追加

これは珪素原子の水素化物またはフッ化物または塩化物によるガスを原料として、繰り返し周波数１０ｋＨｚ以下、デューティー比５０％以下の間欠放電を用いたプラズマＣＶＤ法により非晶質半導体膜を形成し、その表面に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する元素を導入し、当該元素を利用して結晶構造を有する半導体膜を得る。 - 特許庁

The compound semiconductor device comprises an amorphous layer of group 3 element having type II band structure, where the barrier against electrons is present in the conduction band and the barrier against holes is not present in the valence band and a group 6 element compound, e.g. an amorphous GaS layer(a-GaS layer), formed on a first compound semiconductor layer of GaAs, or the like.例文帳に追加

本発明の化合物半導体装置は、ＧａＡｓ等の第１の化合物半導体層上に、電子に対する障壁が伝導帯にあり、且つ正孔に対する障壁が価電子帯にない、即ちタイプＩＩ構造のバンド構造を有する属元素と６属元素の化合物からなるアモルファス層、例えばアモルファスＧａＳ層（ａ−ＧａＳ層）を有するものである。 - 特許庁

A seal layer 13 of the panel is formed as a multiple structure having a first seal layer 14 composed of amorphous glass and a second seal layer 15 composed of crystalline glass, and since a grain boundary of the second seal layer 15 becoming a leak factor is filled up with the amorphous glass of the first seal layer 14, high reliability is obtained for airtightness of the seal layer 13.例文帳に追加

パネルのシール層１３を、非晶質ガラスからなる第１シール層１４と結晶質ガラスからなる第２シール層１５とを備える多重構造とすることにより、リーク要因となる第２シール層１５の結晶粒界が第１シール層１４の非晶質ガラスによって埋められるため、シール層１３の気密性に高い信頼性が得られる。 - 特許庁

The polarizing film 10 with the adhesive has: a polarizing film 15 which has structure composed of an amorphous cyclic polyolefin resin film 12, a polarizer 13 and a protection film 14; and an adhesive layer 11 arranged outside the amorphous cyclic polyolefin resin film 12, wherein the adhesive layer 11 has a gel fraction of 75 to 95% by weight.例文帳に追加

非晶性環状ポリオレフィン系樹脂フィルム１２／偏光子１３／保護フィルム１４の構成からなる偏光フィルム１５と、その非晶性環状ポリオレフィン系樹脂フィルム１４の外側に設けられた粘着層１１とを有し、粘着層１１はゲル分率が７５〜９５重量％である粘着剤付き偏光フィルム１０が提供される。 - 特許庁

At least one bilayer consisting respectively of an amorphous or quasi-amorphous material 45 and a material having the same structure or the same crystal lattice as the antiferromagnetic layer is placed in the storage layer 40 between a ferromagnetic layer which is in contact with the semiconductor or insulation layer 42 with confined-current-paths and an antiferromagnetic layer.例文帳に追加

それぞれ非晶質または準非晶質の材料４５と、反強磁性層と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料と、からなる１つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層４２と接触する強磁性層と反強磁性層との間の前記記憶層４０に配置される。 - 特許庁

To provide a magnetic base material formed into a heat-treatable composite magnetic material having a heat-resistant structure necessary for enhancing magnetic characteristics of an amorphous metal in order to maximally developing the excellent magnetic characteristics of the amorphous metal, having high saturated magnetic flux density and low loss and excellent in mechanical strength, a laminate thereof and the use of them.例文帳に追加

非晶質金属の優れた磁気特性を最大限に発現するために、非晶質金属の磁気特性向上に必要な熱処理が可能な耐熱構造の複合磁性材料とするとともに、高い飽和磁束密度と低損失を兼ね備え、機械的強度に優れた磁性基材およびその積層体ならびに用途を提供する。 - 特許庁

By manufacturing a two-layer structure provided by depositing the manganese oxide on an amorphous substrate or an amorphous film, the switching element or the memory element, having the characteristics of reversibly changing from a high resistance condition to a low resistance condition, or from a low resistance condition to a high resistance condition by applying specific current threshold or voltage threshold.例文帳に追加

マンガン酸化物をアモルファス基板またはアモルファス膜に堆積した２層構造物を作製することにより、特定の電流閾値、あるいは電圧閾値の印加により、高抵抗から低抵抗状態へ、低抵抗から高抵抗状態に可逆的に変化する特性を持つスイッチング素子あるいはメモリー素子が出来る。 - 特許庁

The solar cell substrate includes a film of polyimide having a specific structure unit, a thermal expansion coefficient of -10 to 10 ppm/°C and a Young's modulus of 700 kg/mm2 or more, a metallic electrode formed on the film, an amorphous silicon layer formed on the electrode, and a transparent electrode formed on the amorphous layer.例文帳に追加

特定の構造単位を有するポリイミドからなり、熱膨張係数が−１０〜１０ppm/℃、ヤング率が７００kg/mm^2以上のポリイミドフィルムの表面に金属電極を形成し、この金属電極上にアモルファスシリコン層を形成し、さらにこのアモルファスシリコン層上に透明電極を形成したことを特徴とする太陽電池基板。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric thin film two-dimensional photonic crystal constitutes mold by a substrate consisting of an oxide monocrystal and a two-dimensional periodical structure consisting of amorphous oxide or a semiconductor, forms an amorphous film by a chemical gas phase growth method at a lower temperature than a crystallization temperature, and forms a ferroelectric thin film having epitaxial crystallinity.例文帳に追加

酸化物単結晶からなる基板と非晶質酸化物または半導体からなる二次元周期構造部によってモールドを構成し、このモールド上に結晶化温度より低い温度で化学的気相成長法でアモルファス膜を形成し、このアモルファス膜を結晶化温度以上に加熱させることによって、エピタキシャル結晶性を有する強誘電体薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide an amorphous composite oxide particle which is spherical, has a small maximum diameter and has a narrow particle size distribution, its manufacturing method, a fluorescent material composed of the amorphous composite oxide particle and capable of easily forming a homogeneous and dense fluorescent film, and fluorescent substance as a structure having high red emission efficiency.例文帳に追加

球状であり、最大径が小さく且つ粒度分布の狭い非結晶質複合酸化物粒子及びその製造方法、並びに、上記非結晶質複合酸化物粒子からなり、均質で緻密な蛍光膜を容易に形成することができる蛍光材、及び、赤色の発光効率の高い構造体である蛍光体を提供する。 - 特許庁

The substrate 100 for the electronic device is provided with the substrate 11 having an amorphous layer 15, a buffer layer 12 which is formed so as to make the orientation uniform at least in the thickness direction on the amorphous layer 15 and a conductive oxide layer 13 which is formed on the buffer layer 12 by epitaxial growth and contains a metal oxide having a perovskite structure.例文帳に追加

図１に示す電子デバイス用基板１００は、アモルファス層１５を有する基板１１と、アモルファス層１５上に、少なくとも厚さ方向に配向方位が揃うよう形成されたバッファ層１２と、バッファ層１２上にエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を含む導電性酸化物層１３とを有している。 - 特許庁

A silicon etching liquid containing an alkali compound and a hydroxylamine compound in combination, and having pH adjusted to 11 or higher is applied to a polycrystalline silicon film or an amorphous silicon film, and the polycrystalline silicon film or amorphous silicon film is removed partially or entirely thus forming a capacitor structure which forms an uneven shape becoming a capacitor.例文帳に追加

アルカリ化合物およびヒドロキシルアミン化合物を組み合わせて含み、ｐＨを１１以上に調整したシリコンエッチング液を多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜に適用して、該多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の一部または全てを除去することにより、キャパシタとなる凹凸形状を形成するキャパシタ構造の形成方法。 - 特許庁

When printing is applied to the amorphous polyester resin sheet, a ketone type solvent having an isopropyl structure in the vicinity of a ketone group or an ester type solvent having an isopropyl structure in the vicinity of an ester bond is used as a main solvent in ink.例文帳に追加

非結晶性ポリエステル樹脂シート上に印刷を行なう際に、インク中の主たる溶剤が、ケトン基の近傍にイソプロピル構造を有するケトン系溶剤か、エステル結合の近傍にイソプロピル構造を有するエステル系溶剤を用いることにより課題を解決することができた。 - 特許庁

A nitride semiconductor device comprises a nitride semiconductor multi-layer structure 2 formed on a conductive SiC substrate 1 and an amorphous carbon layer 3 formed on an area under an active region of the nitride semiconductor multi-layer structure 2.例文帳に追加

窒化物半導体装置を、導電性ＳｉＣ基板１上に形成された窒化物半導体積層構造２と、窒化物半導体積層構造２の活性領域の下方の領域に形成されたアモルファスカーボン層３とを備えるものとする。 - 特許庁

To provide a photoelectric transducer provided with an nip structure formed of an amorphous silicon and enhancing an energy conversion efficiency by a structure in which an n+ type a-Si layer is contacted with a transparent electrode formed of an n+ type ZnO layer.例文帳に追加

非晶質シリコンによって形成されたｎｉｐ構造を備え、ｎ＋型ＺｎＯ層により形成された透明電極に対して、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層を接触した構造によりエネルギ変換効率を向上させた光電変換素子が得られる。 - 特許庁

A tantalum nitride film formed by CVD, etc. in a temperature range of 200-400°C is thermally oxidized by the wet oxidizing method to form an insulation film, i.e., a tantalum oxide film having a laminate structure of a non-stoichiometric composition film, and a stoichiometric composition film having an amorphous structure.例文帳に追加

ウェット酸化法により２００〜４００℃の温度範囲でＣＶＤ法等を用いて成膜した窒化タンタル膜を熱酸化することにより、非化学量論的組成膜とアモルファス構造を有する化学量論的組成膜との積層構造を有する酸化タンタル膜を上記絶縁膜として形成する。 - 特許庁

The method for morphologically changing this silicon film includes the steps of irradiating a silicon film formed by a coating method with flashing light to molecular morphologically change the silicon film, that is, to morphologically change the film at a molecular level, such as, for example, change the film between an amorphous structure and a crystal structure, and changing the film between crystal structures.例文帳に追加

塗布法で形成されたシリコン膜に閃光を照射してシリコン膜に分子形態学的変化、すなわち分子レベルにおける形態学的変化、例えばアモルファス構造と結晶構造間の変化、結晶構造間の変化を生じさせる、シリコン膜の形態学的変化法。 - 特許庁

The carbon nanotube has ≤500 nm outer diameter and ≥50 nm length and has the wall portion composed of carbon and is characterized in that the outer region of the wall portion has an amorphous structure and the inner region of the wall portion has a crystalline structure.例文帳に追加

外径が５００ｎｍ以下、長さが５０ｎｍ以上であり、炭素から成る壁部を有するカーボンナノチューブであって、壁部の外側領域がアモルファス構造であり、壁部の内側領域が結晶構造であることを特徴とするカーボンナノチューブ。 - 特許庁

This phase changing optical recording medium has a recording film, by irradiating light over which a reversible phase change occurs between a crystalline structure and an amorphous structure, and an interfacial film, which is formed in contact with at least one side of the recording film and is made of a compound including Hf (hafnium), O (oxygen) and N (nitrogen).例文帳に追加

光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす記録膜と、前記記録膜の少なくとも一方の面に接して形成された、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｏ（酸素）およびＮ（窒素）を含有する化合物からなる界面膜とを有することを特徴とする相変化光記録媒体。 - 特許庁

The brittle material film structure having a polycrystalline structure in which the content volume fraction of an amorphous phase is ≤30% and the mean grain size is ≤50 nm is formed by pulverizing brittle material particles into ones of the particle size of ≤100 nm, blowing them on a substrate, and depositing them on the substrate.例文帳に追加

脆性材料粒子を粒子径１００ｎｍ以下に粉砕後、基板に吹き付け、これを基板上に堆積することにより形成された、アモルファス相の含有体積分率３０％以下で、平均結晶粒径が５０ｎｍ以下の多結晶構造である脆性材料膜構造体。 - 特許庁

The manufacturing method for the microphase-separated structure and the microphase-separated structure obtained by the manufacturing method are constituted characterized in that a block copolymer having a segment showing liquid crystal polymorphism and an amorphous segment is orientation-controlled by applying shear.例文帳に追加

液晶多形を示すセグメントと非晶性セグメントとを有するブロック共重合体をせん断ずり印加により配向制御することを特徴とするミクロ相分離構造物の製造方法及び当該製造方法より得られるミクロ相分離構造物である。 - 特許庁

The thermal stress relaxing substance 20 is provided with insulation properties and a polycrystalline or an amorphous structure of superior stress-relaxing properties by slippage in an interface between crystal grains, or has a structure which does not exist in a precise crystal arrangement having small density.例文帳に追加

熱応力緩和物質２０は電気絶縁性を有し、結晶粒界に於けるすべりなどにより応力の緩和性に優れた多結晶又はアモルファス構造を有し、或いは密度が小さく緻密な結晶配置にない構造を有している。 - 特許庁

To provide a new carbon nanotube characterized in that the carbon nanotube is susceptible to the addition of a functional group to the surface thereof due to the amorphous structure of the outer region of the wall portions thereof and exhibits high electric conductivity and high strength due to the crystalline structure of the inner region of the wall portion thereof.例文帳に追加

カーボンナノチューブの壁の外側領域がアモルファス構造であるため表面に官能基が付加し易く、また、カーボンナノチューブの壁部の内側領域が結晶構造であるため電気伝導度および強度が高いという特徴を有する、新規なカーボンナノチューブを提供する。 - 特許庁

The magnetic recording medium has an N-containing amorphous film, a film having a B2 structure and a Cr film or a Cr alloy film having a BCC structure disposed in this order on the nonmagnetic substrate and further has a Co-base magnetic film on the Cr film or the Cr alloy film.例文帳に追加

非磁性基板上にＮを含むアモルファス膜、Ｂ２構造を有する膜およびＣｒ膜もしくはＢＣＣ構造を有するＣｒ合金膜がこの順に設けられ、さらに該Ｃｒ膜もしくは該Ｃｒ合金膜の上にＣｏを主成分とする磁性膜を有する磁気記録媒体。 - 特許庁

The transparent electroconductive film has a multilayer structure comprising a first ITO film, a metallic thin film, and a second ITO film, and is characterized by not exposing the film to an atmosphere of 300°C or higher, through start of formation to etching of the transparent film, to make the first and the second ITO films keep an amorphous structure.例文帳に追加

第１のＩＴＯ膜と金属薄膜と第２のＩＴＯ膜との積層構造になっている透明導電膜において、透明導電膜の形成開始からエッチングまでの間に、３００℃以上の高温にせず、第１、第２のＩＴＯ膜にアモルファス構造を維持させる。 - 特許庁

In the method for producing the nanocarbon particles, carbon black particles each having an amorphous structure with a diameter of 10-500 nm are exposed to a discharge plasma to rearrange carbon atoms, thereby obtaining a structure wherein intermittent carbon hexagonal net-like planes are arranged in a nearly concentric state and laminated.例文帳に追加

直径が１０〜５００ｎｍであるアモルファス構造のカーボンブラック粒子を、放電プラズマ中に曝して炭素原子を再配列させ、断続した炭素六方網平面が略同心円状に配列して積層化した構造とする。 - 特許庁

The electrode material contains carbon powder having homogeneous structure in which a graphite crystalline structure region and an amorphous structure reagin are dispersed from the surface to the central part, obtained by attaching and/or impregnating an organic compound acting as a raw material of a polymer on and in carbonaceous particles, polymerizing the organic compound, and heat-treating at 1,800-3,300°C.例文帳に追加

炭素質粒子に重合体原料としての有機化合物を付着及び／または浸透させた後、前記有機化合物を重合させ、次いで１８００〜３３００℃の温度で熱処理して得られる、表面から中心部分まで黒鉛結晶組織の領域とアモルファス組織の領域が分散して存在する均質構造を有する炭素粉を含む電池電極用炭素材料。 - 特許庁

A photoelectric conversion device 31 comprises: a light absorbing layer 3 containing a Group I-III-VI compound having a chalcopyrite structure; an intermediate layer 4 which is positioned on the light absorbing layer 3 and contains a Group III-VI compound having an amorphous or microcrystalline structure; and a buffer layer 5 which is positioned on the intermediate layer 4 and contains a Group VI compound having a crystal structure.例文帳に追加

光電変換装置３１は、カルコパイライト構造のＩ−III−VI族化合物を含む光吸収層３と、光吸収層３上に位置するアモルファスまたは微結晶構造のIII−VI族化合物を含む中間層４と、中間層４上に位置する結晶構造を有するVI族化合物を含むバッファ層５とを備える。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor has a structure of a base coating layer, an intermediate layer and a photosensitive layer successively laminated on a conductive supporting body, the base coating layer has a structure of dispersion of metal oxides in a resin, and the intermediate layer has a structure of diamond-like carbon or amorphous carbon containing hydrogen.例文帳に追加

導電性支持体上に少なくとも下引き層、中間層及び感光層を順次積層した構成を持つ電子写真感光体において、下引き層が樹脂中に金属酸化物を分散させた構造を有し、かつ中間層が水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

(B) is a polar group-containing propylene polymer which is a propylene polymer having the polar functional group in which the propylene chain part in the main chain has a stereoblock structure composed of an isotactic block and an amorphous block.例文帳に追加

（Ｂ） 極性官能基を有するプロピレン系重合体であって、主鎖におけるプロピレン連鎖部分が、アイソタクチックブロックと非晶性ブロックからなるステレオブロック構造を有していることを特徴とする極性基含有プロピレン系重合体。 - 特許庁

This adhesive is for bonding an amorphous polyterephthalate ester copolymer having the poly (ethylene terephthalate) units as a basic structure and contains methyl ethyl ketone as a main solvent and other ketones boiling at a relatively high temperature as an auxiliary solvent.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレートを基本構造とした非晶質のポリテレフタル酸エステル共重合体よりなる樹脂を接着するための接着剤であって、メチルエチルケトンを主溶剤とし、この主溶剤に比較的高沸点のケトン系補助溶剤を混合して接着剤を構成する。 - 特許庁

The anode active material is a complex anode active material containing amorphous silicon oxide with a new structure directly obtained from a calcination object of hydrogen silsesquioxane, and the anode containing the complex anode active material and the lithium cell are excellent in charge and discharge characteristics.例文帳に追加

該アノード活物質は、水素シルセスキオキサンの焼成物から直接得られる新しい構造の非晶質シリコン酸化物を含む複合アノード活物質であり、該複合アノード活物質を含むアノード及びリチウム電池は、充放電特性に優れる。 - 特許庁

An electrode material for a redox capacitor includes a nano-structure comprising an amorphous oxide of at least one kind of metal selected from the group comprising manganese, nickel, tin, indium, tungsten, molybdenum, vanadium, cobalt, titanium, and iron and having a size of 50 nm or smaller.例文帳に追加

マンガン、ニッケル、スズ、インジウム、タングステン、モリブデン、バナジウム、コバルト、チタン及び鉄からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属のアモルファス酸化物からなるサイズが５０ｎｍ以下のナノ構造物を含むレドックスキャパシタ用電極材料。 - 特許庁

The layered structure includes an amorphous Ta layer, a metallic oxide layer formed from zinc oxide (ZnO) or magnesium oxide (MgO) on the Ta layer, and an FePt magnetic layer formed on the metallic oxide layer.例文帳に追加

積層体構造物は、アモルファス状態のＴａ層と、このＴａ層の上に形成された酸化亜鉛（ＺｎＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる金属酸化物層と、この金属酸化物層の上に形成されたＦｅＰｔ系磁性層と、を有して構成される。 - 特許庁

Herein (A1) is a propylene polymer having a polar group, or a polar group-containing propylene polymer whose propylene sequence moiety in the main chain has a stereoblock structure consisting of isotactic blocks and amorphous blocks, and (A2) is a crystalline propylene polymer.例文帳に追加

（Ａ１）極性基を有するプロピレン系重合体であって、主鎖におけるプロピレン連鎖部分が、アイソタクチックブロックと非晶性ブロックからなるステレオブロック構造を有している極性基含有プロピレン系重合体（Ａ２）結晶性プロピレン系重合体 - 特許庁