「amorphous structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The insulating film for the electromagnetic element has a composition represented by 12(Ca_xSr_1-x)O-7Al_2O_3 (0≤x≤1), and has an amorphous structure.例文帳に追加

１２(Ｃａ_xＳｒ_1-x)Ｏ・７Ａｌ_2Ｏ_3（０≦ｘ≦１）で表される組成を有し、アモルファス構造を備えた電磁気素子用絶縁膜。 - 特許庁

To ensure sufficient cutoff properties without entirely using an amorphous sealing material regarding the cutoff structure of a joint intersection section, where four panel units are crossed.例文帳に追加

４枚のパネルユニットが交わる目地交点部の止水構造に係り、不定形シール材を一切使用することなく、十分な止水性を確保する。 - 特許庁

The film mainly containing the IZO is substantially composed of amorphous or fine crystals and the film in such a structure deposited in a sputtering method.例文帳に追加

このＩＺＯを主成分とする膜は、本質的にアモルファス状あるいは微結晶よりなり、このような膜はスパッタリング法で製膜される。 - 特許庁

The thin film is composed of the sea-island structure in which the β-FeSi_2 crystal particle is made into the island and the phase containing amorphous FeSi_2 is made into the sea and contains the β-FeSi_2 crystal particle.例文帳に追加

FeSi_2 アモルファスを含む相を海としβ−FeSi_2結晶粒子を島とする海島構造からなるβ−FeSi_2結晶粒子を含む薄膜。 - 特許庁

The conductive amorphous thin film having dense structure can be deposited uniformly over the surface of the diaphragm and the inside of the minute holes.例文帳に追加

本発明によれば、絞り表面および微小孔内部にわたって均一に、緻密な構造を有する導電性非晶質薄膜が形成される。 - 特許庁

To provide a method for stabilizing an organic laminated structure material by stabilizing an amorphous state of an organic layer constituting the material.例文帳に追加

有機積層構造材料を構成する有機層のアモルファス状態を安定化することにより該材料を安定化する方法を提供すること。 - 特許庁

The center and both the sides of the beam structure to which an amorphous solar cell module 1 has been mounted are divided into three for conveyance.例文帳に追加

さらにアモルファス太陽電池モジュール１を取り付けた梁構造の中央部分と両側部分を３分割して搬送可能とする。 - 特許庁

Because the Si layer 13b formed on the bird's beak has a poly or amorphous structure, it can be removed by nitrohydrofluoric acid.例文帳に追加

バーズビーク上に形成されたＳｉ層１３ｂはポリ又はアモルファス構造であるため、フッ硝酸で除去することができる。 - 特許庁

Consequently, the dielectric optical thin film has an amorphous structure and in-film scattering is reduced to improve the transmissivity.例文帳に追加

これにより、誘電体光学薄膜の構造がアモルファス構造となり膜中散乱が低減して透過性が向上する。 - 特許庁

To provide an amorphous silicon thin film transistor display plate capable of employing a slim structure.例文帳に追加

本発明の目的は、スリムな構造を取入れられる非晶質シリコン薄膜トランジスタ表示板を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for forming a uniform layer structure, including an ultra-thin layer of amorphous silicon and a thermal oxide thereof.例文帳に追加

アモルファス・シリコンおよびその熱酸化物の超薄層を含む均一な層構造を形成するための方法を提供すること。 - 特許庁

The ITO film having the amorphous structure, and a crystallized ITO film are respectively shown in the Fig. 10 (a, b) and (c) in the specification.例文帳に追加

図１０(ａ)、(ｂ)はアモルファス構造のＩＴＯ膜、同図(ｃ)は結晶化したＩＴＯ膜を示している。 - 特許庁

The panel 1 of a hollow double-wall structure is obtained by blow molding an amorphous resin.例文帳に追加

中空二重壁構造のパネル１は、非晶性樹脂をブロー成形して得られる中空二重壁構造のものである。 - 特許庁

At this time, a film forming temperature is set to 150°C which is lower than conventional, thereby forming the TiN film of an amorphous structure.例文帳に追加

このとき、成膜温度を、従来よりも低温の１５０℃とすることで、アモルファス構造のＴｉＮ膜を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method which allows the formation of a fine surface structure on a surface of amorphous TiO_2.例文帳に追加

アモルファスＴｉＯ_２の表面に微細な表面構造を形成することができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide silicon fine particles whose particle sizes are nano-order and the inside of each of which has an amorphous or crystalline structure.例文帳に追加

粒子サイズがナノオーダで、粒子内部が非晶質あるいは結晶構造を有したシリコン微粒子を提供する。 - 特許庁

The tubular film 28 is rapidly cooled and solidified by contact with the surface of the inner wall 12d and is made into an amorphous structure.例文帳に追加

管状の膜２８は内壁１２ｄの表面との接触により急冷されて固化し、非晶質構造となっている。 - 特許庁

A new Cd_3TeO_6 thin film having the amorphous or perovskite structure satisfies the new Cd-Te oxide thin film described as the problem to be solved.例文帳に追加

アモルファス状又はペロブスカイト型構造の新規なＣｄ_３ＴｅＯ_６薄膜により、上記課題を解決した。 - 特許庁

Further, an electroconductive film is preferably composed of an oxide and more preferably has an amorphous structure.例文帳に追加

また電気伝導膜は、酸化物であることが好ましく、アモルファス状の構造であることが、より好ましい。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes an amorphous film formation step for forming an amorphous film 320 on a crystalline film 310 which is formed on a substrate 200 and a crystalline insulating film formation step for forming an insulating film 330 having a crystal structure controlled independently from the crystal structure of the crystalline film 310 on the amorphous film 320.例文帳に追加

基板２００の上に形成された結晶質膜３１０の上に非晶質膜３２０を形成する非晶質膜形成工程と、非晶質膜３２０の上に結晶質膜３１０の結晶構造とは独立して制御される結晶構造を持つ絶縁膜３３０を形成する結晶性絶縁膜形成工程と、を有する。 - 特許庁

The epitaxial ferroelectric film 2 having a perovskite type structure is formed by forming an amorphous film on a single crystal substrate 1 of LiNbO_3, LiTaO_3 or the like, having an ilmenite structure, then heating the single crystal substrate 1 on which the amorphous film has been formed to a temperature higher than the crystallization temperature so as to crystallize the amorphous film.例文帳に追加

イルメナイト型構造を有するＬｉＮｂＯ_３やＬｉＴａＯ_３等の単結晶基板１上にアモルファス膜を形成し、次いで該アモルファス膜が形成された単結晶基板１を結晶化温度よりも高い温度に加熱してアモルファス膜を結晶化させ、ペロブスカイト型構造を有するエピタキシャル強誘電体膜２を形成する。 - 特許庁

Flat shapes of a polycrystalline silicon layer 4 and an amorphous silicon layer 5 have substantially identical shape, and the amorphous silicon layer 5 has a smaller area than the polycrystalline silicone layer 4 in a first thin-film transistor TFT1, where a channel region has a laminated structure of polycrystalline and amorphous silicones and has a reverse staggered structure.例文帳に追加

チャネル領域が多結晶及び非晶質シリコンの積層構造でかつ逆スタガ構造の第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１の前記多結晶シリコン層４と前記非晶質シリコン層５の平面形状を略相似形状とし、かつ前記非晶質シリコン層５を前記多結晶シリコン層４より小面積とした。 - 特許庁

The resin composition includes an amorphous alicyclic structure containing polymer and an aromatic vinyl-maleimide copolymer, wherein the weight ratio of the amorphous alicyclic structure containing polymer to the aromatic vinyl-maleimide copolymer is 30/70 to 95/5, or preferably is 50/50 to 95/5.例文帳に追加

非晶性脂環構造含有重合体及び芳香族ビニル−マレイミド系共重合体を含有する樹脂組成物であり、前記非晶性脂環構造含有重合体と芳香族ビニル−マレイミド系共重合体の重量比が３０／７０〜９５／５であり、好ましくは５０／５０〜９５／５である樹脂組成物。 - 特許庁

The fuel cell separator includes a gas passage structure in which an amorphous carbon film is formed on the surface, and the gas passage structure 12 is constituted of an expanded metal 21 in which the amorphous carbon film 21a is formed on the surface, and the gas passage cross-section is made fine.例文帳に追加

非晶質炭素膜が表面に形成されたガス流路構造体を有する燃料電池用セパレータであって、ガス流路構造体１２を、非晶質炭素膜２１ａが表面に形成されたエキスパンドメタル２１により構成してガス流路断面積を微細化した。 - 特許庁

The CVD silicon film 150 is a semiconductor thin film, where an amorphous component and a crystalline component are mixedly present, and the CVD silicon film 150 is of crystalline structure in which an amorphous part is present between crystal grains, and the crystal grain is columnar in structure and has a base, that belongs to the surface of the substrate.例文帳に追加

ＣＶＤシリコン膜１５０は、非晶質成分と結晶成分とが混在した半導体薄膜であり、結晶粒と結晶粒の間に非晶質部分が存在している結晶構造を有し、その結晶粒は基板面を底面とする柱状構造を呈しいる。 - 特許庁

The spin torque oscillator is provided with: an amorphous soft magnetic layer; a non-magnetic layer having a close-packed crystal structure while being arranged on the amorphous soft magnetic layer; and a hard magnetic layer having the close-packed crystal structure and a perpendicular magnetic anisotropy while being arranged on the non-magnetic layer.例文帳に追加

非晶質軟磁性層と、該非晶質軟磁性層上に設けられ、最密結晶構造を有する非磁性層と、該非磁性層上に設けられ、最密結晶構造を有し、垂直磁気異方性を有する硬磁性層と、を備えたことを特徴とするスピントルク発振子が提供される。 - 特許庁

The CVD silicon film 150 is obtained as a semiconductor thin film in which amorphous components and crystalline components coexist, and provided with a crystal structure in which amorphous parts exist between crystal particles, and the crystal particles are formed in a cylindrical structure with a substrate face as a bottom face.例文帳に追加

ＣＶＤシリコン膜１５０は、非晶質成分と結晶成分とが混在した半導体薄膜であり、結晶粒と結晶粒の間に非晶質部分が存在している結晶構造を有し、その結晶粒は基板面を底面とする柱状構造を呈している。 - 特許庁

In the toner comprising a resin A and a crystalline resin B having a crystalline block structure, an amorphous block structure and a weight average molecular weight of 10,000-50,000, the molecular weight of the resin A is ≥2 times that of an amorphous block of the crystalline resin B.例文帳に追加

結晶性ブロック構造と非晶性ブロック構造を有する重量平均分子量１００００〜５００００の結晶性樹脂Ｂと、樹脂Ａからなるトナーにおいて、前記樹脂Ａの分子量を前記結晶性樹脂Ｂの非晶性ブロックの分子量の２倍以上とするトナー。 - 特許庁

The aluminum oxynitride includes a mixture of phases having a hexagonal aluminum nitride type structure (space group: P63mc), a cubic aluminum nitride type structure (space group: Fm-3m), and optionally amorphous structure.例文帳に追加

酸窒化アルミニウムは、六方晶系窒化アルミニウム型構造（空間群：Ｐ６３ｍｃ）、立方晶系窒化アルミニウム型構造（空間群：Ｆｍ−３ｍ）、および所望により非晶構造を有する相の混合物を含む。 - 特許庁

The diaphragm includes a carbon nanotube structure having a plurality of pores and an amorphous carbon structure composed with the carbon nanotube structure.例文帳に追加

本発明の振動板は、複数の孔を有するカーボンナノチューブ構造体と、該カーボンナノチューブ構造体と複合した無定形炭素構造体と、を含む。 - 特許庁

This protective film 25 has such modes that the silicon has either one of a crystal structure of the silicon itself, the amorphous structure, or the SiC crystal structure, or a mixture of several kinds of these structures.例文帳に追加

この保護被膜２５中において、珪素は珪素自身による結晶構造またはアモルファス構造、もしくはＳｉＣの結晶構造のいずれかもしくはこれらのうちの複数種類の構造が混在する態様とする。 - 特許庁

There are provided a flame-retardant for amorphous resins containing phosphonic acid ester having a specific chemical structure, and a flame-retardant amorphous resin composition containing the flame-retardant for amorphous resins and a resin component, wherein the composition contains 1-100 pts.wt. of the phosphonic acid ester based on 100 pts.wt. of the resin component.例文帳に追加

非晶性樹脂に配合するための難燃剤であって、当該難燃剤が特定の化学構造を有するホスホン酸エステルを含む非晶性樹脂用難燃剤、ならびにその非晶性樹脂用難燃剤及び樹脂成分を含む非晶性樹脂組成物であって、樹脂成分１００重量部に対して当該ホスホン酸エステル１〜１００重量部を含む難燃性樹脂組成物に係る。 - 特許庁

To provide an assembling method of a winding and an amorphous core capable of improving impact of the load of the amorphous core on the winding than before, when assembling the winding subjected to insulation processing and the amorphous core, and to provide a manufacturing method thereof and the structure of a transformer corresponding to the assembling method and the manufacturing method.例文帳に追加

絶縁処理を施した巻線とアモルファス鉄心を組み立てる際、前記巻線への前記アモフファス鉄心の荷重の影響を従来よりも改善する巻線とアモルファス鉄心とを組み立てる組立方法、製造方法、及び、それらの組立方法、製造方法に対応する変圧器の構造を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device 100 including a vertical MOS transistor 50 of a trench gate structure, at least impurities are implanted into an implantation region corresponding to n wells 21 forming a channel at not less than a critical implantation quantity in which the implantation region can become a complete amorphous state, thereby forming an amorphous region 20 in a complete amorphous state.例文帳に追加

トレンチゲート構造の縦型ＭＯＳトランジスタ５０を含む半導体装置１００の製造方法であって、チャネルが構成されるＮウェル２１に対応する注入領域に、少なくとも不純物を、注入領域が完全に非晶質状態となる臨界注入量以上にイオン注入して、完全に非晶質化された非晶質領域２０を形成する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes: forming a rare earth metal silicide film and an amorphous silicon film on an electrode layer; and performing crystallization of the amorphous silicon film by heating the rare earth metal silicide film and the amorphous silicon film with microwave so that it has crystal orientation according to the crystal structure of the rare earth metal silicide film.例文帳に追加

電極層の上に希土類金属シリサイド膜とアモルファスシリコン膜とを形成し、希土類金属シリサイド膜とアモルファスシリコン膜とをマイクロ波を用いて加熱することにより、希土類金属シリサイド膜の結晶構造に応じた結晶配向を持つように、アモルファスシリコン膜を結晶化させる。 - 特許庁

Alternatively, the carbonaceous material has the layered structure, in which a plurality of amorphous parts are dispersed on the (002) plane and the proportion of the total areas of amorphous parts in the (002) to the sum of areas of amorphous parts and crystalline parts in the (002) plane is 30% or more.例文帳に追加

または、本発明の炭素質材料は、層状構造を有する炭素質材料であって、（００２）面に非晶質部が複数個分散しており、（００２）面内における非晶質部の総面積の、（００２）面内における非晶質部及び結晶質部の面積の合計に対する割合が、３０％以上である、ことを特徴としている。 - 特許庁

An isolation structure 117 is formed on a semiconductor substrate for limiting an active region, a gate structure insulated from the surface of the active region is formed, amorphous Si film is formed on the gate structure, the surface of the substrate and the isolation structure and the first and second parts of the amorphous Si film are respectively converted into an epitaxial film 145 and a polysilicon film 143.例文帳に追加

半導体基板に分離構造１１７を形成して活性領域を限定し、活性領域の表面から絶縁されたゲート構造を形成し、非晶質Ｓｉ膜をゲート構造や基板表面及び分離構造に形成し、非晶質Ｓｉ膜の第１部分をエピタキシャル膜１４５に、非晶質Ｓｉ膜の第２部分をポリＳｉ膜１４３に変換する。 - 特許庁

The amorphous polyester resin composition is formulated with an aromatic monocarboxylic acid diester (B) having polyethylene glycol as the essential glycol unit and an additive (C) having a core/shell structure to an amorphous polyester resin (A).例文帳に追加

非晶性ポリエステル樹脂（Ａ）に、ポリエチレングリコールを主たるグリコール単位とする芳香族モノカルボン酸ジエステル（Ｂ）と、コアシェル構造を有する添加剤（Ｃ）を配合してなることを特徴とする非晶性ポリエステル樹脂組成物である。 - 特許庁

The container for storing puncture sealant contains a resin material which includes a crystalline polypropylene structural portion and an amorphous ethylene-propylene copolymerized structural portion, and has a spongy structure having the amorphous ethylene-propylene copolymerized structural portion as a dispersion phase.例文帳に追加

結晶性ポリプロピレン構造部位と、非晶性エチレン−プロピレン共重合構造部位とを含み、前記非晶性エチレン−プロピレン共重合構造部位を分散相とした海島構造を有する樹脂材料を含有するパンクシーリング剤収納容器である。 - 特許庁

At formation of the polysilicon film by annealing an amorphous silicon film, linearity and periodicity appear in the spatial structure in the film surface of formed polysilicon film, according to the energy giving to the amorphous silicon at annealing.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜に対してアニール処理を行いポリシリコン膜を形成したときに、このアニール処理時においてアモルファスシリコンに与えるエネルギーに応じて、形成されたポリシリコン膜の膜表面の空間構造に直線性や周期性が現れる。 - 特許庁

Also, the gate structure has an oxygen-dope titanium membrane 3 (the film is mixed with amorphous titanium that oxygen is doped, and amorphous titanium oxide or titanium oxide microcrystals) below the platinum microcrystals 5 with the Pt-Ti-O region in the grain boundary 6.例文帳に追加

さらに、結晶粒界６にＰｔ−Ｔｉ−Ｏ領域を有するプラチナ微結晶５の下に、酸素ドープチタン膜３(酸素をドープした非晶質のチタン、非晶質酸化チタン、または、酸化チタン微結晶が混じり合った膜)を形成した構造とする。 - 特許庁

The transparent conductive membrane is constituted of an amorphous oxide membrane (a-GIO membrane) mainly constituted of gallium, indium, and oxygen, and the metal membrane (Me membrane) composed of silver or an alloy having silver as the main component, and has a three-layered structure pinching the metal membrane by the amorphous oxide membrane.例文帳に追加

透明導電膜が、主としてガリウムおよびインジウムおよび酸素からなる非晶質酸化物膜（ａ−ＧＩＯ膜）と、銀若しくは銀を主成分とする合金からなる金属膜（Ｍｅ膜）で構成され、金属膜を非晶質酸化物膜にて挟持する３層構造を有している。 - 特許庁

A method for forming a gettering site comprises; a step for forming the semiconductor film having an amorphous structure such as, typically, an amorphous silicon film; a step for adding compound ions such as, typically, a fluorine compound, carbon compound, nitrogen compound or oxygen compound; and a step for performing heat treatment for gettering.例文帳に追加

ゲッタリングサイトを形成する工程として、非晶質構造を有する半導体膜、代表的にはアモルファスシリコン膜を形成した後、化合物イオン、代表的にはフッ素化合物、炭素化合物、窒素化合物、または酸素化合物を添加した後、加熱処理してゲッタリングを行うものである。 - 特許庁

The electrostatic charge image developing toner has a core-shell structure comprising a core layer containing an amorphous resin and a colorant and a shell layer covering the core layer, wherein the shell layer contains composite resin particles containing a crystalline polyester resin and an amorphous resin.例文帳に追加

非結晶性樹脂及び着色剤を含有するコア層と、該コア層を被覆するシェル層を有するコアシェル構造の静電荷現像用トナーであって、前記シェル層が結晶性ポリエステル樹脂及び非結晶性樹脂を含有する複合樹脂粒子を含む静電荷像現像用トナー。 - 特許庁

The radiator 10 having thin-film coatings that serve to increase the thermal emissivity of the entire structure includes a substrate 12, an amorphous carbon layer 16 and the metallized carbide-forming layer 14 interposed between the substrate 12 and amorphous carbon layer 16.例文帳に追加

全体構造のサーマル放射率を増加させるのに役立つ薄膜コーティングを有する放射体１０は、基板１２、アモルファスカーボン層１６、及び前記基板１２と前記アモルファスカーボン層１６の間に挿入された金属化カーバイド形成層１４を備えている。 - 特許庁