「amorphous structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The method is provided for manufacturing the electrode active material for the lithium secondary battery composed of the complex oxide having the amorphous structure and containing: lithium; at least one transition metal element; and at least one element glass-formable in a form of an oxide together with oxygen.例文帳に追加

本発明により、アモルファス構造を有する複合酸化物であって、リチウムと、少なくとも１種の遷移金属元素と、酸素と共に酸化物の形態でガラス形成可能な少なくとも１種の元素とを含む、複合酸化物からなるリチウム二次電池用の電極活物質を製造する方法が提供される。 - 特許庁

The paperboard structure comprises laminating a paperboard 12 to another surface of a gas barrier layer 14 of a laminate having a three-layer product surface construction which comprises laminating a low density polyethylene layer 18 to one surface of the gas barrier layer 14 comprising a blend of a semi-aromatic semi-crystalline nylon and an amorphous nylon through a tie layer 16.例文帳に追加

半芳香族半結晶性ナイロンと非結晶性ナイロンとのブレンドを含んでなるガスバリア層１４の一方の面に、結合層１６を介して低密度ポリエチレン層１８を積層した、３層製品面構造を有する積層体のガスバリア層１４の他方の面に板紙１２を貼合した板紙構造物を提供する。 - 特許庁

Mesopores of the metal-doped calcium silicate mesoporous powder are formed by self-organizing caused by the hydrothermal action of a metal-doped calcium silicate hydrate, synthesized by dispersing metal ions into the structure of an amorphous calcium silicate hydrate, and a subsequent heating dehydration treatment, and the central pore radius of the mesopores is controlled within the range of about 5-30 nm.例文帳に追加

非晶質珪酸カルシウム水和物の構造中に金属イオンを分散させて合成した金属ドープ型珪酸カルシウム水和物の水熱作用による自己組織化とその後の加熱脱水処理により形成されたメソ細孔の中心細孔半径が約５〜３０ｎｍの範囲で制御されていることを特徴とする金属ドープ型珪酸カルシウムメソポーラス粉体。 - 特許庁

The structure includes: a base material; an amorphous carbon film, which is formed on the surface of the base material, contains silicon, or silicon and oxygen, and has a surface formed by plasma treatment using nitrogen or oxygen, or a mixture of them; and a thin film formed in a part of the plasma-treated surface by using a silane coupling agent containing fluorine.例文帳に追加

基材と、基材の表面に形成されたケイ素又はケイ素及び酸素を含有する非晶質炭素膜と、該非晶質炭素膜に、窒素又は酸素或いは両者の混合物を用いてプラスマ処理された表面が形成され、更に、該プラズマ処理された表面の一部にフッ素を含有するシランカップリング剤により形成された薄膜を有する構造体とする。 - 特許庁

Accordingly, when it is used as the positive electrode material of the lithium ion secondary battery, if the state is a crystal state in which an amorphous glass component, such as, especially, phosphorus, lithium, and antimony (or iron) exists, a high battery capacity can be obtained; and even if charging and discharge are repeated, the crystal structure is less apt to collapses and cycle characteristics are improved.例文帳に追加

これにより、リチウムイオン二次電池の正極材料として使用した場合に、特にリン、リチウム、アンチモン（または鉄）などの非晶質ガラス成分（ガラス材料）が存在した結晶状態であると、高い電池容量を得られるとともに、充放電を繰り返しても結晶構造が崩れにくくなってサイクル特性が向上する。 - 特許庁

To provide a growth method for a nitride semiconductor, whereby a nitride semiconductor layer satisfactory in crystallinity can be formed stably by solving the crystallinity irregularities of a nitride semiconductor due to the growth of an amorphous structure on a substrate, because of the exposure of the substrate which is incapable of epitaxially growing the nitride semiconductor in the lateral growing process of the nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体の横方向の成長過程で、窒化物半導体がエピタキシャル成長不可能な基板が露出していることにより基板上に成長するアモルファスによる結晶性の乱れを解決し、結晶性の良好な窒化物半導体層を安定して形成することのできる窒化物半導体の成長方法を提供することである。 - 特許庁

In a process for forming the silicon nanocrystal structure, a nanometer-thick silicon thin film comprising silicon crystallites and amorphous silicon is formed on the substrate by heating the substrate to a predetermined temperature in a plasma-treatment chamber, controlling the atmosphere inside the chamber to achieve a vacuum atmosphere containing at least a hydrogenated silicon gas and a hydrogen gas and applying a high-frequency electric field.例文帳に追加

基板をプラズマ処理チェンバ内で所定の温度にした後、プラズマ処理チェンバ内を少なくとも水素化シリコンガスと水素ガスとを含む減圧雰囲気に制御し、高周波電界を印加してナノメータスケール厚のシリコン微結晶とアモーファスシリコンからなるシリコン薄膜を基板上に形成する。 - 特許庁

In a photovoltaic device, on a light-receiving surface side surface of a first conductivity type semiconductor substrate 11, an amorphous thin film 12 containing silicon and carbon and whose composition ratio of the silicon and the carbon is 7:3 to 5:5, and a microcrystal thin film 13 containing silicon, carbon and second conductivity type impurities and having a cubic structure, are laminated in this order.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１１の受光面側の表面に、シリコンと炭素とを含みシリコンと炭素との組成比が７：３〜５：５である非晶質薄膜１２と、シリコンと炭素と第２導電型の不純物とを含み立方晶構造を有する微結晶薄膜１３と、がこの順で積層される。 - 特許庁

In the process of mixing the aluminum hydroxide made incommensurate in its crystalline structure by frictional crushing treatment, etc., and slaked lime in the presence of water to react calcium aluminate, the amorphous calcium aluminate hydrate is manufactured by maintaining the inside of a reaction system at ≤50°C and maintaining a mixing molar ratio Ca(OH)_2/ Al(OH)_3 within 1.0 to 2.0.例文帳に追加

摩砕処理等により結晶構造を不整化した水酸化アルミニウムと消石灰を水の存在下で混合しカルシウムアルミネートを反応させる過程において、反応系内を５０℃以下に保持し、混合モル比Ｃａ（ＯＨ）_2／Ａｌ（ＯＨ）_3を１．０〜２．０以内とすることで非晶質カルシウムアルミネート水和物を製造することが可能となる。 - 特許庁

The photoelectric conversion device is provided with a cell having semiconductor junction, and the cell includes a first impurity semiconductor layer of one conductive type, a second impurity semiconductor layer of a reverse conductive type to the one conductive type, and a semiconductor layer including a crystalline region passing between the first impurity semiconductor layer and the second impurity semiconductor layer in an amorphous structure.例文帳に追加

半導体接合を有するセルを備え、当該セルは、一導電型の第１不純物半導体層と、一導電型とは逆導電型の第２不純物半導体層と、第１不純物半導体層と第２不純物半導体層との間を貫通する結晶領域を非晶質構造の中に含む半導体層と、を有する光電変換装置とする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display composed of a TFT structure in which oxidation of wiring material or the like is prevented by forming an oxide coating film having high adhesion with a semiconductor layer or a pixel electrode, and a source electrode or a drain electrode sandwiched between a semiconductor layer of amorphous silicon or the like and a passivation layer has stable ohmic joining property.例文帳に追加

半導体層あるいは画素電極との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、アモルファス・シリコンなどの半導体層とパッシベーション層に挟持されたソース電極あるいはドレイン電極が安定なオーミック接合性を有するＴＦＴ構造からなる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The optical multilayer interference film 11 has low refractive index films 2 and high refractive index films 1 alternately layered on a transparent base body 10 and at least one layer of the high refractive index films 1 is a high refractive index oxide film having an amorphous structure deposited by sputtering a reduction type oxide target as the source material.例文帳に追加

透明基体１０上に、低屈折率膜２と高屈折率膜１とが交互に積層された光学多層干渉膜１１であって、該高屈折率膜１の少なくとも一層が還元型酸化物ターゲットを原料としてスパッタ成膜されたアモルファス構造を有する高屈折率酸化物膜であることを特徴とする光学多層干渉膜１１とその製造方法および該光学多層干渉膜を用いたフィルター。 - 特許庁

Requirement 1: The printing ink composition contains at least a coloring agent, the binder resin, and a solvent, the binder resin is a polypropylene polymer having polar functional groups, and a polypropylene chain part in the main chain has a stereo block propylene polymer (a) having a stereo block structure comprising isotactic blocks and amorphous blocks.例文帳に追加

要件１：印刷インキ組成物が、少なくとも着色剤、バインダー樹脂および溶剤を含有する印刷インキ組成物であって、該バインダー樹脂が、極性官能基を有するプロピレン系重合体であって、主鎖におけるプロピレン連鎖部分が、アイソタクチックブロックと非晶性ブロックからなるステレオブロック構造を有していることを特徴とするステレオブロックプロピレン系重合体（ａ）を含むこと。 - 特許庁

The electrode structure comprises a first sidewall 11s having a first conductive layer 11 containing at least one of a polycrystal silicon and an amorphous silicon, a second sidewall 12s having a second conducive layer 12 formed on the layer 11 and containing a metal and a silicon, and a sidewall oxide film 15 formed so as to be brought into contact with the first sidewall 11s and the second sidewall 12s.例文帳に追加

電極構造は、第１の側壁１１ｓを有し、多結晶シリコンおよびアモルファスシリコンの少なくとも一方を含む第１の導電層１１と、第２の側壁１２ｓを有し、第１の導電層１１上に形成され、金属とシリコンとを含む第２の導電層１２と、第１の側壁１１ｓと第２の側壁１２ｓとに接触するように形成された側壁酸化膜１５とを備える。 - 特許庁

The face to be deposited compoed of PES, PMMA, Teflon (R), epoxy or polyimide is deposited with a coating film of carbon or essentially consisting of carbon having a self-bias on a degree in which damage caused by sputtering is not given thereto, having an SP3 hybrid orbital and havihng an amorphous or semiamorphous structure, and high frequency energy is slowly increased to increase the hardness of the coating film.例文帳に追加

PES、PMMA、テフロン、エポキシまたはポリイミドからなる被形成面にスパッタによる損傷を与えない程度のセルフバイアスで、ＳＰ^３混成軌道を有し、アモルファスまたはセミアモルファス構造を持った炭素または炭素を主成分とする被膜を形成し、徐々に高周波エネルギを増加して被膜の硬度を上げていく。 - 特許庁

This structure includes a base material made of metal, and a surface coating layer formed on the surface of the base material, wherein the surface coating layer includes a first layer which is formed on the surface of the base material and contains an amorphous inorganic material, and a second layer which is formed as an outermost layer of the surface coating layer and contains a crystalline inorganic material having a softening point ≥950°C.例文帳に追加

金属からなる基材と、上記基材の表面上に形成された表面被覆層とを備えた構造体であって、上記表面被覆層は、上記基材の表面上に形成され、非晶質無機材を含む第１層と、上記表面被覆層の最外層として形成され、９５０℃以上の軟化点を有する結晶性無機材を含む第２層とを含むことを特徴とする構造体。 - 特許庁

By using the negative active material comprising carbon of porous structure having three-dimensional mutual through holes passing through amorphous carbon which is a base material, three-dimensionally spreading in a net shape, and having an average passing through width of 0.05-5 μm, the specific surface area of the negative active material is increased, and the negative active material increasing the absorbing-releasing amount of ions is provided.例文帳に追加

母材であるアモルファスカーボンを貫通し、三次元方向に貫通孔が網目状に広がるとともに、その平均貫通幅が０．０５〜５μｍである三次元相互貫通孔を有する多孔質構造体のカーボンからなる負極活物質を用いることにより、負極活物質の比表面積を増大させることができ、イオンの吸蔵ー放出量に優れる負極活物質を提供する。 - 特許庁

In order to manufacture the thin film transistor, having a laminated structure provided with a semiconductor thin film 5 composed of polycrystalline silicon, an oxidized film 3 composed of the oxide of silicon and a gate electrode film and a thin-film forming process for forming the semiconductor thin film 5 composed of an amorphous silicon on an insulating substrate 0 is carried out first.例文帳に追加

多結晶シリコンからなる半導体薄膜５と、シリコンの酸化物からなる酸化膜３と、ゲート電極膜とを含む積層構造を有する薄膜トランジスタを製造する為に、先ず、絶縁性の基板０に非晶質シリコンからなる半導体薄膜５を形成する薄膜形成工程を行なう。 - 特許庁

On a foundation layer having a foundation film containing an amorphous alloy containing at least Ni, the magnetic recording layer containing at least one kind of elements among Fe and Co, containing at least one kind of elements among Pt and Pd, having L1_0 structure, and containing a magnetic crystal grains with mainly (001) orientation, is formed.例文帳に追加

少なくともＮｉを含有する非晶質合金を含む下地膜を有する下地層上に、Ｆｅ及びＣｏのうち少なくとも一種の元素と、Ｐｔ及びＰｄのうち少なくとも一種の元素とを含有し、Ｌ１_0構造を持ち主として（００１）配向した磁性結晶粒子を含む磁気記録層を形成する。 - 特許庁

The brewster window is disposed inside a laser oscillator such that laser light is oscillated by linear polarization, and includes: a substrate 1 which is constituted of an alkaline earth metal fluoride monocrystal and of which the surface is flattened; and fluoride films 2a, 2a' of a polycrystal or amorphous structure formed on at least one surface of the substrate.例文帳に追加

レーザ光が直線偏光で発振するようにレーザ共振器の内部に配されるブリュースター窓であって、アルカリ土類金属フッ化物単結晶から成り、表面が平坦化された基板１と、その基板の少なくとも一方の面に形成された多結晶又はアモルファス構造であるフッ化物膜２ａ，２ａ’と、を備える。 - 特許庁

A semiconductor layer 100, insulating layers 106 and 106A, and a gate electrode 107 are successively formed on a source electrode 102 and a drain electrode 103 arranged on a substrate 101, where the semiconductor layer 100 is a laminated structure composed of an amorphous silicon layer 104 and a polycrystalline silicon layer 105 formed on the silicon layer 104.例文帳に追加

基板１０１上に配置されたソース電極１０２及びドレイン電極１０３の上に半導体層１００、絶縁層１０６，１０６Ａ及びゲート電極１０７を順に形成すると共に、半導体層１００を、アモルフアスシリコン層１０４と、アモルフアスシリコン層１０４の上に配された多結晶シリコン層１０５とから成る積層構造とする。 - 特許庁

The heater structure comprises a crystal diamond layer 12, an amorphous resistive layer 13 composed of a non-crystal diamond area thermally contacting to the diamond layer 12, and a pair of electrodes 21a, 21b electrically connected to the resistive layer 13, and each of the functional device has a flow path (micro flow path) 25 of energy flows in contact with the diamond layer 12.例文帳に追加

結晶ダイヤモンド層１２と、この結晶ダイヤモンド層１２に熱的接触する非晶質ダイヤモンド領域からなるアモルファス抵抗層１３と、このアモルファス抵抗層１３に電気的に接続される一対の電極２１ａ，２１ｂと、結晶ダイヤモンド層１２に接して流れるエネルギーの流路（マイクロ流路）２５とを備える機能デバイスである。 - 特許庁

Components scavenged by exhaust gas, notably components of an internal combustion engine 12 and/or of at least exhaust gas circulation circuits 14, 16, 18, 20 belonging to an engine set 10 are provided, wherein the surface in contact with the exhaust gas of at least one component is provided with a protective coating comprising at least partly amorphous carbon of local structure close to diamond.例文帳に追加

排気ガスによって掃気される構成部品、特に、内燃エンジン１２および／またはエンジンセット１０に属する少なくとも排気ガス循環路１４，１６，１８，２０の構成部品において、少なくとも１つの構成部品の排気ガスと接触する面が、ダイヤモンドに近い局所構造からなるアモルファス炭素を少なくとも部分的に有する保護コーティングを備えている。 - 特許庁

A structure is constituted of a base made of a metal and an inorganic material surface layer made of crystalline and amorphous inorganic materials, wherein, the thermal conductivity of the inorganic material surface layer is lower than that of the base, the infrared emissivity of the inorganic material surface layer is higher than that of the base, and the base is an annular body.例文帳に追加

金属からなる基材と、結晶性及び非晶質無機材からなる無機材料表面層とから構成される構造体であって、上記無機材料表面層の熱伝導率が上記基材の熱伝導率より低く、上記無機材料表面層の赤外線放射率が上記基材の赤外線放射率より高く、かつ、上記基材は環状体であることを特徴とする構造体。 - 特許庁

The electrostatic charge image developing toner has a core shell structure, and has a volume resistivity A of 1.0×10^12 Ωcm≤A<1.0×10^14 Ωcm , the core containing crystalline polyester resin as the binding resin, a colorant, and a release agent and the shell layer, containing amorphous high polymer resin as the main component.例文帳に追加

コア・シェル構造を有する静電荷像現像用トナーであって、 前記コアが、少なくとも、結着樹脂としての結晶性ポリエステル樹脂、着色剤および離型剤を含有し、 前記シェル層が、無定形高分子樹脂を主成分として含有し、 体積抵抗率Ａが１．０×１０^12Ω・ｃｍ≦Ａ＜１．０×１０^14Ω・ｃｍであることを特徴とする静電荷像現像用トナーである。 - 特許庁

This method for producing the phosphor, forming a precursor of the phosphor by a liquid phase method, then forming liquid droplet state suspension containing the precursor, drying and heating to form the phosphor is characterized with that the precursor has an amorphous structure and the changing rate of the component ratio of each of the main constituting elements of the precursor and phosphor is ≤5%.例文帳に追加

液相法によって蛍光体の前駆体を形成した後、その前駆体を含有する懸濁液を液滴状にして乾燥および加熱することによって蛍光体を形成する蛍光体の製造方法において、当該前駆体がアモルファス構造を有し、かつ当該前駆体と蛍光体の各主要構成元素の組成比の変化率が５％以下であることを特徴とする蛍光体の製造方法。 - 特許庁

In the transparent photocatalyst layer formation composition containing a silica compound, the photocatalyst particles have a crystal structure composed of a crystal part and an amorphous part surrounding the crystal part, 10-80% crystallinity, 3-30 nm average particle diameter, and (9 : 1) to (7.5 : 2.5) content ratio of the photocatalyst particles and the silica compound.例文帳に追加

光触媒粒子と、シリカ化合物とを含有する透明光触媒層形成組成物において、光触媒粒子は、結晶部をアモルファス部が囲んでなる結晶構造からなり、その結晶化度は１０〜８０％であり、かつ、当該光触媒粒子の平均粒子径は３ｎｍ〜３０ｎｍであり、かつ当該光触媒とシリカ化合物の含有比率が９：１〜７．５：２．５である。 - 特許庁

In the organic EL element 100 composed of sequentially laminating the color filter layer 13, the gas barrier layer 20, and the organic EL structure 30 on the substrate 11, the gas barrier layer 20 is an amorphous thin film composed of AlxTiyOz which is a metal oxide of Al and Ti, and the ratio of the number of atoms of Ti to Al in a composition ratio of this AlxTiyOz is 10 atom% or more.例文帳に追加

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなる有機ＥＬ素子１００において、ガスバリア層２０は、ＡｌとＴｉの金属酸化物であるＡｌｘＴｉｙＯｚからなるアモルファス薄膜であり、且つこのＡｌｘＴｉｙＯｚの組成比におけるＡｌに対するＴｉの原子数比率が１０ａｔｏｍ％以上のものである。 - 特許庁

To provide a nano-carbon emitter using a metal plate allowing production of a carbon nano-fiber having a structure different from that of a carbon nanotube or amorphous carbon to be easily controlled and to equalize it at a low cost, and capable of forming a high-performance electron emission element; to provide its manufacturing method; and to provide a field emission display using the nano-carbon emitter.例文帳に追加

カーボンナノチューブまたは、アモルファスカーボンとは構造上異なるカーボンナノファイバの生成が制御しやすく、安価で均一化させることが可能で、電子放出素子を安価で高性能な電子放出素子を作成することが可能な金属板を用いたナノカーボンエミッタ、その製造方法ならびに該ナノカーボンエミッタを用いたフィールドエミッションディスプレイを提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method of the photovoltaic device in pin junction structure with amorphous silicon as a main material, a p-type layer 3 is formed and then hydrogen plasma treatment is made to the p-type layer 3, then CO2 plasma treatment is made for oxidizing a p-type layer surface, and a buffer layer 4a is formed between the p-type layer and an i-type layer.例文帳に追加

非晶質シリコンを主材料としたｐｉｎ接合構造を有する光起電力装置の製造方法において、ｐ型層３を形成後にこのｐ型層３に水素プラズマ処理を施し、その後ＣＯ_2プラズマ処理を行いｐ型層表面を酸化させて、ｐ型層とｉ型層との間のバッファ層４ａを形成する。 - 特許庁

A hydrophilic coat is formed on at least an internal surface of the lid of a heating container, wherein the hydrophilic coat has a fine composite uneven structure comprising hydrophilic metal oxide particles having the most frequent value of particle diameters in a range of 3 to 40 nm, hydrophilic metal oxide particles having the most frequent value of particle diameters in a range of 40 to 300 nm and a hydrophilic inorganic amorphous material.例文帳に追加

加熱容器用蓋の少なくとも内側表面に親水性被膜が形成されており、前記親水性被膜は３〜４０ｎｍに粒径の最頻値を有する親水性金属酸化物粒子と４０〜３００ｎｍに粒径の最頻値を有する親水性金属酸化物粒子と親水性無機非晶質物質からなる、微細な複合凹凸構造を有することを特徴とする加熱容器用蓋。 - 特許庁

In the perpendicular magnetic recording medium wherein at least a base layer, an intermediate layer, a recording layer, a protective layer and a lubricating layer are successively layered on a substrate, the intermediate layer has an amorphous structure and thereby the grain size of the material of the recording layer formed on the intermediate layer is micronized and the grain size distribution thereof is uniformized.例文帳に追加

本発明は、基板上に少なくとも下地層、中間層、記録層、保護層および潤滑層を順次積層した垂直磁気記録媒体において、前記中間層がアモルファス構造を有し、前記中間層をアモルファス構造とすることにより中間層上に形成された前記記録層の材料が、結晶粒径が微細化し、粒径分布が均一化される垂直磁気記録媒体に関する。 - 特許庁

The method of manufacturing a capacitor comprises a stage wherein a lower electrode is formed on a lower structure of a semiconductor substrate, a stage wherein, after forming an amorphous TaON thin film on the lower electrode, a heat treatment is conducted in an NH3 atmosphere to form a Ta3N5 dielectric film, and a stage wherein an upper electrode is formed on the Ta3N5 dielectric film.例文帳に追加

半導体基板の下部構造物上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上に非晶質TaON薄膜を形成した後、NH_3雰囲気中で熱処理工程を実施してTa_3N_5誘電体膜を形成する段階と、前記Ta_3N_5誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のキャパシターの製造方法。 - 特許庁

The stacked photoelectric converter has such a structure that a color sensitizing photoelectric converter 2 which performs photoelectric conversion by a sensitizing action of pigments, and a thin-film photoelectric converter 3 including an amorphous semiconductor layer which performs photoelectric conversion, are stacked in this order on a principal plane of a conductive substrate 11 into which light is incident from the principal plane side.例文帳に追加

主面側から光を入射させる導電性基板11の主面上に、色素の増感作用により光電変換を行なう色素増感型光電変換体２と、光電変換を行なう非単結晶の半導体層を有する薄膜光電変換体３とが、この順で積層されている積層型光電変換装置とする。 - 特許庁

The laminated sheet has a laminated structure wherein an amorphous polyethylene terephthalate (PET) layer is thermally fusion-bonded to the surface of the polyethylene layer of a single layer sheet comprising at least one kind of polyethylene selected from the group consisting of high density polyethylene, medium density polyethylene, low density polyethylene, straight chain low density polyethylene and ultralow density polyethylene or a multilayer sheet having a surface layer comprising polyethylene.例文帳に追加

高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、及び超低密度ポリエチレンからなる群より選ばれる少なくとも一種のポリエチレンからなる単層シートまたは該ポリエチレンからなる表面層を有する多層シートの該ポリエチレン層の表面に、非晶性ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）層が熱融着された積層構造を有する積層シート。 - 特許庁

Moreover, the charged particle beam forming material 300 is constituted by forming the conductive film layer 41 of the amorphous structure on the front surface, side surface and rear surface of the charged particle beam forming material 40, where an aperture 33 is formed to the thin film (membrane) 31a joined to the supporting frame 11a via a silicon oxide 21a.例文帳に追加

また、本発明の荷電粒子線成形体３００は、支持枠部１１ａに酸化シリコン２１ａを介して接合された薄膜部（メンブレン）３１ａに開口部（アパーチャ）３３が形成された荷電粒子線成形体４０の表面、側面及び裏面にアモルファス構造の導電膜層４１が形成されたものである。 - 特許庁

In a laminated film provided with an organic layer, an inorganic barrier layer and a transparent conductive thin film layer on at least one side of a transparent polymer film having ≥120°C glass transition temperature, being essentially amorphous and having ≤15 nm retardation value at 200 μm film thickness, the organic layer has an isocyanulate structure and a hydrolyzed metal alkoxide or organic silicon compound.例文帳に追加

ガラス転移温度が１２０℃以上で実質的に非晶質であり、フィルム厚み２００μｍでのリターデーション値が１５ｎｍ以下である透明な高分子フィルムの少なくとも片側に有機層、無機バリア層、透明導電薄膜層を設けた積層フィルムにおいて、上記有機層がイソシアヌレート構造と、金属アルコキシドまたは有機珪素化合物の加水分解物を有する積層フィルムである。 - 特許庁

The method for manufacturing the material for the anisotropic exchange spring magnet comprises the steps of: forming a ribbon having an amorphous structure by rapidly quenching a magnet alloy; coating the surface of the ribbon with a film having a different composition from that of the ribbon; and heat-treating the ribbon coated with the film.例文帳に追加

磁石合金を超急冷法によりアモルファスの組織を有する薄帯とする工程と、前記薄帯の表面にこの薄帯とは組成が異なる皮膜を被覆する工程と、この皮膜を被覆した薄帯に熱処理を行う工程からなることを特徴とする異方性交換スプリング磁石材料の製造方法。 - 特許庁

This coating film comprising a diamond-like carbon hard multi- layered film 3 which has an amorphous structure containing carbon as a main component and is obtained by alternately laminating low hardness hard carbon layers 4 containing graphite clusters having an average diameter of ≥2 nm and high hardness hard carbon layers 5 containing graphite clusters having an average diameter of ≤1 nm.例文帳に追加

本発明のコーティング膜は、炭素を主成分としたアモルファス構造体であって、平均径２ｎｍ以上からなるグラファイトクラスターを含む低硬度硬質炭素層４と平均径１ｎｍ以下からなるグラファイトクラスターを含む高硬度硬質炭素層５が交互に積層されたＤＬＣ硬質多層膜３である。 - 特許庁

To provide an evaluation method in which an ethylene vinyl alcohol copolymer (EVOH) is evaluated by detecting an indicator from the structure of an amorphous part which is directly related to the permeation passage of a microscopic gas and to provide the ethylene vinyl alcohol copolymer (EVOH) which satisfies a specific characteristic by the evaluation method and whose gas barrier property is superior.例文帳に追加

微視的なガスの透過通路と直接関係のある非晶部の構造から指標を見い出すことにより、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）を評価する評価方法を提供すること、および、その評価方法による特定の特性を満足するガスバリア性のすぐれたエチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）を提供することを目的とする。 - 特許庁

This device is used to crystalize an amorphous semiconductor film with a laser light, and it is provided with a chamber 4 for emitting laser light and at least one heating chamber 3, and further it has such a structure that a sample to be treated can be moved, without being exposed in an outside air between the chambers 4 and 3.例文帳に追加

非晶質半導体膜をレーザー光によって結晶化するための装置であって、レーザーを照射するチャンバー４以外に、少なくとも一つの加熱処理チャンバー３を有し、処理されるべき試料は、前記レーザー照射チャンバー４と加熱処理チャンバー３の間を外気にさらされることなく移動できる構造を有するレーザーアニール装置。 - 特許庁

This waste solidified body solidified such that leaching of a radionuclide is suppressed when disposing of waste in a great depth underground comprises the radioactive waste mainly consisting of a porous and amorphous inorganic compound including the radionuclide, and at least the whole surface is imparted with a water-impermeable dense structure by high-temperature isotropic-pressure processing.例文帳に追加

大深度地下に処分されたときの放射性核種の浸出を抑制するように固化された廃棄物固化体であって、前記放射性核種を含む多孔性および非晶質の無機化合物を主成分とする放射性廃棄物からなり、少なくとも表面全体が高温等方圧処理により不透水性の稠密構造にされているものである。 - 特許庁

A plurality of recessed parts 25 forming a part of the molding cavity 11 and having smooth surfaces are formed to the DLC film 25 having an amorphous structure not having crystal orientation properties by a converged ion beam capable of being converged up to several nm so as to be accurately matched with a desired molding shape.例文帳に追加

この結晶方位性のないアモルファス構造のＤＬＣ被膜２５に数ｎｍまで集束可能な集束イオンビームによって、成形キャビティ１１の一部をなす複数の凹部２５を形成することで、所望の成形形状に合わせて正確に凹部２５を形成することができると共に、表面がなめらかな凹部２５を形成することができる。 - 特許庁

The amorphous resin composition contains 85-95 wt.% polymer having ≥120°C glass transition temperature (Tg) measured based on the ASTM-D-3418 regulation and containing a structure unit having the ultraviolet absorption ability and 15-5 wt.% styrene-based polymer (B) compatible with the polymer (A) and containing a styrene unit.例文帳に追加

ＡＳＴＭ−Ｄ−３４１８の規定に基づき測定したガラス転移温度（Ｔｇ）が１２０℃以上であり、かつ、紫外線吸収能を有する構成単位を含む重合体（Ａ）を８５〜９５重量％と、重合体（Ａ）と相溶する、スチレン単位を含むスチレン系重合体（Ｂ）を１５〜５重量％とを含む非晶性樹脂組成物とする。 - 特許庁

The inorganic fiber including SiO_2, MgO and manganese oxide as essential components and including an amorphous parts comprising these prescribed components in the structure, is obtained by heating and melting a starting material including SiO_2, MgO and manganese oxide as essential components, at 1700-2000°C and then quenching the melt to fiberize.例文帳に追加

ＳｉＯ_2、ＭｇＯ及び酸化マンガンを必須成分として含有する出発原料を、１７００〜２０００℃の温度に加熱して溶融し、得られた融液を急冷して繊維化して、ＳｉＯ_2、ＭｇＯ及び酸化マンガンを必須成分として含有し、かつ前記成分からなる非晶質部分を構造中に含むことを特徴とする無機繊維を得る。 - 特許庁