「amorphous structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

This magnetic recording medium comprises a magnetic domain formation layer 2 formed on a substrate 1 wherein a continuous phase with 1-3 kinds of spherical isolated phases existing therein or such 1-3 kinds of spherical isolated phases existing in piles therein, and an amorphous magnetic layer 3 wherein a minute magnetic domain structure is formed.例文帳に追加

基板１上に連続相とその中に存在する１〜３種の球状の孤立相または連続層中に積み重なった球状の１〜３種の孤立相が存在する磁区形成制御層２を形成し、非晶質磁性層３に微細な磁区構造を形成した磁気記録媒体。 - 特許庁

The semiconductor nanoparticles have an emission quantum efficiency of 0.1-50%, preferably 0.1-20%, more preferably 0.1-5%, which are realized owing to such a phenomenon that part of the shells of the semiconductor nanoparticles with core/shell structure is deleted or part of the cores is amorphous, etc.例文帳に追加

コアシェル構造をもつ半導体ナノ粒子のシェルの一部が欠損していることにより、あるいはコアの一部がアモルファスであることなどにより得られる、発光量子効率が０.１〜５０％、好ましくは０.１〜２０％、より好ましくは０.１〜５％である半導体ナノ粒子。 - 特許庁

This manufacturing method is a method for manufacturing a semiconductor device of a structure wherein a lower electrode 13, a silicon nitride film 141 and an amorphous silicon film 142 constituting an antifuse film 14, are deposited on a semiconductor substrate 11 and an insulating film 16 covering the electrode 13, and the film 14 is formed on a first insulating film 12.例文帳に追加

半導体基板１１上に下部電極１３、アンチヒューズ膜１４を構成するシリコンナイトライド膜１４１とアモルファスシリコン膜１４２を堆積し、下部電極１３およびアンチヒューズ膜１４を覆う絶縁膜１６を形成する。 - 特許庁

The ferromagnetic semiconductor material is composed mainly of a semiconductor material belonging to the group II-VI, IV or III-V, contains at least either of a transition metal (excluding Mn when the main component belongs to the group IV) and a rare earth element as an additive element, and has an amorphous structure.例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族、または、ＩＶ族、または、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料を主成分とし、遷移金属（主成分をＩＶ族とした場合Ｍｎを除く）、または、希土類元素の少なくとも一方を添加元素として含み、アモルファスとする。 - 特許庁

To provide a boron-containing organosilazane polymer suitable as a precursor for obtaining a ceramic having an amorphous structure which is stable even at a high temperature of ≥1,800 °C, being oxidation-resistant at ≥1,700°C and having a low density and high radiation ratio in a high yield and to provide a method for producing the polymer.例文帳に追加

１８００℃以上の高温でも安定な非晶質構造を有し、また１７００℃以上の温度で耐酸化性である、低密度、高輻射率のセラミックスを高収率で得るための前駆体として好適なホウ素含有オルガノシラザンポリマーとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The material for a lithographic substrate has a structure wherein the base substrate is coated with a multilayer film comprising a carbon nitride, CN_XO_Y, or carbon oxide layer which is ≥500 nm and ≤20 μm in thickness and amorphous carbon layers which are ≥5 nm and ≤150 nm in thickness.例文帳に追加

５００ｎｍ以上２０μｍ以下の厚さの窒化炭素層、窒化酸化炭素層あるいは酸化炭素層と、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さの非晶質炭素層との多層膜によって、下地の基板が被覆された構造のリソグラフィ用基板材料とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a nonmagnetic Co-Cr alloy thin film having hexagonal close-packed(hcp) structure by which an tough (10.0) texture can be spontaneously induced by adding a specified element even in the case of vapor deposition onto an amorphous substrate.例文帳に追加

六方最密（ｈｃｐ）構造を有する非磁性ＣｏＣｒ系合金薄膜において、特定の元素を添加することにより非晶質基板上に蒸着させる時においても自発的に強い（１０．０）集合組織を誘導する製造方法。 - 特許庁

The anti-fuse film between a lower electrode 13, made of TiN and an upper electrode 17, is set to three-layer structure, a second layer anti-fuse film 15 is formed by amorphous Si, and a TiWn or an SiN film having high adhesion with the lower electrode 13 is used in a first layer anti-fuse film 14.例文帳に追加

ＴｉＮからなる下部電極１３と上部電極１７間のアンチヒューズ膜を３層構造とし、第２層アンチヒューズ膜１５をアモルファスＳｉで形成し、第１層アンチヒューズ膜１４に下部電極１３との密着性の高いＴｉＷＮ膜あるいはＳｉＮ膜を用いる。 - 特許庁

An inductively coupled plasma CVD method is applied to form each silicon layer, and the base temperature is lowered in steps with respect to, especially, the i-type intermediate layer 113 to form a structure having the polysilicon layer, microcrystal silicon layer, and amorphous silicon layer laminated.例文帳に追加

各シリコン層の形成には誘導結合プラズマＣＶＤ法を適用し、特にｉ型中間層１１３については基材温度を段階的に低下させることで、ポリシリコン層、微結晶シリコン層およびアモルファスシリコン層を積層した構造とする。 - 特許庁

In the iron or steel products, metal films 12 are fixed onto surfaces constituting a part of the road surface of the iron or steel manufactures 4 and 5 by flame spraying, and the material of the metal films is composed of an alloy having an amorphous structure or stainless steel.例文帳に追加

鉄鋼製品４、５の路面の一部を構成する面に溶射により金属膜１２を固着したことを特徴とし、さらに、その金属膜の材料がアモルファス構造の合金又はステンレス鋼であることを特徴とする鉄鋼製品 - 特許庁

To provide a styrylamine derivative with an excellent chemically stable structure to realize an organic electronics using the styrylamine derivative, excellent in carrier transporting property and amorphous property and to provide a method for producing the styrylamine derivative.例文帳に追加

キャリア輸送性及びアモルファス性に優れたスチリルアミン誘導体を用いた有機エレクトロニクスを実現するために、化学的な安定性に優れた構造のスチリルアミン誘導体及びこの誘導体の合成方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, after the cross section of the specific place of the semiconductor device is observed by the scanning microscope, the protective film of the amorphous structure is provided on the observation cross section in an observation sample formed in order to observe the same observation cross section by the transmission electron microscope.例文帳に追加

更に、半導体デバイスの特定箇所の断面を走査型顕微鏡で観察した後、同一観察断面を透過型電子顕微鏡で観察すべく作製される観察試料において、前記観察断面上に非晶質構造の保護膜を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the method, an n-type single-crystal silicon wafer 21 is placed on a first placing surface 50A of a first substrate tray 50 covered by an i-type amorphous silicon layer 28, in a step of forming an HIT-structure.例文帳に追加

本実施形態に係る太陽電池の製造方法では、ＨＩＴ構造の形成工程において、ｎ型単結晶シリコンウェハ２１は、ｉ型非晶質シリコン層２８によって覆われた第１基板トレー５０の第１載置面５０Ａ上に載置される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic device (high-performance MOS type semiconductor device, for example) structure having favorable electrical characteristics using an SiO_2 film and an SiON film as an insulation film having an extremely thin film thickness and using polysilicon, amorphous silicon, and SiGe as an electrode.例文帳に追加

極めて薄い膜厚を有する絶縁膜としてＳｉＯ_２膜およびＳｉＯＮ膜を用い、電極としてポリシリコン、アモルファスシリコン、ＳｉＧｅを用いた良好な電気特性を有する電子デバイス（例えば高性能ＭＯＳ型半導体装置）構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

Each channel layer of the thin film transistor for pixel switching and the thin film transistor for photodetection is constituted of a two layer structure of a fine crystal silicon film 4 having sensitivity in a wavelength band of near IR light and a non-doped amorphous silicon film 23 having sensitivity to visible light of external light.例文帳に追加

画素スイッチング用薄膜トランジスタ及び光検出用薄膜トランジスタの各々のチャネル層は、共に、近赤外光の波長帯域に感度を有する微結晶シリコン膜４と、外光の可視光に対して感度を有するノンドープ非晶質シリコン膜２３との２層構造から成る。 - 特許庁

This has an amorphous structure in which indium oxide is the main component, in which tungsten element is contained by the proportion of W/In atomic ratio of 0.004 to 0.023, and in which zinc element is contained by the proportion of Zn/In atomic ratio of 0.004 to 0.100.例文帳に追加

酸化インジウムを主成分として、タングステン元素がＷ／Ｉｎ原子数比で０．００４〜０．０２３の割合で含有され、亜鉛元素がＺｎ／Ｉｎ原子数比で０．００４〜０．１００の割合で含有され、非晶質構造である。 - 特許庁

The method for producing a crystallized aromatic polycarbonate comprises bringing an amorphous aromatic polycarbonate having a repeating unit to be represented by a specific chemical structure and an intrinsic viscosity of higher than 0.38 to 0.5 into contact with a mixed liquid or a mixed vapor of a heated monohydroxy compound and water to effect crystallization while effecting depolymerization.例文帳に追加

特定の化学構造式であらわされる繰り返し単位をもつ非晶量芳香族ポリカーボネートであり、固有粘度が０．３８〜０．５の芳香族ポリカーボネートを加熱したモノヒドロキシ化合物と水の混合液または混合蒸気に接触させ、解重合させながら結晶化させる。 - 特許庁

After a gate electrode 28 is formed by vacuum deposition or sputtering on a supporting substrate 26, an i-type amorphous silicon film 30 is deposited by thermal CVD of 650°C of silane and in this stage, the structure body is immersed in high pressure water of 110°C for 15 hours.例文帳に追加

支持基板２６の上に真空蒸着あるいはスパッタ法によりゲート電極２８を形成した後、シランの６５０℃の熱ＣＶＤによりｉ型アモルファスシリコン膜３０を堆積し、この段階でこの構造体を１１０℃の高圧水に１５時間浸漬する。 - 特許庁

Particularly preferred is a polymer having a fluorinated aliphatic ring structure in its main chain, such that the fluorinated amorphous polymer is obtained by polymerization of at least one kind selected from a group comprising Pel fluoro (2, 2-dimethyl-1, 3-dioxisol) and Pel fluoro (4-methoxy-1, 3-dioxisol).例文帳に追加

特に好ましくは前記含フッ素非晶質重合体が、ペルフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール）及びペルフルオロ（４−メトキシ−１，３−ジオキソール）からなる群から選ばれる少なくとも１種を重合して得られる主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有する重合体である光導波路である。 - 特許庁

The solar cell device has a structure which uses a transparent conductive film as a first electrode 2 film on a transparent substrate such as glass, plastics, etc., has an amorphous Si film 3 of 200 nm or less formed thereon, and uses a transparent conductive film as a second electrode film 4.例文帳に追加

本発明の太陽電池装置は、ガラスやプラスチック等の透明基板上に、第１の電極２膜として透明導電膜を用い、その上に膜厚が２００ｎｍ以下であるａ−Ｓｉ膜３を成膜し、さらに第２の電極膜４として透明導電膜を用いる構造とする。 - 特許庁

With the organic electroluminescent element including a substrate, a lower electrode, an organic EL luminous layer, and a upper electrode, the lower electrode is of a double-layer structure of a flat application layer including an amorphous alloy or a microcrystalline metal and a reflective application layer including a reflective metal or alloy.例文帳に追加

基板と、下部電極と、有機ＥＬ発光層と、上部電極とを含む有機ＥＬ発光素子において、下部電極は、アモルファス合金または微結晶金属を含む平坦性付与層と、反射性金属または合金を含む反射性付与層との２層構造であることを特徴とする有機ＥＬ発光素子。 - 特許庁

To provide a fiber-reinforced ceramic composite material composed of an Si-N-B-C quaternary ceramic having amorphous structure even at a high temperature of ≥1,800°C and oxidation resistance at ≥1,700°C as a parent phase ceramic, and a process for producing the same.例文帳に追加

本発明は、１８００℃以上の高温でも非晶質構造を有し、また１７００℃以上の温度で耐酸化性であるＳｉ−Ｎ−Ｂ−Ｃ四元系セラミックスを母相セラミックスとする繊維強化セラミックス基複合材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The charged particle beam forming material 100 is constituted by forming a conductive film layer 41 of the amorphous structure on the front surface of the charged particle beam forming material 30, wherein a through-hole 32 is formed to a thin film (membrane) 31a joined to a supporting frame 11a via a joining layer 21a.例文帳に追加

本発明の荷電粒子線成形体１００は、支持枠部１１ａに接合層２１ａを介して接合された薄膜部（メンブレン）３１ａに貫通孔３２が形成された荷電粒子線成形体３０の表面にアモルファス構造の導電膜層４１が形成されたものである。 - 特許庁

This member is the one in which a carbon film has been formed on the face to be formed composed of an organic resin, glass, a magnetic substance, metal, ceramic or a semiconductor, in which the carbon film has a carbon having an Sp3 hybrid orbital, has an amorphous or semiamorphous structure and hardness similar to that of diamond.例文帳に追加

樹脂、ガラス、磁性体、金属、セラミックまたは半導体からなる被形成面上に炭素膜が形成された部材であって、前記炭素膜はｓｐ^３混成軌道をもつ炭素を有し、アモルファスまたはセミアモルファス構造を有し、ダイヤモンド類似の硬さを有する。 - 特許庁

This hard-carbon coated material is characterized by having the hard carbon film of an amorphous structure on the substrate, which contains fine particles of crystal diamond with the particle size of 100 nm or less, through an intermediate layer consisting of elements in the groups of IVa, Va, VIa, VIII, IIIb, and IVb in the periodic table, or nitrides or carbides thereof.例文帳に追加

基材上に元素周期表のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、IIIｂ族、IVｂ族の元素、もしくはその窒化物、炭化物からなる中間層を介して結晶粒径１００ｎｍ以下の微細ダイヤモンド結晶粒を含むアモルファス構造の硬質炭素膜を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

By using the RF plasma CVD apparatus that uses an organic metal material as a raw material, a transparent electrode film made up of a three-layers structure of an amorphous titanium oxide film, a crystalline titanium oxide film, and a crystalline zinc oxide film, is stacked on a transparent insulating substrate.例文帳に追加

有機金属材料を原料とする高周波プラズマＣＶＤ装置により、透明性絶縁基板の上に、非晶質酸化チタン膜と結晶質酸化チタン膜と結晶質酸化亜鉛膜の３層構造からなる透明電極膜を積層する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for three-dimensional precision bending and plastic forming of a sheet metal composed of an electrodeposition alloy having an amorphous or nanocrystal structure of high strength and hard-to-work property suitable for mass production at a low cost without impairment of the excellent mechanical properties of the sheet metal.例文帳に追加

高強度、難加工性の非晶質もしくはナノ結晶構造を有する電析合金から成る金属薄板の優れた機械的特性を損なうことなく、低コストで大量生産に適した３次元精密曲げ塑性成形のための加工方法と装置を提供する。 - 特許庁

An amorphous tantalum oxide film of thickness 10 nm or so is deposited on the primary surface of a semiconductor substrate 1 where an element isolation structure 9, an N-type semiconductor region 10, an N-type well 12, and a P-type well 11 are formed, and the semiconductor substrate 1 is thermally treated in an oxidizing atmosphere at a temperature of 800°C for three minutes.例文帳に追加

素子分離構造９、ｎ型半導体領域１０、ｎ型ウエル１２およびｐ型ウエル１１が形成された半導体基板１の主面上に、約１０ｎｍの膜厚の非晶質の酸化タンタル膜を堆積し、これをたとえば酸化性雰囲気において８００℃、３分間の熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a sound amorphous Nb oxide film having a heat resistance sufficient as a capacitor and to provide an inexpensive lightweight Nd solid electrolytic capacitor exhibiting a performance similar to that of a Ta solid electrolytic capacitor through the same structure of the same shape.例文帳に追加

健全で、コンデンサとして十分な耐熱強度を有するアモルファスＮｂ酸化皮膜を提供し、ひいては同一形状、同一構造でＴａ固体電解コンデンサ並みの性能を有する安価で軽量のＮｂ固体電解コンデンサを提供する。 - 特許庁

Since the amorphous metal oxide of BiZnNb applied as a dielectric film exhibits a high dielectric constant even without proceeding a high-temperature heat treatment process for crystallization, it can be usefully used as a thin film capacitor of a laminated layers structure of a polymer base, such as a printed circuit substrate.例文帳に追加

誘電体膜として採用されるＢｉＺｎＮｂ系非晶質金属酸化物は結晶化のための高温の熱処理工程がなくても、高い誘電率を示すため、印刷回路基板のようなポリマー基盤の積層構造物の薄膜キャパシターに有益に使用できる。 - 特許庁

What makes this interesting is that the social structure of the BSD groups is centralized in a way intended to define clear lines of authority and to prevent forking, while the decentralized and amorphous Linux community takes no such measures. 例文帳に追加

これがおもしろいのは、BSD グループの社会構造は中央集権化されていて、権限をはっきりと線引きすることで分裂を防ぐようになっているのに、中央集権化されていなくて不定型なLinuxコミュニティは分裂を防ぐような手段をまったく講じていないからだ。 - Eric S. Raymond『ノウアスフィアの開墾』

The In-Ga-Zn-O-based oxide semiconductor layer includes structure including a crystal grain expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m=1) in amorphous structure expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m>0).例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層は、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表される非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む構造を有する。 - 特許庁

In the transistor where the oxide semiconductor is used as a channel layer, at least an amorphous structure is included in a region of an oxide semiconductor layer between a source electrode layer and a drain electrode layer, where a channel is to be formed, and a crystal structure is included in a region which is electrically connected to an external portion such as the source electrode layer and the drain electrode layer.例文帳に追加

チャネル層を酸化物半導体で設けるトランジスタにおいて、酸化物半導体層の領域のうち、ソース電極層とドレイン電極層の間に位置しチャネルが形成される領域を少なくとも非晶質構造で設け、ソース電極層及びドレイン電極層等の外部と電気的に接続する領域を結晶構造で設ける。 - 特許庁

The resin particle is formed by polymerization of a vinyl monomer and contains a component, either one of a phosphite diester having a specified structure or a partial ester of a phosphoric acid having a specific structure, and used as a core particle for forming a core/shell type composite particle by coating the amorphous calcium phosphate on its surface.例文帳に追加

樹脂粒子に係る本発明は、ビニル系単量体が重合されてなり、所定の構造を有する亜リン酸のジエステルか、又は、所定の構造を有するリン酸の部分エステルかのいずれかの成分を含有する樹脂粒子であって、表面に非晶質リン酸カルシウムを被覆させてコアシェル型の複合粒子を形成させるためのコア粒子に用いられることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a silicon etching liquid which removes the surrounding constituent material accurately and efficiently so as to form a capacitor structure having protrusions and recesses, for amorphous or polycrystalline silicon, while ensuring a well-balanced etching in the center and at the end of a wafer in which a large number of capacitor structures are formed, and to provide a formation method of a capacitor structure using the same.例文帳に追加

アモルファスシリコン又は多結晶シリコンについて、凹凸を有するキャパシタ構造をなすよう周囲の構成材料を的確かつ効率よく除去し、しかもキャパシタ構造を多数形成するウエハの中央部と端部とにおいてバランスよくエッチングするシリコンエッチング液及びこれを用いたキャパシタ構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

A soft magnetic metal glass layer 44, disposed on an upper surface of a substrate 110, maintains a structure similar to an amorphous structure without crystallization even when being heated and then gradually cooled in thermal imprinting, and as a result, a pattern is formed on the soft magnetic metal glass layer 44 with thermal imprinting without thermally influencing it.例文帳に追加

基板１１０上面に設けられた軟磁性金属ガラス層４４は、熱式インプリントの際に加熱されかつ徐冷されても、結晶化することなくアモルファスと同様の構造を維持するので、熱的な影響を与えることなく軟磁性金属ガラス層４４に熱インプリントでパターンを形成することができる。 - 特許庁

In the perpendicular magnetic recording medium 10 having a nonmagnetic substrate 1 and a Co-Zr amorphous soft magnetic layer 3, a Co-Cr perpendicular recording layer 5 having a hcp structure successively formed on the substrate 1, the medium has a Co-Cr-Ta nonmagnetic layer 4 having a hcp structure disposed between the soft magnetic layer 3 and the perpendicular recording layer 5.例文帳に追加

非磁性の基板１と、前記基板１上に順次形成されたＣｏ−Ｚｒ系アモルファス軟磁性層３とｈｃｐ構造からなるＣｏ−Ｃｒ系垂直記録層５とを有する垂直磁気記録媒体１０において、前記軟磁性層３と前記垂直記録層５との間に配置された、ｈｃｐ構造を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系の非磁性層４を有する。 - 特許庁

The spherical NiP fine particle has a componential composition essentially consisting of Ni and comprising P, and is composed of a central part with a crystalline structure and a surface layer part with a structure where an NiP intermetallic compound is dispersed into an amorphous material, and the P content in the surface layer part is higher than that in the central part.例文帳に追加

Ｎｉを主体にＰを含む成分組成であり、その構造は結晶質構造を有する中心部と、非晶質にＮｉＰ金属間化合物が分散した構造を有する表層部とからなる球状ＮｉＰ微小粒子であって、その表層部のＰ含有量が中心部のＰ含有量よりも高い球状ＮｉＰ微小粒子である。 - 特許庁

A PIN photocell is equipped with a transparent board, a front conductive layer formed on the board, a P-type layer formed on the front conductive layer, an amorphous silicon I layer, an N-type structure layer formed on the I layer and possessed of a wide band gap, and a rear contact layer formed on the N-type structure layer.例文帳に追加

ｐｉｎ光電池が、透明な基板、基板上に形成された前面導電層、前面導電層の上に形成されたｐ型層、ｐ型層の上に形成されたアモルファスシリコンのｉ層、ｉ層の上に形成された広い帯域ギャップを有するｎ型構造層、ｎ型構造層の上に形成された後面接点層を有する。 - 特許庁

There are provided a core structure body 1 constituting a magnetic circuit, by combining two amorphous magnetic alloy ribbon laminated cores whose surfaces including at least a coil winding area are insulated and an air-core coil 10 constituted by winding a wire 12 obtained by fusing and integrating a plurality of flat-type leads on at least one of legs of the core structure body 1.例文帳に追加

少なくともコイル巻回領域を含む表面を絶縁したアモルファス磁性合金薄帯積層コアを２個組み合わせて磁気回路を構成したコア構造体１と、複数の平角導線を融着、一体化した線材１２を前記コア構造体１の少なくともいずれかの脚部に巻回してなる空心コイル１０とを備えている。 - 特許庁

In the magnetoresistive effect storage element having a multilayer film structure sandwiching a nonmagnetic material layer 25 between two ferromagnetic material layers 24 and 26 and performing information recording utilizing variation of the magnetizing direction of one ferromagnetic material layer 24, at least one of the ferromagnetic material layers 24 and 26 has a single grain structure having no clear grain boundary represented by amorphous, for example.例文帳に追加

二つの強磁性体層２４，２６の間に非磁性体層２５を挟んだ多層膜構造を有し、一方の強磁性体層２４の磁化方向の変化を利用して情報記録を行う磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層２４，２６のうちの少なくとも一方を、例えばアモルファスに代表されるように、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造とする。 - 特許庁

A rugged structure is formed on a substrate 1, a metallic catalyser 3 is dispersed to arrange in depressed parts of the ragged structure in a spotty manner, an amorphous silicon layer 4 is formed thereon, crystalline phases 5 with respective orientation are brown from the parts of the metallic catalyser 3 by heat treatment, and the crystalline phases 5 are mutually united by further continuing the treatment to form polycrystalline layer 6.例文帳に追加

基板１の上に凹凸を形成し、この凹凸の凹部の中に金属触媒３を点状に分散させて配置した上に、非晶質シリコン層４を形成し、これを熱処理することによって金属触媒３の部分よりそれぞれ配向性を有する結晶相５を成長させ、さらに、熱処理を続けることによって結晶相５を相互に一体化させ、多結晶シリコン層６を形成する。 - 特許庁

The ferroelectric stacked-layer structure is fabricated by forming a first polycrystalline ferroelectric film 3a of polycrystal on a polycrystalline or amorphous substrate, and then planarizing a surface of the first ferroelectric film 3a, and laminating on the first ferroelectric film 3a having been planarized a second thin ferroelectric film 3b having the same crystalline structure as the first ferroelectric film 3a.例文帳に追加

多結晶又は非晶質の基板上に、多結晶からなる第１の強誘電体膜３ａを形成した後、第１の強誘電体膜３ａの表面を平滑化処理し、平滑化処理された第１の強誘電体膜３ａ上に、第１の強誘電体膜３ａと同一の結晶構造を有する薄膜の第２の強誘電体膜３ｂを積層して、強誘電体積層構造を製造する。 - 特許庁

The method for forming a stacked structure including the amorphous carbon film on the underlayer, includes steps of: supplying an organic silicon gas on the underlayer to form an initial layer including a Si-C bond on the underlayer (t4); and forming the amorphous carbon film on the underlayer with a heating film formation (t6) supplying a film forming gas containing hydrocarbon gas on the underlayer on the surface of which the initial layer is formed.例文帳に追加

アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法は、前記下地層上に有機系シリコンガスを供給し、前記下地層の表面にＳｉ−Ｃ結合を含む初期層を形成する工程（ｔ４）と、前記初期層が表面に形成された前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給し、前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程（ｔ６）と、を具備する。 - 特許庁

Disclosed is a method for producing a protein-recognizing structure comprising the polymerization step of bringing an imprint solution prepared by dissolving polymerizable molecules having a functional monomer capable of being complementarily bonded to specific functional group sites coordinated on a protein amorphous surface into contact with the protein amorphous solid surface and polymerizing the polymerizable molecules in this state and the subsequent removal step of removing the protein from the polymerized imprint polymer.例文帳に追加

タンパク質アモルファス固体表面に、タンパク質アモルファス表面に配位された特異的官能基部位と相補的に結合する機能性モノマーを有する前記重合性分子を溶解させたインプリント溶液を接触させ、この状態で前記重合性分子を重合させる重合ステップと、前記重合ステップの後、重合されたインプリントポリマーからタンパク質を除去する除去ステップと、を備えることを特徴とするタンパク質認識構造体の製造方法。 - 特許庁