「amorphous structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The titanium oxide based thin film essentially consists of titanium oxide and comprises niobium oxide as an auxiliary component, whose refractive index to light of 400 nm wavelength is ≥2.5, and also has an amorphous structure.例文帳に追加

酸化チタン系薄膜は、酸化チタンを主成分とし、副成分として酸化ニオブを含有してなり、４００ｎｍの波長光に対する屈折率が２．５以上であり、かつ非晶質構造を有する。 - 特許庁

Since the growth intercepting layer 17 is amorphous, the second magnetic layer 18 is crystal-grown without being affected by crystal structure of the first magnetic layer 16 and particle diameter of the first magnetic layer 16.例文帳に追加

成長遮断層１７は非晶質であるので、第２磁性層１８は第１磁性層１６の結晶構造や第１磁性層１６ａの粒径の影響を受けずに結晶成長する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element is characterized by a structure formed by sequentially laminating two layers of a crystalline organic photoelectric conversion film, and an amorphous film of a different composition from the photoelectric conversion film.例文帳に追加

結晶質有機光電変換膜及び前記光電変換膜と異なる組成の非結晶質膜からなる２層が連続積層された構造を有することを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

To improve magnetic characteristics of an iron core by changing a lapping method of an outer iron core out of amorphous wound iron cores having a three-phase three-leg wound iron-core structure, and to reduce lapping work man-hours.例文帳に追加

三相三脚巻鉄心構造を有するアモルファス巻鉄心のうち、外鉄心においてのラップ方法を変更し鉄心の磁気特性を改善させ、またラップ作業工数を低減する。 - 特許庁

The outer pinned layer (AP2 layer) 20 has a laminated structure of a (CoFe)_outer layer 21 (outer CoFe layer 21)/a (CoFe_x)B_y layer 22 (amorphous layer 22)/a (CoFe)_inner layer 23 (inner CoFe layer 23).例文帳に追加

外側ピンド層（ＡＰ２層）２０は、（ＣｏＦｅ）_outer 層２１（外側ＣｏＦｅ層２１）／ （ＣｏＦｅ_x ）Ｂ_y 層２２（非晶質層２２）／（ＣｏＦｅ）_inner 層２３（内側ＣｏＦｅ層２３）の積層構造を有している。 - 特許庁

To provide an amorphous-crystalline junction thin film solar cell in which defect density is reduced in the crystalline semiconductor layer, and sufficient light confinement effect can be attained by a texture structure of protrusions and recesses.例文帳に追加

結晶質半導体層中の欠陥密度が低減され、かつ凹凸テクスチャー構造による光閉込効果が十分に得られるアモルファス−結晶質接合型薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide an amorphous-crystalline junction type thin-film solar cell in which the defective density in the crystalline semiconductor layer is reduced while the light confinement effect is sufficiently provided by a rough texture structure.例文帳に追加

結晶質半導体層中の欠陥密度が低減され、かつ凹凸テクスチャー構造による光閉込効果が十分に得られるアモルファス−結晶質接合型薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

A TiN film 4 of amorphous structure is laminated on the substrate 10, and a W film 6 is laminated thereon, and further the W film 6, TiN film 4 and Ti film 1 are removed to form a W plug 6a.例文帳に追加

基板１０の上にアモルファス構造のＴｉＮ膜４を堆積し、その上にＷ膜６を堆積し、Ｗ膜６、ＴｉＮ膜４およびＴｉ膜１を除去して、Ｗプラグ6aを形成する。 - 特許庁

To provide large-sized bulk metallic glass formable in a critical diameter at which an amorphous structure is maintained to a size not possible heretofore, and a method for manufacturing the large-sized bulk metallic glass (CAP casting method).例文帳に追加

非結晶組織が維持されている臨界径を、従来にない大きさにすることができる大型バルク金属ガラスおよび大型バルク金属ガラスの製造方法（ＣＡＰ鋳造法）を提供する。 - 特許庁

The coating film has a basic structure wherein the coating layer is provided on at least the one surface of the transparent film formed by the solution casting method using an amorphous thermoplastic resin composition, especially a polycarbonate.例文帳に追加

非晶性熱可塑性樹脂組成物、特にポリカーボネートを用いて溶液キャスト法によりフィルム化された透明フィルムの、少なくとも一方の面にコーティング層を設けた基本構造を有している。 - 特許庁

The second aspect is to provide a composite material that is formed by integrally combining calcium ions, an organic polymer and an anion species by mixing them and that has an amorphous structure.例文帳に追加

本発明の第2の側面は、カルシウムイオン、有機高分子及び陰イオン種を混合によって一体的に組み合わせることで形成され、アモルファス構造であることを特徴とする複合材料にある。 - 特許庁

A first aspect of the invention is a composite material with an amorphous structure formed by integrally combining a calcium ion, an organic polymer, anion species and a material to be a guest.例文帳に追加

本発明の第１の側面は、カルシウムイオン、有機高分子、陰イオン種及びゲストとなる材料を一体的に組み合わせることで形成され、アモルファス構造であることを特徴とする複合材料にある。 - 特許庁

An amorphous silicon layer is formed on the lower polysilicon germanium layer 23 and then crystallized thus obtaining the upper polysilicon layer 24 having a nondirective crystal structure.例文帳に追加

下部ポリシリコンゲルマニウム層２３上に非晶質シリコン層を形成し、非晶質シリコン層を結晶化することによって、非方向性結晶構造を有する上部ポリシリコン２４層を得ることができる。 - 特許庁

Both a fingerprint detection portion and a solar battery portion are formed of amorphous silicon films of identical structure each being sandwiched between a lower electrode and an upper electrode wired on a substrate.例文帳に追加

指紋検出部および太陽電池部の両者とも、基板に配線される下部電極と上部電極との間に、同一構造のアモルファスシリコン膜を挟んで形成されたものであることを特徴とする。 - 特許庁

In the magnetic recording medium constituted of successively laminating the soft magnetic layer and vertical recording layers on a nonmagnetic substrate, the soft magnetic layer is constituted of CoFe alloy having amorphous single-phase crystal structure.例文帳に追加

非磁性基板上に軟磁性層と垂直記録層を順次積層した構造の磁気記録媒体において、前記軟磁性層を非晶質単相の結晶構造を有するＣｏＦｅ系合金で構成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a rare earth magnet capable of simultaneously achieving high residual magnetization and high coercive force irrespective of whether a structure of material powder before sintering is amorphous or nano-crystalline.例文帳に追加

焼結前の原料粉末の組織が非晶質であるかナノ結晶質であるかによらず、高い残留磁化と高い保磁力とを同時に達成できる希土類磁石の製造方法を提供する。 - 特許庁

To remove a surface layer by selectively etching the lower electrode made of an amorphous silicon, while preventing etching of a contact electrode made of a crystalline silicon in a stacked capacitor of cylindrical structure.例文帳に追加

シリンダ構造のスタック型キャパシタにおいて、結晶性シリコンからなるコンタクト電極のエッチングを防止しつつ、非晶質シリコンからなる下部電極を選択的にエッチングして表面層を除去する。 - 特許庁

The first aspect of the present invention is to provide a composite material that is formed by integrally combining a cation species, an organic polymer and an anion species by mixing them and that has an amorphous structure.例文帳に追加

本発明の第１の側面は、陽イオン種、有機高分子及び陰イオン種を混合によって一体的に組み合わせることで形成され、アモルファス構造であることを特徴とする複合材料にある。 - 特許庁

When the low-temperature polycrystallizing process is performed by using an excimer laser, linearity or periodicity appears in the space structure of the surface of the formed polysilicon film in accordance with the energy density given to amorphous silicon.例文帳に追加

エキシマレーザによる低温多結晶化工程時に、アモルファスシリコンに与えるエネルギ密度に応じて、形成されたポリシリコン膜の膜表面の空間構造に直線性や周期性が現れる。 - 特許庁

A material principally comprising a carbon fluoride compound having a polycyclic structure in molecule is subjected to plasma polymerization to form interlayer insulation films 202, 204 of fluorinated amorphous carbon film.例文帳に追加

分子中に多環構造を有する弗化炭素化合物を主成分とする原料をプラズマ重合反応させることによって、弗素化アモルファスカーボン膜よりなる層間絶縁膜２０２，２０４を形成する。 - 特許庁

To provide a new carbon nanotube characterized in that the carbon nanotube is susceptible to the addition of a functional group to the surface thereof due to the amorphous structure of the outer region of the wall portions thereof and exhibits high electric conductivity and high strength due to the crystalline structure of the inner region of the wall portion thereof.例文帳に追加

カーボンナノチューブの壁の外側領域がアモルファス構造であるため表面に官能基が付加し易く、また、カーボンナノチューブの壁部の内側領域が結晶構造であるため電気伝導度および強度が高いという特徴を有する、新規なカーボンナノチューブを提供する。 - 特許庁

The method for morphologically changing this silicon film includes the steps of irradiating a silicon film formed by a coating method with flashing light to molecular morphologically change the silicon film, that is, to morphologically change the film at a molecular level, such as, for example, change the film between an amorphous structure and a crystal structure, and changing the film between crystal structures.例文帳に追加

塗布法で形成されたシリコン膜に閃光を照射してシリコン膜に分子形態学的変化、すなわち分子レベルにおける形態学的変化、例えばアモルファス構造と結晶構造間の変化、結晶構造間の変化を生じさせる、シリコン膜の形態学的変化法。 - 特許庁

A tantalum nitride film formed by CVD, etc. in a temperature range of 200-400°C is thermally oxidized by the wet oxidizing method to form an insulation film, i.e., a tantalum oxide film having a laminate structure of a non-stoichiometric composition film, and a stoichiometric composition film having an amorphous structure.例文帳に追加

ウェット酸化法により２００〜４００℃の温度範囲でＣＶＤ法等を用いて成膜した窒化タンタル膜を熱酸化することにより、非化学量論的組成膜とアモルファス構造を有する化学量論的組成膜との積層構造を有する酸化タンタル膜を上記絶縁膜として形成する。 - 特許庁

The brittle material film structure having a polycrystalline structure in which the content volume fraction of an amorphous phase is ≤30% and the mean grain size is ≤50 nm is formed by pulverizing brittle material particles into ones of the particle size of ≤100 nm, blowing them on a substrate, and depositing them on the substrate.例文帳に追加

脆性材料粒子を粒子径１００ｎｍ以下に粉砕後、基板に吹き付け、これを基板上に堆積することにより形成された、アモルファス相の含有体積分率３０％以下で、平均結晶粒径が５０ｎｍ以下の多結晶構造である脆性材料膜構造体。 - 特許庁

When printing is applied to the amorphous polyester resin sheet, a ketone type solvent having an isopropyl structure in the vicinity of a ketone group or an ester type solvent having an isopropyl structure in the vicinity of an ester bond is used as a main solvent in ink.例文帳に追加

非結晶性ポリエステル樹脂シート上に印刷を行なう際に、インク中の主たる溶剤が、ケトン基の近傍にイソプロピル構造を有するケトン系溶剤か、エステル結合の近傍にイソプロピル構造を有するエステル系溶剤を用いることにより課題を解決することができた。 - 特許庁

The magnetic recording medium has an N-containing amorphous film, a film having a B2 structure and a Cr film or a Cr alloy film having a BCC structure disposed in this order on the nonmagnetic substrate and further has a Co-base magnetic film on the Cr film or the Cr alloy film.例文帳に追加

非磁性基板上にＮを含むアモルファス膜、Ｂ２構造を有する膜およびＣｒ膜もしくはＢＣＣ構造を有するＣｒ合金膜がこの順に設けられ、さらに該Ｃｒ膜もしくは該Ｃｒ合金膜の上にＣｏを主成分とする磁性膜を有する磁気記録媒体。 - 特許庁

The transparent electroconductive film has a multilayer structure comprising a first ITO film, a metallic thin film, and a second ITO film, and is characterized by not exposing the film to an atmosphere of 300°C or higher, through start of formation to etching of the transparent film, to make the first and the second ITO films keep an amorphous structure.例文帳に追加

第１のＩＴＯ膜と金属薄膜と第２のＩＴＯ膜との積層構造になっている透明導電膜において、透明導電膜の形成開始からエッチングまでの間に、３００℃以上の高温にせず、第１、第２のＩＴＯ膜にアモルファス構造を維持させる。 - 特許庁

The polarizing film 10 with the adhesive has: a polarizing film 15 which has structure composed of an amorphous cyclic polyolefin resin film 12, a polarizer 13 and a protection film 14; and an adhesive layer 11 arranged outside the amorphous cyclic polyolefin resin film 12, wherein the adhesive layer 11 has a gel fraction of 75 to 95% by weight.例文帳に追加

非晶性環状ポリオレフィン系樹脂フィルム１２／偏光子１３／保護フィルム１４の構成からなる偏光フィルム１５と、その非晶性環状ポリオレフィン系樹脂フィルム１４の外側に設けられた粘着層１１とを有し、粘着層１１はゲル分率が７５〜９５重量％である粘着剤付き偏光フィルム１０が提供される。 - 特許庁

At least one bilayer consisting respectively of an amorphous or quasi-amorphous material 45 and a material having the same structure or the same crystal lattice as the antiferromagnetic layer is placed in the storage layer 40 between a ferromagnetic layer which is in contact with the semiconductor or insulation layer 42 with confined-current-paths and an antiferromagnetic layer.例文帳に追加

それぞれ非晶質または準非晶質の材料４５と、反強磁性層と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料と、からなる１つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層４２と接触する強磁性層と反強磁性層との間の前記記憶層４０に配置される。 - 特許庁

A seal layer 13 of the panel is formed as a multiple structure having a first seal layer 14 composed of amorphous glass and a second seal layer 15 composed of crystalline glass, and since a grain boundary of the second seal layer 15 becoming a leak factor is filled up with the amorphous glass of the first seal layer 14, high reliability is obtained for airtightness of the seal layer 13.例文帳に追加

パネルのシール層１３を、非晶質ガラスからなる第１シール層１４と結晶質ガラスからなる第２シール層１５とを備える多重構造とすることにより、リーク要因となる第２シール層１５の結晶粒界が第１シール層１４の非晶質ガラスによって埋められるため、シール層１３の気密性に高い信頼性が得られる。 - 特許庁

In the alloy negative electrode material for a lithium secondary battery, the alloy negative electrode material includes an amorphous tin alloy (A) formed from tin and a crystallization inhibitor (D) and a carbon material (B) having voids in the structure, and 5-40 vol.% of the voids (C) exist between the amorphous tin alloy (A) and the carbon material (B) in the alloy negative electrode material.例文帳に追加

スズと結晶化抑制剤（Ｄ）から形成された非晶質スズ合金（Ａ）と、構造体中に空隙を有する炭素材料（Ｂ）とからなる合金負極材料であり、該合金負極材料中において非晶質スズ合金（Ａ）と炭素材料（Ｂ）との間に空隙（Ｃ）が５〜４０体積％存在する、リチウム二次電池用合金負極材料。 - 特許庁

The plated layer 11 has a laminated structure 13 comprising the amorphous part 11a on the surface side and the crystalline part 11b inside, wherein the amorphous part 11a comprises crystal particles with ≤20 nm of particle diameter, and the crystalline part 11b comprises crystal particles with ≥20 nm of particle diameter.例文帳に追加

また、ブラスめっき層１１が、表面側の非結晶質性部１１ａと内側の結晶質性部１１ｂとが積層された積層構造部分１３を備え、非結晶質性部１１ａが２０ｎｍ以下の粒径の結晶粒により形成され、結晶質性部１１ｂが２０ｎｍを超える粒径の結晶粒により形成されたことも特徴とする。 - 特許庁

To provide a magnetic base material formed into a heat-treatable composite magnetic material having a heat-resistant structure necessary for enhancing magnetic characteristics of an amorphous metal in order to maximally developing the excellent magnetic characteristics of the amorphous metal, having high saturated magnetic flux density and low loss and excellent in mechanical strength, a laminate thereof and the use of them.例文帳に追加

非晶質金属の優れた磁気特性を最大限に発現するために、非晶質金属の磁気特性向上に必要な熱処理が可能な耐熱構造の複合磁性材料とするとともに、高い飽和磁束密度と低損失を兼ね備え、機械的強度に優れた磁性基材およびその積層体ならびに用途を提供する。 - 特許庁

To provide an amorphous composite oxide particle which is spherical, has a small maximum diameter and has a narrow particle size distribution, its manufacturing method, a fluorescent material composed of the amorphous composite oxide particle and capable of easily forming a homogeneous and dense fluorescent film, and fluorescent substance as a structure having high red emission efficiency.例文帳に追加

球状であり、最大径が小さく且つ粒度分布の狭い非結晶質複合酸化物粒子及びその製造方法、並びに、上記非結晶質複合酸化物粒子からなり、均質で緻密な蛍光膜を容易に形成することができる蛍光材、及び、赤色の発光効率の高い構造体である蛍光体を提供する。 - 特許庁

The substrate 100 for the electronic device is provided with the substrate 11 having an amorphous layer 15, a buffer layer 12 which is formed so as to make the orientation uniform at least in the thickness direction on the amorphous layer 15 and a conductive oxide layer 13 which is formed on the buffer layer 12 by epitaxial growth and contains a metal oxide having a perovskite structure.例文帳に追加

図１に示す電子デバイス用基板１００は、アモルファス層１５を有する基板１１と、アモルファス層１５上に、少なくとも厚さ方向に配向方位が揃うよう形成されたバッファ層１２と、バッファ層１２上にエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を含む導電性酸化物層１３とを有している。 - 特許庁

A silicon etching liquid containing an alkali compound and a hydroxylamine compound in combination, and having pH adjusted to 11 or higher is applied to a polycrystalline silicon film or an amorphous silicon film, and the polycrystalline silicon film or amorphous silicon film is removed partially or entirely thus forming a capacitor structure which forms an uneven shape becoming a capacitor.例文帳に追加

アルカリ化合物およびヒドロキシルアミン化合物を組み合わせて含み、ｐＨを１１以上に調整したシリコンエッチング液を多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜に適用して、該多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の一部または全てを除去することにより、キャパシタとなる凹凸形状を形成するキャパシタ構造の形成方法。 - 特許庁

A photoelectric conversion device 31 comprises: a light absorbing layer 3 containing a Group I-III-VI compound having a chalcopyrite structure; an intermediate layer 4 which is positioned on the light absorbing layer 3 and contains a Group III-VI compound having an amorphous or microcrystalline structure; and a buffer layer 5 which is positioned on the intermediate layer 4 and contains a Group VI compound having a crystal structure.例文帳に追加

光電変換装置３１は、カルコパイライト構造のＩ−III−VI族化合物を含む光吸収層３と、光吸収層３上に位置するアモルファスまたは微結晶構造のIII−VI族化合物を含む中間層４と、中間層４上に位置する結晶構造を有するVI族化合物を含むバッファ層５とを備える。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor has a structure of a base coating layer, an intermediate layer and a photosensitive layer successively laminated on a conductive supporting body, the base coating layer has a structure of dispersion of metal oxides in a resin, and the intermediate layer has a structure of diamond-like carbon or amorphous carbon containing hydrogen.例文帳に追加

導電性支持体上に少なくとも下引き層、中間層及び感光層を順次積層した構成を持つ電子写真感光体において、下引き層が樹脂中に金属酸化物を分散させた構造を有し、かつ中間層が水素を含有するダイヤモンド状カーボン若しくは非晶質カーボン構造を有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

Further, a lower substrate for the dual-plate type organic electroluminescent element which is manufactured by a small number of mask processes is realized by employing an inverted staggered type thin-film transistor structure using an amorphous silicon material.例文帳に追加

また、非晶質シリコン物質を利用する逆スタッガード型（Inverted Staggered Type）薄膜トランジスタ構造の採択によって、少ないマスク工程の数で製作されたデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用の下部基板を実現する。 - 特許庁

After forming a high-melting-point metal film 25 in the surface of the obtained structure, near the surface of the crystallized semiconductor film 15 is made amorphous by introducing Si or Ge through the high-melting-point metal film 25.例文帳に追加

得られた構造の表面に高融点金属膜２５を形成した後、前記高融点金属膜２５を介してＳｉ又はＧｅを導入して前記結晶化半導体膜１５の表面近傍を非結晶化する。 - 特許庁

Thereafter, at sputter steps 64, 65, an Al alloy film is formed on a surface of the TiN film of the amorphous structure, whereby in the state where the TiN film is underlaid, the Al alloy film is embedded in a contact hole.例文帳に追加

その後、スパッタ工程６４、６５で、アモルファス構造のＴｉＮ膜の表面上にＡｌ合金膜を形成することで、ＴｉＮ膜を下地とした状態で、Ａｌ合金膜をコンタクトホールの内部に埋め込む。 - 特許庁

In the electroluminescent display element, the driving element and the switching element are composed using amorphous thin-film transistors, the driving element having a structure wherein many thin-film transistors are coupled in parallel.例文帳に追加

本発明に従う有機エレクトロルミネセンス素子は非晶質薄膜トランジスタを利用して駆動素子とスイッチング素子を構成するのに於いて、駆動素子は多数個の薄膜トランジスタが並列に連結された構造で構成する。 - 特許庁

To achieve a highly functional semiconductor integrated system by attaining a stacked or three-dimensional structure of a high performance semiconductor element by growing a monocrystalline semiconductor layer at an arbitrary position on an amorphous insulating layer.例文帳に追加

非晶質の絶縁層上に任意の位置に単結晶半導体層を成長させることにより高性能半導体素子の積層化あるいは３次元化を可能にし，高機能な半導体集積システムを実現する。 - 特許庁

The constitution in this invention is featured in that the optical recording medium has a guard band region between recording tracks to maintain amorphous state in a phase change recording optical recording medium that utilizes the change in crystalline structure.例文帳に追加

結晶構造の変化を利用する相変化型光記録媒体において、記録トラックの間に、非晶質状態を保持するガードバンド領域を持つことを特徴とする光記録媒体を主たる構成にしたこと。 - 特許庁

The metal oxide-based film having a high dielectric constant such as a TiO_2 film or a ZrO_2 film having an amorphous structure is deposited on a silicon substrate using a plasma chemical vapor deposition method, and this film is used as the gate insulation film.例文帳に追加

プラズマ化学気相成長法を用いてシリコン基板上にアモルファス構造のＴｉＯ_2膜またはＺｒＯ_2膜などの金属酸化物系高誘電体膜を堆積し、これをゲート絶縁膜として用いる。 - 特許庁