「an AU」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

An Al/Ti/Pt/Au multiple metal layer 32, an AuSn solder layer 33, an Au/Ni/Al/Ti multiple metal layer 15, an n^+ contact layer (n^+-GaN) 14, and a drift part (n-GaN) 13 are formed on an n-type Si substrate 31.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板３１上に、Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ多重金属層３２、ＡｕＳｎはんだ層３３、Ａｕ／Ｎｉ／Ａｌ／Ｔｉ多重金属層１５、ｎ^+コンタクト層（ｎ^+−ＧａＮ）１４、ドリフト部（ｎ−ＧａＮ）１３が形成されている。 - 特許庁

An Ni-P film and an Au film are successively formed on a Cu electrode formed on the surface of a ceramic element assembly through a pretreatment stage 11, an autocatalytic Ni plating stage 12 and a substitution Au plating stage 13.例文帳に追加

前処理工程１１、自己触媒Ｎｉめっき工程１２、置換Ａｕめっき工程１３を経て、セラミック素体の表面に形成されたＣｕ電極上にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を順次形成する。 - 特許庁

Since etching rate of the upper layer Au is higher, lateral etching rate of Au is also high when a multilayer film of Au/Pt is etched using an aqua regia based solution and a tapering angle larger than two times the film thickness of Pt is formed.例文帳に追加

上層のＡｕの方がエッチングレートが大きいことから、Ａｕ／Ｐｔ積層膜を王水系の溶液でエッチングした際、エッチングレートの速いＡｕの横方向へのエッチングレートも大きく、Ｐｔの２倍膜厚よりもテーパー角度が大きく形成される。 - 特許庁

A silver halide emulsion is provided which has been chemically sensitized with a gold chalcogenide compound having a bond of an anionic chalcogenide and a gold (I) ion and capable of releasing an ionic species represented by Au-Ch^- on a chemical reaction.例文帳に追加

化学反応によりAu-Ch^-で表されるイオン種を放出しうる、アニオン性カルコゲニドと金（Ｉ）イオンとの結合を有する金カルコゲニド化合物により化学増感されたハロゲン化銀乳剤。 - 特許庁

This method comprises an Au thin film formation step for forming an Au thin film of 20 nm or less in thickness on a bonding surface of one silicon member and a heating step for making a bonding surface of the other silicon member and the Au thin film come in contact with each other and heating at a prescribed temperature.例文帳に追加

一方のシリコン部材の接合面に膜厚２０ｎｍ以下のＡｕ薄膜を形成するＡｕ薄膜形成工程と、他方のシリコン部材の接合面と該Ａｕ薄膜とを当接させて所定温度で加熱する加熱工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

An alloy layer 9 of Ga-Au alloy and In-Au alloy having high electric conductivity and high heat conductivity is formed by forming a Ga-In alloy layer 7 on one of conductors 1, 2, and an Au plating layer 8 on the other, and reacting them by pressure welding.例文帳に追加

導電体１、２の一方にＧａ−Ｉｎ合金層７を設けると共に、他方にＡｕメッキ８を設け、これらを圧接して反応させることで、高い電気伝導性と熱伝導性を有するＧａ−Ａｕ合金とＩｎ−Ａｕ合金の合金層９を形成する。 - 特許庁

This semiconductor laser element includes a front surface electrode formed by Au plating, a back surface electrode formed by Au plating, an antisticking film formed only on the front surface electrode and made of a material which does not react with Au, and a coating film covering a light emitting side end face and an opposite side end face.例文帳に追加

Ａｕメッキにより形成された表面電極と、Ａｕメッキにより形成された裏面電極と、表面電極上のみに形成された、Ａｕと反応を起こさない材料からなる付着防止膜と、発光側端面及び反対側端面を覆うコーティング膜とを有する。 - 特許庁

To suppress the reaction of an Al pad and an Au wiring layer due to the formation of a bonding wire on the Al pad.例文帳に追加

Ａｌパッド上にボンディングワイヤを形成することによるＡｌパッドとＡｕ配線層との反応を抑制すること。 - 特許庁

To provide a method for joining an element, such as an LED (light-emitting diode) element, to a substrate especially by an Au-Sn alloy solder paste.例文帳に追加

特にＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いてＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの素子を基板に接合する方法を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the step of forming an Ni/Au/In film 9 on a p-type GaP substrate 8 of a plane orientation (100).例文帳に追加

（１００）面方位のｐ型ＧａＰ基板８上にＮｉ／Ａｕ／Ｉｎ膜９を形成する。 - 特許庁

To provide an Au-plated component assembly, having an improved mounting strength with solder more than the conventional assembly and an improved reliability more than the conventional one, in mounting of thick Au plated components in a package, etc., also plated with Au, etc., using a solder material containing In, Sn, Pb and Bi as main components.例文帳に追加

Ａｕメッキが厚い部品の、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉを主な成分とするはんだ材を用いた、同じくＡｕメッキ等が施されたパッケージ等への取り付けにおいて、該はんだ材による取り付け強度を従来より強くし、信頼性が従来より向上する、Ａｕメッキ部品アセンブリを提供すること。 - 特許庁

The treatment of changing an adhesive force of the Al film 23 to be a substrate of the Au film 24 and a protective film 25 is executed.例文帳に追加

Ａｕ膜２４の下地となるＡｌ膜２３や保護膜２５の密着力を変える処理を行う。 - 特許庁

To provide a bump made of an Au-Sn alloy without incorporating large voids and a manufacturing method of the bump.例文帳に追加

大きなボイドを内蔵することのないＡｕ−Ｓｎ合金バンプおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An electrode pad 25 formed of gold (Au) alloy is formed on a part of the translucent electrode 20.例文帳に追加

透光性電極２０上の一部には、金（Ａｕ）合金から成る電極パッド２５が形成されている。 - 特許庁

Subsequently, density distribution of nickel (Ni) and gold (Au) is inverted by heat treatment to obtain an inverted distribution.例文帳に追加

その後、熱処理によって、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）の密度分布を反転させた反転分布を得る。 - 特許庁

An operation is effected by applying a voltage by a DC power source 8 such that the Au electrode 6 side turns minus.例文帳に追加

直流電源８によりＡｕ電極６側がマイナスになるように電圧印加して作動させる。 - 特許庁

An external connection pad electrode 17 made of Al or Au is formed on the electrode 16.例文帳に追加

電極１６上にはＡｌまたはＡｕからなる外部接続用のパッド電極１７が形成されている。 - 特許庁

Further a low-cost Cu film 4 of low resistance is formed on the Au film 3 by an electrolytic plating.例文帳に追加

さらに、そのＡｕ膜３上に、電解メッキ法で低抵抗で低コストなＣｕ膜４を形成する。 - 特許庁

An element other than the Te, for example, either Al, Zr, Ta, Hf, Si, Ge, Ni, Co, Cu or Au may be added.例文帳に追加

Ｔｅ以外の他の元素、例えばＡｌや、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，ＣｕおよびＡｕのいずれかを添加してもよい。 - 特許庁

The cathode formed on the surface of a solid electrolyte 1 is formed of an alloy layer 20 containing Au and Al.例文帳に追加

固体電解質の表面に形成されるカソードがＡｕとＡｌとを含む合金層で形成される。 - 特許庁

An n-side electrode 21 formed of AuGe/Ni/Au is formed on the rear of the n-GaAs substrate 11.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１１の裏面にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ側電極２１を形成する。 - 特許庁

The present invention also provides the manufacturing method of the FBAR element using an Au or Ti seed layer.例文帳に追加

また、本発明は、ＡｕまたはＴｉシード層を用いたＦＢＡＲ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The inorganic oxide is preferably an oxide of one element selected from Si, Ti, W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb and Mn or oxides of a combination of two or more elements.例文帳に追加

ここで、無機酸化物は、Si,Ti,W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb, Mnから選ばれるいずれか１種の酸化物、またはいずれか２種以上の組み合わせの酸化物であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a structure that never makes a step-cut of a barrier metal layer on a ridge-portion contact layer to prevent Au of an Au layer on the barrier metal layer from being diffused into a ridge from the step-cut portion.例文帳に追加

リッジ部コンタクト層上のバリアメタル層の段切れを発生しない構造とし、バリアメタル層上のＡｕ層のＡｕが上記段切れ部分からリッジ内部へ拡散するのを防止する。 - 特許庁

To provide a method for mounting electronic component elements by which the Au or Au alloy bump of an electromagnetic component element can be jointed stably to a prescribed position of a substrate, without causing positional deviations between them.例文帳に追加

電子部品素子のＡｕまたはＡｕ合金バンプと基体の所定位置との間で位置ずれが発生することがなく安定した接合が可能な実装方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Au bump construction and its manufacturing method capable of solving mismatching problem and of securing a proper current flow between the Au bump and a relevant IC.例文帳に追加

不整合問題を解決すると共にＡｕバンプと関連するＩＣとの間の適切な電流の流れを確保することが可能なＡｕバンプ構成及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent Au of an Au layer on a barrier metal layer from diffusing from a step disconnection to a ridge inside by achieving a structure which does not generate step disconnection of a barrier metal layer on a ridge contact layer.例文帳に追加

リッジ部コンタクト層上のバリアメタル層の段切れを発生しない構造とし バリアメタル層上のＡｕ層のＡｕが 上記段切れ部分からリッジ内部への拡散を防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a pressure sensor capable of preventing a corrosive medium from intruding to the side of a pad from the interface between an Au film and an Al film and the pad from being corroded by heightening an adhesive force of the Au film and the Al film.例文帳に追加

Ａｕ膜とＡｌ膜との密着力を高めることで、これらの界面から腐食媒体がパッド側に浸入することを防止でき、パッドが腐食されることを防止できる圧力センサの製造方法を提供する。 - 特許庁

An Ni-P coated film and an Au coated film are successively formed on a Cu electrode formed on the surface of a ceramic body through a pre-treatment step 11, an autocatalytic Ni plating step 12 and a displacement Au plating step 13.例文帳に追加

前処理工程１１、自己触媒Ｎｉめっき工程１２、及び置換Ａｕめっき工程１３により、セラミック素体の表面に形成されたＣｕ電極上にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を順次形成する。 - 特許庁

Then a 3rd electrode layer 6 made of Al or an alloy whose principal component is Al or made of Au or an alloy whose principal component is Au is formed to cover an upper face and side faces of the 2nd electrode layer 5.例文帳に追加

そして、第２の電極層５の上面および側面を被覆するように、Ａｌもしくはこれを主成分とする合金またはＡｕもしくはこれを主成分とする合金からなる第３の電極層６を形成する。 - 特許庁

An Au film 2 is deposited on an MgO (100) substrate 1, and a Ga converging ion beam 50 nm in beam diameter is applied to the section, where a junction is desired to be formed, to form an irradiated region 3 on the surface of the substrate, and then the Au film 2 is removed.例文帳に追加

ＭgＯ(１００)基板１上にＡu薄膜２を蒸着し、接合を形成したい位置にビーム径５０nｍのＧa収束イオンビームを照射して基板表面に照射領域３を形成し、Ａu薄膜２を除去する。 - 特許庁

The electrode for electrochemical detection is used for fixing nucleic acid formed on a substrate 1 and constituted of at least two layers a first Au layer 2 relatively low in crystallinity on the substrate 1 and a second Au layer 3, which is relatively high in crystallinity and comprises an Au (111) plane in the plane for fixing nucleic acid on the first Au layer 2.例文帳に追加

基板１上に形成された核酸を固定するための電極について、基板１の直上に相対的に結晶性が低い第一Ａｕ層２と、第一Ａｕ層２上に、相対的に結晶性が高く核酸を固定する面がＡｕ（１１１）面からなる第二Ａｕ層３との少なくとも２層からなるものとする。 - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

Inspection light is emitted from an autocollimator AC and reflected by the upper end of an inner cylinder 22 of an actuator unit AU, and the reflected light is incident thereon.例文帳に追加

オートコリメータＡＣより検査光を出射させ、アクチュエータユニットＡＵの内筒２２の上端で反射させ、その反射光を入射する。 - 特許庁

To suppress formation of an Sn-rich AuSn compound on an interface when an Au bump electrode and a wiring pattern are joined together using Sn solder.例文帳に追加

Ａｕバンプ電極と配線パターンをＳｎはんだで接合する際に、界面にＳｎリッチがＡｕＳｎ化合物が形成されるのを抑制する。 - 特許庁

To prevent or relax the fact where electrodes which comprise an Au (gold) or whose main component are Au chemically react to cause an accident with a semiconductor device, with a simple means.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、Ａｕ或いはＡｕを主成分とする電極が化学反応を起こして半導体装置に事故を発生させることを簡単な手段で防止或いは緩和できるようにする。 - 特許庁

An Ni-P layer 11 is inserted between a Cu layer 12 making up an external electrode 3 and a surface layer (Au layer) 10.例文帳に追加

外部電極３を構成するＣｕ層１２と表面層（Ａｕ層）１０との間に、Ｎｉ−Ｐ層１１を介在させる。 - 特許庁

Connection parts 11a are formed of a conductive material containing an Ni filler plated with Au and do not contain an Ag filler.例文帳に追加

接続部１１ａは、Ａｕメッキが施されたＮｉフィラーを含有する導電材により形成され、Ａｇフィラーを含まない。 - 特許庁

In the multilayer film 10, a dielectric film 2, an Au (gold) film 3, and an oxide film 4 are sequentially laminated from the translucent substrate 1 side.例文帳に追加

多層膜１０は透光性基板１側から誘電体膜２、Ａｕ（金）膜３、酸化膜４の順に積層されている。 - 特許庁

The optical device comprises an electrode, made of Au or the like on the uppermost surface layer, provided on a substrate 10, and an electrode made of Au on the uppermost surface layer provided on a semiconductor light- emitting element 10 or an intermediate member and connected (J) to the electrode by applying an ultrasonic vibration.例文帳に追加

基板１０に設けられた最表面層がＡｕなどからなる電極と、半導体発光素子２０あるいは中間部材に設けられた最表面層がＡｕなどからなる電極とが、超音波振動の印加により接合（Ｊ）されている構成とする。 - 特許庁

To provide an SDH test unit that can absorb a delay in a processing time of AU data with a simple configuration.例文帳に追加

ＳＤＨ試験装置において、簡単な構成でＡＵデータの処理時間の遅れを吸収できるようにする。 - 特許庁

A hole 9 is formed in the second insulating layer 6, and electric connection is established by an Au wire up to the second insulating layer 6.例文帳に追加

第２絶縁層６に孔９を開け、金線で第２絶縁層６上までの電気的な接続を行う。 - 特許庁

To resolve inconvenience caused by au audio cable being fixed to an earphone and to allow the audio cable to be exchanged.例文帳に追加

オーディオケーブルがイヤホンに固定されることによる不便を解消でき、且つオーディオケーブルの交換が可能になる。 - 特許庁

With this structure, using the Cu wire 11 lowers the material cost as compared with use of an Au wire.例文帳に追加

この構造により、Ｃｕ線１１を用いることでＡｕ線の場合と比較して材料コストが低減される。 - 特許庁

To provide an Au-Sn alloy powder for use in the manufacture of a solder paste which causes no significant wet spreading.例文帳に追加

濡れ広がりの少ないはんだペーストを製造するために使用するＡｕ−Ｓｎ合金粉末を提供する。 - 特許庁